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N沟道,电流:5.8A,耐压:30V
型号：AO3400A 编号：C5224194
封装：SOT23-3L
品牌：ElecSuper(静芯)
N沟道，30V，5.8A，21mΩ@10V,5.8A，1.0V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
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  • 20+

    ￥0.1501

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    ￥0.1042

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    hfe=100~300 PNP 电流:0.2A 电压:40V
    型号：MMBT3906 2A(RANGE:100-300) 编号：C2143
    封装：SOT-23
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    丝印2A
    数据手册

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      ￥0.0386

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      ￥0.0365
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    NPN 电流:0.6A 电压:40V
    型号：MMBT2222 编号：C2891810
    封装：SOT-23
    品牌：YONGYUTAI(永裕泰)
    特性：与MMBT2907互补
    数据手册

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      ￥0.0707

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      ￥0.0316
  • 有货
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    H档(200-350) PNP 电流:500mA 电压:25V
    型号：S9012 2T1(RANGE:200-350) 编号：C8543
    封装：SOT-23
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    丝印2T1
    数据手册

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      ￥0.0927

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      ￥0.0732

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      ￥0.056

    • 24000+

      ￥0.0503

    • 51000+

      ￥0.0473
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    L档 120-200 NPN 电流:500mA 电压:25V
    型号：S8050(RANGE:120-200) 编号：C105433
    封装：SOT-23
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：与S8550互补。集电极电流:Ic = 0.5A
    数据手册

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      ￥0.095

    • 500+

      ￥0.075

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      ￥0.0572

    • 24000+

      ￥0.0514

    • 51000+

      ￥0.0483
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    NPN 电流:1.5A 电压:25V
    型号：SS8050W 编号：C5189252
    封装：SOT-323
    品牌：TWGMC(迪嘉)
    ?晶体管类型：NPN集射极击穿电压(Vceo)：25V 集电极电流(Ic)：1.5A 功率(Pd)：200mW 集电极截止电流(Icbo)：100nA
    数据手册

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      ￥0.1199

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      ￥0.0589
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    1个N沟道 耐压:30V 电流:5.8A
    型号：AO3400-HXY 编号：C4748804
    封装：SOT-23
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该款消费级N沟道MOSFET采用紧凑SOT-23封装，额定电压30V，可承载5.8A大电流。具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
    数据手册

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      ￥0.1268

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      ￥0.1022

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      ￥0.0635

    • 51000+

      ￥0.0597
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    NPN 电流:100mA 电压:45V
    型号：BC847C,215 编号：C8664
    封装：SOT-23
    品牌：Nexperia(安世)
    NPN通用晶体管，采用小型SOT23 (TO-236AB)表面贴装器件(SMD)塑料封装。
    数据手册

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    1个N沟道 耐压:30V 电流:0.1A
    型号：2SK3018 编号：C194460
    封装：SOT-323
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    N沟道,30V,100mA
    数据手册

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    NPN 电压:160V
    型号：2N5551 编号：C7529570
    封装：SOT-23
    品牌：RUILON(瑞隆源)
    特性：产品材料符合RoHS要求且无卤素。 S前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用；通过AEC-Q101认证且具备生产件批准程序（PPAP）能力

    • 20+

      ￥0.189376 ￥0.2152

    • 200+

      ￥0.148368 ￥0.1686

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      ￥0.125576 ￥0.1427

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      ￥0.100144 ￥0.1138

    • 21000+

      ￥0.09372 ￥0.1065
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    1个P沟道 耐压:12V 电流:4.1A
    型号：SI2305 编号：C181088
    封装：SOT-23
    品牌：Hottech(合科泰)
    特性：高密集单元设计，实现极低的导通电阻（RDS(ON)）。 坚固可靠。 外壳材料：模塑塑料
    数据手册

    • 20+

      ￥0.196935 ￥0.2073

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      ￥0.155895 ￥0.1641

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      ￥0.133095 ￥0.1401

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      ￥0.10526 ￥0.1108

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      ￥0.098895 ￥0.1041
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    1个N沟道 耐压:20V 电流:3A
    型号：SI2302 编号：C344009
    封装：SOT-23
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    MOSFET,N-channel 20V/10V 4A VGS(th)=0.9V 30mΩ@3A&4.5V,SOT-23
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2007

    • 200+

      ￥0.1602

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      ￥0.1377

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      ￥0.1114

    • 9000+

      ￥0.0997

    • 21000+

      ￥0.0934
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:3A
    型号：SI2310 编号：C2938374
    封装：SOT-23
    品牌：GOODWORK(固得沃克)
    1个N沟道 耐压:60V 电流:3A适用于电源开关和信号控制
    数据手册

