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1个N沟道 耐压:100V 电流:42A
型号：BSC160N10NS3G 编号：C148261
封装：TDSON-8(5x6)
品牌：Infineon(英飞凌)
N沟道,100V,8.8A,16mΩ@10V
数据手册

  • 1+

    ￥6.87

  • 10+

    ￥5.66

  • 30+

    ￥5.05

  • 100+

    ￥4.2275 ￥4.45

  • 500+

    ￥3.496 ￥3.68

  • 1000+

    ￥3.325 ￥3.5
  • 有货
    • 立即购买
    600V 20A
    型号：IKW20N60T 编号：C10456
    封装：TO-247
    品牌：Infineon(英飞凌)
    Vce=600V，Ic=20A，Vce(sat)=1.5V
    数据手册

    • 1+

      ￥8.37

    • 10+

      ￥7.69

    • 30+

      ￥5.75

    • 90+

      ￥5.0635 ￥5.33

    • 510+

      ￥4.8925 ￥5.15

    • 990+

      ￥4.807 ￥5.06
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:80V 电流:28A
    型号：SI7469DP-T1-GE3 编号：C467910
    封装：PowerPAKSO-8
    品牌：VISHAY(威世)
    特性：无卤，符合 IEC 61249-2-21 标准。TrenchFET 功率 MOSFET
    数据手册

    • 1+

      ￥10.22

    • 10+

      ￥8.7

    • 30+

      ￥7.74

    • 100+

      ￥6.6346 ￥6.77

    • 500+

      ￥6.1936 ￥6.32

    • 1000+

      ￥6.0074 ￥6.13
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:100V 电流:380A
    型号：HYG015N10NS1TA 编号：C2979263
    封装：TOLL-8L
    品牌：HUAYI(华羿微)
    特性：100V/380A，导通电阻（RDS(ON)）典型值为 1.2mΩ（VGS = 10V 时）。 100% 雪崩测试。 可靠耐用。 提供无卤器件（符合 RoHS 标准）。应用：开关应用。 逆变器系统的电源管理
    数据手册

    • 1+

      ￥11.74

    • 10+

      ￥9.99

    • 30+

      ￥8.9

    • 100+

      ￥7.54

    • 500+

      ￥7.03

    • 1000+

      ￥6.81
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:85V 电流:360A
    型号：NCEP016N85LL 编号：C2686653
    封装：TOLL
    品牌：NCE(无锡新洁能)
    该系列器件采用超级沟槽 II 技术，经过独特优化，可提供高效的高频开关性能。由于极低的导通电阻 RDS(ON) 和栅极电荷 Qg 的组合，传导和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流。
    数据手册

    • 1+

      ￥12.98

    • 10+

      ￥10.82

    • 30+

      ￥9.47

    • 100+

      ￥8.08

    • 500+

      ￥7.46

    • 1000+

      ￥7.18
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:100V 电流:399A
    型号：MOT1113T 编号：C6533572
    封装：TOLL-8
    品牌：MOT(仁懋)
    电压VDSS 100V,导通电阻Rds1.1毫欧，电荷量Qg131nC，电流ID 399A

    • 1+

      ￥13.94

    • 10+

      ￥11.95

    • 30+

      ￥10.71

    • 100+

      ￥8.22

    • 500+

      ￥7.65

    • 1000+

      ￥7.4
  • 有货
    • 立即购买
    耐压:650V 电流:68.5A
    型号：IPW65R041CFD 编号：C528753
    封装：TO-247
    品牌：Infineon(英飞凌)
    CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。650V CoolMOS CFD2系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与高级创新。由此产生的器件具备快速开关SJ MOSFET的所有优点，同时提供极快且坚固的体二极管。极低的开关、换向和传导损耗与最高的坚固性相结合，使谐振开关应用更加可靠、高效、轻便和凉爽。
    数据手册

