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首页 > 热门关键词 > 晶体管
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N沟道,150V,104A,11mΩ@10V
数据手册
  • 1+

    ¥6.34
  • 10+

    ¥5.27
  • 30+

    ¥4.73
  • 100+

    ¥3.39
  • 500+

    ¥3.07
  • 1000+

    ¥2.9
  • 有货
  • 特性:VDS = -60V。 ID = -5A。 RDS(on)@VGS = -10V < 90mΩ。 RDS(on)@VGS = -4.5V < 110mΩ。 高功率和电流处理能力。 电压控制小信号开关。应用:电池保护。 负载开关
    • 1+

      ¥2.49
    • 10+

      ¥1.98
    • 30+

      ¥1.76
    • 100+

      ¥1.48
    • 500+

      ¥1.32
    • 1000+

      ¥1.24
  • 有货
  • N沟道,20V,4.2A,45mΩ@4.5V
    数据手册
    • 1+

      ¥2.6082
    • 10+

      ¥2.1796
    • 30+

      ¥1.996
    • 100+

      ¥1.7668
    • 500+

      ¥1.6648
    • 1000+

      ¥1.1
  • 有货
  • 特性:VDS = 30V。 ID = 35A。 RDS(on)@VGS = 10V < 13mΩ。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 20mΩ。 沟槽技术功率MOSFET。 低栅极电阻。应用:功率开关应用。 硬开关和高频电路
    • 1+

      ¥2.62
    • 10+

      ¥2.08
    • 30+

      ¥1.85
    • 100+

      ¥1.55
    • 500+

      ¥1.43
    • 1000+

      ¥1.35
  • 有货
    • 1+

      ¥2.67
    • 10+

      ¥2.12
    • 30+

      ¥1.88
    • 100+

      ¥1.58
    • 500+

      ¥1.45
    • 1000+

      ¥1.37
  • 有货
  • 特性:VDS = 30V。I0 = 25A。RDS(on)@VGS = 10V < 4.5mΩ。RDS(on)@VGS = 4.5V < 6mΩ。低栅极电荷和导通电阻。快速开关速度。应用:电源开关应用。硬开关和高频电路
    • 1+

      ¥2.67
    • 10+

      ¥2.12
    • 30+

      ¥1.88
    • 100+

      ¥1.58
    • 500+

      ¥1.45
    • 1000+

      ¥1.37
  • 有货
  • 特性:VDS = -60V。 I₀ = -8A。 RDS(on) @ VGS = -10V < 40mΩ。 RDS(on) @ VGS = -4.5V < 50mΩ。 低栅极电荷和导通电阻。 快速开关速度。应用:DC/DC转换器。 硬开关和高频电路
    • 1+

      ¥2.67
    • 10+

      ¥2.12
    • 30+

      ¥1.88
    • 100+

      ¥1.58
    • 500+

      ¥1.45
    • 1000+

      ¥1.37
  • 有货
  • 特性:结工作温度为150℃。 开关速度快。 重复雪崩额定值提高。 先进的工艺技术。 超低导通电阻。 工作温度为50℃。 允许重复雪崩至最大结温
    • 1+

      ¥2.84
    • 10+

      ¥2.21
    • 30+

      ¥1.94
    • 100+

      ¥1.61
    • 500+

      ¥1.49
    • 1000+

      ¥1.4
  • 有货
  • 特性:VDS = -60 V。 ID = -20 A。 RDS(on)@VGS = -10 V < 29 mΩ。 Trench Power LV MOSFET技术。 电压控制小信号开关。 快速开关速度。应用:电源开关应用。 负载开关
    • 1+

      ¥2.92
    • 10+

      ¥2.31
    • 30+

      ¥2.05
    • 100+

      ¥1.73
    • 500+

      ¥1.58
    • 1000+

      ¥1.5
  • 有货
  • 采用SOT223塑料封装的NPN型低VCEsat晶体管。互补PNP型晶体管:PBSS5350Z。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.02
    • 10+

