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描述
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PNP 500mA 25V
型号：S9012 编号：C2926160
封装：SOT-23
品牌：FOSAN(富捷/富信)
放大倍数200-300 500MA电流
数据手册

  • 50+

    ￥0.0571

  • 500+

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    ￥0.0358

  • 6000+

    ￥0.0316

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    ￥0.028

  • 51000+

    ￥0.0261
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:2.7A
    型号：IRLML0060TRPBF 编号：C67274
    封装：SOT-23
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,60V,2.7A,92mΩ@10V
    数据手册

    • 5+

      ￥0.8507

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      ￥0.6966

    • 150+

      ￥0.6196

    • 500+

      ￥0.550564 ￥0.5618

    • 3000+

      ￥0.404152 ￥0.4124

    • 6000+

      ￥0.381514 ￥0.3893
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:2A 电压:50V
    型号：PBSS4350T,215 编号：C131672
    封装：SOT-23
    品牌：Nexperia(安世)
    采用小型SOT23（TO - 236AB）表面贴装器件（SMD）塑料封装的NPN低VCEsat晶体管。PNP互补型号：PBSS5350T
    数据手册

    • 5+

      ￥0.9793

    • 50+

      ￥0.7916

    • 150+

      ￥0.6977

    • 500+

      ￥0.608481 ￥0.6273

    • 3000+

      ￥0.539611 ￥0.5563

    • 6000+

      ￥0.512257 ￥0.5281
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:360mA
    型号：2N7002P,215 编号：C81488
    封装：SOT-23
    品牌：Nexperia(安世)
    N沟道,60V,0.36A,1.6Ω@10V
    数据手册

    • 5+

      ￥1.4392

    • 50+

      ￥1.1571

    • 150+

      ￥1.0362

    • 500+

      ￥0.858741 ￥0.8853

    • 3000+

      ￥0.77212 ￥0.796

    • 6000+

      ￥0.733029 ￥0.7557
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:30A
    型号：STD20NF06L(UMW) 编号：C668203
    封装：TO-252
    品牌：UMW(友台半导体)
    特性：使用先进的沟槽技术和设计，提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。 VDS(V) = 60V。 ID = 30A (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 25mΩ (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 30mΩ (VGS = 4.5V)。 采用先进的沟槽技术。 具有出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。 是无铅产品
    数据手册

    • 5+

      ￥1.5162

    • 50+

      ￥1.1632

    • 150+

      ￥1.0119

    • 500+

      ￥0.8231

    • 2500+

      ￥0.7005

    • 5000+

      ￥0.65
  • 有货
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    NPN 电流:2A 电压:20V
    型号：BC868,115 编号：C130419
    封装：SOT-89
    品牌：Nexperia(安世)
    NPN 中功率晶体管系列，采用表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.6279

    • 50+

      ￥1.2886

    • 150+

      ￥1.1432

    • 1000+

      ￥0.908987 ￥0.9371

    • 2000+

      ￥0.830611 ￥0.8563

    • 5000+

      ￥0.783566 ￥0.8078
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:100V 电流:90A
    型号：BSC070N10NS3G 编号：C501502
    封装：TDSON-8(5x6)
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：非常低的栅极电荷，适用于高频应用。 针对直流-直流转换进行优化。 N 沟道，正常电平。 出色的栅极电荷×导通电阻（RDS(on)）乘积（FOM）。 极低的导通电阻 RDS(on)。 150℃工作温度。 无铅引脚镀层；符合 RoHS 标准。 根据 JEDEC 针对目标应用进行了认证。 根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品
    数据手册

    • 1+

      ￥4.1

    • 10+

      ￥3.33

    • 30+

      ￥2.94

    • 100+

      ￥2.432 ￥2.56

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      ￥2.2135 ￥2.33

    • 1000+

      ￥2.0995 ￥2.21
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:40V 电流:120A
    型号：WSD40120DN56G 编号：C507088
    封装：DFN5x6-8
    品牌：WINSOK(微硕)
    使用先进的SOCT MOSFET技术，提供低RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。本器件经过专门设计，具有更好的耐用性。
    数据手册

    • 1+

      ￥4.25

    • 10+

      ￥3.8

    • 30+

      ￥3.57

    • 100+

      ￥3.35

    • 500+

      ￥2.72

    • 1000+

      ￥2.65
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:150V 电流:87A
    型号：BSC093N15NS5 编号：C454270
    封装：TDSON-8(5x6)
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：N- 沟道，正常电平。 出色的栅极电荷×导通电阻（RDS(on)）乘积（FOM）。 极低的导通电阻 RDS(on)。 极低的反向恢复电荷（Qrr）。 150℃工作温度。 无铅负载电镀，符合 R_D / R_S 标准。 根据 JEDEC 标准针对目标应用进行了认证。 适用于高频开关和同步整流
    数据手册

