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P沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽MOSFET技术，采用小型SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

数据手册

1+
￥2.82
10+
￥2.26
30+
￥2.01
100+
￥1.71
500+
￥1.58
1000+
￥1.5

有货

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型号：BSS138PW,115 编号：C193366

封装：SOT-323

N沟道,60V,320mA

数据手册

5+
￥1.6431
50+
￥1.3038
150+
￥1.1583
500+
￥0.9769
3000+
￥0.8705
6000+
￥0.822

有货

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型号：BSS84,215 编号：C493579

封装：SOT-23

P- 通道增强模式垂直扩散金属氧化物半导体（DMOS）晶体管，采用小型表面贴装器件（SMD）塑料封装。

数据手册

5+
￥1.7032
50+
￥1.3202
150+
￥1.1561
500+
￥0.9513
3000+
￥0.8602
6000+
￥0.8054

有货

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型号：IRF540NPBF-JSM 编号：C18187910

封装：TO-220

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷下提供优异的Rps(on)，可应用于多种应用领域。

5+
￥1.7344 ￥2.168
50+
￥1.342 ￥1.6775
150+
￥1.19512 ￥1.4939
500+
￥1.01184 ￥1.2648
2500+
￥0.93024 ￥1.1628
5000+
￥0.88128 ￥1.1016

有货

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型号：HB06N750S 编号：C49423980

封装：TO-252

特性：VDS = 60 V。 ID = 12 A。 RDS(on)@VGS = 10 V < 75 mΩ。 RDS(on)@VGS = 4.5 V < 90 mΩ。雪崩能量测试。快速开关速度。应用：电源开关应用。负载开关

5+
￥1.736
50+
￥1.3751
150+
￥1.2205
500+
￥1.0275
2500+
￥0.9416
5000+
￥0.89

有货

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型号：SI2300DS-T1-GE3 编号：C72271

封装：SOT-23

品牌：VISHAY(威世)

N沟道,30V,3.6A,68mΩ@4.5V

数据手册

5+
￥1.7487
50+
￥1.3707
150+
￥1.2087
500+
￥1.0065
3000+
￥0.9165
6000+
￥0.8625

有货

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型号：HP803P140S 编号：C49423982

封装：SOP-8

特性：VDS = -30 V。 ID = -12 A。 RDS(on)@VGS = -10 V < 12 mΩ。 RDS(on)@VGS = -4.5 V < 15 mΩ。低栅极电荷和导通电阻。快速开关速度。应用：便携式设备的负载开关。电源开关应用

5+
￥1.8184
50+
￥1.4404
150+
￥1.2784
500+
￥1.0763
2500+
￥0.9863
4000+
￥0.9323

有货

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型号：HB04P950S 编号：C49256763

封装：TO-252

特性：VDS = -40V。 I0 = -10A。 RDS(on) @ VGS = -10V < 85mΩ。 RDS(on) @ VGS = -4.5V < 126mΩ。低栅极电荷和导通电阻。快速开关速度。应用：DC-DC转换器。负载开关

5+
￥1.8184
50+
￥1.4404
150+
￥1.2784
500+
￥1.0763
2500+
￥0.9863
5000+
￥0.9323

有货

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型号：PBSS4350X,115 编号：C135818

封装：SOT-89

采用SOT89塑料封装的NPN低VCEsat晶体管。PNP互补型号：PBSS5350X。

数据手册

5+
￥1.8662
50+
￥1.4807
150+
￥1.3155
1000+
￥1.1085
2000+
￥1.0168
5000+
￥0.9617

有货

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型号：NTD5867NLT4G 编号：C5350885

封装：TO-252

特性：VDS = 60V, ID = 20A。 RDS(ON) < 33mΩ @ VGS = 10V。应用：负载/电源开关。接口开关

数据手册

5+
￥1.9013
50+
￥1.485
150+
￥1.3065
500+
￥1.0839
2500+
￥0.9848
5000+
￥0.9253

有货

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型号：2N7002BKS,115 编号：C68181

封装：SOT-363(SC-88)

N沟道,60V,300mA,1.6Ω@10V

数据手册

1+
￥1.9126 ￥2.62
10+
￥1.3041 ￥2.07
30+
￥0.9699 ￥1.83
100+
￥0.8162 ￥1.54
500+
￥0.742 ￥1.4
1000+
￥0.6996 ￥1.32

有货

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型号：HD303N110DG 编号：C52766430

封装：PDFN-8(3x3)

5+
￥1.9639
50+
￥1.5556
150+
￥1.3807
500+
￥1.1624
2500+
￥1.0652
5000+
￥1.0069

有货

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型号：HD303P180S 编号：C49423976

封装：PDFN-8(3x3)

5+
￥2.0003
50+
￥1.5845
150+
￥1.4063
500+
￥1.1839
2500+
￥1.0849
5000+
￥1.0255

有货

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型号：AONR21357 编号：C431196

封装：DFN-8(3x3)

品牌：AOS

P沟道

数据手册

5+
￥2.054
50+
￥1.6179
150+
￥1.431
500+
￥1.0921
2500+
￥0.9882
5000+
￥0.9259

有货

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型号：NCE01P18K 编号：C115990

封装：TO-252-2L

品牌：NCE(无锡新洁能)

