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首页 > 热门关键词 > 晶体管
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采用先进的沟槽技术和设计,在低栅极电荷下提供优异的Rps(on),可应用于多种应用领域。
  • 5+

    ¥1.7037
  • 50+

    ¥1.3257
  • 150+

    ¥1.1637
  • 500+

    ¥0.9616
  • 2500+

    ¥0.8716
  • 5000+

    ¥0.8175
  • 有货
  • 特性:TrenchFET功率MOSFET,12V额定。 100% Rg测试。 栅源ESD保护:1000V。 RoHS合规,无卤。应用:便携式设备的负载/电源开关。 驱动器:继电器、螺线管、灯、锤子、显示器、存储器
    数据手册
    • 5+

      ¥0.7159
    • 50+

      ¥0.5719
    • 150+

      ¥0.4999
    • 500+

      ¥0.4459
    • 3000+

      ¥0.4027
    • 6000+

      ¥0.381
  • 有货
  • N沟道,30V/80A,5.5毫欧。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.7407
    • 50+

      ¥0.5727
    • 150+

      ¥0.4887
    • 500+

      ¥0.4257
    • 2500+

      ¥0.3753
    • 5000+

      ¥0.35
  • 有货
  • 特性:使用先进的沟槽技术和设计,提供出色的导通电阻和低栅极电荷。 漏源电压(VDS)为 60V。 漏极电流(ID)为 40A(VGS = 10V)。 导通电阻(RDS(ON))< 14mΩ(VGS = 10V)。 导通电阻(RDS(ON))< 16mΩ(VGS = 4.5V)。 无铅产品
    数据手册
    • 5+

      ¥0.8264
    • 50+

      ¥0.6419
    • 150+

      ¥0.5496
    • 500+

      ¥0.4804
    • 2500+

      ¥0.3977
    • 5000+

      ¥0.37
  • 有货
    • 5+

      ¥0.9841
    • 50+

      ¥0.7797
    • 150+

      ¥0.6922
    • 500+

      ¥0.5829
    • 3000+

      ¥0.5101
    • 6000+

      ¥0.4809
  • 有货
  • 采用中功率SOT223(SC73)表面贴装器件(SMD)塑料封装的NPN中功率晶体管。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.0395
    • 50+

      ¥0.8285
    • 150+

      ¥0.7381
    • 1000+

      ¥0.5986
    • 2000+

      ¥0.5483
    • 5000+

      ¥0.5182
  • 有货
  • 特性:超低栅极电荷。 有绿色环保器件可选。 出色的CdvV/dt效应衰减。 先进的高单元密度沟槽技术。 100% EAS保证。应用:PWM应用。 负载开关
    • 5+

      ¥1.1642
    • 50+

      ¥0.9222
    • 150+

      ¥0.8185
    • 500+

      ¥0.6891
    • 2500+

      ¥0.6314
    • 5000+

      ¥0.5969
  • 有货
  • P沟道,-12V,-5.1A,35mΩ@-4.5V
    数据手册
    • 5+

      ¥1.3456
    • 50+

      ¥1.0803
    • 150+

      ¥0.9666
    • 500+

      ¥0.8248
    • 3000+

      ¥0.6747
    • 6000+

      ¥0.6368
  • 有货
  • P沟道,-40V,-11A,13mΩ@-10V,-10A,-1.6V@-250uA;应用领域:DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    数据手册
    • 1+

      ¥1.5598
    • 10+

      ¥1.1995
    • 30+

      ¥1.045
    • 100+

      ¥0.8523
    • 500+

      ¥0.7665
    • 1000+

      ¥0.715
  • 有货
  • 特性:VDS = 60V,ID = 50A。 RDS(ON) < 20mΩ @ VGS = 10V。应用:Power Management in Notebook。 DC/DC Converter
    数据手册
    • 5+