      ¥2.39
    • 30+

      ¥2.11
    • 100+

      ¥1.78
    • 500+

      ¥1.63
    • 1000+

      ¥1.53
  • 有货
  • N沟道 100V 120A 3.4mΩ@10v
    数据手册
    • 1+

      ¥3.65
    • 10+

      ¥3.13
    • 30+

      ¥2.76
    • 100+

      ¥2.46
    • 500+

      ¥2.12
    • 1000+

      ¥2.06
  • 有货
  • 特性:60V/170A,RDS(ON) = 2.1mΩ (典型值) @ VGS = 4.5V,RDS(ON) = 3.2mΩ (典型值) @ VGS = 4.5V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 提供无卤器件(符合RoHS标准)。应用:高频负载点同步降压转换器。 电动工具应用
    数据手册
    • 1+

      ¥3.81
    • 10+

      ¥3.08
    • 30+

      ¥2.72
    • 100+

      ¥2.4
    • 500+

      ¥1.85
    • 1000+

      ¥1.8
  • 有货
  • 特性:N沟道,正常电平。 出色的栅极电荷×RDS(on)乘积(FOM)。 极低的导通电阻RDS(on)。 175℃工作温度。 无铅镀铅;符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 适用于高频开关和同步整流。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
    数据手册
    • 1+

      ¥7.37
    • 10+

      ¥6.26
    • 30+

      ¥5.64
    • 100+

      ¥4.95
    • 500+

      ¥4.64
    • 1000+

      ¥4.5
  • 有货
  • 40A1200V 英飞凌IGBT,广泛应用于电磁炉,电机,电焊机行业。
    数据手册
    • 1+

      ¥21.16
    • 10+

      ¥18.23
    • 30+

      ¥14.3
    • 90+

      ¥12.42
    • 480+

      ¥11.57
    • 960+

      ¥11.2
  • 有货
  • 特性:高电压和高电流。出色的hFE线性度。与C1815互补
    数据手册
    • 100+

      ¥0.03363 ¥0.0354
    • 1000+

      ¥0.02964 ¥0.0312
    • 3000+

      ¥0.02527 ¥0.0266
    • 9000+

      ¥0.02394 ¥0.0252
    • 51000+

      ¥0.022705 ¥0.0239
    • 99000+

      ¥0.022135 ¥0.0233
  • 有货
  • 放大倍数300-400 100MA电流
    数据手册
    • 100+

      ¥0.03951 ¥0.0439
    • 1000+

      ¥0.03123 ¥0.0347
    • 3000+

      ¥0.02457 ¥0.0273
    • 9000+

      ¥0.02178 ¥0.0242
    • 51000+

      ¥0.01944 ¥0.0216
    • 99000+

      ¥0.01818 ¥0.0202
  • 有货
  • 该 PNP 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。
    • 100+

      ¥0.0461
    • 1000+

      ¥0.0366
    • 3000+

      ¥0.0313
    • 9000+

      ¥0.0281
    • 51000+

      ¥0.0253
    • 99000+

      ¥0.0239
  • 有货
  • 放大倍数200-300 500MA电流
    数据手册
    • 50+

      ¥0.047215 ¥0.0497
    • 500+

      ¥0.036955 ¥0.0389
    • 3000+

      ¥0.029545 ¥0.0311
    • 6000+

      ¥0.026125 ¥0.0275
    • 24000+

      ¥0.02318 ¥0.0244
    • 51000+

      ¥0.021565 ¥0.0227
  • 有货
  • 放大倍数200-350 500MA电流
    • 100+

      ¥0.0484
    • 1000+

      ¥0.0376
    • 3000+

      ¥0.0316
    • 9000+

      ¥0.028
    • 51000+

      ¥0.0249
    • 99000+

      ¥0.0232
  • 有货
  • 特性:与MMBT5551互补
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0573
    • 500+

      ¥0.0449
    • 3000+

      ¥0.0373
    • 6000+

      ¥0.0332
    • 24000+

      ¥0.0296
    • 51000+

      ¥0.0276
  • 有货
  • 特性:高密单元设计,实现低RDS(ON)。电压控制小信号开关。坚固可靠。高饱和电流能力
    数据手册
    • 50+

