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首页 > 热门关键词 > 晶体管
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特性:与SS8550互补
  • 50+

    ¥0.07942 ¥0.0836
  • 500+

    ¥0.06498 ¥0.0684
  • 3000+

    ¥0.053105 ¥0.0559
  • 6000+

    ¥0.04826 ¥0.0508
  • 24000+

    ¥0.04408 ¥0.0464
  • 51000+

    ¥0.041895 ¥0.0441
  • 有货
    • 100+

      ¥0.04199 ¥0.0442
    • 1000+

      ¥0.032775 ¥0.0345
    • 3000+

      ¥0.025365 ¥0.0267
    • 9000+

      ¥0.02223 ¥0.0234
    • 51000+

      ¥0.01957 ¥0.0206
    • 99000+

      ¥0.018145 ¥0.0191
  • 有货
  • 特性:外延平面芯片结构。 有互补PNP类型(MMBT3906)。 适用于中功率放大和开关
    数据手册
    • 50+

      ¥0.043
    • 500+

      ¥0.036
    • 3000+

      ¥0.0275
    • 6000+

      ¥0.0251
    • 24000+

      ¥0.0231
    • 51000+

      ¥0.022
  • 有货
  • 放大倍数200-300 500MA电流
    数据手册
    • 50+

      ¥0.045
    • 500+

      ¥0.0342
    • 3000+

      ¥0.0314
    • 6000+

      ¥0.0278
    • 24000+

      ¥0.0247
    • 51000+

      ¥0.023
  • 有货
  • 特性:与S8050互补。 出色的hFE线性度。 高集电极电流。 表面贴装器件
    数据手册
    • 50+

      ¥0.05016 ¥0.0528
    • 500+

      ¥0.039045 ¥0.0411
    • 3000+

      ¥0.033155 ¥0.0349
    • 6000+

      ¥0.02945 ¥0.031
    • 24000+

      ¥0.026315 ¥0.0277
    • 51000+

      ¥0.02451 ¥0.0258
  • 有货
  • 特性:与S9015互补
    数据手册
    • 100+

      ¥0.050445 ¥0.0531
    • 1000+

      ¥0.040185 ¥0.0423
    • 3000+

      ¥0.032015 ¥0.0337
    • 9000+

      ¥0.028595 ¥0.0301
    • 51000+

      ¥0.025555 ¥0.0269
    • 99000+

      ¥0.02394 ¥0.0252
  • 有货
  • 晶体管类型:PNP 集射极击穿电压(Vceo):25V 集电极电流(Ic):500mA 功率(Pd):300mW
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0539
    • 500+

      ¥0.0431
    • 3000+

      ¥0.0321
    • 6000+

      ¥0.0285
    • 24000+

      ¥0.0253
    • 51000+

      ¥0.0237
  • 有货
  • 特性:高集电极电流。 与SS8050互补
    • 50+

      ¥0.057095 ¥0.0601
    • 500+

      ¥0.04465 ¥0.047
    • 3000+

      ¥0.03743 ¥0.0394
    • 6000+

      ¥0.03325 ¥0.035
    • 24000+

      ¥0.02964 ¥0.0312
    • 51000+

      ¥0.02774 ¥0.0292
  • 有货
  • 这款N型场效应管,适用于精确控制小电流的电子设备。其参数为:最大电流0.3A,耐压60V,内阻典型值1000mR,栅源极电压VGS为20V。适用于电源管理、信号放大等应用,确保电路稳定高效。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.06204 ¥0.0705
    • 200+

      ¥0.050688 ¥0.0576
    • 600+

      ¥0.04444 ¥0.0505
    • 3000+

      ¥0.035112 ¥0.0399
    • 9000+

      ¥0.031768 ¥0.0361
    • 21000+

      ¥0.030008 ¥0.0341
  • 有货
  • 丝印J3Y
    数据手册
    • 50+

      ¥0.065455 ¥0.0689
    • 500+

      ¥0.051965 ¥0.0547
    • 3000+

      ¥0.04446 ¥0.0468
    • 6000+

      ¥0.0399 ¥0.042
    • 24000+

      ¥0.036005 ¥0.0379
    • 51000+

      ¥0.033915 ¥0.0357
  • 有货
  • 特性:与SS8050互补。 出色的hFE线性度。 高集电极电流。 表面贴装器件
    数据手册
    • 50+

