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1个P沟道耐压:30V 电流:50A

型号：AONR21357-ES 编号：C22379638

封装：PDFN3x3-8L

品牌：ElecSuper(静芯)

P沟道，-30V，-50A，5.8mΩ@-10.0V,-20A，-2.5V@-250μA；应用领域：锂电池保护板、DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

5+
￥1.2762
50+
￥0.9814
150+
￥0.855
500+
￥0.6974
2500+
￥0.6272
5000+
￥0.585

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:2.5A

型号：DMN6075S-7 编号：C155242

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

数据手册

5+
￥0.5747
50+
￥0.4586
150+
￥0.4006
500+
￥0.3571
3000+
￥0.3077
6000+
￥0.2903

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:5.8A

型号：AO3404A 编号：C30010

封装：SOT-23

N沟道,30V,5A,32mΩ@10V

数据手册

5+
￥0.6536
50+
￥0.5095
150+
￥0.4374
500+
￥0.3833
3000+
￥0.3401
6000+
￥0.3184

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:20A

型号：20N06 编号：C2890395

封装：TO-252

品牌：UMW(友台半导体)

特性：使用先进的沟槽技术和设计，提供出色的导通电阻和低栅极电荷。漏源电压（VDS）：60V。漏极电流（ID）：20A（VGS = 10V）。导通电阻（RDS(ON)）< 23mΩ（VGS = 10V）。导通电阻（RDS(ON)）< 29mΩ（VGS = 4.5V）。先进的沟槽技术。出色的导通电阻和低栅极电荷。无铅产品

数据手册

5+
￥0.6569
50+
￥0.5158
150+
￥0.4452
500+
￥0.3923
2500+
￥0.3241
5000+
￥0.3029

有货

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1个N沟道+1个P沟道耐压:30V

型号：WSP4606 编号：C86361

封装：SOP-8

品牌：WINSOK(微硕)

WSP4606是高性能的沟槽型N沟道和P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSP4606符合RoHS标准和绿色产品要求，100%通过了雪崩能量耐量（EAS）测试，并经过了全面的可靠性验证。

数据手册

5+
￥0.8208
50+
￥0.7263
150+
￥0.6858
500+
￥0.6352
3000+
￥0.5473
6000+
￥0.5338

有货

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P沟道耐压:60V 电流:3A

型号：NTGS5120PT1G 编号：C2959860

封装：SOT-23-6

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：60V/-3A，RDS(ON) = 95mΩ（典型值）@VGS = 10V。 RDS(ON) = 130mΩ（典型值）@VGS = -4.5V。可靠耐用。提供无铅和环保器件（符合RoHS标准）。应用：DC-DC转换器。负载开关

数据手册

5+
￥0.8287
50+
￥0.7237
150+
￥0.6787
500+
￥0.6226
3000+
￥0.5976
6000+
￥0.5826

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:6.5A

型号：AO4459 编号：C49047

封装：SOIC-8

P沟道,-30V,-6.5A,46mΩ@-10V

数据手册

5+
￥0.8339
50+
￥0.6745
150+
￥0.5948
500+
￥0.535
3000+
￥0.4291
6000+
￥0.4052

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:270mA

型号：NX7002BKR 编号：C62612

封装：SOT-23

品牌：Nexperia(安世)

N沟道,60V,0.27A,2.8Ω@10V

数据手册

5+
￥0.9471
50+
￥0.7368
150+
￥0.6466
500+
￥0.528858 ￥0.5342
3000+
￥0.479259 ￥0.4841
6000+
￥0.449559 ￥0.4541

有货

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PNP 电流:500mA 电压:45V

型号：BCX17,215 编号：C549656

封装：SOT-23

品牌：Nexperia(安世)

PNP晶体管采用SOT23塑料封装。NPN互补型号：BCX19。

数据手册

5+
￥0.9581
50+
￥0.7553
150+
￥0.6684
500+
￥0.5432 ￥0.56
3000+
￥0.496349 ￥0.5117
6000+
￥0.468316 ￥0.4828

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:5A

型号：NCE6005AR 编号：C189606

封装：SOT-223-3L

品牌：NCE(无锡新洁能)

N沟道,60V,5A,35mΩ@10V

数据手册

5+
￥1.0052
50+
￥0.7772
150+
￥0.6632
500+
￥0.5777
2500+
￥0.5093
5000+
￥0.475

有货

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通用晶体管 NPN 电流:500mA 电压:45V

型号：BC817-40-QR 编号：C5205149

封装：SOT-23

品牌：Nexperia(安世)

