晶体管_厂家_价格_品牌_库存

型号：AON7544 编号：C5261066

封装：DFN3x3-8L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款消费级N沟道MOSFET采用超小型DFN3X3-8L封装，具备强大的100A连续电流处理能力，在30V额定电压下运行。专为高密度、高性能电路设计，广泛应用于电源转换、负载开关控制及电池管理系统，实现卓越的功率密度与效率表现。

数据手册

5+
￥0.8155
50+
￥0.6652
150+
￥0.59
500+
￥0.5336
2500+
￥0.4291
5000+
￥0.4066

有货

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型号：BC807-40W,115 编号：C75563

封装：SOT-323

品牌：Nexperia(安世)

采用超小型SOT323（SC - 70）表面贴装器件（SMD）塑料封装的PNP通用晶体管。

数据手册

5+
￥0.5419
50+
￥0.4364
150+
￥0.3837
500+
￥0.333777 ￥0.3441
3000+
￥0.303125 ￥0.3125
6000+
￥0.287799 ￥0.2967

有货

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型号：IRLML6402TRPBF 编号：C5182043

封装：SOT-23

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：先进的沟槽技术。出色的RDS(ON)和低栅极电荷。无铅产品。应用：负载/电源开关。接口

数据手册

5+
￥0.5433
50+
￥0.422
150+
￥0.3614
500+
￥0.316
3000+
￥0.2554
6000+
￥0.2372

有货

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型号：15N10 编号：C7471106

封装：TO-252

品牌：HL(富海微)

15N10是高性能的沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。15N10符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过了雪崩能量耐量（EAS）测试，并通过了全功能可靠性认证。

5+
￥0.5614
50+
￥0.4422
150+
￥0.3826
500+
￥0.3379
2500+
￥0.2871
5000+
￥0.2692

有货

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型号：NDC7002N(UMW) 编号：C404322

封装：SOT-23-6

品牌：UMW(友台半导体)

这些双N沟道增强型功率场效应晶体管采用专有、高单元密度的DMOS技术生产。这种高密度工艺旨在最大限度地降低导通电阻，提供坚固可靠的性能和快速开关。

数据手册

5+
￥0.6448
50+
￥0.5044
150+
￥0.4342
500+
￥0.3816
3000+
￥0.3195
6000+
￥0.2984

有货

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型号：50N06 编号：C2939003

封装：TO-252

品牌：KUU

50NO6将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。

数据手册

5+
￥0.7047
50+
￥0.5829
150+
￥0.522
500+
￥0.4763
2500+
￥0.3393
5000+
￥0.321

有货

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型号：IRLML0100TRPBF 编号：C53658

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,100V,1.6A,220mΩ@10V

数据手册

5+
￥0.7695
50+
￥0.6257
150+
￥0.5537
500+
￥0.47481 ￥0.4998
3000+
￥0.371355 ￥0.3909
6000+
￥0.350835 ￥0.3693

有货

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型号：AO4805 编号：C5183840

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

适合电池管理系统、AC/DC转换及各类消费电子产品。集成双极性通道，提供优越的开关特性和低导通电阻，确保在正负电压下稳定工作，提升系统效能与节能表现。

数据手册

5+
￥0.91979 ￥0.9682
50+
￥0.73739 ￥0.7762
150+
￥0.646285 ￥0.6803
500+
￥0.50768 ￥0.5344
3000+
￥0.45296 ￥0.4768
6000+
￥0.4256 ￥0.448

有货

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型号：WSP4882 编号：C377862

封装：SOP-8

品牌：WINSOK(微硕)

WSP4882是一款高性能沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSP4882符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试，且通过了全功能可靠性认证。

数据手册

5+
￥0.9239
50+
￥0.7415
150+
￥0.6503
500+
￥0.5819
3000+
￥0.51
6000+
￥0.4826

有货

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型号：AOD403 编号：C5224305

封装：TO-252

品牌：ElecSuper(静芯)

P沟道，-30V，-62A，79W，8mΩ@-10V,-20A，-1.5V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

数据手册

5+
￥0.9572
50+
￥0.8262
150+
￥0.77
500+
￥0.7
2500+
￥0.6688
5000+
￥0.65

有货

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型号：WSP6956 编号：C719108

封装：SOP-8

品牌：WINSOK(微硕)

WSP6956是一款高性能沟槽式双N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。

数据手册

1+
￥1.605
10+
￥1.455
30+
￥1.386
100+
￥1.294
500+
￥1.23
1000+
￥1.2

有货

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型号：IRF9530NPBF 编号：C2574

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

P沟道,-100V,-14A,200mΩ@-10V

数据手册

5+
￥1.7915
50+
￥1.407
150+
￥1.2422
500+
￥0.984675 ￥1.0365
2000+
￥0.89775 ￥0.945
5000+
￥0.8455 ￥0.89

有货

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型号：IRF7341TRPBF 编号：C21791

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,55V,4.9A,50mΩ@10V

数据手册

5+
￥2.1609
50+
￥1.7649
150+
￥1.5952
500+
￥1.07407 ￥1.1306
2500+
￥0.984485 ￥1.0363
4000+
￥0.930715 ￥0.9797

有货

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型号：AONR21357 编号：C431196

封装：DFN-8(3x3)

品牌：AOS

P沟道

数据手册

5+
￥2.2408
50+
￥1.765
150+
￥1.5611
500+
￥1.1914
2500+
￥1.0781
5000+
￥1.0101

有货

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型号：IRLZ44NPBF-HXY 编号：C22367197

