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1个P沟道 耐压:20V 电流:35A
型号：SI7615ADN-T1-GE3 编号：C553966
封装：PowerPAK1212-8
品牌：VISHAY(威世)
特性：TrenchFET Gen II p- 沟道功率 MOSFET。 100% Rg 和 UIS 测试。应用：适配器开关。 电池开关
数据手册

  • 1+

    ￥2.89

  • 10+

    ￥2.28

  • 30+

    ￥2.02

  • 100+

    ￥1.7

  • 500+

    ￥1.56

  • 1000+

    ￥1.47
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:200V 电流:24A
    型号：NCE0224K 编号：C341714
    封装：TO-252
    品牌：NCE(无锡新洁能)
    使用先进的沟槽技术和设计，提供低栅极电荷和出色的导通电阻RDS(ON)，可用于多种应用。
    数据手册

    • 1+

      ￥3.78

    • 10+

      ￥2.91

    • 30+

      ￥2.53

    • 100+

      ￥2.07

    • 500+

      ￥1.86

    • 1000+

      ￥1.73
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:80V 电流:100A
    型号：BSC057N08NS3G 编号：C148260
    封装：TDSON-8(5x6)
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,80V,100A,5.7mΩ@10V
    数据手册

    • 1+

      ￥4.24

    • 10+

      ￥3.5

    • 30+

      ￥3.13

    • 100+

      ￥2.622 ￥2.76

    • 500+

      ￥2.147 ￥2.26

    • 1000+

      ￥2.0425 ￥2.15
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:100V 电流:97A
    型号：IRFB4410ZPBF 编号：C2657
    封装：TO-220AB
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,100V,97A,9mΩ@10V
    数据手册

    • 1+

      ￥4.79

    • 10+

      ￥3.89

    • 50+

      ￥3.02

    • 100+

      ￥2.5186 ￥2.57

    • 500+

      ￥2.2638 ￥2.31

    • 1200+

      ￥2.1266 ￥2.17
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:235A
    型号：NTMFS5C612NLT1G 编号：C348543
    封装：SO-8FL
    品牌：onsemi(安森美)
    功率 MOSFET，60V，196A，1.5mΩ，单 N 沟道
    数据手册

    • 1+

      ￥5.01

    • 10+

      ￥3.99

    • 30+

      ￥3.48

    • 100+

      ￥2.97

    • 500+

      ￥2.67

    • 1500+

      ￥2.51
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:900V
    型号：TK7A90E,S4X(S 编号：C5331584
    封装：TO-220SIS
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 1.6 Ω (典型值)。 低漏电流：IDSS = 10 μA (最大值) (VDS = 720 V)。 增强模式：VtA = 2.5 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 0.7 mA)。应用：开关稳压器
    数据手册

    • 1+

      ￥5.54

    • 10+

      ￥4.42

    • 50+

      ￥3.86

    • 100+

      ￥3.3

    • 500+

      ￥2.97

    • 1000+

      ￥2.79
  • 有货
    • 立即购买
    低VCEsat晶体管 NPN 电流:1A 电压:100V
    型号：PBSS8110T,215 编号：C75550
    封装：SOT-23
    品牌：Nexperia(安世)
    采用小型 SOT23（TO - 236AB）表面贴装器件（SMD）塑料封装的 NPN 低 VCEsat 晶体管。互补 PNP 型晶体管：PBSS9110T
    数据手册

    • 1+

      ￥6.52

    • 10+

      ￥5.27

    • 30+

      ￥4.65

    • 100+

      ￥3.9091 ￥4.03

    • 500+

      ￥3.5502 ￥3.66

    • 1000+

      ￥3.3659 ￥3.47
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:150V 电流:100A
    型号：IPB072N15N3G 编号：C459162
    封装：TO-263-3
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：N沟道，正常电平。 出色的栅极电荷×RDS(on)乘积（FOM）。 极低的导通电阻RDS(on)。 175℃工作温度。 无铅镀铅；符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 适用于高频开关和同步整流。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
    数据手册

    • 1+

      ￥6.72

    • 10+

      ￥5.59

    • 30+

      ￥4.98

    • 100+

      ￥4.28

    • 500+

      ￥3.97

    • 1000+

      ￥3.83
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:75V
    型号：TPH2R608NH,L1Q(M 编号：C5379811
    封装：SOP-8-Advance(5x6)
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    特性：高速开关。 小栅极电荷：QSW = 28 nC（典型值）。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 2.1 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。 低泄漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）(VDS = 75 V)。 增强模式：VDA = 2.0 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)。应用：高效 DC-DC 转换器。 开关稳压器

