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NPN 电流:600mA 电压:40V
型号：MMBT4401LT1G 编号：C31776
封装：SOT-23
品牌：onsemi(安森美)
特性：这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，符合 RoHS 标准。 通过 AEC-Q101 认证，具备 PPAP 能力。 S 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用
数据手册

  • 50+

    ￥0.1093

  • 500+

    ￥0.0859

  • 3000+

    ￥0.066

  • 6000+

    ￥0.0582

  • 24000+

    ￥0.0551

  • 51000+

    ￥0.053
  • 有货
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    PNP 电流:200mA 电压:40V
    型号：MMBT3906LT1G 编号：C53444
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    该 PNP 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0974

    • 500+

      ￥0.0767

    • 3000+

      ￥0.0576

    • 6000+

      ￥0.0507

    • 24000+

      ￥0.0479

    • 51000+

      ￥0.046
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:20V 电流:2.1A
    型号：CJ2302 S2 编号：C8548
    封装：SOT-23
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    N沟道,20V,2.1A,60mΩ@4.5V
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1592

    • 200+

      ￥0.123

    • 600+

      ￥0.107

    • 3000+

      ￥0.0949

    • 9000+

      ￥0.0901

    • 21000+

      ￥0.0868
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V 电流:380mA
    型号：2N7002K-7 编号：C85047
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    该MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1738

    • 200+

      ￥0.1342

    • 600+

      ￥0.1166

    • 3000+

      ￥0.0933

    • 9000+

      ￥0.088

    • 21000+

      ￥0.0845
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:30V 电流:4.1A
    型号：CJ3407 编号：C15903
    封装：SOT-23
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    P沟道,-30V,-4.1A,60mΩ@-10V
    数据手册

    • 20+

      ￥0.19

    • 200+

      ￥0.1441

    • 600+

      ￥0.1237

    • 3000+

      ￥0.1084

    • 9000+

      ￥0.1022

    • 21000+

      ￥0.0981
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:12V 电流:4.1A
    型号：CJ2305 编号：C8549
    封装：SOT-23
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    P沟道,-12V,-4.1A,45mΩ@-4.5V
    数据手册

    • 10+

      ￥0.2202

    • 100+

      ￥0.1767

    • 300+

      ￥0.1544

    • 3000+

      ￥0.1308

    • 6000+

      ￥0.1244

    • 9000+

      ￥0.1201
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:30V 电流:4.3A
    型号：AO3407A 编号：C15155
    封装：SOT-23
    品牌：AOS
    P沟道,-30V,-4.3A,48mΩ@-10V
    数据手册

    • 5+

      ￥0.6258

    • 50+

      ￥0.516

    • 150+

      ￥0.4595

    • 500+

      ￥0.413

    • 3000+

      ￥0.3587

    • 6000+

      ￥0.3477
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:30V
    型号：AON7544 编号：C315567
    封装：DFN-8(3x3)
    品牌：AOS
    N沟道,30V,30A
    数据手册

    • 5+

      ￥0.7697

    • 50+

      ￥0.6185

    • 150+

      ￥0.5408

    • 500+

      ￥0.4767

    • 2500+

      ￥0.4544

    • 5000+

      ￥0.4392
  • 有货
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    1个P沟道 耐压:55V 电流:31A
    型号：IRFR5305TRPBF 编号：C2624
    封装：DPAK(TO-252AA)
    品牌：Infineon(英飞凌)
    P沟道,-55V,-31A,65mΩ@-10V
    数据手册

    • 5+

      ￥2.0931

    • 50+

      ￥1.616

    • 150+

      ￥1.3831

    • 500+

      ￥1.1508

    • 2000+

      ￥1.0937

    • 4000+

      ￥1.0594
  • 有货
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    NPN 电流:3A 电压:50V
    型号：PBSS4350Z,135 编号：C49693
    封装：SOT-223
    品牌：Nexperia(安世)
    采用SOT223塑料封装的NPN型低VCEsat晶体管。互补PNP型晶体管：PBSS5350Z。
    数据手册

    • 1+

      ￥2.66

    • 10+

      ￥2.12

    • 30+

      ￥1.86

    • 100+

      ￥1.5714 ￥1.62

    • 500+

      ￥1.5132 ￥1.56

    • 1000+

      ￥1.4744 ￥1.52
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:100V 电流:180A
    型号：IRFB4110PBF 编号：C2650
    封装：TO-220
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,100V,180A,4.5mΩ@10V
    数据手册

