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N沟道,电流:3.5A,耐压:20V
型号：SI2302 编号：C5224179
封装：SOT-23
品牌：ElecSuper(静芯)
N沟道,20V,3.5A,45mΩ@4.5V；应用领域：DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。
数据手册

  • 50+

    ￥0.0898

  • 500+

    ￥0.0746

  • 3000+

    ￥0.061

  • 6000+

    ￥0.056

  • 24000+

    ￥0.0516

  • 51000+

    ￥0.0493
  • 有货
    • 立即购买
    PNP 电流:500mA 电压:45V
    型号：BC807-25 编号：C556162
    封装：SOT-23
    品牌：Slkor(萨科微)
    特性：非常适合自动插入。 外延平面管芯结构。 有互补NPN类型（BC817）
    数据手册

    • 50+

      ￥0.076665 ￥0.0807

    • 500+

      ￥0.060135 ￥0.0633

    • 3000+

      ￥0.051015 ￥0.0537

    • 6000+

      ￥0.045505 ￥0.0479

    • 24000+

      ￥0.04066 ￥0.0428

    • 51000+

      ￥0.038095 ￥0.0401
  • 有货
    • 立即购买
    hfe=100~300 NPN 电流:600mA 电压:40V
    型号：MMBT4401 编号：C727133
    封装：SOT-23
    品牌：TWGMC(迪嘉)
    特性：外延平面芯片结构。 提供互补PNP类型。 适用于中功率放大和开关
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0769

    • 500+

      ￥0.0604

    • 3000+

      ￥0.0472

    • 6000+

      ￥0.0417

    • 24000+

      ￥0.0369

    • 51000+

      ￥0.0344
  • 有货
    • 立即购买
    hfe=200~350 PNP 电流:0.5A 电压:25V
    型号：S9012 编号：C111633
    封装：SOT-23
    品牌：SHIKUES(时科)
    特性：与S9013互补。 功率耗散：300mW。 高稳定性和高可靠性。 SOT-23封装
    数据手册

    • 50+

      ￥0.08018 ￥0.0844

    • 500+

      ￥0.064505 ￥0.0679

    • 3000+

      ￥0.0513 ￥0.054

    • 6000+

      ￥0.046075 ￥0.0485

    • 24000+

      ￥0.04161 ￥0.0438

    • 51000+

      ￥0.03914 ￥0.0412
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:100mA 电压:45V
    型号：BC847 编号：C475630
    封装：SOT-23
    品牌：SHIKUES(时科)
    特性：低电流（最大100mA）。 低电压（最大65V）
    数据手册

    • 50+

      ￥0.08189 ￥0.0862

    • 500+

      ￥0.064885 ￥0.0683

    • 3000+

      ￥0.051205 ￥0.0539

    • 6000+

      ￥0.0456 ￥0.048

    • 24000+

      ￥0.04066 ￥0.0428

    • 51000+

      ￥0.038 ￥0.04
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:30V 电流:0.1A
    型号：2SK3018 编号：C727148
    封装：SOT-23
    品牌：TWGMC(迪嘉)
    类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：100mA 功率(Pd)：350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：8Ω@4V,10mA
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0882

    • 500+

      ￥0.0774

    • 3000+

      ￥0.0663

    • 6000+

      ￥0.0627

    • 24000+

      ￥0.0596

    • 51000+

      ￥0.0579
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V 电流:115mA
    型号：2N7002 编号：C727149
    封装：SOT-23
    品牌：TWGMC(迪嘉)
    类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：115mA 功率(Pd)：225mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：7.5Ω@10V,500mA
    数据手册

    • 50+

      ￥0.09462 ￥0.0996

    • 500+

      ￥0.07391 ￥0.0778

    • 3000+

      ￥0.056905 ￥0.0599

    • 6000+

      ￥0.04997 ￥0.0526

    • 24000+

      ￥0.043985 ￥0.0463

    • 51000+

      ￥0.040755 ￥0.0429
  • 有货
    • 立即购买
    PNP 电流:500mA 电压:45V
    型号：BC807-40 编号：C5184433
    封装：SOT-23
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款三极管为PNP型，适用于低电流、中等电压的应用场景。其电流为0.5A，电压可达45V，放大倍数在250-600之间，频率响应达到100MHz。该元器件具有优良的放大性能和较高的频率响应能力，可广泛应用于各类电子系统中。
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0954

    • 500+

      ￥0.0764

    • 3000+

      ￥0.0639

    • 6000+

      ￥0.0575

    • 24000+

      ￥0.052

    • 51000+

      ￥0.0491
  • 有货
    • 立即购买
    H档(200-350) PNP 电流:0.5A 电压:25V
    型号：S8550 2TY(RANGE:200-350) 编号：C2147
    封装：SOT-23
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    丝印2TY
    数据手册

