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1个P沟道 耐压:30V 电流:80A
型号：AOD403 编号：C6396161
封装：TO-252
品牌：JSMSEMI(杰盛微)
便携式设备，使用高电池密度，先进的沟槽技术，适合于低压应用以及低在线功率损耗

  • 5+

    ￥1.003 ￥1.18

  • 50+

    ￥0.88162 ￥1.0372

  • 150+

    ￥0.8296 ￥0.976

  • 500+

    ￥0.764745 ￥0.8997

  • 2500+

    ￥0.6936 ￥0.816

  • 5000+

    ￥0.67626 ￥0.7956
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:30V 电流:10A
    型号：AO4468 编号：C5183837
    封装：SOP-8
    品牌：JSMSEMI(杰盛微)
    广泛应用于电源转换、负载开关控制及电池管理系统，实现卓越的功率密度与效率表现。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.55845 ￥0.6205

    • 50+

      ￥0.44181 ￥0.4909

    • 150+

      ￥0.38349 ￥0.4261

    • 500+

      ￥0.33975 ￥0.3775

    • 3000+

      ￥0.30924 ￥0.3436

    • 6000+

      ￥0.29169 ￥0.3241
  • 有货
    • 立即购买
    耐压:30V 电流:10A
    型号：AO4435 编号：C5182770
    封装：SOP-8
    品牌：JSMSEMI(杰盛微)
    电池管理系统、电源开关及高效能电子设备设计，具有卓越的低导通电阻和快速开关性能，确保在各种应用场合下实现稳定高效的功率转换与控制。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.56168 ￥0.7021

    • 50+

      ￥0.43664 ￥0.5458

    • 150+

      ￥0.37416 ￥0.4677

    • 500+

      ￥0.3272 ￥0.409

    • 3000+

      ￥0.27208 ￥0.3401

    • 6000+

      ￥0.25336 ￥0.3167
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V 电流:360mA
    型号：BSS138P,215 编号：C75547
    封装：SOT-23
    品牌：Nexperia(安世)
    N沟道,60V,0.36A,1.6Ω@10V
    数据手册

    • 5+

      ￥0.5691

    • 50+

      ￥0.4546

    • 150+

      ￥0.3974

    • 500+

      ￥0.3545

    • 3000+

      ￥0.3201

    • 6000+

      ￥0.303
  • 有货
    • 立即购买
    耐压:30V 电流:3A
    型号：IRLML5203TRPBF 编号：C5182049
    封装：SOT-23
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    应用：负载/电源开关。接口开关。逻辑电平转换
    数据手册

    • 5+

      ￥0.5726

    • 50+

      ￥0.4553

    • 150+

      ￥0.3967

    • 500+

      ￥0.3527

    • 3000+

      ￥0.2941

    • 6000+

      ￥0.2766
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:20V 电流:0.8A
    型号：TPM1012ER3 编号：C2830303
    封装：SOT-523
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    特性：VDS = 20V, b = 0.8A。RDS(ON) < 250mΩ @ VGS = 4.5V。RDS(ON) < 300mΩ @ VGS = 2.5V。ESD保护。应用：负载/电源开关。接口开关
    数据手册

    • 5+

      ￥0.6385

    • 50+

      ￥0.5185

    • 150+

      ￥0.4585

    • 500+

      ￥0.4135

    • 3000+

      ￥0.3381

    • 6000+

      ￥0.32
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:30V 电流:4.3A
    型号：DMP3056L-7 编号：C150724
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    这款新一代MOSFET的设计旨在最大程度降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.6706

    • 50+

      ￥0.5529

    • 150+

      ￥0.494

    • 500+

      ￥0.4499

    • 3000+

      ￥0.4146

    • 6000+

      ￥0.3969
  • 有货
    • 立即购买
    40V 8.5A
    型号：HV04P320S 编号：C49424010
    封装：SOT-89
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    特性：VDS = -40 V。 ID = -8.5 A。 RDS(on)@VGS = -10 V < 32 mΩ。 RDS(on)@VGS = -4.5 V < 40 mΩ。 雪崩能量测试。 快速开关速度。应用：同步整流。 DC/DC转换器

    • 5+

      ￥0.6901

    • 50+

      ￥0.5497

    • 150+

      ￥0.4795

    • 1000+

      ￥0.4268

    • 2000+

      ￥0.3847

    • 5000+

      ￥0.3636
  • 有货
    • 立即购买
    P沟道MOSFET
    型号：HV03P650S 编号：C51883854
    封装：SOT-89
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    特性：VDS = 30V。 ID = 5.3A。 RDS(on)@VGS = 10V < 49mΩ。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 85mΩ。 雪崩能量测试。 快速开关速度。应用：PWM应用。 负载开关