    • 1+

      ￥6.96

    • 10+

      ￥6.08

    • 30+

      ￥5.25

    • 100+

      ￥4.62

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      ￥4.37

    • 1000+

      ￥4.24
  • 有货
    • 立即购买
    hFE:200-350 NPN 电流:500mA 电压:25V
    型号：S9013 编号：C916365
    封装：SOT-23
    品牌：JSMSEMI(杰盛微)
    hFE:200-350 适合于低功耗、高增益应用场合，适用于各类精密电子设备及电路设计，是您微型化项目中的理想半导体元件。
    数据手册

    • 100+

      ￥0.04581 ￥0.0509

    • 1000+

      ￥0.03609 ￥0.0401

    • 3000+

      ￥0.02673 ￥0.0297

    • 9000+

      ￥0.02349 ￥0.0261

    • 45000+

      ￥0.02061 ￥0.0229

    • 90000+

      ￥0.01908 ￥0.0212
  • 有货
    • 立即购买
    PNP 电流:0.6A 电压:150V
    型号：MMBT5401 编号：C727130
    封装：SOT-23
    品牌：TWGMC(迪嘉)
    特性：与MMBT5551互补。 适用于中功率放大和开关
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0509

    • 500+

      ￥0.0446

    • 3000+

      ￥0.038

    • 6000+

      ￥0.0359

    • 24000+

      ￥0.0341

    • 51000+

      ￥0.0331
  • 有货
    • 立即购买
    电流:500mA 电压:25V
    型号：S8550 编号：C2926166
    封装：SOT-23
    品牌：FOSAN(富捷/富信)
    放大倍数200-300 500MA电流
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0641

    • 500+

      ￥0.0517

    • 3000+

      ￥0.0416

    • 6000+

      ￥0.0374

    • 24000+

      ￥0.0339

    • 51000+

      ￥0.0319
  • 有货
    • 立即购买
    电流:1500mA 电压:20V
    型号：SS8050 编号：C2926167
    封装：SOT-23
    品牌：FOSAN(富捷/富信)
    放大倍数200-300 1.5A电流
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0648

    • 500+

      ￥0.0507

    • 3000+

      ￥0.0408

    • 6000+

      ￥0.0361

    • 24000+

      ￥0.032

    • 51000+

      ￥0.0299
  • 有货
    • 立即购买
    hfe=120~200 PNP 电流:1.5A 电压:25V
    型号：SS8550 编号：C727138
    封装：SOT-23
    品牌：TWGMC(迪嘉)
    特性：与SS8050互补
    数据手册

    • 50+

      ￥0.06507 ￥0.0723

    • 500+

      ￥0.05202 ￥0.0578

    • 3000+

      ￥0.03969 ￥0.0441

    • 6000+

      ￥0.03537 ￥0.0393

    • 24000+

      ￥0.03159 ￥0.0351

    • 51000+

      ￥0.02952 ￥0.0328
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道增强模式场效应管 1个N沟道 耐压:20V 电流:2.5A
    型号：SI2302S 编号：C20628872
    封装：SOT-23
    品牌：FOSAN(富捷/富信)
    小体积

    • 50+

      ￥0.0675

    • 500+

      ￥0.0524

    • 3000+

      ￥0.044

    • 6000+

      ￥0.039

    • 24000+

      ￥0.0346

    • 51000+

      ￥0.0322
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:20V 电流:3.3A
    型号：SI2302 编号：C20628873
    封装：SOT-23
    品牌：FOSAN(富捷/富信)
    小体积

    • 50+

      ￥0.0701

    • 500+

      ￥0.0529

    • 3000+

      ￥0.0497

    • 6000+

      ￥0.0439

    • 24000+

      ￥0.0389

    • 51000+

      ￥0.0362
  • 有货
    • 立即购买
    电流:500mA 电压:200V
    型号：MMBTA42 编号：C916394
    封装：SOT-23
    品牌：JSMSEMI(杰盛微)
    专为高压、低至中等电流应用设计，是进行开关电路及精密放大器设计的理想半导体组件
    数据手册

    • 50+

      ￥0.07056 ￥0.0882

    • 500+

      ￥0.05416 ￥0.0677

    • 3000+

      ￥0.04504 ￥0.0563

    • 6000+

      ￥0.0396 ￥0.0495

    • 24000+

      ￥0.0348 ￥0.0435

    • 45000+

      ￥0.03224 ￥0.0403
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:20V 电流:2.8A
    型号：AP2302B 编号：C406812
    封装：SOT-23
    品牌：ALLPOWER(铨力)
    特性：TrenchFET功率MOSFET。应用：便携式设备负载开关。 DC/DC转换器
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0781

    • 500+

      ￥0.0603

    • 3000+

      ￥0.0561

    • 6000+

      ￥0.0502

    • 24000+

      ￥0.0451

    • 60000+

      ￥0.0423
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:800mA 电压:25V
    型号：L8050QLT1G 编号：C49581
    封装：SOT-23
    品牌：LRC(乐山无线电)
    特性：高电流容量，采用紧凑型封装，集电极电流（Ic）为 0.8A。 外延平面型。 有 NPN 互补型号。 提供无铅封装。 S 前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用，符合 AEC-Q101 标准并具备生产件批准程序（PPAP）能力
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0781

