您好,请登录 免费注册
手机立创
  • 微信小程序

    找料更方便

  • 立创APP

    体验更友好

  • 立创公众号

    售前咨询,优惠活动

消息(0)
我的订单
联系客服
  • 4000800709

    点击QQ咨询

  • 0755-83865666

    0755-83865666

    拨打电话咨询

帮助中心
供应商合作
嘉立创产业服务群

温馨提示

您上传的BOM清单格式不准确,当前支持上传xls、xlsx、csv、JPG、PNG、JPEG格式,请检查后重新上传

BOM正在分析中...
首页 > 热门关键词 > 晶体管
综合排序 价格 销量
-
符合条件商品:共92184
图片
关键参数
描述
价格(含税)
库存
操作
SOT-23 应用消费电子、工控通信、汽车电子等
  • 50+

    ¥0.08793 ¥0.0977
  • 500+

    ¥0.06849 ¥0.0761
  • 3000+

    ¥0.05769 ¥0.0641
  • 6000+

    ¥0.05121 ¥0.0569
  • 24000+

    ¥0.04554 ¥0.0506
  • 51000+

    ¥0.04248 ¥0.0472
  • 有货
  • 丝印HF
    数据手册
    • 50+

      ¥0.1005
    • 500+

      ¥0.0802
    • 3000+

      ¥0.0671
    • 6000+

      ¥0.0603
    • 24000+

      ¥0.0544
    • 51000+

      ¥0.0513
  • 有货
  • hfe=120~200
    数据手册
    • 50+

      ¥0.1052
    • 500+

      ¥0.0846
    • 3000+

      ¥0.0694
    • 6000+

      ¥0.0626
    • 24000+

      ¥0.0566
    • 51000+

      ¥0.0534
  • 有货
  • 特性:ESD(HBM) 等级:2 kV。 低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 1.05Ω(典型值)(@ VGS = 10V)。 -RDS(ON) = 1.15Ω(典型值)(@ VGS = 5.0V)。 -RDS(ON) = 1.2Ω(典型值)(@ VGS = 4.5V)。应用:高速开关
    数据手册
    • 50+

      ¥0.1072
    • 500+

      ¥0.0829
    • 3000+

      ¥0.0694
    • 6000+

      ¥0.0613
    • 24000+

      ¥0.0543
    • 51000+

      ¥0.0505
  • 有货
  • 特性:适用于一般音频应用。 高集电极电流。 高电流增益。 低集电极-发射极饱和电压。 互补类型:BC807(PNP)
    数据手册
    • 50+

      ¥0.1087
    • 500+

      ¥0.0864
    • 3000+

      ¥0.0724
    • 6000+

      ¥0.065
    • 24000+

      ¥0.0586
  • 有货
  • 2300采用沟槽处理技术设计,可实现极低的导通电阻,具备快速开关速度和更高的传输效率。这些特性相结合,使该设计成为适用于各种DC-DC应用的高效可靠器件。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.116
    • 200+

      ¥0.0879
    • 600+

      ¥0.0723
    • 9000+

      ¥0.0642
    • 21000+

      ¥0.0599
  • 有货
  • 应用:电池保护。负载开关。电源管理
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1336
    • 200+

      ¥0.1149
    • 600+

      ¥0.1045
    • 3000+

      ¥0.0983
    • 9000+

      ¥0.0929
    • 21000+

      ¥0.09
  • 有货
  • 特性:与MMST3906互补
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1364
    • 200+

      ¥0.1078
    • 600+

      ¥0.0919
    • 3000+

      ¥0.0824
    • 9000+

      ¥0.0741
    • 21000+

      ¥0.0696
  • 有货
  • N沟道,30V,0.1A,13Ω@2.5V
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1385
    • 200+

      ¥0.1099
    • 600+

      ¥0.094
    • 3000+

      ¥0.0824
    • 9000+

      ¥0.0741
    • 21000+

      ¥0.0696
  • 有货
  • 特性:20V/-3A, RDS(ON) = 120mΩ(MAX) @VGS = -4.5V。 RDS(ON) = 150mΩ(MAX) @VGS = -2.5V。 超高密度单元设计,实现极低的RDS(ON)。 可靠耐用。 SOT-23表面贴装封装。应用:电源管理。 便携式设备和电池供电系统
    数据手册
    • 20+