    • 5+

      ￥0.7077

    • 50+

      ￥0.5637

    • 150+

      ￥0.4917

    • 1000+

      ￥0.4377

    • 2000+

      ￥0.3945

    • 5000+

      ￥0.3729
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:100V 电流:4.2A
    型号：AO4486 编号：C5125950
    封装：SOP-8
    品牌：UMW(友台半导体)
    特性：结合了先进的沟槽MOSFET技术和低电阻封装，提供极低的RDS(ON)。 VDS(V) = 100V。 ID = 4.2A。 RDS(ON) < 79mΩ (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 94mΩ (VGS = 4.5V)。应用：升压转换器。 同步整流器，用于消费、电信、工业电源和LED背光
    数据手册

    • 5+

      ￥0.7439

    • 50+

      ￥0.6493

    • 150+

      ￥0.6088

    • 500+

      ￥0.5582

    • 3000+

      ￥0.5179

    • 6000+

      ￥0.5044
  • 有货
    • 立即购买
    耐压:20V 电流:2.8A
    型号：DMC2038LVT 编号：C5182067
    封装：SOT-23-6
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    应用：DC-DC转换器。负载开关。电源管理
    数据手册

    • 5+

      ￥0.761

    • 50+

      ￥0.6026

    • 150+

      ￥0.5234

    • 500+

      ￥0.464

    • 3000+

      ￥0.3769

    • 6000+

      ￥0.3531
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:8V 电流:5.8A
    型号：SI2305CDS-T1-GE3 编号：C37577
    封装：SOT-23
    品牌：VISHAY(威世)
    P沟道,-8V,-5.8A,35mΩ@-4.5V
    数据手册

    • 5+

      ￥0.7724

    • 50+

      ￥0.6211

    • 150+

      ￥0.5455

    • 500+

      ￥0.4888

    • 3000+

      ￥0.4292

    • 6000+

      ￥0.4065
  • 有货
    • 立即购买
    耐压:30V 电流:4.1A
    型号：TPIRFTS9342TRPBF 编号：C5246406
    封装：SOT-23-6
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.7742

    • 50+

      ￥0.6137

    • 150+

      ￥0.5335

    • 500+

      ￥0.4733

    • 3000+

      ￥0.3784

    • 6000+

      ￥0.3543
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:20V 电流:7.1A
    型号：WST2339 编号：C148354
    封装：SOT-23
    品牌：WINSOK(微硕)
    WST2339 是一款具有极高单元密度的高性能沟槽 P 沟道 MOSFET，能为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和栅极电荷。WST2339 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，并通过了全面的功能可靠性认证。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.78

    • 50+

      ￥0.65

    • 150+

      ￥0.6

    • 500+

      ￥0.52

    • 3000+

      ￥0.51

    • 6000+

      ￥0.5
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:20V 电流:3.2A
    型号：NTR4101PT1G 编号：C35920
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    这是一个 20 V P 沟道功率 MOSFET。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.8204

    • 50+

      ￥0.6715

    • 150+

      ￥0.597

    • 500+

      ￥0.5412

    • 3000+

      ￥0.4352

    • 6000+

      ￥0.4128
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:20V
    型号：AO3416 编号：C43307
    封装：SOT-23
    品牌：AOS
    N沟道,20V,6.5A,22mΩ@4.5V
    数据手册

    • 5+

      ￥0.8329

    • 50+

      ￥0.6841

    • 150+

      ￥0.6097

    • 500+

      ￥0.554

    • 3000+

      ￥0.4588

    • 6000+

      ￥0.4365
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:55V 电流:2.1A
    型号：AO3422 编号：C37130
    封装：SOT-23
    品牌：AOS
    N沟道,55V,2.1A,160mΩ@4.5V
    数据手册

    • 5+

      ￥0.8393

    • 50+

      ￥0.6786

    • 150+

      ￥0.5982

    • 500+

      ￥0.5379

    • 3000+

      ￥0.4396

    • 6000+

      ￥0.4155
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道 耐压:60V 电流:50A
    型号：AP68N06G 编号：C2828590
    封装：PDFN-8(5x6)
    品牌：ALLPOWER(铨力)
    AP68N06系列采用创新设计和硅工艺技术，以实现尽可能低的导通电阻和快速开关性能。它为设计人员提供了一种极其高效的器件，可广泛应用于各种电源领域。DFN5*G封装在所有采用红外回流焊技术的商业工业表面贴装应用中广受欢迎，并且由于其连接电阻低，适用于大电流应用
    数据手册

