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首页 > 热门关键词 > 晶体管
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带ESD防护,N沟道,60V,0.3A,1.85Ω@10V;应用领域:开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。
数据手册
  • 20+

    ¥0.1515
  • 200+

    ¥0.1189
  • 600+

    ¥0.1008
  • 3000+

    ¥0.0899
  • 9000+

    ¥0.0805
  • 21000+

    ¥0.0754
  • 有货
  • 该 PNP 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。
    数据手册
    • 50+

      ¥0.136
    • 500+

      ¥0.1146
    • 3000+

      ¥0.0817
    • 6000+

      ¥0.0746
    • 24000+

      ¥0.0684
    • 51000+

      ¥0.065
  • 有货
  • 集基耐压:40V 特性:适合大电流高功率信号放大
    • 20+

      ¥0.1376
    • 200+

      ¥0.1079
    • 1000+

      ¥0.0914
    • 2000+

      ¥0.0815
    • 10000+

      ¥0.0729
    • 20000+

      ¥0.0683
  • 有货
    • 20+

      ¥0.1502
    • 200+

      ¥0.1178
    • 600+

      ¥0.0998
    • 3000+

      ¥0.089
    • 9000+

      ¥0.0797
  • 有货
  • P沟道,-30V,-4.2A,42mΩ@-10V,-0.8V@-250uA;应用领域:DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1577
    • 200+

      ¥0.1462
    • 600+

      ¥0.1399
    • 3000+

      ¥0.1042
    • 9000+

      ¥0.1009
    • 21000+

      ¥0.0991
  • 有货
  • 漏源耐压:30V 漏极电流:5.8A 大体积 N MOS
    • 20+

      ¥0.165965 ¥0.1747
    • 200+

      ¥0.127965 ¥0.1347
    • 600+

      ¥0.106875 ¥0.1125
    • 3000+

      ¥0.09424 ¥0.0992
    • 9000+

      ¥0.083315 ¥0.0877
    • 21000+

      ¥0.077425 ¥0.0815
  • 有货
  • 适用于各类中高耐压、低电流应用场景,是您电子项目的优质三极管之选。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.17784 ¥0.2223
    • 200+

      ¥0.1412 ¥0.1765
    • 600+

      ¥0.1208 ¥0.151
    • 3000+

      ¥0.10856 ¥0.1357
    • 9000+

      ¥0.09792 ¥0.1224
    • 21000+

      ¥0.09224 ¥0.1153
  • 有货
  • 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):4A 功率(Pd):0.35W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):55mΩ@10V,4A N沟道,30V,4A
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2178 ¥0.242
    • 100+

      ¥0.1737 ¥0.193
    • 300+

      ¥0.14922 ¥0.1658
    • 3000+

      ¥0.12222 ¥0.1358
    • 6000+

      ¥0.10944 ¥0.1216
    • 9000+

      ¥0.1026 ¥0.114
  • 有货
  • 特性:VDS(V)=-12V。 RDS(ON) < 50mΩ (VGS =-4.5V)。 RDS(ON) < 85mΩ (VGS =-2.5V)。 RDS(ON) < 125mΩ (VGS =-1.8V)。 超低导通电阻P沟道MOSFET。 快速开关
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2276
    • 200+

      ¥0.1726
    • 600+

      ¥0.1421
    • 3000+

      ¥0.1203
    • 9000+

      ¥0.1044
    • 21000+

      ¥0.0959
  • 有货
  • 这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2315
    • 200+

      ¥0.1781
    • 600+

      ¥0.1484
    • 2000+

      ¥0.1306
    • 8000+

      ¥0.1188
    • 16000+

      ¥0.1105
  • 有货
  • P沟道,-12V -4.3A
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2372
    • 200+

      ¥0.1892
    • 600+

      ¥0.1652
    • 3000+

      ¥0.1447
    • 9000+

      ¥0.1303
    • 21000+

      ¥0.123
  • 有货
  • 采用小型SOT23(TO - 236AB)表面贴装器件(SMD)塑料封装的PNP通用晶体管。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2398
    • 200+

