晶体管_厂家_价格_品牌_库存

该款消费级P沟道MOSFET采用SOT-23封装，额定电压20V，可承载3A电流。具备低导通电阻与快速开关特性，应用于充电器、电源转换等场合，提供高效能、稳定可靠的功率控制方案，是各类电子设备的理想选择。

数据手册

50+
￥0.1214
500+
￥0.0979
3000+
￥0.0753
6000+
￥0.0675
24000+
￥0.0607
51000+
￥0.0571

有货

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型号：BC847B 编号：C181140

封装：SOT-23

特性：与BC857互补。非常适合自动插入。适用于开关和音频放大器应用。表面贴装器件

数据手册

50+
￥0.05795 ￥0.061
500+
￥0.045885 ￥0.0483
3000+
￥0.036955 ￥0.0389
6000+
￥0.03287 ￥0.0346
24000+
￥0.02945 ￥0.031
51000+
￥0.02755 ￥0.029

有货

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型号：SS8550 编号：C444726

封装：SOT-23

品牌：Slkor(萨科微)

特性：高集电极电流。与SS8050互补

数据手册

50+
￥0.05985 ￥0.063
500+
￥0.04826 ￥0.0508
3000+
￥0.03705 ￥0.039
6000+
￥0.033155 ￥0.0349
24000+
￥0.02983 ￥0.0314
51000+
￥0.028025 ￥0.0295

有货

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型号：S8050 编号：C908252

封装：SOT-23

品牌：FUXINSEMI(富芯森美)

特性：与S8550互补

数据手册

50+
￥0.065365 ￥0.0769
500+
￥0.051595 ￥0.0607
3000+
￥0.043945 ￥0.0517
6000+
￥0.039355 ￥0.0463
24000+
￥0.03536 ￥0.0416
51000+
￥0.03315 ￥0.039

有货

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型号：MMBT5551 编号：C181136

封装：SOT-23

L:100-200档位

数据手册

50+
￥0.07106 ￥0.0748
500+
￥0.056715 ￥0.0597
3000+
￥0.045505 ￥0.0479
6000+
￥0.040755 ￥0.0429
24000+
￥0.036575 ￥0.0385
51000+
￥0.03439 ￥0.0362

有货

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型号：AO3402 编号：C2938369

封装：SOT-23

品牌：GOODWORK(固得沃克)

1个N沟道耐压:30V 电流:4A适用于电源开关和信号控制

数据手册

20+
￥0.145255 ￥0.1529
200+
￥0.114475 ￥0.1205
600+
￥0.097375 ￥0.1025
3000+
￥0.078565 ￥0.0827
9000+
￥0.06973 ￥0.0734
30000+
￥0.064885 ￥0.0683

有货

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型号：BC847B,215 编号：C57668

封装：SOT-23

NPN通用晶体管，采用小型SOT23 (TO-236AB)表面贴装器件(SMD)塑料封装。

数据手册

20+
￥0.1457
200+
￥0.1143
600+
￥0.0969
3000+
￥0.0865
9000+
￥0.0774
21000+
￥0.0726

有货

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型号：AO3407 编号：C181093

封装：SOT-23

特性：使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻和低栅极电荷。适用于负载开关或PWM应用

数据手册

20+
￥0.191615 ￥0.2017
200+
￥0.150005 ￥0.1579
600+
￥0.12692 ￥0.1336
3000+
￥0.118465 ￥0.1247
9000+
￥0.106495 ￥0.1121
21000+
￥0.100035 ￥0.1053

有货

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型号：2N7002,215 编号：C65189

封装：SOT-23

N沟道,60V,0.3A,5Ω@10V

数据手册

20+
￥0.2208
200+
￥0.1721
600+
￥0.1505
3000+
￥0.1343
9000+
￥0.1278
21000+
￥0.1235

有货

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型号：5N10-MS 编号：C5140036

封装：SOT-23

品牌：MSKSEMI(美森科)