      ¥0.061
    • 500+

      ¥0.0492
    • 3000+

      ¥0.0376
    • 6000+

      ¥0.0337
    • 24000+

      ¥0.0303
    • 51000+

      ¥0.0284
  • 有货
  • 特性:与MMBT5401互补
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0615
    • 500+

      ¥0.049
    • 3000+

      ¥0.0408
    • 6000+

      ¥0.0366
    • 24000+

      ¥0.033
    • 51000+

      ¥0.0311
  • 有货
  • 40V,200mA,PNP三极管,hFE=100-400
    数据手册
    • 50+

      ¥0.062605 ¥0.0659
    • 500+

      ¥0.04997 ¥0.0526
    • 3000+

      ¥0.040755 ¥0.0429
    • 6000+

      ¥0.03648 ¥0.0384
    • 24000+

      ¥0.03287 ¥0.0346
    • 51000+

      ¥0.030875 ¥0.0325
  • 有货
  • 特性:与BC846 互补。 非常适合自动插入。 适用于开关和音频放大器应用。 表面贴装器件
    数据手册
    • 50+

      ¥0.06688 ¥0.0704
    • 500+

      ¥0.05149 ¥0.0542
    • 3000+

      ¥0.04636 ¥0.0488
    • 6000+

      ¥0.04123 ¥0.0434
    • 24000+

      ¥0.036765 ¥0.0387
    • 51000+

      ¥0.03439 ¥0.0362
  • 有货
  • 特性:功率耗散:200mW。 高稳定性和高可靠性。 符合J-STD-020的MSL 1级,LF最高峰值温度为260℃
    • 50+

      ¥0.069
    • 500+

      ¥0.054
    • 3000+

      ¥0.0457
    • 6000+

      ¥0.0407
    • 24000+

      ¥0.0364
    • 51000+

      ¥0.0341
  • 有货
  • 1个P沟道 耐压:20V 电流:2.3A适用于电源开关和信号控制
    • 50+

      ¥0.07248 ¥0.0906
    • 500+

      ¥0.05736 ¥0.0717
    • 3000+

      ¥0.04672 ¥0.0584
    • 6000+

      ¥0.04168 ¥0.0521
    • 30000+

      ¥0.03728 ¥0.0466
    • 45000+

      ¥0.03488 ¥0.0436
  • 有货
  • 特性:高直流电流增益:hFE = 200(典型值),VCE = 6V,Ic = 1mA。 高电压:VCEO = 50V
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0776
    • 500+

      ¥0.062
    • 3000+

      ¥0.0504
    • 6000+

      ¥0.0451
    • 24000+

      ¥0.0406
  • 有货
  • 耐压:40V 电流:200mA NPN (hFE):300@10mA,1V
    • 50+

      ¥0.07866 ¥0.0874
    • 500+

      ¥0.06165 ¥0.0685
    • 3000+

      ¥0.0522 ¥0.058
    • 6000+

      ¥0.04653 ¥0.0517
    • 30000+

      ¥0.04158 ¥0.0462
    • 45000+

      ¥0.03897 ¥0.0433
  • 有货
  • 特性:TrenchFET功率MOSFET。应用:便携式设备负载开关。 DC/DC转换器
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0818
    • 500+

      ¥0.064
    • 3000+

      ¥0.0598
    • 6000+

      ¥0.0539
    • 24000+

      ¥0.0487
    • 60000+

      ¥0.046
  • 有货
  • 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):100mA 功率(Pd):350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8Ω@4V,10mA
    数据手册
    • 50+

      ¥0.08379 ¥0.0882
    • 500+

      ¥0.07353 ¥0.0774
    • 3000+

      ¥0.062985 ¥0.0663
    • 6000+

      ¥0.059565 ¥0.0627
    • 24000+

      ¥0.05662 ¥0.0596
    • 51000+

      ¥0.055005 ¥0.0579
  • 有货
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