      ¥0.06973 ¥0.0734
    • 500+

      ¥0.05434 ¥0.0572
    • 3000+

      ¥0.05054 ¥0.0532
    • 6000+

      ¥0.04541 ¥0.0478
    • 24000+

      ¥0.040945 ¥0.0431
    • 51000+

      ¥0.038475 ¥0.0405
  • 有货
  • 特性:与MMBT5401互补。 适用于中功率放大和开关
    数据手册
    • 50+

      ¥0.069828 ¥0.0759
    • 500+

      ¥0.0552 ¥0.06
    • 3000+

      ¥0.043332 ¥0.0471
    • 6000+

      ¥0.038456 ¥0.0418
    • 24000+

      ¥0.034316 ¥0.0373
    • 51000+

      ¥0.032016 ¥0.0348
  • 有货
  • 本款SOT-23封装NPN型三极管,具有25V高耐压VCEO及1.5A大电流处理能力,放大倍数稳定在200至300区间,特别适用于需要高效能、大电流信号放大的电子应用场合。
    • 50+

      ¥0.07
    • 500+

      ¥0.0553
    • 3000+

      ¥0.0471
    • 6000+

      ¥0.0421
    • 24000+

      ¥0.0379
    • 51000+

      ¥0.0356
  • 有货
  • 特性:低漏电流:ICEX = 50nA(最大值),IBL = 50nA(最大值),VCE = 30V,VEB = 3V。 出色的直流电流增益线性度。 低饱和电压:VCE(sat) = 0.3V(最大值),IC = 50mA,IB = 5mA。 低集电极输出电容:Cob = 4pF(最大值),VCB = 5V。 与2N3906S互补
    数据手册
    • 25+

      ¥0.0712
    • 250+

      ¥0.0571
    • 750+

      ¥0.0493
    • 3000+

      ¥0.039298 ¥0.0401
    • 12000+

      ¥0.03528 ¥0.036
    • 24000+

      ¥0.033124 ¥0.0338
  • 有货
  • 丝印: M6
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0777
    • 500+

      ¥0.0623
    • 3000+

      ¥0.0537
    • 6000+

      ¥0.0486
    • 24000+

      ¥0.0441
    • 51000+

      ¥0.0417
  • 有货
  • N沟道,60V,0.115A,225mW
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0805
    • 500+

      ¥0.0627
    • 3000+

      ¥0.0528
    • 6000+

      ¥0.0468
    • 24000+

      ¥0.0417
    • 51000+

      ¥0.0389
  • 有货
  • 特性:与MMBT2907A互补。 外延平面管芯结构。 表面贴装器件
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0808
    • 500+

      ¥0.0646
    • 3000+

      ¥0.0532
    • 6000+

      ¥0.0478
    • 24000+

      ¥0.0431
    • 51000+

      ¥0.0405
  • 有货
  • 1N(1N表示丝印)
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0933
    • 500+

      ¥0.0738
    • 3000+

      ¥0.0547
    • 6000+

      ¥0.0482
    • 24000+

      ¥0.0426
    • 51000+

      ¥0.0396
  • 有货
  • 特性:高密度单元设计,实现低导通电阻RDS(on)。 电压控制小信号开关。 坚固可靠。 高饱和电流能力。 ESD保护。应用:便携式设备的负载开关。 DC/DC转换器
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0998
    • 500+