    • 500+

      ￥0.0603

    • 3000+

      ￥0.0498

    • 6000+

      ￥0.0439

    • 24000+

      ￥0.0388

    • 51000+

      ￥0.036
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:500mA 电压:45V
    型号：BC817-40 编号：C5184413
    封装：SOT-23
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款NPN型三极管具有0.5A的电流和45V的电压处理能力，放大倍数介于250至600之间，适用于高速操作，频率可达100MHz。它为电子设备提供了可靠的性能，适合多种应用需求，确保电路的稳定性和高效性。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.096627 ￥0.1039

    • 200+

      ￥0.077655 ￥0.0835

    • 600+

      ￥0.067146 ￥0.0722

    • 3000+

      ￥0.056451 ￥0.0607

    • 9000+

      ￥0.051057 ￥0.0549

    • 21000+

      ￥0.048081 ￥0.0517
  • 有货
    • 立即购买
    电流:600mA 电压:160V
    型号：2N5551S-RTK/P 编号：C112669
    封装：SOT-23
    品牌：KEC
    特性：高集电极击穿电压：VCBO = 180V，VCEO = 160V。 低泄漏电流：ICBO = 50mA(Max.)，VCP = 120V。 低饱和电压：VCE(sat) = 0.2V(Max.)，IC = 50mA，IB = 5mA。 低噪声：NF = 8dB (Max.)
    数据手册

    • 50+

      ￥0.1103

    • 500+

      ￥0.0881

    • 3000+

      ￥0.0696

    • 6000+

      ￥0.060858 ￥0.0621

    • 24000+

      ￥0.054586 ￥0.0557

    • 51000+

      ￥0.051254 ￥0.0523
  • 有货
    • 立即购买
    L档(120-200) NPN 电流:500mA 电压:25V
    型号：S9013(RANGE:120-200) 编号：C107404
    封装：SOT-23
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：高集电极电流。 与S9012互补。 出色的hFE线性度
    数据手册

    • 50+

      ￥0.1124

    • 500+

      ￥0.0912

    • 3000+

      ￥0.0754

    • 6000+

      ￥0.0684

    • 24000+

      ￥0.0623

    • 51000+

      ￥0.059
  • 有货
    • 立即购买
    200~450 NPN 电流:0.1A 电压:65V
    型号：BC846B(RANGE:200-450) 编号：C8573
    封装：SOT-23
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    丝印1B
    数据手册

    • 50+

      ￥0.1183

    • 500+

      ￥0.0956

    • 3000+

      ￥0.0769

    • 6000+

      ￥0.0694

    • 24000+

      ￥0.0628

    • 51000+

      ￥0.0593
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:20V 电流:3A
    型号：SI2301 编号：C2938372
    封装：SOT-23
    品牌：GOODWORK(固得沃克)
    1个P沟道 耐压:20V 电流:3A适用于电源开关和信号控制
    数据手册

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      ￥0.12016 ￥0.1502

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    NPN 电流:0.2A 电压:160V
    型号：MMDT5551-JSM 编号：C33960091
    封装：SOT-363
    品牌：JSMSEMI(杰盛微)
    适用于高压、中等电流环境下的开关与线性放大应用，是您精密电子设备和电路设计的理想半导体元件。

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      ￥0.1206 ￥0.134

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    1个P沟道 耐压:30V 电流:4A
    型号：3401 编号：C7431448
    封装：SOT-23
    品牌：HL(富海微)
    3401是高单元密度沟槽型P沟道MOSFET，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。3401符合RoHS标准和绿色产品要求，且经过全面功能可靠性认证。

    • 50+

      ￥0.1261

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    1个N沟道 耐压:20V 电流:2.8A
    型号：SI2302 编号：C727152
    封装：SOT-23
    品牌：TWGMC(迪嘉)
    类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：3A 功率(Pd)：1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：45mΩ@4.5V,3A
    数据手册

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    1个N沟道 耐压:20V 电流:1.4A
    型号：RC3134KM3 编号：C5137092
    封装：SOT-723
    品牌：RealChip(正芯半导体)
    RC3134KM3 是 N 沟道增强型 MOSFET 晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可实现出色的导通电阻 RDS(ON)，且栅极电荷较低。
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    PNP 电流:600mA 电压:40V
    型号：MMBT4403LT1G 编号：C78864
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    该 PNP 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。
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      ￥0.065
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    1个P沟道 耐压:50V 电流:0.13A
    型号：LBSS84LT1G 编号：C8492
    封装：SOT-23
    品牌：LRC(乐山无线电)
    P沟道,-50V,-0.13A,10Ω@-5V
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      ￥0.1395

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