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这款N沟道增强模式MOSFET采用专有的高单元密度DMOS技术生产,用于最大限度地减少导通电阻,同时提供稳固、可靠和快速开关的性能表现。BSS138尤其适合低电压、低电流的应用,如小型伺服电机控制、功率MOSFET栅极驱动器和其它开关应用。
数据手册
  • 20+

    ¥0.3022
  • 200+

    ¥0.2482
  • 600+

    ¥0.2182
  • 3000+

    ¥0.1311
  • 9000+

    ¥0.1155
  • 21000+

    ¥0.107
  • 有货
  • P 沟道功率 MOSFET,逻辑电平,-50V,-130mA,10Ω,SOT-23 逻辑电平
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3147
    • 100+

      ¥0.2497
    • 300+

      ¥0.2173
    • 3000+

      ¥0.1929
    • 6000+

      ¥0.1735
    • 9000+

      ¥0.1637
  • 有货
  • 本产品是一款P型场效应管,具有7A的电流承载能力,最高20V的工作电压。其内阻典型值为20mΩ,栅源极电压VGS为12V。适用于多种应用场景,如电源管理、信号放大等,确保系统稳定运行。低内阻使其具备高效能特性。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.325194 ¥0.3918
    • 100+

      ¥0.264272 ¥0.3184
    • 300+

      ¥0.233728 ¥0.2816
    • 3000+

      ¥0.195133 ¥0.2351
    • 6000+

      ¥0.17679 ¥0.213
    • 9000+

      ¥0.16766 ¥0.202
  • 有货
  • 特性:高功率和电流处理能力。 获得无铅产品认证。 表面贴装封装。应用:PWM应用。 负载开关
    • 10+

      ¥0.3374
    • 100+

      ¥0.2654
    • 300+

      ¥0.2294
    • 3000+

      ¥0.2024
    • 6000+

      ¥0.1808
    • 9000+

      ¥0.17
  • 有货
  • 特性:功率耗散
    数据手册
    • 10+

      ¥0.35343 ¥0.3927
    • 100+

      ¥0.29079 ¥0.3231
    • 300+

      ¥0.25947 ¥0.2883
    • 1000+

      ¥0.19782 ¥0.2198
    • 5000+

      ¥0.17901 ¥0.1989
    • 10000+

      ¥0.16956 ¥0.1884
  • 有货
  • 采用超小型SOT363(SC - 88)表面贴装器件(SMD)塑料封装的NPN/NPN通用晶体管对。互补的PNP/PNP晶体管对:BC857BS
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3728
    • 100+

      ¥0.2942
    • 300+

      ¥0.255
    • 3000+

      ¥0.221265 ¥0.2235
    • 6000+

      ¥0.197901 ¥0.1999
    • 9000+

      ¥0.186318 ¥0.1882
  • 有货
    • 10+

      ¥0.3966
    • 100+

      ¥0.3055
    • 300+

      ¥0.26
    • 3000+

      ¥0.2159
    • 6000+

      ¥0.1886
    • 9000+

      ¥0.1749
  • 有货
  • 这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.4474
    • 50+

      ¥0.3924
    • 150+

      ¥0.3649
    • 500+

      ¥0.3443
    • 3000+

      ¥0.297
    • 6000+

      ¥0.2888
  • 有货
  • 特性:高电压:VCEO = 160V。 大连续集电极电流能力
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4563
    • 100+