      ¥0.0792
    • 3000+

      ¥0.0662
    • 6000+

      ¥0.0594
    • 24000+

      ¥0.0534
    • 51000+

      ¥0.0502
  • 有货
  • 特性:与MMBT5401互补,非常适合中功率放大和开关
    数据手册
    • 50+

      ¥0.1023
    • 500+

      ¥0.0829
    • 3000+

      ¥0.0692
    • 6000+

      ¥0.0627
    • 24000+

      ¥0.0571
    • 51000+

      ¥0.054
  • 有货
  • 此款消费级N沟道MOSFET采用小型SOT-23封装,专为20V电压系统设计,额定电流高达3A。具备低导通电阻与快速开关特性,广泛应用于充电器、电源管理及各种电子设备的负载切换与高效功率控制场景。
    数据手册
    • 50+

      ¥0.1115
    • 500+

      ¥0.0909
    • 3000+

      ¥0.0684
    • 6000+

      ¥0.0615
    • 24000+

      ¥0.0556
    • 51000+

      ¥0.0523
  • 有货
  • 这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.117825 ¥0.1571
    • 200+

      ¥0.091125 ¥0.1215
    • 600+

      ¥0.076275 ¥0.1017
    • 3000+

      ¥0.06735 ¥0.0898
    • 9000+

      ¥0.059625 ¥0.0795
    • 21000+

      ¥0.0555 ¥0.074
  • 有货
  • N沟道,20V,4.0A,,25.0mΩ@4.5V,0.75V@250uA;应用领域:DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1191
    • 200+

      ¥0.1086
    • 600+

      ¥0.1028
    • 3000+

      ¥0.0798
    • 9000+

      ¥0.0767
    • 21000+

      ¥0.0751
  • 有货
  • 应用:通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1235
    • 200+

      ¥0.1129
    • 600+

      ¥0.1071
    • 3000+

      ¥0.0604
    • 9000+

      ¥0.0573
    • 21000+

      ¥0.0557
  • 有货
  • N沟道,60V,0.2A,RDS(on) = 3.5Ω@5V
    数据手册
    • 20+

      ¥0.13813 ¥0.1454
    • 200+

      ¥0.111625 ¥0.1175
    • 600+

      ¥0.096995 ¥0.1021
    • 3000+

      ¥0.07125 ¥0.075
    • 9000+

      ¥0.063555 ¥0.0669
    • 21000+

      ¥0.05947 ¥0.0626
  • 有货
  • 遥控器专用芯片R25
    数据手册
    • 20+

      ¥0.19133 ¥0.2014
    • 200+

      ¥0.152095 ¥0.1601
    • 600+

      ¥0.13034 ¥0.1372
    • 3000+

      ¥0.115045 ¥0.1211
    • 9000+

      ¥0.10374 ¥0.1092
    • 21000+

      ¥0.09766 ¥0.1028
  • 有货
  • MOSFET,P-channel 20/10V 3A VGS(th)=0.7V 64mΩ@3A&4.5V,SOT-23
    数据手册
    • 50+

      ¥0.201
    • 500+

      ¥0.1686
    • 3000+

      ¥0.1265
    • 6000+

      ¥0.1157
    • 24000+

      ¥0.1063
    • 51000+

      ¥0.1013
  • 有货
  • 应用:通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
    数据手册
    • 20+

      ¥0.202
    • 200+

      ¥0.1854
    • 600+

      ¥0.1762
    • 3000+

      ¥0.1074
    • 9000+

      ¥0.1026
    • 21000+

      ¥0.1
  • 有货
  • 应用:通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2034
    • 200+

      ¥0.1659
    • 600+

      ¥0.1451
    • 3000+

      ¥0.1059
    • 9000+

      ¥0.095
    • 21000+

      ¥0.0892
  • 有货
  • 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):4A 功率(Pd):0.35W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):55mΩ@10V,4A N沟道,30V,4A
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2196 ¥0.244
    • 100+

      ¥0.17514 ¥0.1946
    • 300+

      ¥0.15039 ¥0.1671
    • 3000+

      ¥0.12321 ¥0.1369
    • 6000+

      ¥0.11034 ¥0.1226
    • 9000+

      ¥0.10341 ¥0.1149
  • 有货
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