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首页 > 热门关键词 > 晶体管
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特性:30V, 5.8 A, RDS(ON) = 20mΩ@VGS = 10V。 改进的dv/dt能力。 快速开关。 有绿色环保器件可供选择。 适用于2.5V栅极驱动应用。应用:笔记本电脑。 负载开关
  • 20+

    ¥0.149055 ¥0.1569
  • 200+

    ¥0.11571 ¥0.1218
  • 600+

    ¥0.097185 ¥0.1023
  • 3000+

    ¥0.085405 ¥0.0899
  • 9000+

    ¥0.07581 ¥0.0798
  • 21000+

    ¥0.070585 ¥0.0743
  • 有货
  • 带ESD防护,N沟道,60V,0.3A,1.85Ω@10V;应用领域:开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1526
    • 200+

      ¥0.1162
    • 600+

      ¥0.0959
    • 3000+

      ¥0.0838
    • 9000+

      ¥0.0732
    • 21000+

      ¥0.0675
  • 有货
  • 带ESD保护的N通道MOSFET晶体管/60V/0.25A/2.4Ω@10V/0.2W
    数据手册
    • 20+

      ¥0.154
    • 200+

      ¥0.1225
    • 600+

      ¥0.1051
    • 3000+

      ¥0.0851
    • 9000+

      ¥0.076
    • 21000+

      ¥0.0711
  • 有货
  • 特性:与TP MMBT5551T互补。 小表面贴装封装。 适用于中功率放大和开关
    • 20+

      ¥0.1585
    • 200+

      ¥0.1229
    • 600+

      ¥0.1031
    • 3000+

      ¥0.0912
    • 9000+

      ¥0.081
    • 21000+

      ¥0.0754
  • 有货
  • 使用先进的沟槽技术,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻。该器件适合用作负载开关或用于PWM应用。
    • 20+

      ¥0.1651
    • 200+

      ¥0.1429
    • 600+

      ¥0.1306
    • 3000+

      ¥0.1232
    • 9000+

      ¥0.1168
    • 21000+

      ¥0.1134
  • 有货
  • 特性:高电压。 与BC556、BC557、BC558互补
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1664
    • 200+

      ¥0.1313
    • 1000+

      ¥0.1065
    • 2000+

      ¥0.0948
    • 10000+

      ¥0.0846
    • 20000+

      ¥0.0791
  • 有货
  • 通用小信号放大器(50V,150mA)
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1773
    • 200+

      ¥0.1417
    • 600+

      ¥0.1219
    • 3000+

      ¥0.0964
    • 9000+

      ¥0.0861
    • 21000+

      ¥0.0806
  • 有货
  • 特性:与MMBT2907AT互补。 小封装
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1858
    • 200+

      ¥0.1502
    • 600+

      ¥0.1304
    • 3000+

      ¥0.1119
    • 9000+

      ¥0.1016
    • 21000+

      ¥0.096
  • 有货
  • 特性:驱动晶体管
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1865
    • 200+

      ¥0.1514
    • 600+

      ¥0.1319
    • 3000+

      ¥0.1108
    • 9000+

      ¥0.1007
    • 21000+

      ¥0.0952
  • 有货
  • 这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2034
    • 200+

      ¥0.1556
    • 600+

      ¥0.129
    • 2000+

      ¥0.113
    • 8000+

      ¥0.0891
    • 16000+

      ¥0.0817
  • 有货
  • 这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2055
    • 200+

      ¥0.1623
    • 600+

      ¥0.1383
    • 2000+

      ¥0.1239
    • 10000+

      ¥0.0984
    • 20000+

      ¥0.0916
  • 有货
  • 特性:低电压驱动(1.2V),适用于便携式设备。 驱动电路简单。 内置G-S保护二极管。应用:开关
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2108
    • 200+

      ¥0.1649
    • 600+

      ¥0.1394
    • 2000+

      ¥0.1241
    • 8000+

      ¥0.1108
    • 16000+

      ¥0.1037
  • 有货
  • P沟道,-30V -4.2A
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2172
    • 200+

      ¥0.1686
    • 600+

      ¥0.1416
    • 3000+

      ¥0.1189
    • 9000+

      ¥0.1048
    • 21000+

      ¥0.0973
  • 有货
  • N沟道,20V,1A
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2426
    • 200+

      ¥0.1913
    • 600+

      ¥0.1628
    • 3000+

      ¥0.1406
    • 9000+

      ¥0.1258
    • 21000+

      ¥0.1178
  • 有货
  • 特性:互补类型:FMMT593。 标记:493
    数据手册
    • 10+

      ¥0.263
    • 100+

      ¥0.2126
    • 300+

      ¥0.1874
    • 3000+

      ¥0.1643
    • 6000+

      ¥0.1492
    • 9000+

      ¥0.1416
  • 有货
  • N沟道,50V,0.2A,3.5Ω@10V
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2808
    • 100+

      ¥0.2205
    • 300+

      ¥0.1904
    • 3000+

      ¥0.1678
    • 6000+

      ¥0.1497
    • 9000+

      ¥0.1407
  • 有货
  • N沟道,20V,5A,31.8mΩ@4.5V
    数据手册
    • 10+

      ¥0.287
    • 100+

      ¥0.2314
    • 300+

      ¥0.2035
    • 3000+

      ¥0.1768
    • 6000+

      ¥0.1601
    • 9000+

      ¥0.1518
  • 有货
  • 采用小型SOT23表面贴装器件(SMD)塑料封装的PNP开关晶体管。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3003
    • 100+

