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这款N沟道功率MOSFET采用了STripFET™ F7技术,其沟槽栅极结构经过优化,可实现极低的导通电阻,同时降低内部电容和栅极电荷,从而实现更快、更高效的开关性能。
数据手册
  • 1+

    ¥6.06
  • 10+

    ¥5.33
  • 30+

    ¥4.64
  • 100+

    ¥4.12
  • 500+

    ¥3.91
  • 1000+

    ¥3.8
  • 有货
  • N沟道,200V,65A,19.7mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥5.1
    • 10+

      ¥4.42
    • 50+

      ¥3.6
    • 100+

      ¥3.21
    • 500+

      ¥3.08
    • 1000+

      ¥3
  • 有货
  • hFE:200-300 小芯片版本,大芯片搜索C916390,适合于低功耗、高增益应用场合,适用于各类精密电子设备及电路设计,是您微型化项目中的理想半导体元件。
    • 100+

      ¥0.0332
    • 1000+

      ¥0.0255
    • 3000+

      ¥0.0216
    • 9000+

      ¥0.0191
    • 45000+

      ¥0.0168
    • 90000+

      ¥0.0156
  • 有货
  • 这款NPN型三极管具有0.5A的电流和25V的电压处理能力,放大倍数介于200-350之间,适用于高速操作,频率可达150MHz。它为电子设备提供了可靠的性能,适合多种应用需求,确保电路的稳定性和高效性。
    数据手册
    • 50+

      ¥0.05
    • 500+

      ¥0.04
    • 3000+

      ¥0.0316
    • 6000+

      ¥0.0283
    • 24000+

      ¥0.0254
    • 51000+

      ¥0.0238
  • 有货
  • 适用于一般开关和低压电源电路、开关速度较快、导通电阻低。
    数据手册
    • 50+

      ¥0.055335 ¥0.0651
    • 500+

      ¥0.04301 ¥0.0506
    • 3000+

      ¥0.036125 ¥0.0425
    • 6000+

      ¥0.03196 ¥0.0376
    • 24000+

      ¥0.02839 ¥0.0334
    • 45000+

      ¥0.026435 ¥0.0311
  • 有货
  • 专为中等电压、中等电流环境下的开关与线性放大应用设计,是各类电子设备电路的理想半导体元件。
    数据手册
    • 50+

      ¥0.05542 ¥0.0652
    • 500+

      ¥0.043605 ¥0.0513
    • 3000+

      ¥0.032385 ¥0.0381
    • 6000+

      ¥0.028475 ¥0.0335
    • 24000+

      ¥0.025075 ¥0.0295
    • 45000+

      ¥0.023205 ¥0.0273
  • 有货
  • hFE:200-350
    数据手册
    • 50+

      ¥0.05624 ¥0.0592
    • 500+

      ¥0.045695 ¥0.0481
    • 3000+

      ¥0.03705 ¥0.039
    • 6000+

      ¥0.033535 ¥0.0353
    • 24000+

      ¥0.030495 ¥0.0321
  • 有货
  • 特性:与SS8550互补。 出色的hFE线性度。 高集电极电流。 表面贴装器件
    数据手册
    • 50+

      ¥0.070015 ¥0.0737
    • 500+

      ¥0.055195 ¥0.0581
    • 3000+

      ¥0.04465 ¥0.047
    • 6000+

      ¥0.03971 ¥0.0418
    • 24000+

      ¥0.035435 ¥0.0373
    • 51000+

      ¥0.03306 ¥0.0348
  • 有货
  • 特性:适用于一般音频应用。 高集电极电流。 高电流增益。 低集电极-发射极饱和电压。 互补类型:BC807(PNP)
    数据手册
    • 50+

      ¥0.071345 ¥0.0751
    • 500+

      ¥0.056525 ¥0.0595
    • 3000+

      ¥0.043985 ¥0.0463
    • 6000+

      ¥0.039045 ¥0.0411
    • 24000+

      ¥0.03477 ¥0.0366
    • 51000+

      ¥0.03249 ¥0.0342
  • 有货
  • 这款N型场效应管,适用于高效能应用。具备2.8A的电流承载能力,最高20V的工作电压,以及43mΩ的典型内阻。其VGS为12V,确保了稳定的性能表现。适合用于对电子系统稳定性和效率有较高要求的场景。
    数据手册
    • 100+