NPN通用晶体管，采用小型SOT23（TO-236AB）表面贴装器件（SMD）塑料封装。

5+
￥1.054
50+
￥0.849
150+
￥0.7612
500+
￥0.632052 ￥0.6516
3000+
￥0.561048 ￥0.5784
6000+
￥0.532627 ￥0.5491

有货

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P沟道耐压:30V 电流:30A

型号：NTD25P03LG 编号：C18197843

封装：TO-252

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：30V。 -30A。 RDS(ON) = 32mΩ @VGS=-12V。 RDS(ON) = 50mΩ @VGS=-4.5V。应用：负载电源开关。接口开关

5+
￥1.0761
50+
￥0.9374
150+
￥0.878
500+
￥0.8038
2500+
￥0.7708
5000+
￥0.751

有货

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30V 12A

型号：SI4435DDY 编号：C5350822

封装：SOP-8

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

数据手册

5+
￥1.1393
50+
￥0.8898
150+
￥0.7829
500+
￥0.6495
3000+
￥0.5901
6000+
￥0.5544

有货

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低VCEsat晶体管 PNP 电流:3A 电压:50V

型号：PBSS5350Z,135 编号：C49692

封装：SOT-223

品牌：Nexperia(安世)

采用中功率SOT223（SC - 73）表面贴装器件（SMD）塑料封装的PNP低VCEsat晶体管。互补NPN型：PBSS4350Z

数据手册

5+
￥1.1784
50+
￥0.9366
150+
￥0.8186
500+
￥0.7133
2500+
￥0.6684
4000+
￥0.651

有货

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耐压:30V 电流:12A

型号：IRF7416TRPBF 编号：C5350823

封装：SOP-8

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：VDS =-30V, ID =-12A。 RD(S(ON))(Typ.) 9.5mΩ @ VGS =-10V。 RD(S(ON))(Typ.) 14mΩ @ VGS =-4.5V。应用：PWM应用。负载开关

数据手册

5+
￥1.1961
50+
￥1.0343
150+
￥0.9649
500+
￥0.8784
3000+
￥0.8399
6000+
￥0.8168

有货

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2个N沟道耐压:30V 电流:16A

型号：AON7934 编号：C485677

封装：DFN-8(3x3)

数据手册

5+
￥1.2226
50+
￥0.9497
150+
￥0.8327
500+
￥0.6867
2500+
￥0.6218
5000+
￥0.5828

有货

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1个P沟道耐压:60V 电流:50A

型号：AOD409-HXY 编号：C6285771

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本款消费级P沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，具备60V高耐压及强大50A电流处理能力。专为中高压大电流应用场景设计，广泛应用于各类消费电子产品，提供卓越的电源转换效率与系统稳定性表现。

1+
￥1.260555 ￥1.3269
10+
￥1.1286 ￥1.188
30+
￥1.07198 ￥1.1284
100+
￥1.00149 ￥1.0542
500+
￥0.970045 ￥1.0211
1000+
￥0.83942 ￥0.8836

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:12A

型号：SIS412DN-T1-GE3 编号：C111309

封装：PowerPAK1212-8

品牌：VISHAY(威世)

N沟道

数据手册

5+
￥1.33
50+
￥1.0522
150+
￥0.9331
500+
￥0.768908 ￥0.7846
3000+
￥0.704032 ￥0.7184
6000+
￥0.665126 ￥0.6787

有货

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1个P沟道耐压:40V 电流:40A

型号：AOD4185 编号：C5261064

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款场效应管具有40A的电流承载能力和40V的电压耐受性，内阻典型值为10mΩ，适用于高效能应用。其P型设计确保了良好的电流传导性能，VGS为20V，适用于多种电路设计需求。选择它，可确保电路的稳定性和高效性。

数据手册

5+
￥1.477344 ￥1.6788
50+
￥1.225928 ￥1.3931
150+
￥1.118128 ￥1.2706
500+
￥0.983664 ￥1.1178
2500+
￥0.749232 ￥0.8514
5000+
￥0.71324 ￥0.8105

有货

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耐压:60V 电流:4A

型号：NDT3055L 编号：C7472932

封装：SOT-223

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：60V，4A，RDS(ON) = 85 mΩ @ VGS = 10 V。 RDS(ON) = 100 mΩ @ VGS = 4 V。高密单元设计，实现极低的RDS(ON)。坚固可靠。符合无铅产品要求。 SOT-223封装。应用：负载/电源开关。接口

