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首页 > 热门关键词 > 晶体管
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1个N沟道 耐压:60V 电流:340mA
型号：2N7002 编号：C389059
封装：SOT-23
品牌：YANGJIE(扬杰)
沟槽功率中压MOSFET技术。电压控制小信号开关。低输入电容。快速开关速度。低输入/输出泄漏
数据手册

  • 50+

    ￥0.1208

  • 500+

    ￥0.097

  • 3000+

    ￥0.0838

  • 6000+

    ￥0.0759

  • 24000+

    ￥0.069

  • 51000+

    ￥0.0654
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:100mA 电压:45V
    型号：BC847BS 编号：C5380687
    封装：SOT-363
    品牌：FUXINSEMI(富芯森美)
    特性：环氧树脂符合UL-94 V-0阻燃等级。 表面贴装封装，非常适合自动插入
    数据手册

    • 10+

      ￥0.12832 ￥0.1604

    • 100+

      ￥0.09808 ￥0.1226

    • 300+

      ￥0.08128 ￥0.1016

    • 3000+

      ￥0.0768 ￥0.096

    • 6000+

      ￥0.068 ￥0.085

    • 9000+

      ￥0.06328 ￥0.0791
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:500mA 电压:60V
    型号：MMBTA05 编号：C5189105
    封装：SOT-23
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款NPN型三极管具有0.5A的电流和60V的电压处理能力，放大倍数介于100至400之间，适用于高速操作，频率可达100MHz。它为电子设备提供了可靠的性能，适合多种应用需求，确保电路的稳定性和高效性。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.150604 ￥0.1637

    • 200+

      ￥0.12374 ￥0.1345

    • 600+

      ￥0.108836 ￥0.1183

    • 3000+

      ￥0.09108 ￥0.099

    • 9000+

      ￥0.083352 ￥0.0906

    • 21000+

      ￥0.07912 ￥0.086
  • 有货
    • 立即购买
    NPN+NPN 电流:0.2A 电压:40V
    型号：MMDT3904 编号：C5204740
    封装：SOT-363
    品牌：TWGMC(迪嘉)
    晶体管类型：2个NPN 集射极击穿电压(Vceo)：40V 集电极电流(Ic)：200mA 功率(Pd)：200mW 双NPN,40V,0.2A
    数据手册

    • 20+

      ￥0.15471 ￥0.1719

    • 200+

      ￥0.12312 ￥0.1368

    • 600+

      ￥0.10557 ￥0.1173

    • 3000+

      ￥0.08856 ￥0.0984

    • 9000+

      ￥0.07947 ￥0.0883

    • 21000+

      ￥0.07452 ￥0.0828
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:100mA 电压:45V
    型号：BC847BLT1G 编号：C94393
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1607

    • 200+

      ￥0.1238

    • 600+

      ￥0.1034

    • 3000+

      ￥0.0901

    • 9000+

      ￥0.0795

    • 21000+

      ￥0.0737
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:100mA 电压:45V
    型号：BC847A,215 编号：C131674
    封装：SOT-23
    品牌：Nexperia(安世)
    NPN通用晶体管，采用小型SOT23 (TO-236AB)表面贴装器件(SMD)塑料封装。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.165

    • 200+

      ￥0.1309

    • 600+

      ￥0.1119

    • 3000+

      ￥0.1005

    • 9000+

      ￥0.0907

    • 21000+

      ￥0.0854
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道增强型MOSFET 1个N沟道 耐压:30V 电流:5.7A
    型号：AO3400 编号：C6562205
    封装：SOT-23
    品牌：YONGYUTAI(永裕泰)
    特性：静电敏感设备。 RDS(ON) < 26.5mΩ @ VGS = 10V。 RDS(ON) < 32mΩ @ VGS = 4.5V。 RDS(ON) < 48mΩ @ VGS = 2.5V

    • 20+

      ￥0.1691

    • 200+

      ￥0.134

    • 600+

      ￥0.1145

    • 3000+

      ￥0.0986

    • 9000+

      ￥0.0884

    • 21000+

      ￥0.083
  • 有货
    • 立即购买
    H档 NPN 电流:500mA 电压:25V
    型号：S9013(RANGE:144-202) 编号：C16066
    封装：TO-92
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：与S9012互补。 出色的hFE线性度
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1731

    • 200+

      ￥0.1359

    • 1000+

      ￥0.1119

    • 2000+

      ￥0.0995

    • 10000+

      ￥0.0888

    • 20000+

      ￥0.083
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V 电流:115mA
    型号：2N7002T 编号：C40106
    封装：SOT-523
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    N沟道,60V,0.115A,7Ω@5V
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1779