    • 1+

      ￥4.13

    • 10+

      ￥3.5

    • 50+

      ￥2.68

    • 100+

      ￥2.31

    • 600+

      ￥2.19

    • 900+

      ￥2.12
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:200V 电流:30A
    型号：IRFP250MPBF 编号：C2676
    封装：TO-247AC-3
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,200V,30A,75mΩ@10V
    数据手册

    • 1+

      ￥4.43

    • 10+

      ￥3.79

    • 25+

      ￥3.02

    • 100+

      ￥2.5175 ￥2.65

    • 400+

      ￥2.4035 ￥2.53

    • 800+

      ￥2.337 ￥2.46
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:80V 电流:100A
    型号：BSC030N08NS5 编号：C501507
    封装：TDSON-8(5x6)
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：针对高性能开关电源（SMPS）进行优化，例如同步整流。 100%雪崩测试。 卓越的热阻。 N沟道。 根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。 无铅引脚镀层，符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
    数据手册

    • 1+

      ￥5.34

    • 10+

      ￥4.51

    • 30+

      ￥3.92

    • 100+

      ￥3.268 ￥3.44

    • 500+

      ￥3.1255 ￥3.29

    • 1000+

      ￥3.04 ￥3.2
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:1500V 电流:2.5A
    型号：STFW3N150 编号：C36207
    封装：TO-3PF
    品牌：ST(意法半导体)
    N沟道,1500V,2.5A,9Ω@10V
    数据手册

    • 1+

      ￥6.13

    • 10+

      ￥5.43

    • 30+

      ￥4.49

    • 90+

      ￥4

    • 510+

      ￥3.8

    • 960+

      ￥3.7
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:150V 电流:171A
    型号：IRFP4568PBF 编号：C2920
    封装：TO-247AC-3
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,150V,171A,5.9mΩ@10V
    数据手册

    • 1+

      ￥12.21

    • 10+

      ￥10.8

    • 25+

      ￥8.8

    • 100+

      ￥7.4955 ￥7.89

    • 500+

      ￥7.0965 ￥7.47

    • 1000+

      ￥6.935 ￥7.3
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V 电流:380mA
    型号：L2N7002SLLT1G 编号：C22446827
    封装：SOT-23
    品牌：LRC(乐山无线电)
    特性：产品材料符合RoHS要求且无卤。 S前缀适用于汽车和其他需要特殊场地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且支持生产件批准程序（PPAP）。 具备ESD保护。 低导通电阻（RDS(on)）。应用：低端负载开关。 电平转换电路

    • 6+

      ￥0.0368

    • 60+

      ￥0.0275

    • 180+

      ￥0.0234

    • 600+

      ￥0.0203

    • 3000+

      ￥0.0191

    • 6000+

      ￥0.0183
  • 有货
    • 立即购买
    电流:500mA 电压:25V
    型号：S8050 编号：C916390
    封装：SOT-23
    品牌：JSMSEMI(杰盛微)
    适用于低功耗、高增益电路设计，是各类精密电子设备和小型化项目的优质选择。
    数据手册

    • 100+

      ￥0.0372

    • 1000+

      ￥0.029

    • 3000+

      ￥0.0215

    • 9000+

      ￥0.0188

    • 45000+

      ￥0.0165

    • 90000+

      ￥0.0152
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:200mA 电压:40V
    型号：MMBT3904 编号：C909754
    封装：SOT-23
    品牌：GOODWORK(固得沃克)
    耐压:40V 电流:200mA NPN (hFE):300@10mA,1V
    数据手册

    • 100+

      ￥0.0433

    • 1000+

      ￥0.0346

    • 3000+

      ￥0.025

    • 9000+

      ￥0.0221

    • 45000+

      ￥0.0196

    • 105000+

      ￥0.0183
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:0.5A 电压:25V
    型号：S8050 编号：C2891804
    封装：SOT-23
    品牌：YONGYUTAI(永裕泰)
    特性：与S8550互补。 集电极电流：Ic = 0.5A
    数据手册

    • 100+

      ￥0.0461

    • 1000+

      ￥0.0369

    • 3000+

      ￥0.0267

    • 9000+

      ￥0.0236

    • 51000+

      ￥0.021

    • 99000+

      ￥0.0195
  • 有货
    • 立即购买
    P沟道 20V 2.3A
    型号：SI2301-ZE 编号：C5261052
    封装：SOT-23
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款消费级P沟道MOSFET采用紧凑型SOT-23封装，专为20V电压系统设计，额定电流2.3A。具备低导通电阻与快速开关性能，广泛应用于充电器、电源管理及各类电子设备中，提供高效、精准的功率控制解决方案。
    数据手册