5N10-MS是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。5N10-MS符合RoHS标准和绿色产品要求，且通过了全功能可靠性认证。

数据手册

10+
￥0.24738 ￥0.2604
100+
￥0.20178 ￥0.2124
300+
￥0.17898 ￥0.1884
3000+
￥0.134235 ￥0.1413
6000+
￥0.120555 ￥0.1269
9000+
￥0.11362 ￥0.1196

有货

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型号：BSS131H6327 编号：C151498

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,240V,110mA,14Ω@10V

数据手册

5+
￥0.4649
50+
￥0.3662
150+
￥0.3168
500+
￥0.274204 ￥0.2798
3000+
￥0.245196 ￥0.2502
6000+
￥0.230692 ￥0.2354

有货

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型号：50N06 编号：C18164387

封装：TO-252

品牌：HL(富海微)

5+
￥0.586
50+
￥0.4692
150+
￥0.4091
500+
￥0.3597
2500+
￥0.3248
5000+
￥0.3132

有货

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型号：BSS138PS,115 编号：C193381

封装：SOT-363(SC-88)

双N沟道,60V,320mA

数据手册

5+
￥0.6217
50+
￥0.4902
150+
￥0.4244
500+
￥0.371349 ￥0.3751
3000+
￥0.332244 ￥0.3356
6000+
￥0.312642 ￥0.3158

有货

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型号：PBSS4160T,215 编号：C426841

封装：SOT-23

采用小型SOT23塑料封装的NPN型低VCEsat晶体管。PNP互补型号：PBSS5160T。

数据手册

5+
￥0.772
50+
￥0.6077
150+
￥0.5256
500+
￥0.45936 ￥0.464
3000+
￥0.410553 ￥0.4147
6000+
￥0.3861 ￥0.39

有货

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型号：AO4407A 编号：C2841482

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻RDS(ON)和超低的栅极电荷，栅极额定电压为25V。该器件适合用作负载开关或用于PWM应用。产品为无铅产品（符合ROHS和索尼259规格）。

数据手册

5+
￥0.7793
50+
￥0.5991
150+
￥0.5091
500+
￥0.4415
3000+
￥0.3781
6000+
￥0.351

有货

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型号：PBSS5350X,115 编号：C426844

封装：SOT-89

采用SOT89塑料封装的PNP低VCEsat晶体管。NPN互补型号：PBSS4350X。

数据手册

5+
￥1.693
50+
￥1.3231
150+
￥1.1645
1000+
￥0.957033 ￥0.9667
2000+
￥0.869814 ￥0.8786
5000+
￥0.817542 ￥0.8258

有货

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型号：IRFZ44NPBF 编号：C2586

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,55V,49A,17.5mΩ@10V

数据手册

5+
￥1.722
50+
￥1.2219
150+
￥1.0372
500+
￥0.8725
2500+
￥0.8272
5000+
￥0.8

有货

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型号：IRFR7440TRPBF 编号：C97244

封装：DPAK(TO-252AA)

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,40V,90A,2.4mΩ@10V

数据手册

1+
￥2.58
10+
￥2.04
30+
￥1.8
100+
￥1.4345 ￥1.51
500+
￥1.311 ￥1.38
1000+
￥1.235 ￥1.3

有货

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型号：HYG009N04LS1C2 编号：C2890387

封装：PDFN5x6-8L

品牌：HUAYI(华羿微)

40V/200A。RDS(ON) = 0.75mΩ（典型值）。在VGS = 4.5V时，RDS(ON) = 1.05mΩ（典型值）

数据手册

1+
￥4.1
10+
￥3.52
30+
￥3.11
100+
￥2.77
500+
￥2.15
1000+
￥2.09

有货

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型号：MMBT3906 编号：C727128

封装：SOT-23

品牌：TWGMC(迪嘉)