      ¥0.15333 ¥0.1614
    • 200+

      ¥0.11742 ¥0.1236
    • 600+

      ¥0.097565 ¥0.1027
    • 3000+

      ¥0.08626 ¥0.0908
    • 9000+

      ¥0.075905 ¥0.0799
    • 21000+

      ¥0.070395 ¥0.0741
  • 有货
  • 丝印1GM
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1567
    • 200+

      ¥0.1248
    • 600+

      ¥0.1071
    • 3000+

      ¥0.0941
    • 9000+

      ¥0.0848
    • 21000+

      ¥0.0799
  • 有货
    • 20+

      ¥0.1667
    • 200+

      ¥0.1308
    • 600+

      ¥0.1108
    • 3000+

      ¥0.0988
    • 9000+

      ¥0.0884
  • 有货
  • 高密度电池设计,可实现极低的RDS。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.16749 ¥0.1861
    • 100+

      ¥0.14769 ¥0.1641
    • 300+

      ¥0.13779 ¥0.1531
    • 3000+

      ¥0.12276 ¥0.1364
    • 6000+

      ¥0.11682 ¥0.1298
    • 9000+

      ¥0.11385 ¥0.1265
  • 有货
  • 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):4.1A 功率(Pd):350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):60mΩ@10V,4.1A
    数据手册
    • 10+

      ¥0.1746 ¥0.194
    • 100+

      ¥0.15435 ¥0.1715
    • 300+

      ¥0.14319 ¥0.1591
    • 3000+

      ¥0.12105 ¥0.1345
    • 6000+

      ¥0.1152 ¥0.128
    • 9000+

      ¥0.11214 ¥0.1246
  • 有货
  • 特性:驱动晶体管
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1786
    • 200+

      ¥0.1434
    • 600+

      ¥0.1239
    • 3000+

      ¥0.1027
    • 9000+

      ¥0.0926
    • 21000+

      ¥0.0871
  • 有货
  • 特性:高击穿电压。 低集电极-发射极饱和电压。 与MMBTA92(PNP)互补
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1871
    • 200+

      ¥0.1503
    • 600+

      ¥0.1299
    • 3000+

      ¥0.1149
    • 9000+

      ¥0.1043
    • 21000+

      ¥0.0985
  • 有货
    • 20+

      ¥0.1893
    • 200+

      ¥0.1485
    • 600+

      ¥0.1258
    • 3000+

      ¥0.1122
    • 9000+

      ¥0.1004
  • 有货
  • 特性:与2SA1204互补。 功率耗散为500mW。 高稳定性和高可靠性。 符合J-STD-020的MSL 1级,LF最大峰值为260℃
    • 20+

      ¥0.213
    • 200+

      ¥0.167
    • 1000+

      ¥0.1386
    • 2000+

      ¥0.1233
    • 10000+

      ¥0.11
    • 20000+

      ¥0.1029
  • 有货
  • MOSFET,小信号,60 V,380mA,单 N 沟道,SOT-23
    数据手册
    • 20+

      ¥0.218
    • 200+

      ¥0.1717
    • 600+

      ¥0.146
    • 3000+

      ¥0.1306
    • 9000+

      ¥0.1172
    • 21000+

      ¥0.11
  • 有货
  • 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):12V 连续漏极电流(Id):4.1A 功率(Pd):350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):90mΩ@1.8V,2A
    数据手册
    • 10+

      ¥0.23607 ¥0.2623
    • 100+

      ¥0.19287 ¥0.2143
    • 300+

      ¥0.17127 ¥0.1903
    • 3000+

      ¥0.13644 ¥0.1516
    • 6000+

      ¥0.12348 ¥0.1372
    • 9000+

      ¥0.117 ¥0.13
  • 有货
  • 特性:与MMBTA94互补。 高击穿电压。 低集电极-发射极饱和电压。 表面贴装器件
    数据手册
    • 20+

