晶体管_厂家_价格_品牌_库存

NPN通用晶体管，采用非常小的SOT323 (SC-70)表面贴装器件(SMD)塑料封装。

数据手册

10+
￥0.3473
100+
￥0.2756
300+
￥0.2397
3000+
￥0.2095
6000+
￥0.188
9000+
￥0.1772

有货

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型号：2SD882 编号：C842818

封装：SOT-89

品牌：FUXINSEMI(富芯森美)

特性：功率耗散

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10+
￥0.35343 ￥0.3927
100+
￥0.29079 ￥0.3231
300+
￥0.25947 ￥0.2883
1000+
￥0.19782 ￥0.2198
5000+
￥0.17901 ￥0.1989
10000+
￥0.16956 ￥0.1884

有货

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型号：AO3400 编号：C2848737

封装：SOT-23

品牌：BORN(伯恩半导体)

先进的沟槽工艺技术。高密度单元设计，实现超低导通电阻。采用SOT-23表面贴装封装

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20+
￥0.3629
200+
￥0.2921
600+
￥0.2568
3000+
￥0.1824
9000+
￥0.1612
21000+
￥0.1505

有货

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型号：DMP3099L 编号：C2940610

封装：SOT-23

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：VDS = -30V，ID = -4.1A。 RDS(ON) < 55mΩ @ VGS = -10V。 RDS(ON) < 85mΩ @ VGS = -4.5V。先进的沟槽技术。出色的RDS(ON)和低栅极电荷。获得无铅产品。应用：PWM应用。负载开关

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10+
￥0.3664
100+
￥0.2925
300+
￥0.2555
3000+
￥0.2027
6000+
￥0.1805
9000+
￥0.1694

有货

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型号：NCE0102 编号：C161843

封装：SOT-23

N沟道 100V 2A，210毫欧，，比BSS123电流大。

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10+
￥0.3809
100+
￥0.2945
300+
￥0.2513
3000+
￥0.2189
6000+
￥0.193
9000+
￥0.18

有货

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型号：NCE2309 编号：C502865

封装：SOT-23

使用先进的沟槽技术和设计，提供低栅极电荷和出色的导通电阻。该器件非常适合用作负载开关或用于PWM应用。

数据手册

10+
￥0.3809
100+
￥0.2945
300+
￥0.2513
3000+
￥0.2189
6000+
￥0.193
9000+
￥0.18

有货

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型号：BCP56(RANGE:100-250) 编号：C95810

封装：SOT-223

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：用于音频驱动和输出级。高集电极电流。低集电极-发射极饱和电压。互补类型：BCP51 ... BCP53 (PNP)

数据手册

10+
￥0.3953
100+
￥0.3205
300+
￥0.2832
2500+
￥0.2443
5000+
￥0.2218
10000+
￥0.2106

有货

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型号：NCE40P05Y 编号：C163738

封装：SOT-23-3L

P沟道，40V，5.3A，85毫欧。

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10+
￥0.4021
100+
￥0.3109
300+
￥0.2653
3000+
￥0.2311
6000+
￥0.2037
9000+
￥0.19

有货

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型号：3080K-GK 编号：C42395458

封装：TO-252

品牌：GOODWORK(固得沃克)

1个N沟道耐压:30V 电流:80A

5+
￥0.43664 ￥0.5458
50+
￥0.35216 ￥0.4402
150+
￥0.30992 ￥0.3874
500+
￥0.27824 ￥0.3478
2500+
￥0.23264 ￥0.2908
5000+
￥0.21992 ￥0.2749

有货

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型号：50N06 编号：C18164387

封装：TO-252

品牌：HL(富海微)

5+
￥0.5941
50+
￥0.4773
150+
￥0.4172
500+
￥0.3678
2500+
￥0.3248
5000+
￥0.3132

有货

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型号：D882 编号：C181187

封装：SOT-89

品牌：Hottech(合科泰)

特性：与B772互补。大功率耗散。表面贴装器件

数据手册

5+
￥0.63631 ￥0.6698
50+
￥0.512145 ￥0.5391
150+
￥0.45011 ￥0.4738
1000+
￥0.33269 ￥0.3502
2000+
￥0.29545 ￥0.311
5000+
￥0.27683 ￥0.2914

有货

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型号：NDC7002N(UMW) 编号：C404322

封装：SOT-23-6

品牌：UMW(友台半导体)

这些双N沟道增强型功率场效应晶体管采用专有、高单元密度的DMOS技术生产。这种高密度工艺旨在最大限度地降低导通电阻，提供坚固可靠的性能和快速开关。

数据手册

5+
￥0.6442
50+
￥0.5038
150+
￥0.4336
500+
￥0.381
3000+
￥0.3189
6000+
￥0.2978

有货

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型号：PBSS4160T,215 编号：C426841

封装：SOT-23

采用小型SOT23塑料封装的NPN型低VCEsat晶体管。PNP互补型号：PBSS5160T。

数据手册

5+
￥0.6726
50+
￥0.5417
150+
￥0.4763
500+
￥0.4272
3000+
￥0.3879
6000+
￥0.3683

有货

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型号：AON7544 编号：C5261066

封装：DFN3x3-8L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款消费级N沟道MOSFET采用超小型DFN3X3-8L封装，具备强大的100A连续电流处理能力，在30V额定电压下运行。专为高密度、高性能电路设计，广泛应用于电源转换、负载开关控制及电池管理系统，实现卓越的功率密度与效率表现。

