晶体管_厂家_价格_品牌_库存

型号：RUM001L02-TP 编号：C2827706

封装：SOT-723

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

数据手册

20+
￥0.2233
200+
￥0.1747
600+
￥0.1477
2000+
￥0.1315
8000+
￥0.103
16000+
￥0.0954

有货

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型号：CJ3404 编号：C71151

封装：SOT-23

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

N沟道,30V,5.8A,30mΩ@10V

数据手册

20+
￥0.2241
200+
￥0.1762
600+
￥0.1496
3000+
￥0.1337
9000+
￥0.1199
21000+
￥0.1124

有货

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型号：SI2300 编号：C727150

封装：SOT-23

品牌：TWGMC(迪嘉)

数据手册

20+
￥0.2242
200+
￥0.1809
600+
￥0.1568
3000+
￥0.1237
9000+
￥0.1111
21000+
￥0.1044

有货

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型号：BSH103 编号：C22358686

封装：SOT-23

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

20+
￥0.2374
200+
￥0.1894
600+
￥0.1654
3000+
￥0.1474
9000+
￥0.133
21000+
￥0.1257

有货

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型号：AP2003 编号：C2849575

封装：SOT-23-6L

品牌：ALLPOWER(铨力)

AP2003采用先进的沟槽技术，可实现出色的导通电阻Rps(on)和低栅极电荷。互补MOSFET可用于构成电平转换高端开关，还适用于众多其他应用。

数据手册

10+
￥0.2379
100+
￥0.2005
300+
￥0.1817
3000+
￥0.1677
6000+
￥0.1565
9000+
￥0.1509

有货

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型号：BCM857BS 编号：C20426291

封装：SOT-363

品牌：FUXINSEMI(富芯森美)

特性：一个封装中有两个晶体管。减少元件数量和电路板空间。晶体管之间无相互干扰

20+
￥0.2486
200+
￥0.2
600+
￥0.173
3000+
￥0.1456
9000+
￥0.1315
30000+
￥0.124

有货

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型号：DMG1013T-7 编号：C96676

封装：SOT-523

品牌：DIODES(美台)

P沟道,-20V,-0.46A,0.7Ω@-4.5V

数据手册

20+
￥0.2552
200+
￥0.2057
600+
￥0.1783
3000+
￥0.1448
9000+
￥0.1305
21000+
￥0.1228

有货

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型号：BCX51-16 编号：C475643

封装：SOT-89

品牌：SHIKUES(时科)

特性：IC = -1 A。连续集电极电流饱和电压: -VCE(sat)：-500 mV @ -0.5 A。 -VCE(sat)：500 mV @ +0.5 A。获得第10和第16外延平面模具的互补NPN类型。互补类型：BCX54, BCX55, BCX56。应用：中功率开关或放大应用：自动对焦驱动和输出级

数据手册

10+
￥0.25992 ￥0.2736
100+
￥0.20843 ￥0.2194
300+
￥0.18259 ￥0.1922
1000+
￥0.14934 ￥0.1572
5000+
￥0.133855 ￥0.1409
10000+
￥0.12616 ￥0.1328

有货

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型号：BLM3400S3 编号：C5310944

封装：SOT-23

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：VDS = 30V，ID = 5.8A。 RDS(ON) < 59mΩ @ VGS = 2.5V。 RDS(ON) < 45mΩ @ VGS = 4.5V。 RDS(ON) < 41mΩ @ VGS = 10V。应用：负载/电源开关。接口开关

数据手册

10+
￥0.2728
100+
￥0.2155
300+
￥0.1868
3000+
￥0.1542
6000+
￥0.137
12000+
￥0.1284

有货

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型号：BSS84-7-F 编号：C85202

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

这款MOSFET旨在将导通电阻（RDS(ON)）降至最低，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