    • 20+

      ￥0.20601 ￥0.2289

    • 200+

      ￥0.16704 ￥0.1856

    • 600+

      ￥0.14544 ￥0.1616

    • 3000+

      ￥0.11475 ￥0.1275

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      ￥0.1035 ￥0.115

    • 30000+

      ￥0.09747 ￥0.1083
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:600mA 电压:40V
    型号：PMBT4401,215 编号：C81180
    封装：SOT-23
    品牌：Nexperia(安世)
    采用小型SOT23表面贴装器件（SMD）塑料封装的NPN开关晶体管。PNP互补型号：PMBT4403。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2087

    • 200+

      ￥0.1664

    • 600+

      ￥0.1428

    • 3000+

      ￥0.120959 ￥0.1247

    • 9000+

      ￥0.109125 ￥0.1125

    • 21000+

      ￥0.102723 ￥0.1059
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:20V 电流:6A
    型号：AO3416A 编号：C347499
    封装：SOT-23
    品牌：UMW(友台半导体)
    特性：使用先进沟槽技术，提供出色的导通电阻、低栅极电荷。 可在低至1.8V的栅极电压下工作。 适用于负载开关或PWM应用。 具备ESD保护。 VDS(V) = 20V。 ID = 6A(VGS = 4.5V)。 RDS(ON) < 25mΩ(VGS = 4.5V)。 RDS(ON) < 33mΩ(VGS = 2.5V)。 RDS(ON) < 51mΩ(VGS = 1.8V)
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2254

    • 200+

      ￥0.177

    • 600+

      ￥0.1502

    • 3000+

      ￥0.1246

    • 9000+

      ￥0.1106

    • 21000+

      ￥0.1031
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:20V 电流:4A
    型号：AO3415A 编号：C347479
    封装：SOT-23
    品牌：UMW(友台半导体)
    特性：使用先进沟槽技术，提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至1.8V的栅极电压下工作。 漏源击穿电压V(BR)DSS为 -20V。 漏极电流ID为 -4A。 最大导通电阻RDS(ON)：在 -4.5V时为36mΩ，在 -2.5V时为60mΩ。 出色的导通电阻RDS(ON)。 低栅极电荷。应用：负载开关。 PWM应用
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2336

    • 200+

      ￥0.183

    • 600+

      ￥0.1549

    • 3000+

      ￥0.1276

    • 9000+

      ￥0.113

    • 21000+

      ￥0.1051
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:40V 电流:5.6A
    型号：SI2318A 编号：C2681218
    封装：SOT-23
    品牌：UMW(友台半导体)
    特性：使用先进的沟槽技术，提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。 VDS(V) = 40V。 ID = 5.6A (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 36mΩ (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 46mΩ (VGS = 4.5V)
    数据手册

    • 20+

      ￥0.247

    • 200+

      ￥0.189

    • 600+

      ￥0.1567

    • 3000+

      ￥0.1262

    • 9000+

      ￥0.1094

    • 21000+

      ￥0.1004
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:200mA 电压:40V
    型号：PMST3904,115 编号：C183270
    封装：SOT-323
    品牌：Nexperia(安世)
    PNP开关晶体管，采用非常小的SOT323 (SC-70)表面贴装器件(SMD)塑料封装。PNP互补型号：PMST3906
    数据手册

    • 10+

      ￥0.2691

    • 100+

      ￥0.2168

    • 300+

      ￥0.1906

    • 3000+

      ￥0.16587 ￥0.171

    • 6000+

      ￥0.150641 ￥0.1553

    • 9000+

      ￥0.142978 ￥0.1474
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:60V 电流:1.25A
    型号：SI2309A 编号：C2681220
    封装：SOT-23
    品牌：UMW(友台半导体)
    特性：VDS(V)=60V。 ID = -1.25A(VGS = -10V)。 RDS(ON)<340mΩ(VGS=-10V)。 RDS(ON)<550mΩ(VGS=-4.5V)。应用：负载功率开关。 接口
    数据手册

    • 10+

      ￥0.2784

    • 100+

      ￥0.2165

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      ￥0.1856

    • 3000+

      ￥0.1515

    • 6000+

      ￥0.1329

    • 9000+

      ￥0.1237
  • 有货
    • 立即购买
    耐压:20V 电流:9A
    型号：FS8205A 编号：C2830320
    封装：SOT-23-6
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    特性：沟槽功率技术。 低RDS(ON)。 低栅极电荷。 针对快速开关应用进行优化。应用：DC/DC和AC/DC转换器中的同步整流。 电信和工业领域的隔离式DC/DC转换器
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3429