    • 1+

      ￥42.85

    • 10+

      ￥36.31

    • 30+

      ￥32.43

    • 90+

      ￥28.5

    • 480+

      ￥26.68

    • 960+

      ￥25.87
  • 有货
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    NPN 电流:500mA 电压:100V
    型号：FMMT417TD 编号：C508216
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    FMMT415/417 是 NPN 硅平面双极晶体管，专为雪崩模式下的操作而设计。严格的工艺控制和低电感封装相结合，可产生具有快速沿的大电流脉冲。
    数据手册

    • 1+

      ￥52.29

    • 10+

      ￥46.02

    • 30+

      ￥39.93

    • 100+

      ￥36.73
  • 有货
    • 立即购买
    hFE:120-200 NPN 电流:500mA 电压:25V
    型号：S8050 J3Y 编号：C42441446
    封装：SOT-23
    品牌：TDSEMIC(拓电半导体)
    hFE:120-200

    • 100+

      ￥0.036

    • 1000+

      ￥0.028

    • 3000+

      ￥0.0235

    • 9000+

      ￥0.0209

    • 51000+

      ￥0.0185

    • 99000+

      ￥0.0173
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V
    型号：2N7002K 编号：C916397
    封装：SOT-23
    品牌：JSMSEMI(杰盛微)
    防静电，应用：通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
    数据手册

    • 50+

      ￥0.05427 ￥0.0603

    • 500+

      ￥0.04212 ￥0.0468

    • 3000+

      ￥0.03582 ￥0.0398

    • 6000+

      ￥0.03177 ￥0.0353

    • 24000+

      ￥0.02826 ￥0.0314

    • 45000+

      ￥0.02637 ￥0.0293
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:500mA 电压:25V
    型号：S8050 编号：C3011093
    封装：SOT-23
    品牌：JUXING(钜兴)
    数据手册

    • 50+

      ￥0.056525 ￥0.0595

    • 500+

      ￥0.043605 ￥0.0459

    • 3000+

      ￥0.038285 ￥0.0403

    • 6000+

      ￥0.033915 ￥0.0357

    • 24000+

      ￥0.03021 ￥0.0318

    • 51000+

      ￥0.028215 ￥0.0297
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V 电流:340mA
    型号：7002-2N7002K 编号：C17702881
    封装：SOT-23
    品牌：GOODWORK(固得沃克)
    1个N沟道 耐压:60V 电流:340mA适用于电源开关和信号控制

    • 50+

      ￥0.05864 ￥0.0733

    • 500+

      ￥0.04568 ￥0.0571

    • 3000+

      ￥0.0356 ￥0.0445

    • 6000+

      ￥0.03128 ￥0.0391

    • 30000+

      ￥0.02752 ￥0.0344

    • 45000+

      ￥0.02544 ￥0.0318
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V 电流:340mA
    型号：2N7002K 编号：C5240370
    封装：SOT-23
    品牌：TWGMC(迪嘉)
    特性：高密度单元设计，实现低导通电阻RDS(ON)。 电压控制小信号开关。 坚固可靠。 高饱和电流能力。 ESD保护。 适用于便携式设备的负载开关。 DC/DC转换器
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0621 ￥0.069

    • 500+

      ￥0.05481 ￥0.0609

    • 3000+

      ￥0.04644 ￥0.0516

    • 6000+

      ￥0.04401 ￥0.0489

    • 24000+

      ￥0.04185 ￥0.0465

    • 51000+

      ￥0.04077 ￥0.0453
  • 有货
    • 立即购买
    200mA 40V
    型号：2N3906S-RTK/PS 编号：C5300004
    封装：SOT-23
    品牌：KEC
    特性：低漏电流：ICEX = -50nA（最大值），IBL = -50nA（最大值），VCE = -30V，VEB = -3V。 出色的直流电流增益线性度。 低饱和电压：VCE(sat) = -0.4V（最大值），IC = -50mA，IBL = -5mA。 低集电极输出电容：Cob = 4.5pF（最大值），VCB = -5V。 与2N3904S互补。 后缀U：符合AEC-Q101标准。应用：通用应用。 开关应用
    数据手册

