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价格(含税)

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1个N沟道耐压:60V 电流:13A

型号：CSD18534Q5A 编号：C115943

封装：SON-8(5x6)

品牌：TI(德州仪器)

CSD18534Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、9.8mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

数据手册

1+
￥3.71
10+
￥2.96
30+
￥2.64
100+
￥2.24
500+
￥1.8
1000+
￥1.69

有货

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HB06P1H0S

型号：HB06P1H0S 编号：C49256779

封装：TO-252

品牌：R+O(宏嘉诚)

5+
￥1.1456
50+
￥0.9075
150+
￥0.8054
500+
￥0.6781
2500+
￥0.6214
5000+
￥0.5874

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:2.7A

型号：IRLML0060TRPBF 编号：C67274

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,60V,2.7A,92mΩ@10V

数据手册

5+
￥1.1883
50+
￥1.0253
150+
￥0.9437
500+
￥0.8826
3000+
￥0.7245
6000+
￥0.7

有货

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耐压:30V 电流:42A

型号：RU3030M2-TP 编号：C41348100

封装：DFN-8(3x3)

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

5+
￥1.2058
50+
￥0.9538
150+
￥0.8458
500+
￥0.7111
2500+
￥0.6511
5000+
￥0.615

有货

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耐压:30V 电流:12A

型号：IRF7416TRPBF 编号：C5350823

封装：SOP-8

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：VDS =-30V, ID =-12A。 RD(S(ON))(Typ.) 9.5mΩ @ VGS =-10V。 RD(S(ON))(Typ.) 14mΩ @ VGS =-4.5V。应用：PWM应用。负载开关

数据手册

5+
￥1.2731
50+
￥1.1113
150+
￥1.042
500+
￥0.9554
3000+
￥0.9169
6000+
￥0.8938

有货

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耐压:30V 电流:12A

型号：FDS4435A 编号：C5122021

封装：SOP-8

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：VDS =-30V, ID =-12A。 RD(SON)(Typ.) 9.5mΩ @ VGS =-10V。 RD(SON)(Typ.) 14mΩ @ VGS =-4.5V。应用：PWM应用。负载开关

数据手册

5+
￥1.3047
50+
￥1.0171
150+
￥0.8939
500+
￥0.7103
3000+
￥0.6418
6000+
￥0.6007

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:5A

型号：IRLML6344TRPBF 编号：C53550

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,30V,5A,29mΩ@4.5V

数据手册

5+
￥1.3975
50+
￥1.1345
150+
￥1.0218
500+
￥0.8811
3000+
￥0.7047
6000+
￥0.6671

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:30A

型号：STD20NF06L(UMW) 编号：C668203

封装：TO-252

品牌：UMW(友台半导体)

特性：使用先进的沟槽技术和设计，提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。 VDS(V) = 60V。 ID = 30A (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 25mΩ (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 30mΩ (VGS = 4.5V)。采用先进的沟槽技术。具有出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。是无铅产品

数据手册

5+
￥1.5401
50+
￥1.184
150+
￥1.0314
500+
￥0.841
2500+
￥0.7174
5000+
￥0.6665

有货

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HD503P130S

型号：HD503P130S 编号：C53155132

封装：PDFN5060

品牌：R+O(宏嘉诚)

5+
￥1.6148
50+
￥1.2791
150+
￥1.1352
500+
￥0.9558
2500+
￥0.8758
5000+
￥0.8279

有货

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NPN 电流:1A 电压:80V

型号：BCX56-16,115 编号：C100026

封装：SOT-89

品牌：Nexperia(安世)

NPN中功率晶体管，采用SOT89 (SC-62)扁平引脚表面贴装器件 (SMD)塑料封装

数据手册

5+
￥1.6366
50+
￥1.3105
150+
￥1.1513
1000+
￥1.0093
2000+
￥0.9703
5000+
￥0.9469

订货

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1个N沟道耐压:40V 电流:68A

型号：WSD4070DN33 编号：C719095

封装：DFN3X3-8L

品牌：WINSOK(微硕)

WSD4070DN33是高性能沟槽式N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷。WSD4070DN33符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过EAS测试，具备完整的功能可靠性认证。

数据手册

1+
￥1.6674
10+
￥1.3314
30+
￥1.13
100+
￥1.12
500+
￥1.115
1000+
￥1.1

有货

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HD503N030S

型号：HD503N030S 编号：C52204674

封装：PDFN-8(5x6)