    • 100+

      ￥0.2573

    • 300+

      ￥0.2145

    • 3000+

      ￥0.2045

    • 6000+

      ￥0.1789

    • 9000+

      ￥0.166
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    1个P沟道 耐压:30V 电流:10.5A
    型号：AO4435 编号：C5224296
    封装：SOP8
    品牌：ElecSuper(静芯)
    P沟道，-30V，-10.5A，13.5mΩ@-10V,-10A，-1.5V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.4861

    • 50+

      ￥0.4113

    • 150+

      ￥0.3738

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      ￥0.3457

    • 3000+

      ￥0.3233

    • 6000+

      ￥0.312
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    1个P沟道 耐压:30V 电流:12A
    型号：AO4435 编号：C2944310
    封装：SOP-8
    品牌：UMW(友台半导体)
    特性：使用先进沟槽技术，提供出色的导通电阻、低栅极电荷。 可在低至2.5V的栅极电压下工作。 漏源电压（VDS）：-30V。 漏极电流（ID）：-12A。 导通电阻（RDS(ON)）< 20mΩ（VGS = 10V）。应用：电池保护。 其他开关应用
    数据手册

    • 5+

      ￥0.5497

    • 50+

      ￥0.4429

    • 150+

      ￥0.3895

    • 500+

      ￥0.3494

    • 3000+

      ￥0.2661

    • 6000+

      ￥0.25
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:30V 电流:30A
    型号：AP30P30Q 编号：C471913
    封装：PDFN3333-8
    品牌：ALLPOWER(铨力)
    AP30P30Q将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.6971

    • 50+

      ￥0.6088

    • 150+

      ￥0.5658

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    1个N沟道 耐压:40V 电流:5.6A
    型号：Si2318CDS-T1-GE3 编号：C14498
    封装：SOT-23
    品牌：VISHAY(威世)
    N沟道,40V,5.6A,42mΩ@10V
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    2个N沟道 耐压:20V 电流:0.87A
    型号：PMGD280UN,115 编号：C135817
    封装：TSSOP-6(SOT-363)
    品牌：Nexperia(安世)
    采用TrenchMOS™技术、塑料封装的双N沟道增强型场效应晶体管。
    数据手册

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      ￥1.6791

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      ￥0.850725 ￥0.8955
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:320mA
    型号：BSS138PW,115 编号：C193366
    封装：SOT-323
    品牌：Nexperia(安世)
    N沟道,60V,320mA
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      ￥1.9995

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    N沟道增强型MOSFET 1个N沟道 耐压:100V 电流:95A
    型号：HYG053N10NS1C2 编号：C2986239
    封装：PDFN5x6-8L
    品牌：HUAYI(华羿微)
    特性：100V/95A，RDS(ON) = 4.6mΩ（典型值）@VGS = 10V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 有无卤器件（符合RoHS标准）。应用：开关应用。 逆变器系统的电源管理
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    • 1+

      ￥2.44

    • 10+

      ￥1.92

    • 30+

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    1个N沟道 耐压:60V 电流:170A
    型号：HYG025N06LS1C2 编号：C2827231
    封装：PDFN-8(5x6)
    品牌：HUAYI(华羿微)
    特性：60V/170A，RDS(ON) = 2.1mΩ (典型值) @ VGS = 4.5V，RDS(ON) = 3.2mΩ (典型值) @ VGS = 4.5V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 提供无卤器件（符合RoHS标准）。应用：高频负载点同步降压转换器。 电动工具应用
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      ￥1.66
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    电流:500mA 电压:25V
    型号：S8550 编号：C916391
    封装：SOT-23
    品牌：JSMSEMI(杰盛微)
    专为精密电子设备设计，提供高效、稳定的信号放大及开关控制功能。
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    • 100+

      ￥0.035802 ￥0.0459

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      ￥0.020436 ￥0.0262

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      ￥0.018408 ￥0.0236

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      ￥0.017238 ￥0.0221
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    PNP 电流:0.2A 电压:40V
    型号：MMBT3906 编号：C2891809
    封装：SOT-23
    品牌：YONGYUTAI(永裕泰)
    特性：与MMBT3904互补
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    • 50+

      ￥0.0412

    • 500+

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