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首页 > 热门关键词 > 晶体管
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采用小型SOT23(TO - 236AB)表面贴装器件(SMD)塑料封装的NPN低VCEsat晶体管。PNP互补型号:PBSS5350T
数据手册
  • 5+

    ¥1.3739
  • 50+

    ¥1.1155
  • 150+

    ¥1.0047
  • 500+

    ¥0.8665
  • 3000+

    ¥0.7857
  • 6000+

    ¥0.7488
  • 有货
  • 特性:VDS = -30V。 ID = -5A。 RDS(on)@VGS = -10V < 60mΩ。 RDS(on)@VGS = -4.5V < 90mΩ。 低栅极电荷和导通电阻。 先进的高单元密度沟槽技术。应用:负载开关。 电池保护应用
    • 5+

      ¥1.382
    • 50+

      ¥1.0947
    • 150+

      ¥0.9716
    • 500+

      ¥0.818
    • 2500+

      ¥0.7496
    • 4000+

      ¥0.7085
  • 有货
  • WSP6956是一款高性能沟槽式双N沟道MOSFET,具有极高的单元密度,能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。
    数据手册
    • 1+

      ¥1.605
    • 10+

      ¥1.455
    • 30+

      ¥1.386
    • 100+

      ¥1.294
    • 500+

      ¥1.23
    • 1000+

      ¥1.2
  • 有货
  • 特性:VDS = 40V。 ID = 8A。 RDS(on)@VGS = 10V < 24mΩ。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 35mΩ。 低栅极电荷和导通电阻。 快速开关速度。应用:功率开关应用。 硬开关和高频电路
    • 5+

      ¥1.673
    • 50+

      ¥1.3252
    • 150+

      ¥1.1762
    • 500+

      ¥0.9902
    • 2500+

      ¥0.9074
    • 4000+

      ¥0.8577
  • 有货
  • 应用:DO-DC 转换器。负载开关。电源管理
    数据手册
    • 5+

      ¥1.76
    • 50+

      ¥1.3793
    • 150+

      ¥1.2162
    • 500+

      ¥1.0126
    • 3000+

      ¥0.8605
    • 6000+

      ¥0.8061
  • 有货
    • 5+

      ¥1.7649
    • 50+

      ¥1.4418
    • 150+

      ¥1.3034
    • 500+

      ¥1.1306
    • 2500+

      ¥0.9555
    • 5000+

      ¥0.9094
  • 有货
  • 特性:VDS = 30V。 ID = 150A。 RDS(ON) = 2.5mΩ(VGS = 10V)。 RDS(ON) = 3.3mΩ(VGS = 4.5V)。应用:负载/电源开关。 接口、逻辑开关
    • 5+

      ¥1.77
    • 50+

      ¥1.53
    • 150+

      ¥1.43
    • 500+

      ¥1.3
    • 2500+

      ¥1.24
    • 5000+

      ¥1.2
  • 有货
  • 特性:N沟道:VDS = 60V,ID = 6.0A,RDS(ON) < 35mΩ(VGS = 10V时)。 P沟道:VDS = -60V,ID = -5A,RDS(ON) < 95mΩ(VGS = -10V时)。 高功率和电流处理能力。 无铅产品。 表面贴装封装
    数据手册
    • 5+

      ¥1.7722
    • 50+

      ¥1.3841
    • 150+

      ¥1.2178
    • 500+

      ¥1.0103
    • 3000+

      ¥0.9179
    • 6000+

      ¥0.8624
  • 有货
  • WSP4984是一款高性能沟槽型N沟道MOSFET,具有极高的单元密度,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷。WSP4984符合RoHS标准和绿色产品要求,100%经过雪崩能量耐量(EAS)测试,且通过了全功能可靠性认证。
    数据手册
    • 1+