    • 5+

      ￥0.8495

    • 50+

      ￥0.7487

    • 150+

      ￥0.7055

    • 500+

      ￥0.6516

    • 2500+

      ￥0.4825

    • 5000+

      ￥0.4681
  • 有货
    • 立即购买
    20-25 NPN 电流:1.5A 电压:400V
    型号：3DD13003(RANGE:20-25) 编号：C80358
    封装：TO-252-2(DPAK)
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：适用于功率开关应用
    数据手册

    • 5+

      ￥0.8666

    • 50+

      ￥0.71

    • 150+

      ￥0.6318

    • 500+

      ￥0.5731

    • 2500+

      ￥0.5

    • 5000+

      ￥0.4765
  • 有货
    • 立即购买
    耐压:30V 电流:15A
    型号：AO4407 编号：C5370947
    封装：SOP-8
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    特性：VDS = -30V。 ID = -60A。 RDS(ON) < 11mΩ @ VGS = 10V。应用：Load/Power Switching。 Interfacing
    数据手册

    • 5+

      ￥0.8897

    • 50+

      ￥0.708

    • 150+

      ￥0.6171

    • 500+

      ￥0.5489

    • 3000+

      ￥0.4944

    • 6000+

      ￥0.4671
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:30V 电流:3.5A
    型号：SI2307CDS-T1-GE3 编号：C141561
    封装：SOT-23
    品牌：VISHAY(威世)
    特性：无卤选项。 TrenchFET功率MOSFET。应用：便携式设备的负载开关
    数据手册

    • 5+

      ￥0.9484

    • 50+

      ￥0.7676

    • 150+

      ￥0.6771

    • 500+

      ￥0.6093

    • 3000+

      ￥0.5061

    • 6000+

      ￥0.4789
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:40V 电流:25A
    型号：AOD413A 编号：C5261059
    封装：TO-252-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    本款消费级P沟道MOSFET采用紧凑型TO-252-2L封装，具有40V工作电压及高效能的25A电流承载力。专为低压、高效率开关应用设计，应用于各类消费电子产品中，以实现卓越的电源转换效能与系统稳定性，是优化电路的理想选择。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.971375 ￥1.0225

    • 50+

      ￥0.78603 ￥0.8274

    • 150+

      ￥0.706705 ￥0.7439

    • 500+

      ￥0.60762 ￥0.6396

    • 2500+

      ￥0.52668 ￥0.5544

    • 5000+

      ￥0.50027 ￥0.5266
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V 电流:40A
    型号：AON7264E-HXY 编号：C6285769
    封装：DFN3x3-8L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    本款消费级N沟道MOSFET采用紧凑型DFN3X3-8L封装，具有出色的功率密度。额定电压60V，连续电流高达40A，适用于小型化、高性能电源转换、负载开关及电池管理系统设计，实现空间节省与高效能的完美结合。

    • 5+

      ￥0.973258 ￥1.1726

    • 50+

      ￥0.88229 ￥1.063

    • 150+

      ￥0.84328 ￥1.016

    • 500+

      ￥0.794642 ￥0.9574

    • 2500+

      ￥0.61171 ￥0.737

    • 5000+

      ￥0.598762 ￥0.7214
  • 有货
    • 立即购买
    2个N沟道 耐压:30V 电流:27A
    型号：ESN4832 编号：C5224304
    封装：PDFN3x3-8L
    品牌：ElecSuper(静芯)
    2个N沟道，30V，27.0A，11.5mΩ@10V,8.0A，1.5V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

    • 5+

      ￥0.988

    • 50+

      ￥0.7384

    • 150+

      ￥0.6136

    • 500+

      ￥0.52
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    1个P沟道 耐压:30V 电流:3.6A
    型号：IRLML9301TRPBF 编号：C82056
    封装：SOT-23
    品牌：Infineon(英飞凌)
    P沟道,30V,3.6A,64mΩ@3.6A,10V
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    1个P沟道 耐压:20V 电流:1A
    型号：PMF170XP,115 编号：C389353
    封装：SOT-323
    品牌：Nexperia(安世)
    采用沟槽MOSFET技术的P沟道增强型场效应晶体管（FET），采用SOT323（SC - 70）小型表面贴装器件（SMD）塑料封装。
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    耐压:30V 电流:6A
    型号：AO4606 编号：C5123896
    封装：SOP-8
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    应用：电池保护。负载开关
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    NPN 电流:500mA 电压:45V
    型号：BC817DS,115 编号：C128436
    封装：SC-74(TSOP-6)
    品牌：Nexperia(安世)
    NPN/NPN通用双晶体管，采用SOT457 (SC-74)塑料封装。
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    30V 90A
    型号：IRLR8726 编号：C5350860
    封装：TO-252
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
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    2个N沟道 耐压:20V 电流:4A
    型号：FDC6305N 编号：C5123954
    封装：SOT-23-6
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
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