晶体管_厂家_价格_品牌_库存

型号：SI2309 编号：C431496

封装：SOT-23-3L

品牌：BORN(伯恩半导体)

先进的沟槽工艺技术，高密度单元设计，实现超低导通电阻，采用SOT-23-3L表面贴装封装。

数据手册

10+
￥0.4405
100+
￥0.3613
300+
￥0.3217
3000+
￥0.2139
6000+
￥0.1901
9000+
￥0.1782

有货

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型号：FDN304P(UMW) 编号：C347509

封装：SOT-23

品牌：UMW(友台半导体)

特性：该P沟道1.8V指定MOSFET采用先进的低压PowerTrench工艺。 VDS(V) = 20V。 ID =-2.4A。 RDS(ON)< 52mΩ (VGS = 4.5V)。 RDS(ON)< 70mΩ (VGS = 2.5V)。 RDS(ON)< 100mΩ (VGS =-1.8V)。应用：电池保护。负载开关

数据手册

20+
￥0.2436
200+
￥0.1853
600+
￥0.1529
3000+
￥0.127
9000+
￥0.1101
21000+
￥0.101

有货

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型号：DMG1012T-7 编号：C20512

封装：SOT-523

品牌：DIODES(美台)

N沟道,20V,0.63A,0.4Ω@4.5V

数据手册

20+
￥0.2461
200+
￥0.193
600+
￥0.1635
3000+
￥0.1458
9000+
￥0.1305
21000+
￥0.1222

有货

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型号：IRLML6401 编号：C5190144

封装：SOT-23

品牌：Hottech(合科泰)

特性：VDS = -30V，RDS(ON) ≤ 52mΩ @ VGS = -10V，ID = -4A。低导通电阻。适用于PWM和负载开关应用。表面贴装器件

数据手册

10+
￥0.249375 ￥0.2625
100+
￥0.20102 ￥0.2116
300+
￥0.17689 ￥0.1862
3000+
￥0.152665 ￥0.1607
6000+
￥0.138225 ￥0.1455
9000+
￥0.131005 ￥0.1379

有货

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型号：BLM3400S3 编号：C5310944

封装：SOT-23

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：VDS = 30V，ID = 5.8A。 RDS(ON) < 59mΩ @ VGS = 2.5V。 RDS(ON) < 45mΩ @ VGS = 4.5V。 RDS(ON) < 41mΩ @ VGS = 10V。应用：负载/电源开关。接口开关

数据手册

10+
￥0.2847
100+
￥0.2274
300+
￥0.1987
3000+
￥0.1661
6000+
￥0.1489
12000+
￥0.1403

有货

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型号：SI2301ADS 编号：C2841445

封装：SOT-23-3

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

数据手册

10+
￥0.304
100+
￥0.2661
300+
￥0.2471
3000+
￥0.1986
6000+
￥0.1872
9000+
￥0.1815

有货

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型号：FDV303N 编号：C80498

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

N沟道,25V,0.68A,450mΩ@4.5V；FDV301N的大电流版本

数据手册

10+
￥0.3057
100+
￥0.2432
300+
￥0.2119
3000+
￥0.1884
6000+
￥0.1697
9000+
￥0.1603

有货

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型号：CXT5551(RANGE:120-180) 编号：C24259

封装：SOT-89-3L

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：适用于高压应用中的开关和放大。低电流（最大600mA）。高电压（最大180V）

数据手册

10+
￥0.3122
100+
￥0.2546
300+
￥0.2258
1000+
￥0.1922
5000+
￥0.1749
10000+
￥0.1663

有货

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型号：CJ3439KDW 编号：C99824

封装：SOT-363

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

双沟道，N沟道20V,0.75A,380mΩ@4.5V；P沟道：-20V,-0.66A,520mΩ@-4.5V

数据手册

10+
￥0.3155
100+
￥0.2825
300+
￥0.266

有货

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型号：8205A 编号：C5148694

封装：TSSOP-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本款消费级MOSFET采用TSSOP-8封装，集成双N沟道设计，额定电压20V，可承载6A连续电流。专为紧凑型、高能效电源开关及转换应用打造，适用于各类消费电子产品，提供出色的系统性能与稳定性表现。

