晶体管_厂家_价格_品牌_库存

型号：AO4805 编号：C5183840

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

适合电池管理系统、AC/DC转换及各类消费电子产品。集成双极性通道，提供优越的开关特性和低导通电阻，确保在正负电压下稳定工作，提升系统效能与节能表现。

数据手册

5+
￥1.01042 ￥1.0636
50+
￥0.8056 ￥0.848
150+
￥0.71782 ￥0.7556
500+
￥0.545395 ￥0.5741
3000+
￥0.49666 ￥0.5228
6000+
￥0.4674 ￥0.492

有货

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型号：NTZD3154NT1G 编号：C145189

封装：SOT-563

品牌：onsemi(安森美)

这是一个 20 V N 沟道功率 MOSFET。

数据手册

10+
￥0.3206
100+
￥0.2556
300+
￥0.2231
1000+
￥0.1987
4000+
￥0.1792
8000+
￥0.1694

有货

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型号：SI2328A 编号：C2681219

封装：SOT-23

品牌：UMW(友台半导体)

数据手册

10+
￥0.34
100+
￥0.2635
300+
￥0.2253
3000+
￥0.1847
6000+
￥0.1618
9000+
￥0.1503

有货

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型号：FDN340P 编号：C2890122

封装：SOT-23

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

数据手册

10+
￥0.3762
100+
￥0.2983
300+
￥0.2593
3000+
￥0.2169
6000+
￥0.1935
9000+
￥0.1818

有货

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型号：SSM3J328R,LF 编号：C396016

封装：SOT-23F

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：1.5V驱动低导通电阻：RDS(ON) = 88.4mΩ 最大 (VGS =-1.5V)。 RDS(ON) = 56.0mΩ 最大 (VGS =-1.8V)。 RDS(ON) = 39.7mΩ 最大 (VGS =-2.5V)。 RDS(ON) = 29.0mΩ 最大 (VGS =-4.5V)。应用：电源管理开关应用

数据手册

10+
￥0.3801
100+
￥0.2985
300+
￥0.2578
3000+
￥0.2188
6000+
￥0.1943
9000+
￥0.182

有货

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型号：BC807DS,115 编号：C191355

封装：SC-74-6

品牌：Nexperia(安世)

采用SOT457（SC - 74）塑料封装的PNP/PNP通用双晶体管。NPN/NPN互补型：BC817DS；NPN/PNP互补型：BC817DPN。

数据手册

10+
￥0.3886
100+
￥0.3029
300+
￥0.26
3000+
￥0.2279
6000+
￥0.2022
9000+
￥0.1893

有货

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型号：NCE3401AY 编号：C169815

封装：SOT-23

品牌：NCE(无锡新洁能)

NCE3401AY采用先进的沟槽技术，可实现出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并且能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。

数据手册

5+
￥0.4021
50+
￥0.3109
150+
￥0.2653
500+
￥0.2311
3000+
￥0.2037
6000+
￥0.19

有货

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型号：PJM10H01PSA 编号：C2838029

封装：SOT-23

品牌：PJSEMI(平晶微)

特性：SOT-23。快速开关。低栅极电荷和RDS(on)。 VDS = -100V，ID = -1A时，RDS(on) < 650mΩ @VGS = -10V。应用：PWM应用。负载开关

数据手册

20+
￥0.4228
200+
￥0.3364
600+
￥0.2932
3000+
￥0.2405
9000+
￥0.2146
21000+
￥0.2016

有货

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型号：DMG2302UK-7 编号：C460977

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

该MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，适用于高效电源管理应用。

数据手册

10+
￥0.428
100+
￥0.3497
300+
￥0.3106
3000+
￥0.2799
6000+
￥0.2565
9000+
￥0.2447

有货

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型号：JSM80N03D 编号：C22447118

封装：TO-252

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

N沟道,30V,100A,2mΩ@10V

5+
￥0.486455 ￥0.5723
50+
￥0.426955 ￥0.5023
150+
￥0.397205 ￥0.4673
500+
￥0.37485 ￥0.441
2500+
￥0.357 ￥0.42
5000+
￥0.348075 ￥0.4095

