晶体管_厂家_价格_品牌_库存

型号：APM2305AC 编号：C2959856

封装：SOT-23

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：先进的沟槽技术。出色的导通电阻和低栅极电荷。无铅产品。应用：负载/电源开关。接口

数据手册

5+
￥0.5072
50+
￥0.4016
150+
￥0.3488
500+
￥0.3092
3000+
￥0.2491
6000+
￥0.2332

有货

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型号：DMG2305UX-13 编号：C144153

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

这款MOSFET旨在将导通电阻（RDS(on)）降至最低，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

数据手册

5+
￥0.5347
50+
￥0.4335
150+
￥0.3829
500+
￥0.3449
2500+
￥0.3145
5000+
￥0.2911

有货

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型号：ST3422A 编号：C2682907

封装：SOT-23-3L

品牌：STANSON(司坦森)

ST3422A是一款N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用，如手机和笔记本电脑的电源管理，以及其他需要高端开关的电池供电电路

数据手册

5+
￥0.5393
50+
￥0.4385
150+
￥0.3881
500+
￥0.3503
3000+
￥0.2723
6000+
￥0.2571

有货

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型号：50N06 编号：C2939003

封装：TO-252

品牌：KUU

50NO6将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。

数据手册

5+
￥0.5395
50+
￥0.4888
150+
￥0.4634
500+
￥0.4444
2500+
￥0.3286
5000+
￥0.321

有货

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型号：AO3402 编号：C14385

封装：SOT-23

品牌：AOS

N沟道,30V,4A,55mΩ@4.5V

数据手册

5+
￥0.5719
50+
￥0.4709
150+
￥0.4204
500+
￥0.3825
3000+
￥0.3162
6000+
￥0.301

有货

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型号：NTJD4001NT1G 编号：C190019

封装：SOT-363

品牌：onsemi(安森美)

特性：低栅极电荷，实现快速开关。小尺寸封装，比TSOP-6小30%。栅极具备ESD保护。NVTJD4001N符合AEC Q101标准。这些器件为无铅产品，符合RoHS标准。应用：低端负载开关。锂离子电池供电设备，如手机、个人数字助理、数码相机

数据手册

5+
￥0.5776
50+
￥0.4622
150+
￥0.4045
500+
￥0.3612
3000+
￥0.2939
6000+
￥0.2766

有货

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型号：SI2305CDS 编号：C5182095

封装：SOT-23-3

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

应用：负载/电源开关。接口开关。逻辑电平转换

数据手册

5+
￥0.59
50+
￥0.524
150+
￥0.491
500+
￥0.4663
3000+
￥0.3927
6000+
￥0.3828

有货

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型号：DMN6075S-7 编号：C155242

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

数据手册

5+
￥0.6233
50+
￥0.5048
150+
￥0.4456
500+
￥0.4012
3000+
￥0.3509
6000+
￥0.3331

有货

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型号：2SD882 编号：C3008134

封装：TO-252

品牌：MSKSEMI(美森科)

集射极击穿电压(Vceo)：30V 集电极电流(Ic)：3A 功率(Pd)：1.25W 集电极截止电流(I

数据手册

5+
￥0.62624 ￥0.6592
50+
￥0.50768 ￥0.5344
150+
￥0.4484 ￥0.472
500+
￥0.40394 ￥0.4252
2500+
￥0.324235 ￥0.3413
5000+
￥0.30647 ￥0.3226

有货

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型号：DMG1012UW-7 编号：C156390

封装：SOT-323

品牌：DIODES(美台)

N沟道，20V，1A

数据手册

5+
￥0.6525
50+
￥0.5325
150+
￥0.4725
500+
￥0.4275
3000+
￥0.3781
6000+
￥0.36

有货

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型号：DMP3099L-7 编号：C155244

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

这款MOSFET旨在将导通电阻（RDS(on)）降至最低，同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。

数据手册

5+
￥0.7081
50+
￥0.5737
150+
￥0.5065
500+
￥0.4561
3000+
￥0.4158
6000+
￥0.3956

有货

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型号：30N03A 编号：C668199

封装：TO-252

品牌：UMW(友台半导体)

特性：采用先进的沟槽技术设计，提供出色的导通电阻和低栅极电荷。符合RoHS标准。快速开关。低反向传输电容。低导通电阻。低栅极电荷

数据手册

5+
￥0.7219
50+
￥0.5676
150+
￥0.4905
500+
￥0.4327
2500+
￥0.3864
5000+
￥0.3632

有货

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型号：HD303N070S 编号：C49423983

封装：PDFN-8(3x3)

品牌：R+O(宏嘉诚)

5+
￥0.7396
50+
￥0.5891
150+
￥0.5139
500+
￥0.4574
2500+
￥0.4123
5000+
￥0.3897

有货

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型号：SI2333DS 编号：C5122042

封装：SOT-23-3

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

应用：负载/电源开关。接口开关。逻辑电平转换

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5+
￥0.8247
50+
￥0.6586
150+
￥0.5756
500+
￥0.5133
3000+
￥0.4332
6000+
￥0.4083

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型号：NTGS5120PT1G 编号：C2959860

封装：SOT-23-6

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：60V/-3A，RDS(ON) = 95mΩ（典型值）@VGS = 10V。 RDS(ON) = 130mΩ（典型值）@VGS = -4.5V。可靠耐用。提供无铅和环保器件（符合RoHS标准）。应用：DC-DC转换器。负载开关

数据手册

5+
￥0.8287
50+
￥0.7237
150+
￥0.6787
500+
￥0.6225
3000+
￥0.5975
6000+
￥0.5825

有货

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型号：HD303P150S 编号：C52204616

封装：PDFN-8(3x3)

品牌：R+O(宏嘉诚)

5+
￥0.8493
50+
￥0.6765
150+
￥0.5901
500+
￥0.5253
2500+
￥0.4734
5000+
￥0.4475

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型号：DMG2305UX-7 编号：C150470

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

P沟道,-20V,-4.2A,52mΩ@-4.5V

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5+
￥0.8538
50+
￥0.7095
150+
￥0.6374
500+
￥0.5833
3000+
￥0.4921
6000+
￥0.4704

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型号：AO4485 编号：C5125949

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

特性：使用先进的沟槽技术，提供出色的 RDS(ON) 和低栅极电荷。漏源电压（VDS）：-40V。漏极电流（ID）：-10A。静态漏源导通电阻（RDS(ON)）< 15mΩ（VGS = -10V）。静态漏源导通电阻（RDS(ON)）< 20mΩ（VGS = -4.5V）。应用：DC-DC 转换器应用

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