P沟道,-100V,-18A,100mΩ@-10V

数据手册

5+
￥2.0725
50+
￥1.5937
150+
￥1.3885
500+
￥1.1325
2500+
￥1.0185
5000+
￥0.95

有货

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型号：AO4485 编号：C51499

封装：SOIC-8

品牌：AOS

P沟道,-40V,-10A,15mΩ@-10V

数据手册

5+
￥2.0768
50+
￥1.6748
150+
￥1.5026
500+
￥1.2877
3000+
￥1.192
6000+
￥1.1345

有货

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型号：AOD409 编号：C5182105

封装：TO-252

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

数据手册

5+
￥2.1289
50+
￥1.6507
150+
￥1.4458
500+
￥1.1901
2500+
￥1.0763
5000+
￥1.0079

有货

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型号：HP804P220S 编号：C49256767

封装：SOP-8

特性：VDS = -40V。 ID = -13A。 RDS(on) @ VGS = -10V < 15mΩ。 RDS(on) @ VGS = -4.5V < 22mΩ。低栅极电荷和导通电阻。快速开关速度。应用：电源开关应用。硬开关和高频电路

5+
￥2.1336
50+
￥1.6901
150+
￥1.5
500+
￥1.2628
2500+
￥1.1572
4000+
￥1.0939

有货

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型号：FDS4435BZ 编号：C23931

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件适用于笔记本电脑和便携式电池组中常见的电源管理和负载开关应用。

数据手册

5+
￥2.1463
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￥1.7683
150+
￥1.6063
500+
￥1.4042
2500+
￥1.3142
5000+
￥1.2602

有货

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型号：CRSS052N08N 编号：C410924

封装：TO-263

品牌：CRMICRO(华润微)

特性：使用CRM(CQ)先进的SkyMOS1技术。极低的导通电阻RDS(on)。出色的Qg × RDS(on)乘积（FOM）。符合JEDEC标准。应用：电机控制和驱动。电池管理

数据手册

5+
￥2.1738
50+
￥1.7206
150+
￥1.5264
1000+
￥1.338
2000+
￥1.2301
5000+
￥1.1653

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型号：IRF630NPBF 编号：C2567

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,200V,9.3A,300mΩ@10V

数据手册

5+
￥2.207
50+
￥1.5587
150+
￥1.3806
500+
￥1.1584
2000+
￥1.0594
5000+
￥1

有货

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型号：ZXTP2012ZTA 编号：C122574

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -60V。 IC = -4.3A，高连续电流。 RSAT = 32mΩ，低等效导通电阻。低饱和电压 VREF(sat) < -65mV @ IC = -1A。 hFE 规定至 -10A，高电流增益保持。互补 NPN 类型。应用：应急照明电路。电机驱动（包括直流风扇）

数据手册

5+
￥2.2296
50+
￥1.7484
150+
￥1.5422
1000+
￥1.1954
2000+
￥1.0808
5000+
￥1.012

有货

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型号：DMP3013SFV-7 编号：C264098

封装：PowerDI3333-8

品牌：DIODES(美台)

该MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

数据手册

5+
￥2.2596
50+
￥1.8903
150+
￥1.732
500+
￥1.4817
2000+
￥1.3938
4000+
￥1.341

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型号：NCEP1520K 编号：C341717

封装：TO-252-2L

品牌：NCE(无锡新洁能)

NCEP1520K采用超级沟槽技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于极低的RDS(ON)和Qg组合，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流

数据手册

5+
￥2.34
50+
￥1.8
150+
￥1.57
500+
￥1.28
2500+
￥1.15
5000+
￥1.07

有货

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型号：PBSS5350Z,135 编号：C49692

封装：SOT-223

采用中功率SOT223（SC - 73）表面贴装器件（SMD）塑料封装的PNP低VCEsat晶体管。互补NPN型：PBSS4350Z

数据手册

1+
￥2.38
10+
￥1.87
30+
￥1.66
100+
￥1.39
500+
￥1.26
1000+
￥1.19

有货

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型号：PMV65XPEAR 编号：C2889116

封装：SOT-23

P沟道增强型场效应晶体管(FET),采用沟槽MOSFET技术,采用小型SOT23(TO 236AB)表面贴装器件(SMD)塑料封装

数据手册

1+
￥2.4
10+
￥1.88
30+
￥1.65
100+
￥1.37
500+
￥1.25
1000+
￥1.14

有货

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型号：SI2319CDS-T1-GE3 编号：C146287

封装：SOT-23

品牌：VISHAY(威世)

P沟道,-40V,-4.4A,0.077Ω@-10V

数据手册

5+
￥2.5115
50+
￥2.0323
150+
￥1.827
500+
￥1.4291
3000+
￥1.315
6000+
￥1.2466

有货

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型号：IRF7342TRPBF 编号：C5197322

封装：SOP-8

应用：负载/电源开关。接口。开关逻辑电平转换

数据手册

1+
￥2.84
10+
￥2.23
30+
￥1.97
100+
￥1.64
500+
￥1.42
1000+
￥1.34

有货

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型号：HB04N040S 编号：C49423979

封装：TO-252

特性：VDS = 40V。ID = 100A。RDS(on)@VGS = 10V < 4mΩ。RDS(on)@VGS = 4.5V < 6mΩ。雪崩能量测试。快速开关速度。应用：电源开关应用。负载开关

1+
￥2.92
10+
￥2.31
30+
￥2.05
100+
￥1.73
500+
￥1.59
1000+
￥1.5

有货

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型号：SI7115DN 编号：C22435138

封装：PDFN-8L(3x3)