特性：互补型：推荐使用NPN晶体管MMBT3904。外延平面芯片结构

数据手册

50+
￥0.0333 ￥0.037
500+
￥0.02646 ￥0.0294
3000+
￥0.02088 ￥0.0232
6000+
￥0.01863 ￥0.0207
24000+
￥0.01665 ￥0.0185
51000+
￥0.01557 ￥0.0173

有货

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型号：S9013 编号：C5184425

封装：SOT-23

该SOT-23封装的NPN型三极管，具备25V的VCEO耐压和0.5A的集电极电流，放大倍数在120至400之间，适合于低功耗、高增益应用场合，适用于各类精密电子设备及电路设计，是您微型化项目中的理想半导体元件。

数据手册

50+
￥0.0414
500+
￥0.0328
3000+
￥0.0276
6000+
￥0.0247
24000+
￥0.0222
51000+
￥0.0208

有货

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型号：S8550 编号：C5184407

封装：SOT-23

这款三极管为PNP型，适用于精确控制小电流。其电流为0.5A，电压可达25V，放大倍数介于200-350之间，最高频率响应为150MHz。适用于通信、仪表及消费电子等领域，确保信号处理的稳定性和精确性。

数据手册

50+
￥0.0498
500+
￥0.0399
3000+
￥0.0312
6000+
￥0.0279
24000+
￥0.0251
51000+
￥0.0235

有货

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型号：S9013 编号：C727139

封装：SOT-23

品牌：TWGMC(迪嘉)

hFE:200-350

数据手册

100+
￥0.0558
1000+
￥0.045
3000+
￥0.0355
9000+
￥0.0319
51000+
￥0.0287
99000+
￥0.027

有货

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型号：SS8550 编号：C916393

封装：SOT-23

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

专为低至中等电压、大电流环境下的高增益放大及开关应用设计，是各类电子设备电路的理想半导体元件。

数据手册

50+
￥0.0565
500+
￥0.0447
3000+
￥0.0339
6000+
￥0.03
24000+
￥0.0265
45000+
￥0.0247

有货

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型号：MMBT2222 编号：C2891810

封装：SOT-23

品牌：YONGYUTAI(永裕泰)

特性：与MMBT2907互补

数据手册

50+
￥0.0707
500+
￥0.0556
3000+
￥0.0434
6000+
￥0.0383
24000+
￥0.034
51000+
￥0.0316

有货

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型号：S9012 2T1(RANGE:200-350) 编号：C8543

封装：SOT-23

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

丝印2T1

数据手册

50+
￥0.0927
500+
￥0.0732
3000+
￥0.0624
6000+
￥0.056
24000+
￥0.0503
51000+
￥0.0473

有货

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型号：S8050(RANGE:120-200) 编号：C105433

封装：SOT-23

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：与S8550互补。集电极电流:Ic = 0.5A

数据手册

50+
￥0.095
500+
￥0.075
3000+
￥0.0638
6000+
￥0.0572
24000+
￥0.0514
51000+
￥0.0483

有货

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型号：SS8050W 编号：C5189252

封装：SOT-323

品牌：TWGMC(迪嘉)

?晶体管类型：NPN集射极击穿电压(Vceo)：25V 集电极电流(Ic)：1.5A 功率(Pd)：200mW 集电极截止电流(Icbo)：100nA

数据手册

50+
￥0.1199
500+
￥0.094
3000+
￥0.079
6000+
￥0.0704
24000+
￥0.0629
51000+
￥0.0589

有货

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型号：AO3400-HXY 编号：C4748804

封装：SOT-23

该款消费级N沟道MOSFET采用紧凑SOT-23封装，额定电压30V，可承载5.8A大电流。具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

数据手册

50+
￥0.1268
500+
￥0.1022
3000+
￥0.0788
6000+
￥0.0706
24000+
￥0.0635
51000+
￥0.0597

有货

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型号：SI2301 编号：C181086

封装：SOT-23