数据手册

5+
￥0.8154
50+
￥0.6651
150+
￥0.5899
500+
￥0.5336
2500+
￥0.4291
5000+
￥0.4065

有货

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型号：HV06P720S 编号：C49424012

封装：SOT-89

特性：VDS = -60 V。 ID = -5.5 A。 RDS(on)@VGS = -10 V < 66 mΩ。 RDS(on)@VGS = -4.5 V < 88 mΩ。雪崩能量测试。快速开关速度。应用：电源管理开关。电池保护应用

5+
￥0.8847
50+
￥0.7047
150+
￥0.6147
1000+
￥0.5472
2000+
￥0.4932
5000+
￥0.4662

有货

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型号：NCE6005AR 编号：C189606

封装：SOT-223-3L

N沟道,60V,5A,35mΩ@10V

数据手册

5+
￥1.069
50+
￥0.822
150+
￥0.7162
500+
￥0.5841
2500+
￥0.5253
5000+
￥0.49

有货

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型号：NCE6005AS 编号：C126151

封装：SOP-8

双N沟道，60V，5A，26毫欧，并联用可达10A，

数据手册

1+
￥1.1344
10+
￥0.8724
30+
￥0.76
100+
￥0.6199
500+
￥0.5575
1000+
￥0.52

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型号：HB03N056S 编号：C49424005

封装：TO-252

特性：VDS = 30V。ID = 80A。RDS(on)@VGS = 10V < 5.6mΩ。RDS(on)@VGS = 4.5V < 8mΩ。高密度单元设计，实现超低导通电阻。电压控制小信号开关。应用：电池保护。负载开关

5+
￥1.2123
50+
￥0.9603
150+
￥0.8523
500+
￥0.7175
2500+
￥0.6575
5000+
￥0.6215

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型号：FDC5614P 编号：C2959862

封装：SOT-23-6

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

FDC5614P P沟道 60V 3A 丝印564P P-MOS场效应管场效应管

数据手册

5+
￥1.2672
50+
￥0.9936
150+
￥0.8763
500+
￥0.73
3000+
￥0.6472
6000+
￥0.6081

有货

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型号：IRLML2803TRPBF 编号：C2590

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,30V,1.2A,250mΩ@10V

数据手册

5+
￥1.2856
50+
￥1.0231
150+
￥0.9105
500+
￥0.7701
3000+
￥0.7076
6000+
￥0.6701

有货

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型号：BCP56-16TX 编号：C426787

封装：SOT-223

采用中功率SOT223（SC73）表面贴装器件（SMD）塑料封装的NPN中功率晶体管。

数据手册

5+
￥1.3563
50+
￥1.0811
150+
￥0.9631
1000+
￥0.781
2000+
￥0.7155
5000+
￥0.6761

有货

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型号：HP803N100S 编号：C49256771

封装：SOP-8

特性：VDS = 30V。 I₀ = 15A。 RDS(on) @ VGS = 10V < 8mΩ。 RDS(on) @ VGS = 4.5V < 12mΩ。低栅极电荷和导通电阻。快速开关速度。应用：DC/DC转换器。硬开关和高频电路

5+
￥1.4547
50+
￥1.1523
150+
￥1.0227
500+
￥0.861
2500+
￥0.789
4000+
￥0.7458

有货

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型号：BSS308PEH6327 编号：C2939946

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：P沟道增强模式。逻辑电平（额定4.5V）。 ESD保护。根据AEC Q101标准认证。 100%无铅；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

数据手册

5+
￥1.4681
50+
￥1.2142
150+
￥1.1054
500+
￥0.9697
3000+
￥0.8363
6000+
￥0.8

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型号：PBSS5350X,115 编号：C426844

封装：SOT-89

采用SOT89塑料封装的PNP低VCEsat晶体管。NPN互补型号：PBSS4350X。

数据手册

5+
￥1.5926
50+
￥1.2398
150+
￥1.0886
1000+
￥0.9
2000+
￥0.816
5000+
￥0.7656

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型号：HT03N270S 编号：C49066898

封装：SOT-223

特性：VDS = 30V。 ID = 8A。 RDS(on)@VGS = 10V < 15mΩ。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 25mΩ。高功率和电流处理能力。电压控制小信号开关。应用：电池保护。负载开关

5+
￥1.9348
50+
￥1.5326
150+
￥1.3602
500+
￥1.1452
2500+
￥1.0494
5000+
￥0.9919

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型号：HD503N020SG 编号：C50132381

封装：PDFN-8(5x6)