5+
￥1.4813
50+
￥1.1335
150+
￥0.9845
500+
￥0.7985
2500+
￥0.7157
5000+
￥0.666

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:5A

型号：IRLML6344TRPBF 编号：C53550

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,30V,5A,29mΩ@4.5V

数据手册

5+
￥1.5115
50+
￥1.2208
150+
￥1.0962
500+
￥0.9408
3000+
￥0.7459
6000+
￥0.7044

有货

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N沟道耐压:30V 电流:8A

型号：AO4805 编号：C3040596

封装：SOP-8

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：VDS = -30V，ΔD = -8A。 RDS(ON) < -22mΩ（VGS = 10V）。 RDS(ON) < -26mΩ（VGS = 4.5V）。应用：负载/电源开关。接口开关

数据手册

5+
￥1.5505
50+
￥1.2178
150+
￥1.0753
500+
￥0.8974
3000+
￥0.7868
6000+
￥0.7392

有货

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耐压:40V 电流:12A

型号：DMP4015SSS 编号：C5197355

封装：SOP-8

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：VDS =-40V，ID = 12A。 RDS(ON) < 18mΩ @ VGS = 10V。高功率和大电流处理能力。无铅产品。表面贴装封装

数据手册

5+
￥1.9396
50+
￥1.5364
150+
￥1.3636
500+
￥1.148
3000+
￥0.94
6000+
￥0.8824

有货

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1个P沟道耐压:60V 电流:25A

型号：NCE60P25K 编号：C130105

封装：TO-252-2L

品牌：NCE(无锡新洁能)

P沟道，60V，25A.

数据手册

1+
￥2.0725
10+
￥1.5937
30+
￥1.3885
100+
￥1.1325
500+
￥1.0185
1000+
￥0.95

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:18A

型号：IRF8736TRPBF 编号：C51630

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,30V,18A,4.8mΩ@10V

数据手册

5+
￥2.0743
50+
￥1.6374
150+
￥1.4501
500+
￥1.155675 ￥1.2165
2500+
￥1.056875 ￥1.1125
4000+
￥0.997595 ￥1.0501

有货

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N沟道100V快速开关MOSFET

型号：XRS120N10F 编号：C42457066

封装：PDFN-8L(5x6)

品牌：XNRUSEMI(新锐)

特性：分裂栅沟槽MOSFET技术。出色的散热封装。用于低RDS(ON)的高密度单元设计。应用：DC-DC转换器。电源管理功能

1+
￥2.403 ￥2.67
10+
￥1.908 ￥2.12
30+
￥1.692 ￥1.88
100+
￥1.422 ￥1.58
500+
￥1.305 ￥1.45
1000+
￥1.233 ￥1.37

有货

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PNP 电流:8A 电压:80V

型号：MJD45H11T4G 编号：C47515

封装：TO-252(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

该双极功率晶体管适用于通用电源和切换输出，或开关稳压器、转换器和功率放大器应用中的驱动器级。

数据手册

1+
￥2.55
10+
￥2
30+
￥1.76
100+
￥1.47
500+
￥1.24
1000+
￥1.16

有货

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2个N沟道耐压:60V 电流:300mA

型号：2N7002BKS,115 编号：C68181

封装：SOT-363(SC-88)

品牌：Nexperia(安世)

N沟道,60V,300mA,1.6Ω@10V

数据手册

1+
￥2.62
10+
￥2.07
30+
￥1.83
100+
￥1.4938 ￥1.54
500+
￥1.358 ￥1.4
1000+
￥1.2804 ￥1.32

有货

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2个N沟道耐压:40V 电流:22A

型号：WSD4098DN56 编号：C719105

封装：DFN-8(5.2x5.5)

品牌：WINSOK(微硕)

WSD4098DN56是一款高性能沟槽式双N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSD4098DN56符合RoHS标准和绿色产品要求，100%通过全功能可靠性认证，确保产品质量。

数据手册

1+
￥2.75
10+
￥2.22
30+
￥2
100+
￥1.71
500+
￥1.33
1000+
￥1.25

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:60A

型号：HSBB6066 编号：C2828498

封装：PRPAK3x3-8L

品牌：HUASHUO(华朔)

先进的沟槽MOS技术。低栅极电荷。低RDS(ON)。100%保证EAS。有绿色环保产品可供选择

数据手册

1+
￥2.81
10+
￥2.21
30+
￥1.95
100+
￥1.63
500+
￥1.3
1000+
￥1.21

有货

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