    • 100+

      ￥0.059

    • 1000+

      ￥0.0528

    • 3000+

      ￥0.0409

    • 9000+

      ￥0.0388

    • 51000+

      ￥0.037

    • 99000+

      ￥0.036
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V 电流:0.3A
    型号：2N7002K 编号：C3008053
    封装：SOT-23
    品牌：MSKSEMI(美森科)
    此款N沟道MOS管采用SOT-23封装，他具备低内阻，低功耗,搭载连续漏极电流(Id)：300MA,VDSS:60V，被广泛应用于各种电子设备中，包括电池供电设备、LED驱动电路、电机控制、逻辑电平转换、保护电路以及各种电源管理应用，是你PCB中理想的7002
    数据手册

    • 50+

      ￥0.05976 ￥0.0664

    • 500+

      ￥0.04617 ￥0.0513

    • 3000+

      ￥0.03969 ￥0.0441

    • 6000+

      ￥0.03519 ￥0.0391

    • 24000+

      ￥0.03123 ￥0.0347

    • 51000+

      ￥0.02916 ￥0.0324
  • 有货
    • 立即购买
    hfe=200~350 NPN 电流:1.5A 电压:25V
    型号：SS8050 编号：C111765
    封装：SOT-23
    品牌：SHIKUES(时科)
    丝印Y1
    数据手册

    • 50+

      ￥0.07562 ￥0.0796

    • 500+

      ￥0.05985 ￥0.063

    • 3000+

      ￥0.052915 ￥0.0557

    • 6000+

      ￥0.047595 ￥0.0501

    • 24000+

      ￥0.043035 ￥0.0453

    • 51000+

      ￥0.040565 ￥0.0427
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:600mA 电压:40V
    型号：MMBT2222A 编号：C727131
    封装：SOT-23
    品牌：TWGMC(迪嘉)
    特性：外延平面芯片结构。 有互补PNP型（MMBT2907A）
    数据手册

    • 50+

      ￥0.083

    • 500+

      ￥0.0668

    • 3000+

      ￥0.0532

    • 6000+

      ￥0.0478

    • 24000+

      ￥0.0431

    • 51000+

      ￥0.0405
  • 有货
    • 立即购买
    PNP 电流:600mA 电压:60V
    型号：PMBT2907A,215 编号：C8665
    封装：SOT-23
    品牌：Nexperia(安世)
    PNP开关晶体管，采用小型SOT23 (TO-236AB)表面贴装器件(SMD)塑料封装。NPN互补型号为PMBT2222A。40V变体型号为PMBT2907
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1405

    • 200+

      ￥0.1093

    • 600+

      ￥0.092

    • 3000+

      ￥0.079398 ￥0.0802

    • 9000+

      ￥0.070488 ￥0.0712

    • 21000+

      ￥0.065736 ￥0.0664
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V 电流:115mA
    型号：2N7002LT1G 编号：C16338
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    N沟道,60V,0.115A,7.5Ω@10V
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1952

    • 200+

      ￥0.1509

    • 600+

      ￥0.1312

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    1个N沟道 耐压:25V 电流:0.22A
    型号：FDV301N 编号：C15310
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    此 N 沟道逻辑电平增强型场效应晶体管是使用高单元密度的 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件是专为在低压应用中替代数字晶体管而设计的。因为无需偏置电阻，所以此单 N 沟道 FET 可以替代若干具有各种偏置电阻值的数字晶体管。
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    hfe=100~250 PNP 电流:1A 电压:80V
    型号：BCX53-16(RANGE:100-250) 编号：C15237
    封装：SOT-89-3L
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：NPN互补于BCX54、BCX55、BCX56。 低电压。 高电流。应用：中功率通用。 音频放大器的驱动级
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    1个N沟道 耐压:55V 电流:17A
    型号：IRFR024NTRPBF 编号：C2583
    封装：DPAK(TO-252AA)
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,55V,17A,75mΩ@10V
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    1个N沟道 耐压:100V 电流:9.4A
    型号：IRFR120NTRPBF 编号：C3008
    封装：DPAK(TO-252AA)
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,100V,9.4A,210mΩ@10V
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    1个N沟道 耐压:100V 电流:42A
    型号：IRFP150NPBF 编号：C212023
    封装：TO-247AC-3
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,Vdss=100V,Ic=42A
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