    • 50+

      ￥0.1035

    • 500+

      ￥0.083

    • 3000+

      ￥0.0716

    • 6000+

      ￥0.0648

    • 24000+

      ￥0.0588

    • 51000+

      ￥0.0556
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:100V 电流:0.17A
    型号：BSS123 编号：C5184436
    封装：SOT-23
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该款消费级N沟道MOSFET采用小巧SOT-23封装，适用于100V高压系统，额定电流为0.2A，特别适合于低功耗电子设备的电源开关和信号控制。具备卓越的低导通电阻与快速切换性能，有效提升能效并确保在各类应用中的稳定运行。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.106168 ￥0.1154

    • 200+

      ￥0.086296 ￥0.0938

    • 600+

      ￥0.075256 ￥0.0818

    • 3000+

      ￥0.06072 ￥0.066

    • 9000+

      ￥0.054924 ￥0.0597

    • 21000+

      ￥0.051796 ￥0.0563
  • 有货
    • 立即购买
    电流:500mA 电压:300V
    型号：MMBTA92 编号：C916395
    封装：SOT-23
    品牌：JSMSEMI(杰盛微)
    适合于高电压、低至中等电流应用环境下的精密放大及开关电路设计，是您高压电子设备项目的优选组件。
    数据手册

    • 50+

      ￥0.10621 ￥0.1118

    • 500+

      ￥0.083125 ￥0.0875

    • 3000+

      ￥0.065835 ￥0.0693

    • 6000+

      ￥0.05814 ￥0.0612

    • 24000+

      ￥0.05149 ￥0.0542

    • 45000+

      ￥0.04788 ￥0.0504
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V 电流:0.115A
    型号：2N7002T 编号：C7507460
    封装：SOT-523
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该消费级N沟道MOSFET采用SOT-523微型封装，具有60V高耐压和0.1A电流处理能力，专为紧凑型、低功耗电子设备设计，实现精细电源管理与高效开关功能。

    • 20+

      ￥0.12331 ￥0.1298

    • 200+

      ￥0.09823 ￥0.1034

    • 600+

      ￥0.08417 ￥0.0886

    • 3000+

      ￥0.074575 ￥0.0785

    • 9000+

      ￥0.06726 ￥0.0708

    • 21000+

      ￥0.063365 ￥0.0667
  • 有货
    • 立即购买
    hfe=250~600 NPN 电流:0.5A 电压:45V
    型号：BC817-40(RANGE:250-600) 编号：C8589
    封装：SOT-23
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：适用于一般音频应用。 高集电极电流。 高电流增益。 低集电极-发射极饱和电压。 互补类型：BC807（PNP）
    数据手册

    • 50+

      ￥0.124

    • 500+

      ￥0.0997

    • 3000+

      ￥0.0862

    • 6000+

      ￥0.0781

    • 24000+

      ￥0.0711
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:20V 电流:2.8A
    型号：SI2301 编号：C727151
    封装：SOT-23
    品牌：TWGMC(迪嘉)
    类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：1.25W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：120mΩ@4.5V,2.8A
    数据手册

    • 20+

      ￥0.12861 ￥0.1429

    • 200+

      ￥0.10395 ￥0.1155

    • 600+

      ￥0.09027 ￥0.1003

    • 3000+

      ￥0.07263 ￥0.0807

    • 9000+

      ￥0.06552 ￥0.0728

    • 21000+

      ￥0.06165 ￥0.0685
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:600mA 电压:40V
    型号：PMBT2222A,215 编号：C23869
    封装：SOT-23
    品牌：Nexperia(安世)
    NPN 开关晶体管，采用小型 SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.133

    • 200+

      ￥0.1033

    • 600+

      ￥0.0868

    • 3000+

      ￥0.0765

    • 9000+

      ￥0.0679

    • 21000+

      ￥0.0633
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:20V 电流:2.6A
    型号：SI2302 编号：C2841377
    封装：SOT-23
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1506

    • 200+

      ￥0.1162

    • 600+

      ￥0.0972

    • 3000+

      ￥0.0827

    • 9000+

      ￥0.0728

    • 21000+

      ￥0.0674
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:20V 电流:3A
    型号：JSM2302A-A2SHB 编号：C2905536
    封装：SOT-23
    品牌：JSMSEMI(杰盛微)
    适用于电池管理，高速开关，低功率 DC-DC 转换。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1634 ￥0.172

    • 200+

      ￥0.12749 ￥0.1342

    • 600+

      ￥0.10754 ￥0.1132

    • 3000+

      ￥0.090535 ￥0.0953

    • 9000+

      ￥0.080085 ￥0.0843

    • 21000+

      ￥0.07448 ￥0.0784
  • 有货
    • 立即购买
    2个N沟道 耐压:60V 电流:0.3A
    型号：2N7002DW 编号：C5190214
    封装：SOT-363
    品牌：Hottech(合科泰)
    特性：低导通电阻：当 VDS = 60V，ID = 300mA，VGS = 10V 时，RDS(ON) ≤ 1.9Ω。高密度单元设计，实现低 RDS(ON)。电压控制小信号开关。高饱和电流能力。坚固可靠。ESD 保护
    数据手册