      ¥0.2419
    • 300+

      ¥0.2126
    • 3000+

      ¥0.184979 ¥0.1907
    • 6000+

      ¥0.168004 ¥0.1732
    • 9000+

      ¥0.159468 ¥0.1644
  • 有货
  • 先进的沟槽工艺技术,高密度单元设计,实现超低导通电阻,采用SOT-23-3L表面贴装封装。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3078
    • 100+

      ¥0.2727
    • 300+

      ¥0.2551
    • 3000+

      ¥0.2164
    • 6000+

      ¥0.2058
    • 9000+

      ¥0.2006
  • 有货
  • 本款消费级MOSFET采用TSSOP-8封装,集成双N沟道设计,额定电压20V,可承载6A连续电流。专为紧凑型、高能效电源开关及转换应用打造,适用于各类消费电子产品,提供出色的系统性能与稳定性表现。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.32355 ¥0.3595
    • 100+

      ¥0.27108 ¥0.3012
    • 300+

      ¥0.2448 ¥0.272
    • 1000+

      ¥0.22509 ¥0.2501
    • 5000+

      ¥0.1611 ¥0.179
    • 10000+

      ¥0.15318 ¥0.1702
  • 有货
  • 特性:先进的沟槽技术。 出色的导通电阻和低栅极电荷。 无铅产品。应用:负载/电源开关。 接口
    数据手册
    • 5+

      ¥0.3857
    • 50+

      ¥0.3417
    • 150+

      ¥0.3197
    • 500+

      ¥0.3032
    • 3000+

      ¥0.2531
    • 6000+

      ¥0.2465
  • 有货
  • 特性:SOT-23。 快速开关。 低栅极电荷和RDS(on)。 VDS = -100V,ID = -1A时,RDS(on) < 650mΩ @VGS = -10V。应用:PWM应用。 负载开关
    数据手册
    • 20+

      ¥0.4228
    • 200+

      ¥0.3364
    • 600+

      ¥0.2932
    • 3000+

      ¥0.2405
    • 9000+

      ¥0.2146
    • 21000+

      ¥0.2016
  • 有货
  • 特性:N沟道:VDD = 30V,ID = 5.8A,RDS(ON) < 38mΩ @ VGS = 4.5V(典型值 = 24mΩ),RDS(ON) < 58mΩ @ VGS = 2.5V(典型值 = 35mΩ)。 P沟道:VDD = -30V,ID = -4.2A,RDS(ON) < 68mΩ @ VGS = -4.5V(典型值 = 53mΩ),RDS(ON) < 96mΩ @ VGS = -2.5V(典型值 = 75mΩ)。 无铅产品。 高功率和电流处理能力。 表面贴装封装。应用:接口开关。 负载开关
    数据手册
    • 5+

      ¥0.4577
    • 50+

      ¥0.4174
    • 150+

      ¥0.3972
    • 500+

      ¥0.3821
    • 3000+

      ¥0.2518
    • 6000+

      ¥0.2457
  • 有货
  • 特性:TrenchFET功率MOSFET。 获得无铅产品认证。 表面贴装封装。应用:便携式设备负载开关。 DC/DC转换器
    数据手册
    • 5+

      ¥0.4716
    • 50+

      ¥0.3708
    • 150+

      ¥0.3204
    • 500+

      ¥0.2826
    • 2500+

      ¥0.2378
    • 4000+

      ¥0.2226
  • 有货
  • N沟道,55V,2.1A,160mΩ@4.5V
    数据手册
    • 5+

      ¥0.4745
    • 50+

      ¥0.4643
    • 150+

      ¥0.4575
    • 500+

      ¥0.4506
  • 有货
  • 这款新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻(RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能,使其非常适合用于高效电源管理应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.476
    • 50+

      ¥0.3752
    • 150+

      ¥0.3248
    • 500+

      ¥0.287
    • 3000+

      ¥0.2567
    • 6000+

      ¥0.2416
  • 有货
  • N沟道,60V,15A,30mΩ@10v
    • 10+

      ¥0.4774
    • 100+

      ¥0.3814
    • 300+

      ¥0.3334
    • 1000+

      ¥0.25954 ¥0.2732
    • 5000+

      ¥0.23218 ¥0.2444
    • 10000+

      ¥0.2185 ¥0.23
  • 有货
  • 特性:用于音频驱动和输出级。 集电极电流高。 集电极-发射极饱和电压低。 互补类型:BCP51 ... BCP53(PNP)
    数据手册
    • 10+

      ¥0.478135 ¥0.5033
    • 100+

      ¥0.38703 ¥0.4074
    • 300+

      ¥0.34143 ¥0.3594
    • 2500+

      ¥0.272555 ¥0.2869
    • 5000+

      ¥0.245195 ¥0.2581
    • 10000+

      ¥0.231515 ¥0.2437
  • 有货
  • P沟道,-30V,-2.7A,190mΩ@-10V
    数据手册
    • 10+

      ¥0.485
    • 100+

      ¥0.3905
    • 300+

      ¥0.3432
    • 3000+

      ¥0.277018 ¥0.2947
    • 6000+

      ¥0.250322 ¥0.2663
    • 9000+

      ¥0.236974 ¥0.2521
  • 有货
  • 这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。
    • 5+

      ¥0.56791 ¥0.5978
    • 50+

      ¥0.45391 ¥0.4778
    • 150+

      ¥0.39691 ¥0.4178
    • 500+

      ¥0.35416 ¥0.3728
    • 3000+

      ¥0.31996 ¥0.3368
    • 6000+

      ¥0.30286 ¥0.3188
  • 有货
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