晶体管_厂家_价格_品牌_库存

型号：AO4407 编号：C5224298

封装：SOP8

品牌：ElecSuper(静芯)

P沟道，-30V，-12A，9.5mΩ@10V,-12A，-1.5V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

数据手册

5+
￥0.6482
50+
￥0.5483
150+
￥0.4984
500+
￥0.461
3000+
￥0.431
6000+
￥0.416

有货

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型号：BSS123,215 编号：C78962

封装：SOT-23

品牌：Nexperia(安世)

N沟道,100V,150mA

数据手册

5+
￥0.6686
50+
￥0.5289
150+
￥0.459
500+
￥0.402534 ￥0.4066
3000+
￥0.352143 ￥0.3557
6000+
￥0.331353 ￥0.3347

有货

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型号：IRLML0060TRPBF 编号：C67274

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,60V,2.7A,92mΩ@10V

数据手册

5+
￥0.8507
50+
￥0.6966
150+
￥0.6196
500+
￥0.550564 ￥0.5618
3000+
￥0.404152 ￥0.4124
6000+
￥0.381514 ￥0.3893

有货

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型号：TIP41C 编号：C963394

封装：TO-220

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

应用于大功率、高电流开关及放大电路而设计，是电子工程师的理想选择。

数据手册

5+
￥1.210965 ￥1.2747
50+
￥0.87229 ￥0.9182
150+
￥0.76057 ￥0.8006
500+
￥0.621205 ￥0.6539
2000+
￥0.55917 ￥0.5886
5000+
￥0.52193 ￥0.5494

有货

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型号：FDC5614P 编号：C2959862

封装：SOT-23-6

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

FDC5614P P沟道 60V 3A 丝印564P P-MOS场效应管场效应管

数据手册

5+
￥1.2685
50+
￥0.9946
150+
￥0.8772
500+
￥0.7307
3000+
￥0.6479
6000+
￥0.6087

有货

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型号：IRLR7843TR(UMW) 编号：C7499399

封装：TO-252

品牌：UMW(友台半导体)

特性：VDS(V)=30V 。 Qg=34nC 。 RDS(ON)<3.3mΩ(VGS=10V)。 4.5V VGS时极低的RDS(ON)。超低栅极阻抗。完全表征雪崩电压和电流。应用：计算机处理器电源的高频同步降压转换器

5+
￥1.3742
50+
￥1.0763
150+
￥0.9486
500+
￥0.7893
2500+
￥0.7006
5000+
￥0.658

有货

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型号：WSD4070DN33 编号：C719095

封装：DFN3X3-8L

品牌：WINSOK(微硕)

WSD4070DN33是高性能沟槽式N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷。WSD4070DN33符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过EAS测试，具备完整的功能可靠性认证。

数据手册

1+
￥1.6674
10+
￥1.3314
30+
￥1.13
100+
￥1.12
500+
￥1.115
1000+
￥1.1

有货

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型号：MDT18N20 编号：C5355275

封装：TO-252

品牌：minos(迈诺斯)

MDT18N20是一款采用先进MOSFET技术制造的硅N沟道增强型MOSFET，该技术可降低导通损耗、改善开关性能并提高雪崩能量。这款晶体管适用于开关电源、高速开关及通用应用领域。

数据手册

5+
￥1.7419
50+
￥1.3704
150+
￥1.2111
500+
￥1.0125
2500+
￥0.8792
5000+
￥0.8261

有货

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型号：AOD4184A 编号：C99124

封装：TO-252

品牌：AOS

AOD4184A将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合大电流负载应用。

数据手册

5+
￥2.0436
50+
￥1.6174
150+
￥1.4093
500+
￥1.2236
2500+
￥1.0507
5000+
￥1.02

有货

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型号：IRF4905STRL(UMW) 编号：C7471852

封装：TO-252

品牌：UMW(友台半导体)

特性：结工作温度为150℃。开关速度快。重复雪崩额定值提高。先进的工艺技术。超低导通电阻。工作温度为50℃。允许重复雪崩至最大结温

1+
￥2.55
10+
￥1.99
30+
￥1.75
100+
￥1.45
500+
￥1.31
1000+
￥1.23

有货

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型号：IRF4905(UMW) 编号：C18207551

封装：TO-220

品牌：UMW(友台半导体)

MOS管

1+
￥2.68
10+
￥2.09
50+
￥1.84
100+
￥1.53
500+
￥1.39
1000+
￥1.31

有货

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型号：WSD40L60DN56 编号：C5242051

封装：DFN5x6-8

品牌：WINSOK(微硕)

WSD40L60DN56是高性能沟槽P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSD40L60DN56符合RoHS标准和绿色产品要求，经过全面功能可靠性认证，100%保证符合EAS标准。

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1+
￥3.01
10+
￥2.5
30+
￥2
100+
￥1.5

有货

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型号：NCE60P50K 编号：C130104

封装：TO-252-2L

品牌：NCE(无锡新洁能)

P沟道，-60V，-50A，23毫欧。

数据手册

1+
￥3.47
10+
￥2.67
30+
￥2.33
100+
￥1.9
500+
￥1.71
1000+
￥1.59

有货

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型号：BSC070N10NS3G 编号：C501502

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：非常低的栅极电荷，适用于高频应用。针对直流-直流转换进行优化。 N 沟道，正常电平。出色的栅极电荷×导通电阻（RDS(on)）乘积（FOM）。极低的导通电阻 RDS(on)。 150℃工作温度。无铅引脚镀层；符合 RoHS 标准。根据 JEDEC 针对目标应用进行了认证。根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品

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