    • 10+

      ￥0.0652

    • 100+

      ￥0.0516

    • 300+

      ￥0.0441

    • 3000+

      ￥0.03686 ￥0.038

    • 6000+

      ￥0.033077 ￥0.0341

    • 9000+

      ￥0.03104 ￥0.032
  • 有货
    • 立即购买
    PNP 电流:0.6A 电压:60V
    型号：MMBT2907 编号：C2891811
    封装：SOT-23
    品牌：YONGYUTAI(永裕泰)
    特性：与MMBT2222互补
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0694

    • 500+

      ￥0.0543

    • 3000+

      ￥0.0457

    • 6000+

      ￥0.0407

    • 24000+

      ￥0.0363

    • 51000+

      ￥0.0339
  • 有货
    • 立即购买
    PNP 电流:600mA 电压:150V
    型号：MMBT5401 编号：C181137
    封装：SOT-23
    品牌：Hottech(合科泰)
    特性：与MMBT5551互补。 适用于中功率放大和开关。 表面贴装器件
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0703 ￥0.074

    • 500+

      ￥0.055955 ￥0.0589

    • 3000+

      ￥0.04712 ￥0.0496

    • 6000+

      ￥0.04237 ￥0.0446

    • 24000+

      ￥0.03819 ￥0.0402

    • 51000+

      ￥0.03591 ￥0.0378
  • 有货
    • 立即购买
    PNP 电流:500mA 电压:150V
    型号：LMBT5401LT1G 编号：C57683
    封装：SOT-23
    品牌：LRC(乐山无线电)
    特性：产品材料符合RoHS要求。 S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 AEC-Q101合格且具备PPAP能力
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0801

    • 500+

      ￥0.0623

    • 3000+

      ￥0.0525

    • 6000+

      ￥0.0465

    • 24000+

      ￥0.0414
  • 有货
    • 立即购买
    PNP 电流:200mA 电压:40V
    型号：MMST3906 编号：C6165146
    封装：SOT-323
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    作为互补类型，推荐使用NPN晶体管MMST3904。外延平面管芯结构。SOT-323塑料封装

    • 50+

      ￥0.0848

    • 500+

      ￥0.0643

    • 3000+

      ￥0.0582

    • 6000+

      ￥0.0514

    • 24000+

      ￥0.0454

    • 51000+

      ￥0.0422
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:600mA 电压:160V
    型号：MMBT5551 编号：C83942
    封装：TO-236
    品牌：ST(先科)
    NPN 电流:600mA 电压:160V
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0865

    • 500+

      ￥0.0666

    • 3000+

      ￥0.0567

    • 6000+

      ￥0.0501

    • 24000+

      ￥0.0444

    • 51000+

      ￥0.0413
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V 电流:0.3A
    型号：2N7002KX 编号：C3038094
    封装：SOT-23
    品牌：晶扬电子
    MOSFET，小信号，SOT-23
    数据手册

    • 20+

      ￥0.0898

    • 200+

      ￥0.0693

    • 600+

      ￥0.0579

    • 3000+

      ￥0.0495

    • 9000+

      ￥0.0435

    • 21000+

      ￥0.0403
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:500mA 电压:30V
    型号：MMBT9013H 编号：C81408
    封装：SOT-23
    品牌：ST(先科)
    NPN 电流:500mA 电压:30V
    数据手册

    • 50+

      ￥0.091

    • 500+

      ￥0.0705

    • 3000+

      ￥0.0586

    • 6000+

      ￥0.0517

    • 24000+

      ￥0.0458

    • 51000+

      ￥0.0426
  • 有货
    • 立即购买
    hFE:100-600 NPN 电流:500mA 电压:45V
    型号：BC817 编号：C475629
    封装：SOT-23
    品牌：SHIKUES(时科)
    特性：适用于一般音频应用。 高集电极电流。 高电流增益。 低集电极-发射极饱和电压。 SOT-23封装
    数据手册