      ¥1.7316
    • 50+

      ¥1.3536
    • 150+

      ¥1.1916
    • 500+

      ¥0.9895
    • 2500+

      ¥0.8995
    • 5000+

      ¥0.8454
  • 有货
  • NPN通用晶体管,采用小型SOT23 (TO236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
    • 5+

      ¥1.9361
    • 50+

      ¥1.5596
    • 150+

      ¥1.3982
    • 500+

      ¥1.160993 ¥1.1969
    • 3000+

      ¥1.030528 ¥1.0624
    • 6000+

      ¥0.978342 ¥1.0086
  • 有货
  • AGM12N10AP将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合,可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
    • 5+

      ¥1.950065 ¥2.0527
    • 50+

      ¥1.52874 ¥1.6092
    • 150+

      ¥1.348145 ¥1.4191
    • 500+

      ¥1.1229 ¥1.182
    • 2500+

      ¥0.96311 ¥1.0138
    • 5000+

      ¥0.90288 ¥0.9504
  • 有货
  • 采用SOT89塑料封装的NPN低VCEsat晶体管。PNP互补型号:PBSS5350X。
    数据手册
    • 5+

      ¥2.127
    • 50+

      ¥1.7149
    • 150+

      ¥1.5382
    • 1000+

      ¥1.277393 ¥1.3169
    • 2000+

      ¥1.182236 ¥1.2188
    • 5000+

      ¥1.125103 ¥1.1599
  • 有货
  • N沟道,100V,17A,105mΩ@10V
    数据手册
    • 5+

      ¥2.381
    • 50+

      ¥1.9153
    • 150+

      ¥1.7156
    • 500+

      ¥1.255235 ¥1.3213
    • 2000+

      ¥1.14988 ¥1.2104
    • 4000+

      ¥1.086705 ¥1.1439
  • 有货
  • P沟道,-40V,-4.4A,0.077Ω@-10V
    数据手册
    • 5+

      ¥2.4362
    • 50+

      ¥1.9532
    • 150+

      ¥1.7462
    • 500+

      ¥1.3451
    • 3000+

      ¥1.2301
    • 6000+

      ¥1.1611
  • 有货
  • P沟道,-100V,-13A,-205mΩ@-10V
    数据手册
    • 1+

      ¥3.17
    • 10+

      ¥2.56
    • 30+

      ¥2.3
    • 100+

      ¥1.8715 ¥1.97
    • 500+

      ¥1.482 ¥1.56
    • 1000+

      ¥1.3965 ¥1.47
  • 有货
  • 特性:TrenchFET功率MOSFET。 100% Rg和UIS测试。应用:笔记本电池充电。 笔记本适配器开关
    数据手册
    • 1+

      ¥3.81
    • 10+

      ¥3.07
    • 30+

      ¥2.75
    • 100+

      ¥2.36
    • 500+

      ¥1.91
    • 1000+

      ¥1.8
  • 有货
  • 特性:TrenchFET Gen II p- 沟道功率 MOSFET。 100% Rg 和 UIS 测试。应用:适配器开关。 电池开关
    数据手册
    • 1+

      ¥3.97
    • 10+

      ¥3.22
    • 30+

      ¥2.85
    • 100+

      ¥2.4304 ¥2.48
    • 500+

      ¥2.2148 ¥2.26
    • 1000+

      ¥2.0972 ¥2.14
  • 有货
  • PNP 中功率晶体管系列,采用表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.13
    • 10+

      ¥3.34
    • 30+

      ¥2.95
    • 100+

      ¥2.4735 ¥2.55
    • 500+

      ¥2.2504 ¥2.32
    • 1000+

      ¥2.134 ¥2.2
  • 有货
  • N沟道,400V,10A,550mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥5.35
    • 10+

      ¥4.4
    • 50+

      ¥3.62
    • 100+

      ¥3.14
    • 500+

      ¥2.86
    • 1000+

      ¥2.72
  • 有货
  • N沟道,500V,4.5A,1.5Ω@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥5.42
    • 10+