数据手册

10+
￥0.32355 ￥0.3595
100+
￥0.27108 ￥0.3012
300+
￥0.2448 ￥0.272
1000+
￥0.22509 ￥0.2501
5000+
￥0.1611 ￥0.179
10000+
￥0.15318 ￥0.1702

有货

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型号：NCE2309 编号：C502865

封装：SOT-23

品牌：NCE(无锡新洁能)

使用先进的沟槽技术和设计，提供低栅极电荷和出色的导通电阻。该器件非常适合用作负载开关或用于PWM应用。

数据手册

10+
￥0.3323
100+
￥0.2569
300+
￥0.2192
3000+
￥0.191
6000+
￥0.1684
9000+
￥0.157

有货

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型号：NDS351AN 编号：C19829405

封装：SOT-23

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：VDS = 30V, ID = 3A。 RDS(ON) < 85mΩ @ VGS = 10V。 RDS(ON) < 100mΩ @ VGS = 4.5V。应用：负载开关。 PWM应用

10+
￥0.3359
100+
￥0.2639
300+
￥0.2279
3000+
￥0.2009
6000+
￥0.1793
9000+
￥0.1685

有货

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型号：NCE0102 编号：C161843

封装：SOT-23

品牌：NCE(无锡新洁能)

N沟道 100V 2A，210毫欧，，比BSS123电流大。

数据手册

10+
￥0.345
100+
￥0.2667
300+
￥0.2276
3000+
￥0.1983
6000+
￥0.1748
9000+
￥0.163

有货

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型号：NX3008NBK,215 编号：C179399

封装：SOT-23

品牌：Nexperia(安世)

N 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽 MOSFET 技术，采用小型 SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

数据手册

10+
￥0.3494
100+
￥0.2774
300+
￥0.2414
3000+
￥0.2144
6000+
￥0.1928
9000+
￥0.182

有货

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型号：FS8205A 编号：C908265

封装：SOT-23-6L

品牌：FUXINSEMI(富芯森美)

特性：先进的沟槽工艺技术。高密度单元设计，实现超低导通电阻。应用：电池保护。开关应用

数据手册

10+
￥0.39141 ￥0.4349
100+
￥0.31797 ￥0.3533
300+
￥0.28125 ￥0.3125
3000+
￥0.21573 ￥0.2397
6000+
￥0.19368 ￥0.2152
9000+
￥0.1827 ￥0.203

有货

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型号：BCP53-16 编号：C148109

封装：SOT-223

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：适用于音频驱动和输出级。高集电极电流。低集电极-发射极饱和电压。互补类型：BCP54...BCP56（NPN）

数据手册

10+
￥0.4064
100+
￥0.3283
300+
￥0.2892
2500+
￥0.2534
5000+
￥0.23
10000+
￥0.2182

有货

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型号：DMG2305UX-7 编号：C150470

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

P沟道,-20V,-4.2A,52mΩ@-4.5V

数据手册

10+
￥0.4148
100+
￥0.3363
300+
￥0.297
3000+
￥0.2415
6000+
￥0.2179
9000+
￥0.2062

有货

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型号：NX7002AKVL 编号：C551606

封装：SOT-23

品牌：Nexperia(安世)

N沟道增强型场效应晶体管（FET），采用沟槽MOSFET技术，采用小型SOT23（TO-236AB）表面贴装器件（SMD）塑料封装。

数据手册

10+
￥0.4382
100+
￥0.3474
300+
￥0.302
1000+
￥0.259863 ￥0.2679
5000+
￥0.233479 ￥0.2407
10000+
￥0.220287 ￥0.2271

有货

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型号：SI2304DDS-T1-GE3 编号：C56372

封装：SOT-23

品牌：VISHAY(威世)

N沟道,30V,3.6A,60mΩ@10V

数据手册

5+
￥0.5084
50+
￥0.409
150+
￥0.3593
500+
￥0.31556 ￥0.322
3000+
￥0.25676 ￥0.262
6000+
￥0.242158 ￥0.2471