      ¥0.3714
    • 300+

      ¥0.3289
    • 1000+

      ¥0.2882
    • 5000+

      ¥0.2628
    • 10000+

      ¥0.25
  • 有货
  • N沟道,100V,8A,100mΩ@10v
    • 10+

      ¥0.5063
    • 100+

      ¥0.4229
    • 300+

      ¥0.3812
    • 1000+

      ¥0.23997 ¥0.2526
    • 5000+

      ¥0.21622 ¥0.2276
    • 10000+

      ¥0.20425 ¥0.215
  • 有货
  • 1个N沟道 耐压:60V 电流:30A适用于电源开关和信号控制
    • 5+

      ¥0.51813 ¥0.5757
    • 50+

      ¥0.41013 ¥0.4557
    • 150+

      ¥0.35613 ¥0.3957
    • 500+

      ¥0.31572 ¥0.3508
    • 2500+

      ¥0.28332 ¥0.3148
    • 5000+

      ¥0.26712 ¥0.2968
  • 有货
  • 特性:与其他型号引脚兼容。应用:负载/电源开关。 接口开关
    • 5+

      ¥0.5569
    • 50+

      ¥0.4369
    • 150+

      ¥0.3769
    • 500+

      ¥0.3319
    • 3000+

      ¥0.2959
    • 6000+

      ¥0.2779
  • 有货
  • 这款N型场效应管具有0.1A的电流处理能力和240V的电压承受范围。其内阻典型值为3000mΩ,VGS为20V。适用于需要低功耗和高稳定性的应用场景,如电源管理、信号放大及开关控制等,确保系统高效运行。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5583
    • 50+

      ¥0.458
    • 150+

      ¥0.4079
    • 500+

      ¥0.3703
    • 3000+

      ¥0.3031
    • 6000+

      ¥0.2881
  • 有货
  • 应用:通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
    数据手册
    • 20+

      ¥0.5852
    • 200+

      ¥0.4945
    • 600+

      ¥0.4478
    • 2500+

      ¥0.2933
    • 10000+

      ¥0.2798
    • 20000+

      ¥0.2708
  • 有货
  • 特性:使用先进沟槽技术,提供出色的RDS(ON)。 低栅极电荷。 栅极电压低至4.5V时可工作。 VDS = 30V。 ID = 12A。 RDS(ON) < 13mΩ(VGS = 10V)。应用:电池保护。 其他开关应用
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6172
    • 50+

      ¥0.4969
    • 150+

      ¥0.4367
    • 500+

      ¥0.3916
    • 3000+

      ¥0.2989
    • 6000+

      ¥0.2808
  • 有货
  • 4882是高单元密度的沟槽型N沟道MOSFET,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。4882符合RoHS标准和绿色产品要求,100%经过EAS测试,具备全面的功能可靠性认证。
    • 5+

      ¥0.6257
    • 50+

      ¥0.4961
    • 150+

      ¥0.4313
    • 500+

      ¥0.3827
    • 3000+

      ¥0.3301
    • 6000+

      ¥0.3106
  • 有货
  • 集射极击穿电压(Vceo):30V 集电极电流(Ic):3A 功率(Pd):1.25W 集电极截止电流(I
    数据手册
    • 5+

      ¥0.62624 ¥0.6592
    • 50+

      ¥0.50768 ¥0.5344
    • 150+

      ¥0.4484 ¥0.472
    • 500+

      ¥0.40394 ¥0.4252
    • 2500+

      ¥0.324235 ¥0.3413
    • 5000+

      ¥0.30647 ¥0.3226
  • 有货
  • P沟道,-30V,-2.6A,115mΩ@-10V
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6307
    • 50+

      ¥0.5034
    • 150+

      ¥0.4398
    • 500+

      ¥0.3921
    • 3000+

      ¥0.3404
    • 6000+

      ¥0.3213
  • 有货
  • N沟道.40V.5.8A.30mΩ
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6435 ¥0.715
    • 50+

      ¥0.5733 ¥0.637
    • 150+

      ¥0.5382 ¥0.598
    • 500+

      ¥0.51183 ¥0.5687
    • 3000+

      ¥0.44532 ¥0.4948
    • 6000+

      ¥0.43479 ¥0.4831
  • 有货
  • P沟道,-30V,-3A,98mΩ@-10V
    数据手册
    • 5+

      ¥0.7692
    • 50+

      ¥0.6112
    • 150+

      ¥0.5322
    • 500+

      ¥0.44935 ¥0.473
    • 3000+

      ¥0.40432 ¥0.4256
    • 6000+

      ¥0.381805 ¥0.4019
  • 有货
  • 这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.7788
    • 50+