      ¥4.62
    • 50+

      ¥3.95
    • 100+

      ¥3.55
    • 500+

      ¥3.31
    • 1000+

      ¥3.19
  • 有货
  • AGM015N10LL将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合,可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥10.62 ¥11.8
    • 10+

      ¥9.018 ¥10.02
    • 30+

      ¥8.019 ¥8.91
    • 100+

      ¥6.561 ¥7.29
    • 500+

      ¥6.102 ¥6.78
    • 1000+

      ¥5.895 ¥6.55
  • 有货
  • ISL9V3040D3ST-F085C 和 ISL9V3040S3ST-F085C 提供卓越的 SCIS 能力,采用节省空间的 D-Pak (TO-252)、以及行业标准 D-Pak (TO-263) 塑料封装。此器件适用于汽车点火电路,尤其适合用作线圈驱动器。内部二极管提供了电压箝位,而无需外部组件。EcoSPARK 器件可针对具体的箝位电压进行定制。有关更多信息,请联系最近的安森美半导体销售办公室。之前开发类型为 49362。
    数据手册
    • 1+

      ¥12.73
    • 10+

      ¥10.83
    • 30+

      ¥9.64
    • 100+

      ¥8.43
    • 500+

      ¥7.88
    • 800+

      ¥7.64
  • 有货
  • 特性:N沟道,针对FOMoss进行优化。 极低导通电阻,可在175℃工作温度下使用。 无铅镀铅,符合RoHS标准。 按照JEDC11标准进行认证,适用于目标应用。 非常适合高频开关和同步整流
    数据手册
    • 1+

      ¥13.64
    • 10+

      ¥11.81
    • 50+

      ¥9.56
    • 100+

      ¥7.961 ¥8.38
    • 500+

      ¥7.4575 ¥7.85
    • 1000+

      ¥7.239 ¥7.62
  • 有货
  • 放大倍数300-400 100MA电流
    数据手册
    • 100+

      ¥0.0465
    • 1000+

      ¥0.0368
    • 3000+

      ¥0.0289
    • 9000+

      ¥0.0257
    • 51000+

      ¥0.0229
    • 99000+

      ¥0.0213
  • 有货
  • 特性:与S8050互补。 集电极电流:IC = 0.5A
    数据手册
    • 50+

      ¥0.04712 ¥0.0496
    • 500+

      ¥0.03648 ¥0.0384
    • 3000+

      ¥0.02926 ¥0.0308
    • 6000+

      ¥0.025745 ¥0.0271
    • 24000+

      ¥0.02261 ¥0.0238
    • 51000+

      ¥0.020995 ¥0.0221
  • 有货
  • 特性:与S9015互补。 出色的hFE线性度。 表面贴装器件
    数据手册
    • 100+

      ¥0.04845 ¥0.051
    • 1000+

      ¥0.03876 ¥0.0408
    • 3000+

      ¥0.03135 ¥0.033
    • 9000+

      ¥0.02812 ¥0.0296
    • 51000+

      ¥0.02527 ¥0.0266
    • 99000+

      ¥0.02375 ¥0.025
  • 有货
  • 特性:PNP高压
    • 50+

      ¥0.0502
    • 500+

      ¥0.0389
    • 3000+

      ¥0.0326
    • 6000+

      ¥0.0288
    • 24000+

      ¥0.0255
    • 51000+

      ¥0.0237
  • 有货
  • 放大倍数200-300 500MA电流
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0575
    • 500+

      ¥0.0451
    • 3000+

      ¥0.0373
    • 6000+

      ¥0.0332
    • 24000+

      ¥0.0296
    • 51000+

      ¥0.0277
  • 有货
    • 50+

      ¥0.0581
    • 500+

      ¥0.0446
    • 3000+

      ¥0.0371
    • 6000+

      ¥0.0326
    • 24000+

      ¥0.0287
    • 51000+

      ¥0.0265
  • 有货
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