    • 1+

      ￥8.1

    • 10+

      ￥6.66

    • 30+

      ￥5.87

    • 100+

      ￥4.98

    • 500+

      ￥4.58

    • 1000+

      ￥4.4
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:200V 电流:12A
    型号：IRFP9240PBF 编号：C2686
    封装：TO-247AC-3
    品牌：VISHAY(威世)
    P沟道,-200V,-12A,500mΩ@-10V
    数据手册

    • 1+

      ￥8.88

    • 10+

      ￥7.28

    • 25+

      ￥6.34

    • 100+

      ￥5.35

    • 500+

      ￥4.91

    • 1000+

      ￥4.71
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:60V 电流:50A
    型号：SUD50P06-15-GE3 编号：C141584
    封装：TO-252
    品牌：VISHAY(威世)
    特性：TrenchFET Power MOSFET。应用：负载开关
    数据手册

    • 1+

      ￥9.44

    • 10+

      ￥7.84

    • 30+

      ￥6.96

    • 100+

      ￥5.97

    • 500+

      ￥5.52

    • 1000+

      ￥5.33
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:100V 电流:86A
    型号：WSD86P10DN56 编号：C5185333
    封装：DFN5X6-8L
    品牌：WINSOK(微硕)
    WSD86P10DN56是一款高性能沟槽P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSD86P10DN56符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试，具备全面的可靠性认证。
    数据手册

    • 1+

      ￥13.7

    • 10+

      ￥11.95

    • 30+

      ￥10.86

    • 100+

      ￥7.57

    • 500+

      ￥7.06

    • 1000+

      ￥6.84
  • 有货
    • 立即购买
    600V 120A
    型号：FGH60N60SMD 编号：C50649
    封装：TO-247
    品牌：onsemi(安森美)
    安森美半导体的新型场截止第 2 代 IGBT 系列采用新型场截止 IGBT 技术，为太阳能逆变器、UPS、焊接机、电信、ESS 和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用。
    数据手册

    • 1+

      ￥19.47

    • 10+

      ￥16.5

    • 30+

      ￥14.73

    • 90+

      ￥12.95

    • 450+

      ￥12.12

    • 900+

      ￥11.75
  • 有货
    • 立即购买
    MMBT3904
    型号：MMBT3904X 编号：C5156716
    封装：SOT-23
    品牌：晶扬电子
    Type(NPN)/VCBO60(V)/VCEO40(V)/VEBO 6(V)/IC0.2(A)/hFE30~300/fT300(MHz)
    数据手册

    • 50+

      ￥0.033

    • 500+

      ￥0.0285

    • 3000+

      ￥0.0248

    • 6000+

      ￥0.0233

    • 24000+

      ￥0.022

    • 51000+

      ￥0.0213
  • 有货
    • 立即购买
    1.5A 25V
    型号：SS8050 Y1 0.52 编号：C49023581
    封装：SOT-23
    品牌：TDSEMIC(拓电半导体)
    放大倍数200-350 1500MA电流

    • 50+

      ￥0.06

    • 500+

      ￥0.047

    • 3000+

      ￥0.0399

    • 6000+

      ￥0.0356

    • 24000+

      ￥0.0318
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:200mA 电压:40V
    型号：MMBT3904(1AM) 编号：C3024452
    封装：TO-236
    品牌：ST(先科)
    用于开关和放大应用的NPN硅通用晶体管。
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0641

    • 500+

      ￥0.0497

    • 3000+

      ￥0.0409

    • 6000+

      ￥0.0362

    • 24000+

      ￥0.032

    • 51000+

      ￥0.0298
  • 有货
    • 立即购买
    J3Y(J3Y表示丝印) NPN 电流:0.5A 电压:25V
    型号：S8050 编号：C2828466
    封装：SOT-23
    品牌：CBI(创基)
    NPN 电流:500mA 电压:25V
    数据手册

    • 20+

      ￥0.0649

    • 200+

      ￥0.0509

    • 600+

      ￥0.0431

    • 3000+

      ￥0.0354

    • 9000+

      ￥0.0314

    • 21000+

      ￥0.0292
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:600mA 电压:40V
    型号：LMBT2222ALT1G 编号：C41429
    封装：SOT-23
    品牌：LRC(乐山无线电)
    特性：产品材料符合RoHS要求且无卤。 S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 通过AEC-Q101认证并具备PPAP能力
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0725

    • 500+

      ￥0.0563

    • 3000+

      ￥0.0473

    • 6000+

      ￥0.0419

    • 24000+

      ￥0.0372
  • 有货
    • 立即购买
    PNP 电流:1.5A 电压:25V
    型号：SS8550 编号：C2762207
    封装：SOT-23
    品牌：晶导微电子
    特性：高集电极电流。 与SS8050互补
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0859