封装：TO-220

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

IRLZ44NPBF 是一款高性能N沟道MOSFET，采用经典可靠的TO-220封装，专为高功率应用设计。该器件提供60V的高耐压VDSS，可承载高达60A的连续漏极电流ID，满足大电流环境下的电力传输需求。其独特优势在于业界领先的17mR低导通电阻RD(on)，有效减少能量损耗，提升系统能效，适用于开关电源、电机驱动、电池管理系统等各种大功率、高效率的电子设备中。

1+
￥2.3994 ￥2.58
10+
￥1.9437 ￥2.09
50+
￥1.7019 ￥1.83
100+
￥1.4601 ￥1.57
500+
￥1.3485 ￥1.45
1000+
￥1.2834 ￥1.38

有货

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型号：TPH1R403NL 编号：C19268167

封装：PowerDFN-8(5x6)

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：VDS = 30V。 ID = 150A。 RDS(ON) = 2.5mΩ（VGS = 10V）。 RDS(ON) = 3.3mΩ（VGS = 4.5V）。应用：负载/电源开关。接口、逻辑开关

5+
￥2.46
50+
￥1.88
150+
￥1.64
500+
￥1.33
2500+
￥1.19
5000+
￥1.1

有货

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型号：CRSS042N10N 编号：C410926

封装：TO-263

品牌：CRMICRO(华润微)

N沟道 100V 120A 3.4mΩ@10v

数据手册

1+
￥3.49
10+
￥2.97
30+
￥2.6
100+
￥2.29
500+
￥2
1000+
￥1.94

有货

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型号：AOD66923 编号：C485687

封装：TO-252

品牌：AOS

Trench Power AlphaSGTTM技术。低RDS(ON)。逻辑电平驱动。出色的QG x RDS(ON)乘积（FOM）。尖峰优化工艺。符合RoHS和无卤标准

数据手册

1+
￥3.98
10+
￥3.25
30+
￥2.88
100+
￥2.52
500+
￥2.19
1000+
￥2.08

有货

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型号：IRF840PBF 编号：C537842

封装：TO-220AB

品牌：VISHAY(威世)

第三代功率MOSFET为设计人员提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。TO-220AB封装普遍适用于所有功率耗散水平约为50 W的商业和工业应用。TO-220AB的低热阻和低封装成本使其在整个行业中得到广泛认可。

数据手册

1+
￥4.78
10+
￥3.89
50+
￥3.2
100+
￥2.6496 ￥2.76
500+
￥2.3904 ￥2.49
1000+
￥2.256 ￥2.35

有货

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型号：PMXB65ENEZ 编号：C547275

封装：SOT1215

品牌：Nexperia(安世)

N沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽MOSFET技术，采用无引脚超小DFN1010D-3 (SOT1215) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

数据手册

1+
￥5.16
10+
￥4.23
30+
￥3.77
100+
￥3.2107 ￥3.31
500+
￥2.9488 ￥3.04
1000+
￥2.813 ￥2.9

有货

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型号：WSD90P06DN56 编号：C719104

封装：DFN-8(5x6)

品牌：WINSOK(微硕)

WSD90P06DN56是具有极高单元密度的高性能沟槽P沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSD90P06DN56符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试，具备全面的功能可靠性认证。

数据手册

1+
￥8.58
10+
￥7.24
30+
￥6.51
100+
￥5.69
500+
￥4.56
1000+
￥4.4

有货

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型号：IKW25N120T2 编号：C111026

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：短路耐受时间：10μs。适用于1200V应用的第二代TrenchStop技术，提供非常紧密的参数分布。高耐用性，温度稳定性能。由于VCE(sat)的正温度系数，易于并联。低电磁干扰。低栅极电荷。应用：变频器。不间断电源

数据手册

1+
￥20.39
10+
￥17.68
30+
￥15.01
90+
￥13.39
480+
￥12.64
960+
￥12.3

有货

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型号：MMBT3904T-JSM 编号：C30587305

封装：SOT-523

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

应用于一般切换和放大。

50+
￥0.03438 ￥0.0382
500+
￥0.03357 ￥0.0373
3000+
￥0.03303 ￥0.0367
6000+
￥0.0324 ￥0.036

有货

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型号：S9012 编号：C916364

封装：SOT-23

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

PNP硅外延平面晶体管

数据手册

100+
￥0.04016 ￥0.0502
1000+
￥0.03152 ￥0.0394
3000+
￥0.02424 ￥0.0303
9000+
￥0.02136 ￥0.0267
45000+
￥0.0188 ￥0.0235
90000+
￥0.01744 ￥0.0218

有货

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型号：S9015 编号：C2926163

封装：SOT-23

品牌：FOSAN(富捷/富信)

放大倍数300-400 100MA电流

数据手册

100+
￥0.042
1000+
￥0.0328
3000+
￥0.0259
9000+
￥0.0228
51000+
￥0.0202
99000+
￥0.0188

有货

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型号：MMBT5401 编号：C2891814

封装：SOT-23

品牌：YONGYUTAI(永裕泰)

特性：与MMBT5551互补

数据手册

50+
￥0.0577
500+
￥0.0453
3000+
￥0.0376
6000+
￥0.0335
24000+
￥0.0299
51000+
￥0.028

有货

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型号：2N3906S-RTK/PS 编号：C5300004

封装：SOT-23

品牌：KEC

特性：低漏电流：ICEX = -50nA（最大值），IBL = -50nA（最大值），VCE = -30V，VEB = -3V。出色的直流电流增益线性度。低饱和电压：VCE(sat) = -0.4V（最大值），IC = -50mA，IBL = -5mA。低集电极输出电容：Cob = 4.5pF（最大值），VCB = -5V。与2N3904S互补。后缀U：符合AEC-Q101标准。应用：通用应用。开关应用

数据手册