有货

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型号：BC817-40Q-7-F 编号：C459860

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

这款双极结型晶体管（BJT）旨在满足汽车应用的严格要求。

数据手册

10+
￥0.4884
100+
￥0.4081
300+
￥0.368
3000+
￥0.3376
6000+
￥0.3135
9000+
￥0.3015

有货

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型号：NX3008PBK,215 编号：C131670

封装：SOT-23

品牌：Nexperia(安世)

P沟道 30V 230mA

数据手册

5+
￥0.5262
50+
￥0.4205
150+
￥0.3676
500+
￥0.3279
3000+
￥0.2962
6000+
￥0.2803

有货

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型号：BSS83PH6327 编号：C2932927

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：P沟道增强模式。雪崩额定。逻辑电平。 dV/dt额定。无铅引脚电镀，符合RoHS标准。根据AEC Q101认证。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

数据手册

5+
￥0.5335
50+
￥0.4271
150+
￥0.3739
500+
￥0.334
3000+
￥0.3021
6000+
￥0.2861

有货

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型号：IRLML0100TRPBF 编号：C5122026

封装：SOT-23

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：VDS = 100V, ID = 3.5A。 RDS(ON) < 130mΩ @ VGS = 10V (96mΩ Typ)。 RDS(ON) < 180mΩ @ VGS = 4.5V (140mΩ Typ)。应用：负载/电源开关。接口开关

数据手册

5+
￥0.6236
50+
￥0.4916
150+
￥0.4256
500+
￥0.3761
3000+
￥0.3245
6000+
￥0.3047

有货

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型号：2N60G 编号：C2889158

封装：SOT-223

品牌：UMW(友台半导体)

特性：VDS(V)=600V。 ID = 2A。 RDS(ON)=4.5Ω

数据手册

5+
￥0.6492
50+
￥0.5052
150+
￥0.4332
500+
￥0.3792
2500+
￥0.3042
5000+
￥0.2825

有货

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型号：HD304N140S 编号：C50327548

封装：PDFN-8L(3x3)

品牌：R+O(宏嘉诚)

特性：VDS = 40V。 ID = 25A。 RDS(on)@VGS = 10V < 14mΩ。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 20mΩ。沟槽功率低压MOSFET技术。电压控制小信号开关。应用：DC-DC转换器。负载开关

5+
￥0.6606
50+
￥0.5262
150+
￥0.459
500+
￥0.4086
2500+
￥0.3682
5000+
￥0.3481

有货

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型号：FMMT624TA 编号：C47297

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 125V。 IC = 1A 高连续集电极电流。 ICM = 3A 峰值脉冲电流。 RCE(sat) = 160mΩ 低等效导通电阻。 625mW 功率耗散。 hFE 指定至 3A，高电流增益保持。应用：DC-DC / DC-AC 模块。稳压器

数据手册

5+
￥0.747
50+
￥0.6622
150+
￥0.6259
500+
￥0.5806
3000+
￥0.5002
6000+
￥0.488

有货

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型号：BSN20BKR 编号：C118033

封装：SOT-23

品牌：Nexperia(安世)

N沟道,60V,0.265A,2.8Ω@10V

数据手册

5+
￥0.7651
50+
￥0.6229
150+
￥0.5517
500+
￥0.4984
3000+
￥0.4555
6000+
￥0.4342

有货

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型号：AON7544 编号：C315567

封装：DFN-8(3x3)