    • 20+

      ￥0.180975 ￥0.1905

    • 200+

      ￥0.14402 ￥0.1516

    • 600+

      ￥0.1235 ￥0.13

    • 3000+

      ￥0.1064 ￥0.112

    • 9000+

      ￥0.09576 ￥0.1008

    • 21000+

      ￥0.089965 ￥0.0947
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:30V 电流:4.2A
    型号：AO3401A 编号：C2938368
    封装：SOT-23
    品牌：GOODWORK(固得沃克)
    1个P沟道 耐压:30V 电流:4.2A适用于电源开关和信号控制
    数据手册

    • 20+

      ￥0.18615 ￥0.219

    • 200+

      ￥0.14943 ￥0.1758

    • 600+

      ￥0.12903 ￥0.1518

    • 3000+

      ￥0.09724 ￥0.1144

    • 9000+

      ￥0.086615 ￥0.1019

    • 30000+

      ￥0.08092 ￥0.0952
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:30V 电流:3A
    型号：SI2307A 编号：C347490
    封装：SOT-23
    品牌：UMW(友台半导体)
    使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻和低栅极电荷。适用于作为负载开关或在PWM应用中使用。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2072

    • 200+

      ￥0.1638

    • 600+

      ￥0.1396

    • 3000+

      ￥0.1096

    • 9000+

      ￥0.097

    • 21000+

      ￥0.0903
  • 有货
    • 立即购买
    20V N沟道增强型MOSFET
    型号：8205A 编号：C2762931
    封装：SOT-23-6
    品牌：JSMSEMI(杰盛微)
    高密度电池设计，可实现极低的RDS。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.23202 ￥0.2578

    • 100+

      ￥0.1845 ￥0.205

    • 300+

      ￥0.16074 ￥0.1786

    • 3000+

      ￥0.12933 ￥0.1437

    • 6000+

      ￥0.11511 ￥0.1279

    • 9000+

      ￥0.10791 ￥0.1199
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:100V 电流:5A
    型号：5N10 编号：C5358569
    封装：SOT-23
    品牌：GOODWORK(固得沃克)
    1个N沟道 耐压:100V 电流:5A适用于电源开关和信号控制
    数据手册

    • 10+

      ￥0.238165 ￥0.2507

    • 100+

      ￥0.190285 ￥0.2003

    • 300+

      ￥0.166345 ￥0.1751

    • 3000+

      ￥0.13509 ￥0.1422

    • 6000+

      ￥0.120745 ￥0.1271

    • 9000+

      ￥0.113525 ￥0.1195
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:500mA 电压:45V
    型号：BC817W,115 编号：C75566
    封装：SOT-323
    品牌：Nexperia(安世)
    采用超小型SOT323（SC70）表面贴装器件（SMD）塑料封装的NPN通用晶体管。
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    1个N沟道 耐压:30V 电流:5.8A
    型号：AO3400 编号：C727155
    封装：SOT-23
    品牌：TWGMC(迪嘉)
    类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：5.8A 功率(Pd)：350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：35mΩ@10V,5.8A
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    1个P沟道 耐压:40V 电流:4.4A
    型号：SI2319A 编号：C545576
    封装：SOT-23
    品牌：UMW(友台半导体)
    特性：VDS(V)=40V。 RDS(ON)<70mΩ(VGS=10V), ID=- 4.4A。 RDS(ON)<95mΩ(VGS=4.5V), ID=- 3.5A。应用：DC/DC转换器
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    1个P沟道 耐压:40V 电流:5A
    型号：SI2319 编号：C5337197
    封装：SOT-23
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该消费级P沟道MOSFET采用SOT-23封装，额定电压40V，支持高达5A连续电流。具有低导通电阻与快速开关性能，适用于充电器、电源转换等应用，为电子设备提供高效、稳定的功率控制解决方案。
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    NPN 电流:1A 电压:80V
    型号：BCP56 编号：C5345976
    封装：SOT-223
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款NPN型三极管具有1A的电流处理能力和80V的耐压范围。其放大倍数介于100至250之间，适用于高精度信号放大。在频率方面，它可支持高达100MHz的信号处理，适用于高速电路设计。该元器件为电子设备的信号处理和放大提供了可靠的解决方案。
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    PNP 电流:500mA 电压:45V
    型号：BC807DS,115 编号：C191355
    封装：SC-74-6
    品牌：Nexperia(安世)
    采用SOT457（SC - 74）塑料封装的PNP/PNP通用双晶体管。NPN/NPN互补型：BC817DS；NPN/PNP互补型：BC817DPN。
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    60V 3A
    型号：IRLML2060TRPBF 编号：C5122027
    封装：SOT-23
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
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    耐压:20V 电流:4.1A
    型号：SI2323DS 编号：C5182044
    封装：SOT-23-3
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
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