      ¥0.1982
    • 600+

      ¥0.175
    • 3000+

      ¥0.1597
    • 9000+

      ¥0.1477
    • 21000+

      ¥0.1412
  • 有货
  • 这款P沟道逻辑电平MOSFET采用先进的功率沟槽工艺制造,该工艺经过特别设计,可最大限度地降低导通电阻,同时保持低栅极电荷,以实现卓越的开关性能。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2482
    • 200+

      ¥0.1929
    • 600+

      ¥0.1622
    • 3000+

      ¥0.1398
    • 9000+

      ¥0.1238
    • 21000+

      ¥0.1152
  • 有货
  • 晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):30V 集电极电流(Ic):3A 功率(Pd):500mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@1A,2V GR档(200-400) NPN
    数据手册
    • 10+

      ¥0.278721 ¥0.2997
    • 100+

      ¥0.226083 ¥0.2431
    • 300+

      ¥0.199671 ¥0.2147
    • 1000+

      ¥0.156891 ¥0.1687
    • 5000+

      ¥0.141081 ¥0.1517
    • 10000+

      ¥0.133176 ¥0.1432
  • 有货
  • 特性:NPN互补于BCX54、BCX55、BCX56。 低电压。 高电流。应用:中功率通用。 音频放大器的驱动级
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2964
    • 100+

      ¥0.2387
    • 300+

      ¥0.2099
    • 1000+

      ¥0.1882
    • 5000+

      ¥0.1709
    • 10000+

      ¥0.1623
  • 有货
  • 特性:PNP与BCX51、BCX52、BCX53互补。 低电压。 高电流。应用:音频放大器的驱动级
    • 10+

      ¥0.3017
    • 100+

      ¥0.2431
    • 300+

      ¥0.2139
    • 1000+

      ¥0.1919
    • 5000+

      ¥0.1743
    • 10000+

      ¥0.1655
  • 有货
  • 特性:高电流(最大 1 A)。 低电压(最大 80 V)。应用:音频和视频放大器的驱动级
    数据手册
    • 10+

      ¥0.32395 ¥0.341
    • 100+

      ¥0.26562 ¥0.2796
    • 300+

      ¥0.236455 ¥0.2489
    • 1000+

      ¥0.1843 ¥0.194
    • 5000+

      ¥0.16682 ¥0.1756
    • 10000+

      ¥0.15808 ¥0.1664
  • 有货
  • 特性:结合先进的沟槽MOSFET技术和低电阻封装,提供极低的导通电阻RDS(ON)。 VDS(V) = 30V。 ID = 10.5A (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 17mΩ (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 23mΩ (VGS = 4.5V)。应用:负载开关。 电池保护
    • 10+

      ¥0.3536
    • 100+

      ¥0.2785
    • 300+

      ¥0.2409
    • 3000+

      ¥0.2091
    • 6000+

      ¥0.1866
    • 9000+

      ¥0.1753
  • 有货
  • 特性:与2SA1797互补。 功率耗散为500mW。 高稳定性和高可靠性。 符合J-STD-020的MSL 1级,LF最大峰值为260℃
    • 10+

      ¥0.3685
    • 100+

      ¥0.2897
    • 300+

      ¥0.2503
    • 1000+

      ¥0.2207
    • 5000+

      ¥0.1971
    • 10000+

      ¥0.1852
  • 有货
  • CJ2309A采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻RDS(on)。该器件适用于作为单向或双向负载开关。
    • 10+

      ¥0.3827
    • 100+

      ¥0.3088
    • 300+

      ¥0.2718
    • 3000+

      ¥0.2441
    • 6000+

      ¥0.2219
    • 9000+

      ¥0.2108
  • 有货
  • 3401P-MS采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。3401P-MS P沟道增强型功率MOSFET
    • 10+

