晶体管_厂家_价格_品牌_库存

型号：2N7000 编号：C9114

封装：TO-92

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

N沟道,60V,0.2A,6Ω@4.5V

数据手册

20+
￥0.2344
200+
￥0.1858
1000+
￥0.1544
2000+
￥0.1382
10000+
￥0.1241

有货

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型号：NTR4503NT1G(UMW) 编号：C5236683

封装：SOT-23

品牌：UMW(友台半导体)

特性：V(BR)DSS = 30V。 ID < 2.5A。 RDS(ON) < 85mΩ (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 105mΩ (VGS = 4.5V)。应用：DC-DC Conversion。 Load Power Switch for Portables

20+
￥0.2504
200+
￥0.1931
600+
￥0.1613
3000+
￥0.1254
9000+
￥0.1089
21000+
￥0.1

有货

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型号：SI2310M-6AF 编号：C48587193

封装：SOT-23

品牌：FOSAN(富捷/富信)

N沟道,60V,3A,92mΩ@4.5V

10+
￥0.2507
100+
￥0.1997
300+
￥0.1742
3000+
￥0.1551
6000+
￥0.1398
9000+
￥0.1321

有货

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型号：2SK3541T2L 编号：C74740

封装：SOT-723

品牌：ROHM(罗姆)

N沟道,30V,0.1A,8Ω@10V

数据手册

10+
￥0.2573
100+
￥0.2072
300+
￥0.1822
1000+
￥0.1634
5000+
￥0.1484
8000+
￥0.1409

有货

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型号：MMBT3906,215 编号：C75549

封装：SOT-23

品牌：Nexperia(安世)

采用小型SOT23表面贴装器件（SMD）塑料封装的PNP开关晶体管。

数据手册

10+
￥0.2878
100+
￥0.2302
300+
￥0.2014
3000+
￥0.1798
6000+
￥0.1625
9000+
￥0.1538

有货

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型号：SI2343CDS-TP 编号：C41348107

封装：SOT-23-3L

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

10+
￥0.305
100+
￥0.2426
300+
￥0.2114
3000+
￥0.188
6000+
￥0.1693
9000+
￥0.1599

有货

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型号：BC860C,215 编号：C454976

封装：SOT-23

品牌：Nexperia(安世)

采用SOT23塑料封装的PNP晶体管。互补NPN晶体管型号为BC849和BC850。

数据手册

10+
￥0.3057
100+
￥0.2496
300+
￥0.2215
3000+
￥0.1968
6000+
￥0.18
9000+
￥0.1716

有货

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型号：KIRLML5203TRPBF 编号：C2891688

封装：SOT-23

品牌：KUU

特性：TrenchFET功率MOSFET。超低导通电阻。可提供卷带包装。应用：便携式设备的负载开关。 DC/DC转换器

数据手册

10+
￥0.3092
100+
￥0.2468
300+
￥0.2156
3000+
￥0.1817
6000+
￥0.163
9000+
￥0.1536

有货

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型号：FDN337N 编号：C2984752

封装：SOT-23

品牌：FUXINSEMI(富芯森美)

特性：先进的沟槽工艺技术。用于超低导通电阻的高密度单元设计。应用：便携式设备的负载开关。 DC/DC转换器

数据手册

10+
￥0.31014 ￥0.3446
100+
￥0.25398 ￥0.2822
300+
￥0.2259 ￥0.251
3000+
￥0.17145 ￥0.1905
6000+
￥0.15462 ￥0.1718
9000+
￥0.14625 ￥0.1625

有货

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型号：FMMT619 编号：C53071

封装：SOT-23

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：低饱和电压

数据手册

10+
￥0.3171
100+
￥0.2582
300+
￥0.2288
3000+
￥0.193
6000+
￥0.1754

有货

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型号：SI2333-HXY 编号：C4748717

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品是一款P型场效应管，具有7A的电流承载能力，最高20V的工作电压。其内阻典型值为20mΩ，栅源极电压VGS为12V。适用于多种应用场景，如电源管理、信号放大等，确保系统稳定运行。低内阻使其具备高效能特性。

数据手册

10+
￥0.325194 ￥0.3918
100+
￥0.264272 ￥0.3184
300+
￥0.233728 ￥0.2816
3000+
￥0.195133 ￥0.2351
6000+
￥0.17679 ￥0.213
9000+
￥0.16766 ￥0.202

有货

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型号：SI2318 编号：C5337198

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款消费级N沟道MOSFET采用SOT-23封装，专为40V电压系统设计，具备5A强大电流处理能力。凭借其出色的低导通电阻和快速开关特性，广泛应用于充电器、电源管理及各类高效率电子设备中，实现高效、稳定的功率转换与控制。

数据手册

10+
￥0.328064 ￥0.3728
100+
￥0.27104 ￥0.308
300+
￥0.242528 ￥0.2756
3000+
￥0.198176 ￥0.2252
6000+
￥0.181104 ￥0.2058
9000+
￥0.172568 ￥0.1961