有货

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型号：APM2305AC 编号：C2959856

封装：SOT-23

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：先进的沟槽技术。出色的导通电阻和低栅极电荷。无铅产品。应用：负载/电源开关。接口

数据手册

5+
￥0.5203
50+
￥0.4147
150+
￥0.3619
500+
￥0.3223
3000+
￥0.2622
6000+
￥0.2464

有货

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型号：AO4468 编号：C5183837

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

广泛应用于电源转换、负载开关控制及电池管理系统，实现卓越的功率密度与效率表现。

数据手册

5+
￥0.53001 ￥0.5889
50+
￥0.41337 ￥0.4593
150+
￥0.35505 ￥0.3945
500+
￥0.31131 ￥0.3459
3000+
￥0.2628 ￥0.292
6000+
￥0.24525 ￥0.2725

有货

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型号：1N60G 编号：C347324

封装：SOT-223

品牌：UMW(友台半导体)

G表示SOT-223封装

数据手册

5+
￥0.5471
50+
￥0.4212
150+
￥0.3582
500+
￥0.3109
2500+
￥0.2643
5000+
￥0.2454

有货

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型号：IRLML2402TRPBF 编号：C2588

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,20V,1.2A,250mΩ@4.5V

数据手册

5+
￥0.555
50+
￥0.4431
150+
￥0.3872
500+
￥0.338394 ￥0.3453
3000+
￥0.305466 ￥0.3117
6000+
￥0.289002 ￥0.2949

有货

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型号：1N65G 编号：C404319

封装：SOT-223

品牌：UMW(友台半导体)

特性：VDS(V) = 650 V。 ID = 1 A。 RDS(ON) = 8.5 Ω

数据手册

5+
￥0.5559
50+
￥0.4374
150+
￥0.3781
500+
￥0.3336
2500+
￥0.2678
5000+
￥0.25

有货

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型号：FDN5618P 编号：C3021110

封装：SOT-23

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

数据手册

5+
￥0.57
50+
￥0.4486
150+
￥0.3878
500+
￥0.3423
3000+
￥0.2966
6000+
￥0.2784

有货

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型号：PBSS5330X,115 编号：C282551

封装：SOT-89

品牌：Nexperia(安世)

PNP低饱和电压（VCEsat）晶体管，采用SOT89塑料封装。

数据手册

5+
￥0.6353
50+
￥0.5653
150+
￥0.5303
1000+
￥0.48888 ￥0.504
2000+
￥0.46851 ￥0.483
5000+
￥0.458325 ￥0.4725

有货

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型号：AO3415A 编号：C133233

封装：SOT-23

品牌：AOS

使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至1.0V的栅极电压下工作。该器件适用于负载开关应用。

数据手册

5+
￥0.6483
50+
￥0.5228
150+
￥0.46
500+
￥0.4129
3000+
￥0.3381
6000+
￥0.3192

有货

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型号：BSS306NH6327 编号：C72769

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道增强模式。逻辑电平(额定4.5V)。雪崩额定。根据AEC Q101标准认证。100%无铅;符合RoHS标准。根据IEC61249 2 21标准无卤

数据手册

5+
￥0.6795
50+
￥0.5444
150+
￥0.4769
500+
￥0.364136 ￥0.3958
3000+
￥0.326876 ￥0.3553
6000+
￥0.3082 ￥0.335

有货

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型号：BSS308PEH6327 编号：C2939946

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：P沟道增强模式。逻辑电平（额定4.5V）。 ESD保护。根据AEC Q101标准认证。 100%无铅；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

数据手册

5+
￥0.6861
50+
￥0.5436
150+
￥0.4723
500+
￥0.4189
3000+
￥0.3331
6000+
￥0.3118

有货

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型号：AO4606 编号：C2944311

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

使用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻、低栅极电荷，并且可以在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。

数据手册

5+
￥0.6952
50+
￥0.5459
150+
￥0.4713
500+
￥0.4153
3000+
￥0.3424
6000+
￥0.32

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