      ¥0.398715 ¥0.4197
    • 100+

      ¥0.318915 ¥0.3357
    • 300+

      ¥0.279015 ¥0.2937
    • 1000+

      ¥0.24909 ¥0.2622
    • 5000+

      ¥0.22515 ¥0.237
    • 10000+

      ¥0.213085 ¥0.2243
  • 有货
  • 特性:与D882互补。 低速开关。 表面贴装器件
    数据手册
    • 10+

      ¥0.403845 ¥0.4251
    • 100+

      ¥0.32281 ¥0.3398
    • 300+

      ¥0.282245 ¥0.2971
    • 1000+

      ¥0.217265 ¥0.2287
    • 5000+

      ¥0.192945 ¥0.2031
    • 10000+

      ¥0.180785 ¥0.1903
  • 有货
  • 结合先进的沟槽MOSFET技术和低电阻封装,具有极低的导通电阻,适用于负载开关和电池保护应用。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4403
    • 100+

      ¥0.3462
    • 300+

      ¥0.2992
    • 3000+

      ¥0.242
    • 6000+

      ¥0.2137
    • 9000+

      ¥0.1996
  • 有货
  • 特性:与BCP54、BCP55、BCP56互补。 功率耗散为1.5W。 高稳定性和高可靠性。 符合J-STD-020的MSL 1级,LF最大峰值为260℃
    • 10+

      ¥0.4906
    • 100+

      ¥0.3946
    • 300+

      ¥0.3466
    • 2500+

      ¥0.3106
    • 5000+

      ¥0.2818
    • 10000+

      ¥0.2673
  • 有货
  • 1个N沟道 耐压:60V 电流:30A适用于电源开关和信号控制
    • 5+

      ¥0.51831 ¥0.5759
    • 50+

      ¥0.41031 ¥0.4559
    • 150+

      ¥0.35631 ¥0.3959
    • 500+

      ¥0.31581 ¥0.3509
    • 2500+

      ¥0.28341 ¥0.3149
    • 5000+

      ¥0.26712 ¥0.2968
  • 有货
  • 这款N型场效应管具有0.1A的电流处理能力和240V的电压承受范围。其内阻典型值为3000mΩ,VGS为20V。适用于需要低功耗和高稳定性的应用场景,如电源管理、信号放大及开关控制等,确保系统高效运行。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5582
    • 50+

      ¥0.458
    • 150+

      ¥0.4079
    • 500+

      ¥0.3703
    • 3000+

      ¥0.3031
    • 6000+

      ¥0.2881
  • 有货
  • P沟道,-30V,-10.5A,13.5mΩ@-10V,-10A,-1.5V@-250uA;应用领域:DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5947
    • 50+

      ¥0.468
    • 150+

      ¥0.4046
    • 500+

      ¥0.3571
    • 3000+

      ¥0.3191
    • 6000+

      ¥0.3
  • 有货
  • 这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6008
    • 50+

      ¥0.4793
    • 150+

      ¥0.4186
    • 500+

      ¥0.3731
    • 3000+

      ¥0.3274
    • 6000+

      ¥0.3091
  • 有货
  • 双N沟道,60V,320mA
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6217
    • 50+

      ¥0.4902
    • 150+

      ¥0.4244
    • 500+

      ¥0.375
    • 3000+

      ¥0.3356
    • 6000+

      ¥0.3158
  • 有货
  • 采用小型 SOT23(TO - 236AB)表面贴装器件(SMD)塑料封装的 PNP 低 VCEsat 晶体管。互补 NPN 型:PBSS4320T
    数据手册
    • 5+

      ¥0.708576 ¥1.1616
    • 50+

      ¥0.444159 ¥0.8709
    • 150+

      ¥0.305983 ¥0.7463
    • 500+

      ¥0.242228 ¥0.5908
    • 3000+

      ¥0.213856 ¥0.5216
    • 6000+

      ¥0.1968 ¥0.48
  • 有货
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