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首页 > 热门关键词 > 晶体管
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描述
价格(含税)
库存
操作
特性:低导通电阻:RDS(ON)。 低栅极阈值电压。 低输入电容。 快速开关速度。 低输入/输出泄漏
数据手册
  • 50+

    ¥0.071915 ¥0.0757
  • 500+

    ¥0.055005 ¥0.0579
  • 3000+

    ¥0.04674 ¥0.0492
  • 6000+

    ¥0.041135 ¥0.0433
  • 24000+

    ¥0.036195 ¥0.0381
  • 51000+

    ¥0.03363 ¥0.0354
  • 有货
  • 特性:外延平面管芯结构。 有互补NPN类型(MMBT2222A)
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0795
    • 500+

      ¥0.0633
    • 3000+

      ¥0.0507
    • 6000+

      ¥0.0453
    • 24000+

      ¥0.0406
    • 51000+

      ¥0.0381
  • 有货
  • 特性:低导通电阻。 快速开关速度。 低电压驱动,适用于便携式设备。 易于设计驱动电路。 易于并联。 符合RoHS标准且环保。 雾锡(Sn)引脚镀层。 重量:约0.002g
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0958
    • 500+

      ¥0.0748
    • 3000+

      ¥0.0635
    • 6000+

      ¥0.0565
    • 24000+

      ¥0.0504
    • 51000+

      ¥0.0472
  • 有货
  • 2300采用沟槽处理技术设计,可实现极低的导通电阻,具备快速开关速度和更高的传输效率。这些特性相结合,使该设计成为适用于各种DC-DC应用的高效可靠器件。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.116
    • 200+

      ¥0.0879
    • 600+

      ¥0.0723
    • 3000+

      ¥0.0708
    • 9000+

      ¥0.0627
    • 21000+

      ¥0.0583
  • 有货
    • 50+

      ¥0.1252
    • 500+

      ¥0.0982
    • 3000+

      ¥0.0832
    • 6000+

      ¥0.0742
    • 24000+

      ¥0.0664
    • 51000+

      ¥0.0622
  • 有货
  • 特性:小封装。 与MMBT3904M互补
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1315
    • 200+

      ¥0.1139
    • 600+

      ¥0.1041
    • 2000+

      ¥0.0982
    • 8000+

      ¥0.0858
    • 16000+

      ¥0.0831
  • 有货
  • N沟道,100V,0.17A,6Ω@10V
    数据手册
    • 20+

      ¥0.141
    • 200+

      ¥0.1083
    • 600+

      ¥0.0902
    • 3000+

      ¥0.0793
    • 9000+

      ¥0.0699
    • 21000+

      ¥0.0648
  • 有货
  • 适用于各类小型电子设备,提供高效、稳定的开关与功率转换性能。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.14136 ¥0.1767
    • 200+

      ¥0.11184 ¥0.1398
    • 600+

      ¥0.09544 ¥0.1193
    • 3000+

      ¥0.0728 ¥0.091
    • 9000+

      ¥0.06432 ¥0.0804
    • 21000+

      ¥0.05968 ¥0.0746
  • 有货
  • 特性:产品材料符合RoHS要求且无卤。 S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用;符合AEC-Q101标准且可提供生产件批准程序文件。 低集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)) ≤ 0.4V。 简化电路设计。 减少电路板空间。 减少元件数量。 采用8mm、7英寸/3000单位的卷带包装。 直流电流增益(hFE)为100-300
    数据手册
    • 20+

      ¥0.153
    • 200+

      ¥0.1182
    • 600+

      ¥0.0989
    • 3000+

      ¥0.0845
    • 9000+

      ¥0.0744
    • 21000+

      ¥0.069
  • 有货
  • 特性:低导通电阻。 高速开关。 驱动电路简单。 易于并联使用。应用:开关应用
    • 20+

      ¥0.1541
    • 200+

      ¥0.1184
    • 600+

      ¥0.0986
    • 3000+

      ¥0.0868
    • 9000+

      ¥0.0765
    • 21000+

      ¥0.0709
  • 有货
  • K46(K46表示丝印)
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1647
    • 200+

      ¥0.1323
    • 600+

      ¥0.1143
    • 3000+

      ¥0.0925
    • 9000+

      ¥0.0831
    • 21000+

      ¥0.078
  • 有货
  • 1个P沟道 耐压:12V 电流:4.1A适用于电源开关和信号控制
    数据手册
    • 20+

      ¥0.17136 ¥0.2142
    • 200+

      ¥0.13248 ¥0.1656
    • 600+

      ¥0.11088 ¥0.1386
    • 3000+

      ¥0.0936 ¥0.117
    • 9000+

      ¥0.0824 ¥0.103
    • 30000+

      ¥0.07632 ¥0.0954
  • 有货
  • 1个N沟道 耐压:30V 电流:5.8A适用于电源开关和信号控制
    数据手册
    • 20+

      ¥0.18189 ¥0.2021
    • 200+

      ¥0.14292 ¥0.1588
    • 600+

      ¥0.12132 ¥0.1348
    • 3000+

      ¥0.10026 ¥0.1114
    • 9000+

      ¥0.08901 ¥0.0989
    • 30000+

      ¥0.08298 ¥0.0922
  • 有货
  • 特性:驱动晶体管
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1865
    • 200+

      ¥0.1514
    • 600+

      ¥0.1319
    • 3000+

      ¥0.1108
    • 9000+

      ¥0.1007
    • 21000+

      ¥0.0952
  • 有货
  • 应用:电池保护。负载开关。电源管理
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1946
    • 200+