    • 50+

      ￥0.1026 ￥0.108

    • 500+

      ￥0.08303 ￥0.0874

    • 3000+

      ￥0.06175 ￥0.065

    • 6000+

      ￥0.055195 ￥0.0581

    • 24000+

      ￥0.04959 ￥0.0522

    • 51000+

      ￥0.046455 ￥0.0489
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V 电流:380mA
    型号：L2N7002KLT1G 编号：C78564
    封装：SOT-23
    品牌：LRC(乐山无线电)
    N沟道,60V,0.38A, 2.3Ω@10V
    数据手册

    • 50+

      ￥0.1039

    • 500+

      ￥0.0801

    • 3000+

      ￥0.0669

    • 6000+

      ￥0.059

    • 24000+

      ￥0.0521
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:50V 电流:220mA
    型号：BSS138 编号：C426569
    封装：SOT-23
    品牌：Slkor(萨科微)
    类型 N VDSS(V) 50 ID@TC=70?C(A) 0.22 PD@TC=70?C(W) 0.225 VGS(V) ±20 RDS(on)(m?)Max.@TC= 25?C VGS=4.50V 6000
    数据手册

    • 50+

      ￥0.10469 ￥0.1102

    • 500+

      ￥0.08132 ￥0.0856

    • 3000+

      ￥0.06574 ￥0.0692

    • 6000+

      ￥0.05795 ￥0.061

    • 24000+

      ￥0.051205 ￥0.0539

    • 51000+

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    1个N沟道 耐压:30V 电流:5.8A
    型号：3400 编号：C7431445
    封装：SOT23
    品牌：HL(富海微)
    3400 是高单元密度沟槽型 N 沟道 MOSFET，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。3400 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，且通过了全功能可靠性认证。

    • 50+

      ￥0.1224

    • 500+

      ￥0.095

    • 3000+

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    N沟道MOSFET
    型号：AO3400AL 编号：C49452344
    封装：SOT-23
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    特性：VDS 30 V。 RDS(ON) (VGS=10V) ≤22mΩ (Typ)。 RDS(ON) (VGS=4.5V) ≤27mΩ (Typ)。应用：接口开关。 负载开关

    • 20+

      ￥0.1652

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    1个P沟道 耐压:30V 电流:13A
    型号：IRLML6402TRPBF-JSM 编号：C18190991
    封装：SOT-23
    品牌：JSMSEMI(杰盛微)
    适用于各类小型电子设备，提供高效、稳定的开关与功率转换性能。

    • 20+

      ￥0.17656 ￥0.2207

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      ￥0.13816 ￥0.1727

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      ￥0.0936 ￥0.117
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    1个N沟道 耐压:30V 电流:3.16A
    型号：SI2306 编号：C5248047
    封装：SOT-23
    品牌：GOODWORK(固得沃克)
    1个N沟道 耐压:30V 电流:3.16A适用于电源开关和信号控制
    数据手册

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      ￥0.179265 ￥0.2109

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    1个N沟道 耐压:30V 电流:4A
    型号：AO3402A 编号：C347477
    封装：SOT-23
    品牌：UMW(友台半导体)
    特性：使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。 漏源击穿电压V(BR)DS < 90V。 漏极电流ID = 4A。 导通电阻RDS(ON) < 52mΩ（VGS = 10V）。 导通电阻RDS(ON) < 65mΩ（VGS = 4.5V）。 导通电阻RDS(ON) < 85mΩ（VGS = 2.5V）。应用：负载开关。 PWM应用
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1823

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      ￥0.1359

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    小电流N型MOSFET
    型号：BSS138KDW 编号：C52037195
    封装：SOT-363
    品牌：Siliup(矽普)
    小电流MOSFET产品，N沟道，ESD防护，耐压：60V，电流：0.22A, Rdson：2000mR

    • 20+

      ￥0.1865

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      ￥0.1444

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