      ¥1.8509
    • 10+

      ¥1.4729
    • 30+

      ¥1.3109
    • 100+

      ¥1.1087
    • 500+

      ¥1.0187
    • 1000+

      ¥0.8836
  • 有货
  • 特性:VDS = 30V。ID = 10A。RDS(on)@VGS = 10V < 15mΩ。RDS(on)@VGS = 4.5V < 20mΩ。低栅极电荷和导通电阻。先进的高单元密度沟槽技术。应用:负载开关。电池保护应用
    • 5+

      ¥1.8621
    • 50+

      ¥1.475
    • 150+

      ¥1.3091
    • 500+

      ¥1.1021
    • 2500+

      ¥1.01
    • 4000+

      ¥0.9547
  • 有货
  • 特性:VDS = -30V。 ID = -40A。 RDS(on)@VGS = -10V < 18mΩ。 RDS(on)@VGS = -4.5V < 30mΩ。 低栅极电荷和导通电阻。 快速开关速度。应用:DC-DC转换器。 负载开关
    • 5+

      ¥2.0609
    • 50+

      ¥1.6325
    • 150+

      ¥1.4489
    • 500+

      ¥1.2198
    • 2500+

      ¥1.1178
    • 5000+

      ¥1.0566
  • 有货
  • 特性:VDS = 100V。 ID = 4A。 RDS(on)@VGS = 10V < 105mΩ。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 125mΩ。 高功率和电流处理能力。 电压控制小信号开关。应用:电池保护。 负载开关
    • 5+

      ¥2.1094
    • 50+

      ¥1.6709
    • 150+

      ¥1.483
    • 500+

      ¥1.2485
    • 2500+

      ¥1.1441
    • 5000+

      ¥1.0814
  • 有货
  • WSD30L90DN56 是一款高性能沟槽 P 沟道 MOSFET,具有极高的单元密度,能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。WSD30L90DN56 符合 RoHS 标准和绿色产品要求,通过全功能可靠性认证,100% 保证符合 EAS 标准。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.19
    • 10+

      ¥1.94
    • 30+

      ¥1.83
    • 100+

      ¥1.7
    • 500+

      ¥1.56
    • 1000+

      ¥1.53
  • 有货
  • 特性:VDS = -20V。 ID = -16A。 RDS(on)@VGS = -4.5V < 13mΩ。 RDS(on)@VGS = -2.5V < 16mΩ。 高功率和电流处理能力。 电压控制小信号开关。应用:电池保护。 负载开关
    • 5+

      ¥2.2863
    • 50+

      ¥1.8111
    • 150+

      ¥1.6074
    • 500+

      ¥1.3532
    • 2500+

      ¥1.2401
    • 5000+

      ¥1.1722
  • 有货
  • 场效应管(MOSFET)
    • 1+

      ¥2.5
    • 10+

      ¥1.95
    • 30+

      ¥1.72
    • 100+

      ¥1.43
    • 500+

      ¥1.3
    • 1000+

      ¥1.22
  • 有货
  • N沟道,100V,17A,105mΩ@10V
    数据手册
    • 5+

      ¥2.5442
    • 50+

      ¥2.0663
    • 150+

      ¥1.8615
    • 500+

      ¥1.4569
    • 2000+

      ¥1.3431
    • 4000+

      ¥1.2748
  • 有货
  • 该双极功率晶体管适用于通用电源和切换输出,或开关稳压器、转换器和功率放大器应用中的驱动器级。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.9
    • 10+

      ¥2.31
    • 30+

      ¥2.07
    • 100+

      ¥1.75
    • 500+

      ¥1.51
    • 1000+

      ¥1.42
  • 有货
  • 先进的沟槽MOS技术。低栅极电荷。低RDS(ON)。100%保证EAS。有绿色环保产品可供选择
    数据手册
    • 1+

      ¥2.94
    • 10+

      ¥2.34
    • 30+

      ¥2.08
    • 100+

      ¥1.76
    • 500+

      ¥1.4
    • 1000+

      ¥1.31
  • 有货
  • WSD40L60DN56是高性能沟槽P沟道MOSFET,具有极高的单元密度,能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。WSD40L60DN56符合RoHS标准和绿色产品要求,经过全面功能可靠性认证,100%保证符合EAS标准。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.01
    • 10+