      ¥0.0773
    • 1000+

      ¥0.0624
    • 3000+

      ¥0.0477
    • 9000+

      ¥0.0428
    • 51000+

      ¥0.0385
    • 99000+

      ¥0.0361
  • 有货
  • 特性:使用先进的沟槽技术,提供出色的导通电阻、低栅极电荷,并能在低至2.5V的栅极电压下工作。 VDS = 20V。 RDS(ON) = 45mΩ (VGS = 4.5V),ID = 3.6A。 RDS(ON) = 60mΩ (VGS = 2.5V),ID = 3.1A。应用:电池保护。 其他开关应用
    数据手册
    • 50+

      ¥0.1123
    • 500+

      ¥0.0887
    • 3000+

      ¥0.0723
    • 6000+

      ¥0.0644
    • 24000+

      ¥0.0576
    • 51000+

      ¥0.0539
  • 有货
  • 特性:VDS(V)-20V,Ip = -2.8A。 RDS(ON)<0.112Ω(VGS = -4.5V)。 RDS(ON)<0.142Ω(VGS = -2.5V)。应用:便携式设备的负载开关。 DC/DC转换器
    数据手册
    • 50+

      ¥0.1171
    • 500+

      ¥0.0887
    • 3000+

      ¥0.0716
    • 6000+

      ¥0.0621
    • 24000+

      ¥0.0539
    • 51000+

      ¥0.0494
  • 有货
  • PNP,Vceo=-40V,Ic=-200mA
    数据手册
    • 20+

      ¥0.146
    • 200+

      ¥0.1158
    • 600+

      ¥0.099
    • 3000+

      ¥0.086233 ¥0.0889
    • 9000+

      ¥0.077794 ¥0.0802
    • 21000+

      ¥0.073235 ¥0.0755
  • 有货
  • P沟道,-30V,-4.2A,65mΩ@-10V
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2043
    • 200+

      ¥0.169
    • 600+

      ¥0.1494
    • 3000+

      ¥0.1376
    • 9000+

      ¥0.1274
    • 21000+

      ¥0.1219
  • 有货
  • 采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻和低栅极电荷。适用于负载开关或PWM应用。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.226
    • 200+

      ¥0.1711
    • 600+

      ¥0.1405
    • 3000+

      ¥0.1197
    • 9000+

      ¥0.1038
    • 21000+

      ¥0.0952
  • 有货
  • 采用小型SOT23表面贴装器件(SMD)塑料封装的NPN开关晶体管。PNP互补型号:MMBT3906。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2457
    • 200+

      ¥0.1943
    • 600+

      ¥0.1686
    • 3000+

      ¥0.141814 ¥0.1462
    • 9000+

      ¥0.126779 ¥0.1307
    • 21000+

      ¥0.11931 ¥0.123
  • 有货
  • 特性:VDS(V)=60V。 ID = 3A (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 80mΩ (VGS = 10V), ID = 3A。 RDS(ON) < 95mΩ (VGS = 4.5V), ID = 1.9A。应用:负载电源开关。 接口开关
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2471
    • 200+

      ¥0.1886
    • 600+

      ¥0.1561
    • 3000+

      ¥0.1366
    • 9000+

      ¥0.1197
    • 21000+

      ¥0.1106
  • 有货
  • NPN/PNP通用晶体管对,采用非常小的SOT363 (SC-88)表面贴装器件(SMD)塑料封装。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3083
    • 100+

      ¥0.2442
    • 300+

      ¥0.2121
    • 3000+

      ¥0.184536 ¥0.1864
    • 6000+

      ¥0.165528 ¥0.1672
    • 9000+

      ¥0.156024 ¥0.1576
  • 有货
  • WSP4805是一款高性能沟槽式双P沟道MOSFET,具有极高的单元密度,能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。WSP4805符合RoHS标准和绿色产品要求,100%经过雪崩耐量(EAS)测试,具备完整的功能可靠性认证。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.1198
    • 10+

      ¥1.6915
    • 30+

      ¥1.5079
    • 100+

      ¥1.2788
    • 500+

      ¥1.1768
    • 1000+

      ¥1.0944
  • 有货
  • 该双极功率晶体管适用于通用电源和切换输出,或开关稳压器、转换器和功率放大器应用中的驱动器级。
    数据手册
    • 5+