    • 200+

      ￥0.1423

    • 600+

      ￥0.1225

    • 3000+

      ￥0.0974

    • 9000+

      ￥0.0871

    • 21000+

      ￥0.0815
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:600mA 电压:40V
    型号：PMBT4401,215 编号：C81180
    封装：SOT-23
    品牌：Nexperia(安世)
    采用小型SOT23表面贴装器件（SMD）塑料封装的NPN开关晶体管。PNP互补型号：PMBT4403。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1782

    • 200+

      ￥0.1418

    • 600+

      ￥0.1216

    • 3000+

      ￥0.106

    • 9000+

      ￥0.0955

    • 21000+

      ￥0.0898
  • 有货
    • 立即购买
    HL3139KT
    型号：HL3139KT 编号：C52204689
    封装：SOT-523
    品牌：R+O(宏嘉诚)

    • 20+

      ￥0.1893

    • 200+

      ￥0.1485

    • 600+

      ￥0.1258

    • 3000+

      ￥0.1122

    • 9000+

      ￥0.1004
  • 有货
    • 立即购买
    耐压:30V 电流:5.8A
    型号：AO3400A 编号：C5296724
    封装：SOT-23-3L
    品牌：JSMSEMI(杰盛微)
    便携式设备，使用高电池密度，先进的沟槽技术，适合于低压应用以及低在线功率损耗
    数据手册

    • 20+

      ￥0.19608 ￥0.2451

    • 200+

      ￥0.15504 ￥0.1938

    • 600+

      ￥0.13224 ￥0.1653

    • 3000+

      ￥0.1072 ￥0.134

    • 9000+

      ￥0.09536 ￥0.1192

    • 21000+

      ￥0.08896 ￥0.1112
  • 有货
    • 立即购买
    耐压:40V 电流:5A
    型号：AP40P05 编号：C2886385
    封装：SOT-23
    品牌：ALLPOWER(铨力)
    特性：40V，5A。 RDS(ON) < 85mΩ @VGS = -10V，TYP: 65mΩ。 RDS(ON) < 120mΩ @VGS = -4.5V，TYP: 90mΩ。 先进的沟槽技术。 获得无铅产品认证。应用：接口开关。 负载开关
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1962

    • 200+

      ￥0.1703

    • 600+

      ￥0.1559

    • 3000+

      ￥0.1239

    • 9000+

      ￥0.1164

    • 21000+

      ￥0.1124
  • 有货
    • 立即购买
    5.8A30V MOS管
    型号：A09T 编号：C20607740
    封装：SOT-23
    品牌：OSEN(欧芯)

    • 20+

      ￥0.1987

    • 200+

      ￥0.1593

    • 600+

      ￥0.1374

    • 3000+

      ￥0.1243

    • 9000+

      ￥0.1129

    • 21000+

      ￥0.1068
  • 有货
    • 立即购买
    耐压:30V 电流:3.16A
    型号：SI2306 编号：C181089
    封装：SOT-23
    品牌：Hottech(合科泰)
    特性：较低的导通电阻。可靠且耐用
    数据手册

    • 20+

      ￥0.20235 ￥0.213

    • 200+

      ￥0.159695 ￥0.1681

    • 600+

      ￥0.13604 ￥0.1432

    • 3000+

      ￥0.11419 ￥0.1202

    • 9000+

      ￥0.10184 ￥0.1072

    • 21000+

      ￥0.09519 ￥0.1002
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:20V 电流:100mA
    型号：RUM001L02T2CL 编号：C253528
    封装：SOT-723
    品牌：ROHM(罗姆)
    特性：低电压驱动（1.2V），适用于便携式设备。 驱动电路简单。 内置G-S保护二极管。应用：开关
    数据手册

    • 20+

      ￥0.206

    • 200+

      ￥0.1583

    • 600+

      ￥0.1318

    • 2000+

      ￥0.1159

    • 8000+

      ￥0.1021

    • 16000+

      ￥0.0946
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V 电流:210mA
    型号：2N7002-7-F 编号：C85049
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    该MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2179

    • 200+

      ￥0.1775

    • 600+

      ￥0.155

    • 3000+

      ￥0.1271

    • 9000+

      ￥0.1154

    • 21000+

      ￥0.1091
  • 有货
    • 立即购买
    PNP 电流:500mA 电压:300V
    型号：MMBTA92LT1G 编号：C82049
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    此高压 PNP 双极晶体管适用于通用放大器应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2187

    • 200+

      ￥0.1699

    • 600+

      ￥0.1427

    • 3000+

      ￥0.1209

    • 9000+

      ￥0.1068

    • 21000+

      ￥0.0992
  • 有货
    • 立即购买
    20V N沟道增强型MOSFET
    型号：8205S 编号：C2762930
    封装：SOT-23-6
    品牌：JSMSEMI(杰盛微)
    适用于电池保护、负载开关等应用，拥有低导通电阻和快速切换特性，为电子设备提供可靠高效的功率管理解决方案。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.22797 ￥0.2682