      ¥0.237025 ¥0.2495
    • 200+

      ¥0.190855 ¥0.2009
    • 600+

      ¥0.165205 ¥0.1739
    • 3000+

      ¥0.142975 ¥0.1505
    • 9000+

      ¥0.12958 ¥0.1364
    • 21000+

      ¥0.122455 ¥0.1289
  • 有货
  • 特性:BVDSS:30V。 RDS(ON):450mΩ。 ID:800mA。 与SI1304BDL-T1-GE3引脚完全兼容。应用:负载/电源开关。 接口开关
    • 10+

      ¥0.2438
    • 100+

      ¥0.2138
    • 300+

      ¥0.1988
    • 3000+

      ¥0.1875
    • 6000+

      ¥0.1785
    • 9000+

      ¥0.174
  • 有货
  • PNP 电流:3A 耐压:30V (hFE):400@1A,2V
    • 10+

      ¥0.245055 ¥0.2883
    • 100+

      ¥0.196095 ¥0.2307
    • 300+

      ¥0.171615 ¥0.2019
    • 1000+

      ¥0.153255 ¥0.1803
    • 4000+

      ¥0.13855 ¥0.163
    • 10000+

      ¥0.131155 ¥0.1543
  • 有货
  • NPN 电流:3A 耐压:30V (hFE):400@20mA,2V
    • 10+

      ¥0.25041 ¥0.2946
    • 100+

      ¥0.20145 ¥0.237
    • 300+

      ¥0.17697 ¥0.2082
    • 1000+

      ¥0.15351 ¥0.1806
    • 4000+

      ¥0.138805 ¥0.1633
    • 10000+

      ¥0.13141 ¥0.1546
  • 有货
  • N沟道,20V,0.63A,0.4Ω@4.5V
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2567
    • 200+

      ¥0.2036
    • 600+

      ¥0.1741
    • 3000+

      ¥0.1564
    • 9000+

      ¥0.1411
    • 21000+

      ¥0.1328
  • 有货
  • 特性:互补类型:FMMT593。 标记:493
    数据手册
    • 20+

      ¥0.265
    • 200+

      ¥0.2114
    • 600+

      ¥0.1816
    • 3000+

      ¥0.1598
    • 9000+

      ¥0.1443
    • 21000+

      ¥0.1359
  • 有货
  • NCE6003X采用先进的沟槽技术,具备出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2963
    • 100+

      ¥0.2291
    • 300+

      ¥0.1955
    • 3000+

      ¥0.1703
    • 6000+

      ¥0.1501
    • 9000+

      ¥0.14
  • 有货
  • 采用超小型SOT363(SC - 88)表面贴装器件(SMD)塑料封装的PNP通用双晶体管。NPN互补型号:BC847BS。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2993
    • 100+

      ¥0.2336
    • 300+

      ¥0.2007
    • 3000+

      ¥0.1761
    • 6000+

      ¥0.1564
    • 9000+

      ¥0.1465
  • 有货
  • 先进的沟槽工艺技术,高密度单元设计,实现超低导通电阻,采用SOT-23-3L表面贴装封装。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3069
    • 100+

      ¥0.2719
    • 300+

      ¥0.2543
    • 3000+

      ¥0.2158
    • 6000+

      ¥0.2052
    • 9000+

      ¥0.2
  • 有货
  • N沟道,25V,0.68A,450mΩ@4.5V;FDV301N的大电流版本
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3092
    • 100+

      ¥0.2428
    • 300+

      ¥0.2096
    • 3000+

      ¥0.1847
    • 6000+

      ¥0.1648
    • 9000+

      ¥0.1549
  • 有货
  • 立创商城为您提供晶体管型号、厂家、价格、库存、PDF数据手册、图片等信息,为您购买晶体管提供详细信息
    您的浏览器版本过低(IE8及IE8以下的浏览器或者其他浏览器的兼容模式),存在严重安全漏洞,请切换浏览器为极速模式或者将IE浏览器升级到更高版本。【查看详情】
    推荐您下载并使用 立创商城APP 或者最新版 谷歌浏览器火狐浏览器360浏览器搜狗浏览器QQ浏览器 的极(高)速模式进行访问。
    © 深圳市立创电子商务有限公司 版权所有
    |

    提示

    您确定要删除此收货地址的吗?

    请填写订单取消原因

    提示

    您确定删除此收货地址吗?

    成功提示

    content

    失败提示

    content

    提示

    content