      ¥2.1575
    • 50+

      ¥1.6764
    • 150+

      ¥1.4416
    • 500+

      ¥1.2321
    • 2500+

      ¥1.1746
    • 5000+

      ¥1.14
  • 有货
  • P沟道增强型场效应晶体管(FET),采用沟槽MOSFET技术,采用小型SOT23(TO 236AB)表面贴装器件(SMD)塑料封装
    数据手册
    • 1+

      ¥2.63
    • 10+

      ¥2.08
    • 30+

      ¥1.85
    • 100+

      ¥1.5132 ¥1.56
    • 500+

      ¥1.3774 ¥1.42
    • 1000+

      ¥1.2707 ¥1.31
  • 有货
  • N沟道,200V,50A,40mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥5.8
    • 10+

      ¥4.97
    • 25+

      ¥3.93
    • 100+

      ¥3.44
    • 350+

      ¥3.29
    • 1050+

      ¥3.2
  • 有货
  • N沟道,500V,20A,270mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥12.22
    • 10+

      ¥10.58
    • 25+

      ¥9.42
    • 100+

      ¥8.37
    • 500+

      ¥7.88
    • 1000+

      ¥7.69
  • 有货
  • hFE:120-200
    • 100+

      ¥0.0338
    • 1000+

      ¥0.0263
    • 3000+

      ¥0.0221
    • 9000+

      ¥0.0196
    • 51000+

      ¥0.0174
    • 99000+

      ¥0.0162
  • 有货
  • 特性:外延平面芯片结构。 有互补PNP类型可供选择。 适用于中功率放大和开关
    数据手册
    • 100+

      ¥0.03546 ¥0.0394
    • 1000+

      ¥0.02862 ¥0.0318
    • 3000+

      ¥0.0225 ¥0.025
    • 9000+

      ¥0.02025 ¥0.0225
    • 51000+

      ¥0.01827 ¥0.0203
    • 99000+

      ¥0.01719 ¥0.0191
  • 有货
  • 特性:与MMBT3906互补的表面贴装器件
    数据手册
    • 50+

      ¥0.04503 ¥0.0474
    • 500+

      ¥0.036005 ¥0.0379
    • 3000+

      ¥0.028025 ¥0.0295
    • 6000+

      ¥0.02508 ¥0.0264
    • 24000+

      ¥0.02242 ¥0.0236
    • 51000+

      ¥0.020995 ¥0.0221
  • 有货
  • 适用于高压、中等电流环境下的线性放大与开关电路设计,是电子设备和工业控制的理想半导体器件。
    数据手册
    • 50+

      ¥0.05054 ¥0.0532
    • 500+

      ¥0.03895 ¥0.041
    • 3000+

      ¥0.031825 ¥0.0335
    • 6000+

      ¥0.028025 ¥0.0295
    • 24000+

      ¥0.024605 ¥0.0259
    • 45000+

      ¥0.0228 ¥0.024
  • 有货
  • 适用于高压、中等电流环境下的开关与线性放大应用,是您精密电子设备和电路设计的理想半导体元件。
    数据手册
    • 50+

      ¥0.05187 ¥0.0546
    • 500+

      ¥0.04066 ¥0.0428
    • 3000+

      ¥0.032015 ¥0.0337
    • 6000+

      ¥0.028215 ¥0.0297
    • 24000+

      ¥0.024985 ¥0.0263
    • 45000+

      ¥0.023275 ¥0.0245
  • 有货
  • 1个N沟道 耐压:20V 电流:2.1A适用于电源开关和信号控制
    • 50+

      ¥0.05634 ¥0.0626
    • 500+

      ¥0.04419 ¥0.0491
    • 3000+

      ¥0.03744 ¥0.0416
    • 6000+

      ¥0.03339 ¥0.0371
    • 30000+

      ¥0.02988 ¥0.0332
    • 45000+

      ¥0.02799 ¥0.0311
  • 有货
  • 特性:与BC856互补。 非常适合自动插入。 适用于开关和音频放大器应用。 表面贴装器件
    数据手册
    • 50+

      ¥0.056715 ¥0.0597
    • 500+

      ¥0.044745 ¥0.0471
    • 3000+

      ¥0.035055 ¥0.0369
    • 6000+

      ¥0.031065 ¥0.0327
    • 24000+

      ¥0.027645 ¥0.0291
    • 51000+

      ¥0.025745 ¥0.0271
  • 有货
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