      ¥0.6184
    • 150+

      ¥0.5383
    • 500+

      ¥0.4781
    • 3000+

      ¥0.3833
    • 6000+

      ¥0.3592
  • 有货
  • 应用:负载/电源开关。接口开关。逻辑电平转换
    数据手册
    • 5+

      ¥0.7875
    • 50+

      ¥0.622
    • 150+

      ¥0.5392
    • 500+

      ¥0.4771
    • 3000+

      ¥0.3973
    • 6000+

      ¥0.3725
  • 有货
  • 应用:通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
    • 5+

      ¥0.817285 ¥0.8603
    • 50+

      ¥0.661485 ¥0.6963
    • 150+

      ¥0.583585 ¥0.6143
    • 500+

      ¥0.525255 ¥0.5529
    • 2500+

      ¥0.42731 ¥0.4498
    • 5000+

      ¥0.40394 ¥0.4252
  • 有货
  • NPN/NPN通用双晶体管,采用SOT457 (SC-74)塑料封装。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.834
    • 50+

      ¥0.6717
    • 150+

      ¥0.5905
    • 500+

      ¥0.513809 ¥0.5297
    • 3000+

      ¥0.46657 ¥0.481
    • 6000+

      ¥0.442902 ¥0.4566
  • 有货
  • N沟道,30V,1.4A,0.11Ω@10V
    数据手册
    • 5+

      ¥0.8938
    • 50+

      ¥0.7257
    • 150+

      ¥0.6417
    • 500+

      ¥0.5787
    • 3000+

      ¥0.4705
    • 6000+

      ¥0.4453
  • 有货
  • 采用沟槽MOSFET技术的P沟道增强型场效应晶体管(FET),采用SOT323(SC - 70)小型表面贴装器件(SMD)塑料封装。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.916
    • 50+

      ¥0.7262
    • 150+

      ¥0.6312
    • 500+

      ¥0.543297 ¥0.5601
    • 3000+

      ¥0.488007 ¥0.5031
    • 6000+

      ¥0.460362 ¥0.4746
  • 有货
  • WSP3099是一款高性能沟槽型P沟道MOSFET,具有极高的单元密度,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDS(ON))和栅极电荷。WSP3099符合RoHS标准和绿色产品要求,且通过了全功能可靠性认证。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.394
    • 50+

      ¥1.1017
    • 150+

      ¥0.9764
    • 1000+

      ¥0.8225
    • 2000+

      ¥0.7529
    • 5000+

      ¥0.7111
  • 有货
  • N沟道,30V,5A,29mΩ@4.5V
    数据手册
    • 5+

      ¥1.5115
    • 50+

      ¥1.2208
    • 150+

      ¥1.0962
    • 500+

      ¥0.9408
    • 3000+

      ¥0.7459
    • 6000+

      ¥0.7044
  • 有货
  • 特性:60V, 4A, RDS(ON) = 85 mΩ @ VGS = 10 V。 RDS(ON) = 100 mΩ @ VGS = 4 V。 高密单元设计,实现极低的RDS(ON)。 坚固可靠。 获得无铅产品认证。 SOT-223封装。应用:负载/电源开关。 接口
    • 5+

      ¥1.612
    • 50+

      ¥1.2592
    • 150+

      ¥1.108
    • 500+

      ¥0.9194
    • 2500+

      ¥0.8354
    • 5000+

      ¥0.785
  • 有货
  • N沟道,30V,3.6A,68mΩ@4.5V
    数据手册
    • 5+

      ¥1.7104
    • 50+

      ¥1.3326
    • 150+

      ¥1.1707
    • 500+

      ¥0.9686
    • 3000+

      ¥0.8787
    • 6000+

      ¥0.8247
  • 有货
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