      ¥0.1498
    • 600+

      ¥0.1249
    • 3000+

      ¥0.1099
    • 9000+

      ¥0.097
    • 21000+

      ¥0.09
  • 有货
  • 特性:低饱和。 与FMMT591互补
    数据手册
    • 20+

      ¥0.19722 ¥0.2076
    • 200+

      ¥0.154755 ¥0.1629
    • 600+

      ¥0.131195 ¥0.1381
    • 3000+

      ¥0.113145 ¥0.1191
    • 9000+

      ¥0.10089 ¥0.1062
    • 21000+

      ¥0.09424 ¥0.0992
  • 有货
  • 该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1989
    • 200+

      ¥0.1564
    • 600+

      ¥0.1328
    • 3000+

      ¥0.1082
    • 9000+

      ¥0.0959
    • 21000+

      ¥0.0893
  • 有货
  • 这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2055
    • 200+

      ¥0.1623
    • 600+

      ¥0.1383
    • 2000+

      ¥0.1239
    • 10000+

      ¥0.0984
    • 20000+

      ¥0.0916
  • 有货
  • P沟道,-20V,-0.66A,520mΩ@-4.5V
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2073
    • 200+

      ¥0.1682
    • 600+

      ¥0.1465
    • 2000+

      ¥0.1334
    • 8000+

      ¥0.1076
    • 16000+

      ¥0.1015
  • 有货
  • 特性:低电压驱动(1.2V),适用于便携式设备。 驱动电路简单。 内置G-S保护二极管。应用:开关
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2108
    • 200+

      ¥0.1649
    • 600+

      ¥0.1394
    • 2000+

      ¥0.1241
    • 8000+

      ¥0.1108
    • 16000+

      ¥0.1037
  • 有货
  • 采用超小型SOT323(SC70)表面贴装器件(SMD)塑料封装的NPN通用晶体管。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2187
    • 200+

      ¥0.1707
    • 600+

      ¥0.1467
    • 3000+

      ¥0.1287
    • 9000+

      ¥0.1143
    • 21000+

      ¥0.107
  • 有货
  • 这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2315
    • 200+

      ¥0.1781
    • 600+

      ¥0.1484
    • 2000+

      ¥0.1306
    • 8000+

      ¥0.1188
    • 16000+

      ¥0.1105
  • 有货
  • 采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻 (RDS(on)) 和低栅极电荷。该器件适用于用作负载开关或用于PWM应用。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2331
    • 200+

      ¥0.1761
    • 600+

      ¥0.1444
    • 3000+

      ¥0.1254
    • 9000+

      ¥0.1089
    • 21000+

      ¥0.1
  • 有货
  • AP2003采用先进的沟槽技术,可实现出色的导通电阻Rps(on)和低栅极电荷。互补MOSFET可用于构成电平转换高端开关,还适用于众多其他应用。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2379
    • 100+

      ¥0.2005
    • 300+

      ¥0.1817
    • 3000+

      ¥0.1677
    • 6000+

      ¥0.1565
    • 9000+

      ¥0.1509
  • 有货
  • 特性:适用于音频功率放大器和低速开关应用。 SOT-23封装
    数据手册
    • 10+

      ¥0.241395 ¥0.2541
    • 100+

      ¥0.190285 ¥0.2003
    • 300+

      ¥0.16473 ¥0.1734
    • 3000+

      ¥0.142215 ¥0.1497
    • 6000+

      ¥0.12692 ¥0.1336
    • 9000+

      ¥0.119225 ¥0.1255
  • 有货
  • 特性:VDS = -20V, RDS(ON) ≤ 65mΩ @VGS = -4.5V, ID = -3.7A。 超低导通电阻。 P沟道MOSFET。 快速开关
    数据手册
    • 10+

      ¥0.24206 ¥0.2548
    • 100+

      ¥0.193705 ¥0.2039
    • 300+

      ¥0.16948 ¥0.1784
    • 3000+

      ¥0.14535 ¥0.153
    • 6000+

      ¥0.130815 ¥0.1377
    • 9000+

      ¥0.123595 ¥0.1301
  • 有货
  • AO3400A是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET,可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻(RDSON)和效率。AO3400A符合RoHS标准和绿色产品要求,并通过了全功能可靠性认证。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2526
    • 200+

      ¥0.2007
    • 600+

      ¥0.1748
    • 3000+

      ¥0.1354
    • 9000+

      ¥0.1198
    • 21000+

      ¥0.112
  • 有货
  • 带ESD保护,P沟道,-20V,-4.9A,30mΩ@-4.5V,-4.0A,-0.7V@250uA;应用领域:苹果数据线、DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2645
    • 200+

      ¥0.2013
    • 600+

      ¥0.1662
    • 3000+

      ¥0.1451
    • 9000+

      ¥0.1269
    • 21000+

      ¥0.117
  • 有货
  • 这款NPN型三极管具有1A的电流处理能力和80V的耐压特性。其放大倍数介于100至250之间,适用于精密信号放大。在频率方面,它可支持高达130MHz的操作,确保信号传输的稳定性。适合用于对电子信号进行控制和放大的应用场合。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2946
    • 100+

      ¥0.2393
    • 300+

      ¥0.2117
    • 1000+

      ¥0.1709
    • 5000+

      ¥0.1543
    • 10000+

      ¥0.146
  • 有货
  • 采用小型SOT23表面贴装器件(SMD)塑料封装的PNP开关晶体管。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3003
    • 100+

      ¥0.2419
    • 300+

      ¥0.2126
    • 3000+

      ¥0.184979 ¥0.1907
    • 6000+

      ¥0.168004 ¥0.1732
    • 9000+

      ¥0.159468 ¥0.1644
  • 有货
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