有货

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型号：AP4953A 编号：C2887281

封装：SOP-8

品牌：ALLPOWER(铨力)

SOP-8 塑封封装双 P 沟道 MOS 场效应管。

数据手册

10+
￥0.3645
100+
￥0.3273
300+
￥0.3087
1000+
￥0.2947
4000+
￥0.2149
8000+
￥0.2093

有货

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型号：2SK3018T106 编号：C113315

封装：SOT-323

品牌：ROHM(罗姆)

N沟道,30V,100mA

数据手册

10+
￥0.3655
100+
￥0.2963
300+
￥0.2616
3000+
￥0.2073
6000+
￥0.1866
9000+
￥0.1762

有货

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型号：BFS520-C 编号：C7496541

封装：SOT-323

品牌：Slkor(萨科微)

NPN高频低噪音晶体管反向截止电压(Vrwm)：10V 最大钳位电压：12.30V Ipp=35.3A 单向

10+
￥0.3692
100+
￥0.2924
300+
￥0.254
3000+
￥0.23
6000+
￥0.207
9000+
￥0.1954

有货

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型号：TPDMP2165UW 编号：C5197343

封装：SOT-323

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

数据手册

10+
￥0.3835
100+
￥0.3115
300+
￥0.2755
3000+
￥0.2275
6000+
￥0.2059
9000+
￥0.195

有货

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型号：2SD1898(RANGE:180-390) 编号：C24228

封装：SOT-89-3L

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：高击穿电压和电流。出色的直流电流增益线性度。与2SB1260互补。低集电极-发射极饱和电压

数据手册

10+
￥0.385
100+
￥0.308
300+
￥0.2696
1000+
￥0.2407
5000+
￥0.2177
10000+
￥0.2061

有货

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型号：HL2309 编号：C28646263

封装：SOT-23

品牌：R+O(宏嘉诚)

特性：VDS = -60V。 ID = -1.25A。 RDS(on)@VGS = -10V < 340mΩ。 RDS(on)@VGS = -4.5V < 550mΩ。 Trench Power MV MOSFET技术。电压控制小信号开关。应用：电池供电系统。固态继电器

10+
￥0.3937
100+
￥0.3127
300+
￥0.2722
3000+
￥0.2419
6000+
￥0.2176
9000+
￥0.2054

有货

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型号：PMBT5551,215 编号：C75557

封装：SOT-23

品牌：Nexperia(安世)

采用SOT23塑料封装的NPN型高压晶体管。

数据手册

10+
￥0.3981
100+
￥0.3117
300+
￥0.2685
3000+
￥0.2361
6000+
￥0.2102
9000+
￥0.1972

有货

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型号：IRLML6246TRPBF 编号：C5123959

封装：SOT-23

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：VDS = 20V, ID = 6A。 RDS(ON) < 23mΩ @ VGS = 2.5V。 RDS(ON) < 35mΩ @ VGS = 4.5V。应用：负载/电源开关。接口开关

数据手册

10+
￥0.4153
100+
￥0.3652
300+
￥0.3402
3000+
￥0.2731
6000+
￥0.258
9000+
￥0.2505

有货

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型号：AP6800 编号：C2849570

封装：SOT-23-6

品牌：ALLPOWER(铨力)

AP6800采用先进的沟槽技术，可提供出色的Rps（导通）和低栅极电荷。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。

数据手册

10+
￥0.4359
100+
￥0.3975
300+
￥0.3783
3000+
￥0.2513
6000+
￥0.2398
9000+
￥0.234

有货

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型号：NCE3401 编号：C113490

封装：SOT-23

品牌：NCE(无锡新洁能)

P沟道，-30V，-4.2A，48毫欧@10V。

数据手册

10+
￥0.4377
100+
￥0.3486
300+
￥0.3041
3000+
￥0.2707
6000+
￥0.244
9000+
￥0.2307

有货

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型号：D882H(RANGE:160-320) 编号：C106810

封装：SOT-89-3L

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：低VCE(sat)。大电流容量

数据手册

10+
￥0.4387
100+
￥0.3523
300+
￥0.3091
1000+
￥0.2748
5000+
￥0.2489
10000+
￥0.2359

有货

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型号：AP3003 编号：C2936847

封装：SOT-23-6

品牌：ALLPOWER(铨力)

特性：N沟道：VDD = 30V，ID = 5.8A，RDS(ON) < 38mΩ @ VGS = 4.5V（典型值 = 24mΩ），RDS(ON) < 58mΩ @ VGS = 2.5V（典型值 = 35mΩ）。 P沟道：VDD = -30V，ID = -4.2A，RDS(ON) < 68mΩ @ VGS = -4.5V（典型值 = 53mΩ），RDS(ON) < 96mΩ @ VGS = -2.5V（典型值 = 75mΩ）。无铅产品。高功率和电流处理能力。表面贴装封装。应用：接口开关。负载开关

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