    • 500+

      ￥0.0654

    • 3000+

      ￥0.054

    • 6000+

      ￥0.0472

    • 24000+

      ￥0.0412
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:500mA 电压:45V
    型号：LBC817-16LT1G 编号：C383186
    封装：SOT-23
    品牌：LRC(乐山无线电)
    数据手册

    • 30+

      ￥0.0875

    • 300+

      ￥0.0776

    • 900+

      ￥0.0721

    • 3000+

      ￥0.0612

    • 15000+

      ￥0.0583

    • 30000+

      ￥0.0568
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:30V 电流:0.1A
    型号：2SK3018 编号：C727148
    封装：SOT-23
    品牌：TWGMC(迪嘉)
    类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：100mA 功率(Pd)：350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：8Ω@4V,10mA
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0882

    • 500+

      ￥0.0774

    • 3000+

      ￥0.0663

    • 6000+

      ￥0.0627

    • 24000+

      ￥0.0596

    • 51000+

      ￥0.0579
  • 有货
    • 立即购买
    PNP 600mA 150V
    型号：2N5401 编号：C18195370
    封装：SOT-23
    品牌：LJ(朗捷)
    特性：PNP晶体管，与MMBT5551互补，适用于中功率放大和开关应用

    • 50+

      ￥0.095

    • 500+

      ￥0.0734

    • 3000+

      ￥0.0614

    • 6000+

      ￥0.0542

    • 24000+

      ￥0.0479

    • 51000+

      ￥0.0446
  • 有货
    • 立即购买
    hfe=200~450 NPN 电流:100mA 电压:65V
    型号：LBC846BLT1G 编号：C12733
    封装：SOT-23
    品牌：LRC(乐山无线电)
    特性：湿度敏感度等级：1。 ESD 评级-人体模型：>4000 V。 ESD 评级-机器模型：>400 V。 产品材料符合 RoHS 要求
    数据手册

    • 50+

      ￥0.095

    • 500+

      ￥0.0742

    • 3000+

      ￥0.0574

    • 6000+

      ￥0.0505

    • 24000+

      ￥0.0445
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:30V 电流:5A
    型号：DO3400D 编号：C41384542
    封装：SOT-23
    品牌：DOINGTER(杜因特)
    N管/30V/5A/30mΩ/(典型25mΩ)

    • 50+

      ￥0.1033

    • 500+

      ￥0.0801

    • 3000+

      ￥0.0672

    • 6000+

      ￥0.0595

    • 24000+

      ￥0.0528

    • 51000+

      ￥0.0492
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:20V 电流:2A
    型号：AP2301 编号：C385296
    封装：SOT-23
    品牌：ALLPOWER(铨力)
    特性：20V，-3A，RDS(ON) < 75mΩ @VGS = -10V，典型值：58mΩ；RDS(ON) < 95mΩ @VGS = -4.5V，典型值：74mΩ。 先进的沟槽技术。 获得无铅产品认证。应用：接口。 开关
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1216

    • 200+

      ￥0.0924

    • 600+

      ￥0.0762

    • 9000+

      ￥0.0678

    • 21000+

      ￥0.0632
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道 耐压:50V 电流:360mA
    型号：BSS138PW 编号：C18212688
    封装：SOT-323
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    场效应管(MOSFET)

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      ￥0.1222

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    P沟道 耐压:30V 电流:4.2A
    型号：AO3401-TD 编号：C42421810
    封装：SOT-23
    品牌：TDSEMIC(拓电半导体)
    该款消费级P沟道MOSFET采用SOT-23封装，额定电压20V，可承载3A电流。具备低导通电阻与快速开关特性，应用于充电器、电源转换等场合，提供高效能、稳定可靠的功率控制方案，是各类电子设备的理想选择。

    • 20+

      ￥0.1372

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      ￥0.1083

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    hfe=250~600 NPN 电流:500mA 电压:45V
    型号：LBC817-40LT1G 编号：C12767
    封装：SOT-23
    品牌：LRC(乐山无线电)
    数据手册

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    NPN 600mA 160V
    型号：MMBT5551T 编号：C49190731
    封装：SOT-523
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    特性：与TPMMBT5401T互补。 适用于中功率放大和开关。 SOT-523封装

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    NPN 电流:500mA 电压:25V
    型号：S9013W 编号：C2919788
    封装：SOT-323
    品牌：CBI(创基)
    NPN 电流:500mA 电压:25V
    数据手册

    • 20+

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