      ¥2.5
    • 30+

      ¥2
    • 100+

      ¥1.5
  • 有货
    • 1+

      ¥3.63
    • 10+

      ¥2.95
    • 50+

      ¥2.6
    • 100+

      ¥2.26
    • 500+

      ¥2.06
    • 1000+

      ¥1.96
  • 有货
    • 1+

      ¥3.63
    • 10+

      ¥2.87
    • 30+

      ¥2.55
    • 100+

      ¥2.15
    • 500+

      ¥1.97
    • 1000+

      ¥1.86
  • 有货
  • PNP 中功率晶体管系列,采用表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.77
    • 10+

      ¥3.04
    • 30+

      ¥2.67
    • 100+

      ¥2.31
    • 500+

      ¥2.09
    • 1000+

      ¥1.98
  • 有货
  • 安森美半导体的新型场截止第 2 代 IGBT 系列采用新型场截止 IGBT 技术,为太阳能逆变器、UPS、焊接机、电信、ESS 和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥19.85
    • 10+

      ¥16.82
    • 30+

      ¥15.02
    • 90+

      ¥13.2
    • 450+

      ¥12.36
    • 900+

      ¥11.98
  • 有货
    • 50+

      ¥0.0399
    • 500+

      ¥0.0343
    • 3000+

      ¥0.0312
    • 6000+

      ¥0.0293
    • 24000+

      ¥0.0277
    • 51000+

      ¥0.0268
  • 有货
  • 放大倍数200-300 500MA电流
    数据手册
    • 50+

      ¥0.04392 ¥0.0549
    • 500+

      ¥0.03528 ¥0.0441
    • 3000+

      ¥0.02984 ¥0.0373
    • 6000+

      ¥0.02696 ¥0.0337
    • 24000+

      ¥0.02448 ¥0.0306
    • 51000+

      ¥0.02312 ¥0.0289
  • 有货
  • 耐压:25V 电流:500mA
    • 5+

      ¥0.0453
    • 50+

      ¥0.0361
    • 150+

      ¥0.031
    • 500+

      ¥0.0279
    • 3000+

      ¥0.0243
    • 6000+

      ¥0.0229
  • 有货
  • 这款NPN型三极管具有0.1A的电流和30V的电压处理能力。其放大倍数介于200至450之间,支持最高100MHz的工作频率。适用于精密信号放大和高效能电路设计,确保在各种应用场景中提供稳定的性能表现。
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0538
    • 500+

      ¥0.0436
    • 3000+

      ¥0.0342
    • 6000+

      ¥0.0308
    • 24000+

      ¥0.0278
    • 51000+

      ¥0.0262
  • 有货
  • 特性:高集电极电流。 与SS8050互补
    • 50+

      ¥0.057095 ¥0.0601
    • 500+

      ¥0.04465 ¥0.047
    • 3000+

      ¥0.03743 ¥0.0394
    • 6000+

      ¥0.03325 ¥0.035
    • 24000+

      ¥0.02964 ¥0.0312
    • 51000+

      ¥0.02774 ¥0.0292
  • 有货
  • 该 PNP 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。
    • 10+

      ¥0.0585
    • 100+

      ¥0.0486
    • 300+

      ¥0.0432
    • 3000+

      ¥0.0399
    • 6000+

      ¥0.037
    • 9000+

      ¥0.0355
  • 有货
  • 特性:与MMBT3906互补
    • 50+

      ¥0.0632 ¥0.079
    • 500+

      ¥0.05024 ¥0.0628
    • 3000+

      ¥0.04304 ¥0.0538
    • 6000+

      ¥0.03872 ¥0.0484
    • 24000+

      ¥0.03496 ¥0.0437
    • 51000+

      ¥0.03288 ¥0.0411
  • 有货
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