品牌：AOS

N沟道,30V,30A

数据手册

5+
￥0.7906
50+
￥0.6178
150+
￥0.5314
500+
￥0.4666
2500+
￥0.4148
5000+
￥0.3888

有货

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型号：SI4435DDY 编号：C5350822

封装：SOP-8

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

数据手册

5+
￥0.7981
50+
￥0.6942
150+
￥0.6496
500+
￥0.594
3000+
￥0.5693
6000+
￥0.5544

有货

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型号：IRLML6401TRPBF 编号：C3034

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

P沟道,-12V,-4.3A,50mΩ@-4.5V

数据手册

5+
￥0.8168
50+
￥0.6536
150+
￥0.572
500+
￥0.5108
3000+
￥0.4618
6000+
￥0.4373

有货

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型号：NCE3080K 编号：C108901

封装：TO-252-2L

品牌：NCE(无锡新洁能)

N沟道，30V/80A，5.5毫欧。

数据手册

5+
￥0.8253
50+
￥0.6381
150+
￥0.5445
500+
￥0.4743
2500+
￥0.4181
5000+
￥0.39

有货

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型号：PMGD280UN,115 编号：C135817

封装：TSSOP-6(SOT-363)

品牌：Nexperia(安世)

采用TrenchMOS™技术、塑料封装的双N沟道增强型场效应晶体管。

数据手册

5+
￥0.8588
50+
￥0.6743
150+
￥0.5821
500+
￥0.513
3000+
￥0.4576
6000+
￥0.43

有货

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型号：WSP4606 编号：C86361

封装：SOP-8

品牌：WINSOK(微硕)

WSP4606是高性能的沟槽型N沟道和P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSP4606符合RoHS标准和绿色产品要求，100%通过了雪崩能量耐量（EAS）测试，并经过了全面的可靠性验证。

数据手册

5+
￥0.8705
50+
￥0.776
150+
￥0.7354
500+
￥0.6849
3000+
￥0.597
6000+
￥0.5834

有货

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型号：WSP4882 编号：C377862

封装：SOP-8

品牌：WINSOK(微硕)

WSP4882是一款高性能沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSP4882符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试，且通过了全功能可靠性认证。

数据手册

5+
￥0.9353
50+
￥0.7529
150+
￥0.6617
500+
￥0.5933
3000+
￥0.51
6000+
￥0.4826

有货

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型号：AO4443 编号：C2944309

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。

数据手册

5+
￥0.9507
50+
￥0.748
150+
￥0.6611
500+
￥0.5527
3000+
￥0.4787
6000+
￥0.4497

有货

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型号：HD303N080SG 编号：C52766420

封装：PDFN-8(3x3)

品牌：R+O(宏嘉诚)

5+
￥1.0474
50+
￥0.8297
150+
￥0.7364
500+
￥0.62
2500+
￥0.5681
5000+
￥0.537

有货

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型号：HB03N040S 编号：C49423995

封装：TO-252

品牌：R+O(宏嘉诚)

5+
￥1.0802
50+
￥0.8556
150+
￥0.7594
500+
￥0.6393
2500+
￥0.5859
5000+
￥0.5538

有货

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型号：FDN337N 编号：C241805

封装：SOT-23-3

品牌：onsemi(安森美)

SuperSOT-3 N 沟道逻辑电平增强型电场效应晶体管是使用高单元密度的 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此类器件特别适用于笔记本电脑、手机、PCMCIA 卡和其他电池供电电路等低压应用，在此类应用中需要在非常小形的表面贴装封装中实现快速开关和线路内低功率损耗。

数据手册

5+
￥1.1363
50+
￥0.8907
150+
￥0.7854
500+
￥0.6541
3000+
￥0.5956
6000+
￥0.5605

有货

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型号：AO4485 编号：C5183843

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

广泛应用于电池管理系统、电源转换及各类高效能电子设备中，实现卓越的功率控制与能效管理。

数据手册

5+
￥1.31312 ￥1.6414
50+
￥1.05104 ￥1.3138
150+
￥0.93872 ￥1.1734
500+
￥0.79864 ￥0.9983
3000+
￥0.73624 ￥0.9203
6000+
￥0.69872 ￥0.8734

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