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适用于高压、中等电流环境下的开关与线性放大应用,是您精密电子设备和电路设计的理想半导体元件。
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  • 特性:高集电极击穿电压:VCBO = 180V,VCEO = 160V。 低泄漏电流:ICBO = 50mA(Max.),VCP = 120V。 低饱和电压:VCE(sat) = 0.2V(Max.),IC = 50mA,IB = 5mA。 低噪声:NF = 8dB (Max.)
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  • 有货
  • N沟道,50V,0.2A,3.5Ω@5V
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  • 有货
  • 特性:高集电极电流。 与S9012互补。 出色的hFE线性度
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  • 1个P沟道 耐压:20V 电流:3A适用于电源开关和信号控制
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  • 3401是高单元密度沟槽型P沟道MOSFET,可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻(RDSON)和效率。3401符合RoHS标准和绿色产品要求,且经过全面功能可靠性认证。
    • 50+

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    • 51000+

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  • 有货
  • 特性:环氧树脂符合UL-94 V-0阻燃等级。 表面贴装封装,非常适合自动插入
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  • RC3134KM3 是 N 沟道增强型 MOSFET 晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,可实现出色的导通电阻 RDS(ON),且栅极电荷较低。
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  • 该 PNP 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。
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    • 6000+

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  • P沟道,-50V,-0.13A,10Ω@-5V
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    • 51000+

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  • 带ESD防护,N沟道,60V,0.3A,1.85Ω@10V;应用领域:开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。
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  • 漏源耐压:30V 漏极电流:5.8A 大体积 N MOS
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  • N沟道,30V,5.8A,21mΩ@10V,5.8A,1.0V@250uA;应用领域:DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
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    • 9000+

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  • 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):3.16A 功率(Pd):750mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):47mΩ@10V,3.5A
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  • 该MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。
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  • 1个N沟道 耐压:30V 电流:5.8A适用于电源开关和信号控制
    • 20+

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    • 30000+

      ¥0.0808 ¥0.101
  • 有货
  • 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):4.1A 功率(Pd):350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):60mΩ@10V,4.1A
    数据手册
    • 10+

      ¥0.1746 ¥0.194
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      ¥0.14319 ¥0.1591
    • 3000+

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    • 6000+

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  • 特性:较低的导通电阻。可靠且耐用
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    • 20+

      ¥0.19969 ¥0.2102
    • 200+

      ¥0.157605 ¥0.1659
    • 600+

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    • 3000+

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      ¥0.10051 ¥0.1058
    • 21000+

      ¥0.093955 ¥0.0989
  • 有货
  • 此高电压 PNP 双极晶体管适用于通用开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2193
    • 200+

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    • 600+

      ¥0.1555
    • 3000+

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    • 9000+

      ¥0.0999
    • 21000+

      ¥0.0935
  • 有货
  • 这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2278
    • 200+

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    • 2000+

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    • 8000+

      ¥0.098
    • 16000+

      ¥0.0898
  • 有货
  • 特性:快速开关。 有环保型产品。 适用于1.5V栅极驱动应用。应用:笔记本负载开关。 网络
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2394
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      ¥0.1866
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      ¥0.1246
    • 9000+

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  • 有货
  • 特性:与MMBTA94互补。 高击穿电压。 低集电极-发射极饱和电压。 表面贴装器件
    数据手册
    • 20+

      ¥0.24225 ¥0.255
    • 200+

      ¥0.19152 ¥0.2016
    • 600+

      ¥0.163305 ¥0.1719
    • 3000+

      ¥0.138795 ¥0.1461
    • 9000+

      ¥0.12407 ¥0.1306
    • 21000+

      ¥0.116185 ¥0.1223
  • 有货
  • NPN 电流:3A 耐压:30V (hFE):400@20mA,2V
    • 10+

      ¥0.25041 ¥0.2946
    • 100+

      ¥0.20145 ¥0.237
    • 300+

      ¥0.17697 ¥0.2082
    • 1000+

      ¥0.15351 ¥0.1806
    • 4000+

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    • 10000+

      ¥0.13141 ¥0.1546
  • 有货
  • P沟道,-30V,-4.2A,42mΩ@-10V,-0.8V@-250uA;应用领域:DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2584
    • 200+

      ¥0.206
    • 600+

      ¥0.1798
    • 3000+

      ¥0.1601
    • 9000+

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    • 21000+

      ¥0.1365
  • 有货
  • 适用于电池保护、负载开关等应用,拥有低导通电阻和快速切换特性,为电子设备提供可靠高效的功率管理解决方案。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.26979 ¥0.3174
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    • 300+

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    • 3000+

      ¥0.146455 ¥0.1723
    • 6000+

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    • 9000+

      ¥0.1207 ¥0.142
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  • 功率 MOSFET 170 mA,100 V,N 沟道 SOT-23
    数据手册
    • 20+

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    • 200+

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  • 有货
  • 这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.306
    • 100+

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    • 300+

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    • 6000+

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    • 9000+

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  • 特性:与D882互补。 低速开关。 表面贴装器件
    数据手册
    • 10+

      ¥0.30951 ¥0.3258
    • 100+

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    • 300+

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  • 特性:高功率和电流处理能力。 获得无铅产品认证。 表面贴装封装。应用:PWM应用。 负载开关
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      ¥0.259
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