    • 100+

      ￥0.17952 ￥0.2112

    • 300+

      ￥0.155295 ￥0.1827

    • 3000+

      ￥0.12376 ￥0.1456

    • 6000+

      ￥0.109225 ￥0.1285

    • 9000+

      ￥0.101915 ￥0.1199
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:20V 电流:4A
    型号：KSI2305CDS-T1-GE3 编号：C2891686
    封装：SOT-23
    品牌：KUU
    特性：TrenchFET Power MOSFET。应用：便携式设备负载开关。 DC/DC转换器
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2291

    • 200+

      ￥0.1829

    • 600+

      ￥0.1573

    • 3000+

      ￥0.1275

    • 9000+

      ￥0.1141

    • 21000+

      ￥0.1069
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:100mA 电压:65V
    型号：BC846BLT1G 编号：C82477
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2297

    • 200+

      ￥0.1851

    • 600+

      ￥0.1604

    • 3000+

      ￥0.1299

    • 9000+

      ￥0.117

    • 21000+

      ￥0.11
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:500mA 电压:300V
    型号：MMBTA42LT1G 编号：C94389
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    此高电压 NPN 双极晶体管适用于通用放大器应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2334

    • 200+

      ￥0.1816

    • 600+

      ￥0.1529

    • 3000+

      ￥0.1269

    • 9000+

      ￥0.1119

    • 21000+

      ￥0.1039
  • 有货
    • 立即购买
    2个N沟道 耐压:60V 电流:410mA
    型号：BSS138PS 编号：C5224289
    封装：SOT-363
    品牌：ElecSuper(静芯)
    带ESD防护，2个N沟道，60V，0.3A，1.5Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.2351

    • 50+

      ￥0.1789

    • 150+

      ￥0.1477

    • 500+

      ￥0.129

    • 3000+

      ￥0.1128

    • 6000+

      ￥0.104
  • 有货
    • 立即购买
    2个N沟道 耐压:20V 电流:5A
    型号：S8205A 编号：C181097
    封装：SOT-23-6
    品牌：Hottech(合科泰)
    特性：低导通电阻：VDS = 20V，ID = 5A，RDS(ON) ≤ 25mΩ @VGS = 4.5V。 低栅极电荷。 适用于同步整流应用。 表面贴装器件
    数据手册

    • 1+

      ￥0.24434 ￥0.2572

    • 10+

      ￥0.193515 ￥0.2037

    • 30+

      ￥0.1653 ￥0.174

    • 100+

      ￥0.14839 ￥0.1562

    • 500+

      ￥0.13376 ￥0.1408

    • 1000+

      ￥0.12578 ￥0.1324
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    1个N沟道 耐压:30V 电流:4A
    型号：CJ3402 编号：C59515
    封装：SOT-23
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    N沟道,30V,4A,55mΩ@10V
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    NPN 电流:600mA 电压:40V
    型号：MMBT2222A-7-F 编号：C94515
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    特性：外延平面芯片结构。 低饱和电压：VCE(sat) < 300mV @ 150mA。 互补PNP型。 适用于低功率放大和开关。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，环保器件。 适用于需要特定变更控制的汽车应用，该产品符合AEC-Q101标准，具备PPAP能力，并在通过IATF 16949认证的工厂生产
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    1个N沟道 耐压:100V 电流:0.17A
    型号：BSS123-7-F 编号：C85107
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    这些N沟道增强型场效应晶体管采用专有的高密度先进沟槽技术制造。这些产品旨在最大限度地降低导通电阻，同时提供坚固、可靠且快速的开关性能。这些产品特别适用于低电压、低电流应用，如：小型伺服电机控制、功率MOSFET栅极驱动器、开关应用
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    hfe=120~180 NPN 电流:0.6A 电压:160V
    型号：CXT5551(RANGE:120-180) 编号：C24259
    封装：SOT-89-3L
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：适用于高压应用中的开关和放大。 低电流（最大600mA）。 高电压（最大180V）
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    1个P沟道 耐压:30V 电流:6A
    型号：SSM3J332R,LF 编号：C146367
    封装：SOT-23F
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    特性：1.8V驱动低导通电阻:RDS(ON) = 144mΩ(最大值)(VGS = 1.8V)。 RDS(ON) = 72.0mΩ(最大值)(VGS = 2.5V)。 RDS(ON) = 50.0mΩ(最大值)(VGS = 4.5V)。 RDS(ON) = 42.0mΩ(最大值)(VGS = 10V)。应用：电源管理开关
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    NPN 电流:100mA 电压:65V
    型号：BC846S,115 编号：C133184
    封装：TSSOP-6(SOT-363)
    品牌：Nexperia(安世)
    采用超小型SOT363（SC - 88）塑料六引脚封装的NPN双晶体管。
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