品牌：R+O(宏嘉诚)

5+
￥1.6972
50+
￥1.3444
150+
￥1.1932
500+
￥1.0045
2500+
￥0.9205
5000+
￥0.8701

有货

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1个N沟道耐压:200V 电流:5A

型号：IRFR220NTRPBF 编号：C2584

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,200V,5A,600mΩ@10V

数据手册

5+
￥1.775
50+
￥1.4261
150+
￥1.2766
500+
￥0.9529
2000+
￥0.8699
4000+
￥0.82

有货

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1个P沟道耐压:100V 电流:14A

型号：IRF9530NPBF 编号：C2574

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

P沟道,-100V,-14A,200mΩ@-10V

数据手册

5+
￥1.8372
50+
￥1.4588
150+
￥1.2966
500+
￥1.0942
2000+
￥1.0041
5000+
￥0.95

有货

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耐压:60V 电流:14A

型号：FDD5614P 编号：C5310927

封装：TO-252

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：VDS = -60V, ID = -14A。 RDS(ON) 88mΩ @ VGS = -10V (Typ)。 RDS(ON) 120mΩ @ VGS = -4.5V (Typ)。应用：负载/电源开关。接口开关

数据手册

5+
￥1.8985
50+
￥1.5105
150+
￥1.3441
500+
￥1.1366
2500+
￥0.998
5000+
￥0.9426

有货

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30V 25A

型号：HD303P250S 编号：C49423977

封装：PDFN-8(3x3)

品牌：R+O(宏嘉诚)

特性：VDS = -30 V。ID = -25 A。RDS(on)@VGS = -10 V < 16 mΩ。RDS(on)@VGS = -4.5V < 31 mΩ。沟槽功率低压MOSFET技术。电压控制小信号开关。应用：电源开关应用。负载开关

5+
￥1.9275
50+
￥1.5268
150+
￥1.3551
500+
￥1.1409
2500+
￥1.0455
5000+
￥0.9882

有货

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N沟道MOSFET

型号：HP803N110S 编号：C49256769

封装：SOP-8

品牌：R+O(宏嘉诚)

特性：VDS = 30V。 ID = 18A。 RDS(on) @ VGS = 10V < 6mΩ。 RDS(on) @ VGS = 4.5V < 8.5mΩ。低栅极电荷和导通电阻。快速开关速度。应用：功率开关应用。硬开关和高频电路

5+
￥1.9396
50+
￥1.5364
150+
￥1.3636
500+
￥1.148
2500+
￥1.052
4000+
￥0.9944

有货

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P沟道MOSFET

型号：HP803P180S 编号：C49256768

封装：SOP-8

品牌：R+O(宏嘉诚)

特性：VDS = -30V。 I0 = -12A。 RDS(on)@VGS = -10V < 13mΩ。 RDS(on)@VGS = -4.5V < 21mΩ。低栅极电荷和导通电阻。快速开关速度。应用：便携式设备的负载开关。 DC/DC转换器

5+
￥1.9639
50+
￥1.5556
150+
￥1.3807
500+
￥1.1624
2500+
￥1.0652
4000+
￥1.0069

有货

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55V N沟道MOSFET

型号：IRLZ44N(UMW) 编号：C42370423

封装：TO-220

品牌：UMW(友台半导体)

特性：结合了快速开关速度和坚固的器件设计。 VDS(V) = 55V。 ID = 25A(VGS = 10V)。 RDS(ON) < 22mΩ(VGS = 10V)

5+
￥2.0801
50+
￥1.6058
150+
￥1.4129
500+
￥1.1721
2000+
￥1.0649
5000+
￥1.0006

有货

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互补N和P沟道MOSFET

型号：HP804C360D 编号：C51883848

封装：SOP-8

品牌：R+O(宏嘉诚)

特性：N MOS:VDS = 40V。ID = 8A。RDS(on)(Q) VGS = 10V < 21mΩ。RDS(on)(Q) VGS = 4.5V < 32mΩ。P MOS:VDS = -40V。ID = -6A。应用：电源开关应用。低电压应用