数据手册

10+
￥0.2817
100+
￥0.2298
300+
￥0.2039
3000+
￥0.1844
6000+
￥0.1689
9000+
￥0.1611

有货

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型号：BC817-40LT1G 编号：C94412

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。

数据手册

20+
￥0.2875
200+
￥0.2281
600+
￥0.1985
3000+
￥0.1762
9000+
￥0.1584
21000+
￥0.1495

有货

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型号：BCX56 编号：C5345980

封装：SOT-89

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款NPN型三极管具有1A的电流处理能力和80V的耐压特性。其放大倍数介于100至250之间，适用于精密信号放大。在频率方面，它可支持高达130MHz的操作，确保信号传输的稳定性。适合用于对电子信号进行控制和放大的应用场合。

数据手册

10+
￥0.2946
100+
￥0.2393
300+
￥0.2117
1000+
￥0.1709
5000+
￥0.1543
10000+
￥0.146

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型号：AP5N10S 编号：C2849571

封装：SOT-23-3L

品牌：ALLPOWER(铨力)

AP5N10S采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下可实现出色的导通电阻（RDS(ON)）。它可用于多种应用场景，具备静电放电（ESD）保护功能。

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10+
￥0.2972
100+
￥0.2348
300+
￥0.2036
3000+
￥0.1802
6000+
￥0.1615
9000+
￥0.1521

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型号：HL3416 编号：C28646273

封装：SOT-23

品牌：R+O(宏嘉诚)

特性：VDS = 20V。 ID = 6.5A。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 22mΩ。 RDS(on)@VGS = 2.5V < 26mΩ。沟槽功率MV MOSFET技术。电压控制小信号开关。应用：电池供电系统。固态继电器

10+
￥0.3012
100+
￥0.2381
300+
￥0.2065
3000+
￥0.1829
6000+
￥0.1639
9000+
￥0.1545

有货

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型号：BC847CW,115 编号：C75567

封装：SOT-323

品牌：Nexperia(安世)

NPN通用晶体管，采用非常小的SOT323 (SC-70)表面贴装器件(SMD)塑料封装。

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20+
￥0.3135
200+
￥0.2736
600+
￥0.2514
3000+
￥0.2373
9000+
￥0.2258
21000+
￥0.2196

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型号：SI2323DS(UMW) 编号：C5346821

封装：SOT-23

品牌：UMW(友台半导体)

特性：VDS(V) = -30V。 ID = -4.2A (VGS = -10V)。 RDS(ON) < 50mΩ (VGS = -10V)。 RDS(ON) < 65mΩ (VGS = -4.5V)。应用：负载开关。 PA开关

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10+
￥0.3221
100+
￥0.2545
300+
￥0.2207
3000+
￥0.1883
6000+
￥0.168
9000+
￥0.1578

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型号：CJ3415 编号：C2910186

封装：SOT-23

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：优秀的RDS(ON)。低栅极电荷。低栅极电压。应用：负载开关。 PWM应用

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10+
￥0.323
100+
￥0.2653
300+
￥0.2365
3000+
￥0.2028
6000+
￥0.1855
9000+
￥0.1768

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型号：NDS351AN 编号：C19829405

封装：SOT-23

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：VDS = 30V, ID = 3A。 RDS(ON) < 85mΩ @ VGS = 10V。 RDS(ON) < 100mΩ @ VGS = 4.5V。应用：负载开关。 PWM应用

10+
￥0.3359
100+
￥0.2639
300+
￥0.2279
3000+
￥0.2009
6000+
￥0.1793
9000+
￥0.1685

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型号：CJ2324 编号：C81053

封装：SOT-23

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

N沟道,100V,2A,234mΩ@10V；较BSS123具有更大的额定电流

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10+
￥0.34
100+
￥0.2766
300+
￥0.2448
3000+
￥0.1946
6000+
￥0.1756
9000+
￥0.1661

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型号：2N7002 编号：C124475

封装：SOT-23-3L

品牌：onsemi(安森美)

这款N沟道增强模式MOSFET采用专有的高单元密度DMOS技术生产。该产品的设计可在最大程度减少导通电阻的同时提供稳固、可靠和快速开关的性能表现。2N7002可用于需要高达400mA直流电的大多数应用，并可提供高达2A的脉冲电流。本产品特别适合于低电压、低电流的应用，如小型伺服电机控制、功率MOSFET栅极驱动器和其他开关应用。

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