5+
￥2.1821
50+
￥1.7285
150+
￥1.5341
500+
￥1.2915
2500+
￥1.1835
4000+
￥1.1187

有货

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N沟道100V快速开关MOSFET

型号：XRS120N10F 编号：C42457066

封装：PDFN-8L(5x6)

品牌：XNRUSEMI(新锐)

特性：分裂栅沟槽MOSFET技术。出色的散热封装。用于低RDS(ON)的高密度单元设计。应用：DC-DC转换器。电源管理功能

1+
￥2.403 ￥2.67
10+
￥1.908 ￥2.12
30+
￥1.692 ￥1.88
100+
￥1.422 ￥1.58
500+
￥1.305 ￥1.45
1000+
￥1.233 ￥1.37

有货

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1个P沟道耐压:100V 电流:30A

型号：TPNCE01P30K 编号：C41408089

封装：TO-252-3L

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

1+
￥2.5125 ￥3.35
10+
￥2.0175 ￥2.69
30+
￥1.8 ￥2.4
100+
￥1.5375 ￥2.05
500+
￥1.4175 ￥1.89
1000+
￥1.35 ￥1.8

有货

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PNP 电流:100mA 电压:30V

型号：BCV62C,215 编号：C282524

封装：SOT-143

品牌：Nexperia(安世)

采用小型SOT143B表面贴装器件（SMD）塑料封装的PNP通用双晶体管。

数据手册

1+
￥2.61
10+
￥2.11
30+
￥1.89
100+
￥1.62
500+
￥1.5
1000+
￥1.43

有货

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1个P沟道耐压:100V 电流:3A

型号：HT10P3H1S 编号：C49066910

封装：SOT-223

品牌：R+O(宏嘉诚)

特性：VDS = -100V。 I0 = -3.0A。 RDS(on)@VGS = -10V < 210mΩ。 RDS(on)@VGS = -4.5V < 280mΩ。高功率和电流处理能力。高密度单元设计，实现超低导通电阻。应用：DC/DC转换器。电源开关

1+
￥2.64
10+
￥2.09
30+
￥1.86
100+
￥1.57
500+
￥1.44
1000+
￥1.36

有货

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N沟道MOSFET

型号：HB03N080S 编号：C49256761

封装：TO-252

品牌：R+O(宏嘉诚)

特性：VDS = 30V。 I0 = 50A。 RDS(on)@VGS = 10V < 7mΩ。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 11.5mΩ。雪崩能量测试。快速开关速度。应用：DC-DC转换器。负载开关

1+
￥2.67
10+
￥2.12
30+
￥1.88
100+
￥1.58
500+
￥1.45
1000+
￥1.37

有货

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1个P沟道耐压:55V 电流:18A

型号：IRFR5505TRPBF 编号：C26340

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

P沟道,-55V,-18A,110mΩ@10V

数据手册

1+
￥2.79
10+
￥2.16
30+
￥1.89
100+
￥1.56
500+
￥1.41
1000+
￥1.32

有货

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HD508N052SG

型号：HD508N052SG 编号：C52766427

封装：PDFN-8(5x6)

品牌：R+O(宏嘉诚)

1+
￥3.41
10+
￥2.7
30+
￥2.4
100+
￥2.02
500+
￥1.85
1000+
￥1.75

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:80A

型号：CJAC80SN10 编号：C2913221

封装：PDFNWB5x6-8L

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

CJAC80SN10采用屏蔽栅沟槽技术和设计，在实现低栅极电荷的同时，提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。

数据手册

1+
￥3.77
10+
￥3.12
30+
￥2.79
100+
￥2.47
500+
￥2.18
1000+
￥2.09

有货

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1个N沟道耐压:80V 电流:100A

型号：CJAC100SN08U 编号：C2906252

封装：PDFNWB-8L(5X6)

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

N沟道增强型功率场效应晶体管采用SGT技术。该先进技术经过专门定制，可最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。

数据手册

1+
￥4.26
10+
￥3.5
30+
￥3.12
100+
￥2.74
500+
￥2.51
1000+
￥2.4

有货

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1个P沟道耐压:200V 电流:11A

型号：IRF9640PBF 编号：C2628

封装：TO-220AB

品牌：VISHAY(威世)

P沟道,-200V,-11A,500mΩ@-10V

数据手册

1+
￥6.72
10+
￥5.48
50+
￥4.87
100+
￥4.26
500+
￥3.89
1000+
￥3.7

有货

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