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首页 > 热门关键词 > 1812电容
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100nF ±10% 250V
型号：C1812C104KARAC7800 编号：C141244
封装：1812
品牌：KEMET(基美)
COG介质的最高工作温度为125°C,被认为是“稳定的”。电子元件、组件和材料协会(EIA)将COG介质归类为I类材料。这类组件具有温度补偿特性,适用于谐振电路应用或需要Q值和电容特性稳定性的场合。COG的电容随时间和电压无变化,相对于环境温度的电容变化可忽略不计。在-55°C至+125°C的温度范围内,电容变化限制在±30ppm/°C。
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    1uF ±10% 100V
    型号：18121C105KAT2A 编号：C1845511
    封装：1812
    品牌：Kyocera AVX
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    100nF ±10% 500V
    型号：C1812V104KCRACTU 编号：C2167749
    封装：1812
    品牌：KEMET(基美)
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    330nF ±10% 50V
    型号：C1812C334K5RACTU 编号：C2167877
    封装：1812
    品牌：KEMET(基美)
    X7R电介质的最高工作温度为125°C,被认为是温度稳定的。电子元件、组件和材料协会(EIA)将X7R电介质归类为II类材料。此类组件是固定陶瓷介质电容器,适用于旁路和去耦应用,或适用于对Q值和电容特性稳定性要求不高的鉴频电路。X7R的电容随时间和电压的变化是可预测的,并且相对于环境温度的电容变化极小。在 -55°C至 +125°C的温度范围内,电容变化限制在 ±15%。
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    100nF ±10% 630V
    型号：CGA8N4X7R2J104K230KA 编号：C2179130
    封装：1812
    品牌：TDK
    汽车级中压CGA系列产品,支持额定电压为100至630V的高电压电路,最大电容值为15μF。
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    220nF ±10% 200V
    型号：C1812X224K2RACTU 编号：C2179900
    封装：1812
    品牌：KEMET(基美)
    多层陶瓷电容器采用X7R电介质,集成了独特的柔性端接系统,该系统与标准端接材料相结合。在标准端接系统的贱金属和镍阻挡层之间使用导电银环氧树脂,以在保持端子强度、可焊性和电气性能的同时实现柔韧性。这项技术是为了解决多层陶瓷电容器的主要故障模式——弯曲裂纹而开发的,弯曲裂纹通常是由电路板弯曲和热循环过程中产生的过大拉伸和剪切应力造成的。柔性端接技术可抑制电路板应力传递到刚性陶瓷本体,从而减少可能导致低绝缘电阻或短路故障的弯曲裂纹
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    4.7uF ±10% 50V
    型号：18125C475KAT2A 编号：C597618
    封装：1812
    品牌：Kyocera AVX
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    22uF ±20% 16V
    型号：C4532X7R1C226M230KB 编号：C2177948
    封装：1812
    品牌：TDK
    通用型C系列是表面贴装元件,多层电介质和内部电极交替堆叠。整体结构确保了出色的机械强度和高可靠性。此外,由于其结构比其他电容器更简单,因此具有出色的频率特性,如低等效串联电阻(ESR)和低等效串联电感(ESL)。电容范围高达100μF,产品线已扩展到薄膜电容器和电解电容器的范围。
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      ￥5.31 / 个
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    100nF ±10% 250V
    型号：C1812C104KARACTU 编号：C2171255
    封装：1812
    品牌：KEMET(基美)
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    3.3uF ±10% 100V
    型号：C1812X335K1RACAUTO 编号：C3881915
    封装：1812
    品牌：KEMET(基美)
    多层陶瓷电容器采用独特的柔性端接系统,与标准端接材料集成。在标准端接系统的贱金属和镍阻挡层之间使用导电银环氧树脂,以在保持端子强度、可焊性和电气性能的同时实现柔韧性。该技术旨在解决多层陶瓷电容器的主要故障模式 弯曲裂纹,这种裂纹通常是由电路板弯曲和热循环过程中产生的过大拉伸和剪切应力导致的。柔性端接技术可抑制电路板应力传递到刚性陶瓷体,从而减少可能导致低绝缘电阻或短路故障的弯曲裂纹

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    10nF ±10% 2kV
    型号：1812Y2K00103KST 编号：C3870958
    封装：1812
    品牌：Knowles(楼氏)
    是一款3端子EMI芯片器件。在平衡线路应用中,其创新设计可使用单个陶瓷芯片同时提供线对线和线对地滤波,在一个器件中实现差模和共模滤波。对于非平衡应用,它提供超低等效串联电感(ESL)。能够替代2个或更多传统器件,适用于平衡和非平衡线路、双绞线和直流电机等。尺寸从0805到1812,可满足严格的EMC要求。

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    33nF ±10% 1.5kV
    型号：C1812C333KFRACTU 编号：C2181590
    封装：1812
    品牌：KEMET(基美)
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    4.7uF ±10% 50V
    型号：C1812C475K5RACAUTO 编号：C2179673
    封装：1812
    品牌：KEMET(基美)
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    100nF ±10% 200V
    型号：C1812F104K2RACTU 编号：C23482697
    封装：1812
    品牌：KEMET(基美)
    X7R电介质的最高工作温度为125°C,被认为是温度稳定的。电子元件、组件和材料协会 (EIA) 将X7R电介质归类为II类材料。此类别的组件是固定陶瓷介质电容器,适用于旁路和去耦应用,或用于对Q值和电容特性稳定性要求不高的鉴频电路。X7R的电容随时间和电压的变化是可预测的,并且相对于环境温度的电容变化极小。在 -55°C至 +125°C的温度范围内,电容变化限制在 ±15%。

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    330nF ±10% 500V
    型号：C1812V334KCRACTU 编号：C2182448
    封装：1812
    品牌：KEMET(基美)
    X7R电介质的KEMET ArcShield高压贴片电容器专为易发生表面电弧(闪络放电)的高压应用而设计。表面电弧现象是由陶瓷体内两个端接表面之间或一个端接表面与相对内部电极结构之间的高电压梯度引起的。这种现象最常发生在满足或超过300 V的应用电压下、高湿度环境中以及带宽间距(爬电距离)最小的芯片尺寸中。这种现象可能会损坏周围组件或导致电介质材料击穿,最终导致短路(灾难性故障模式)。专利的ArcShield技术采用了KEMET高度可靠的贱金属电介质系统,并结合了独特的内部屏蔽电极结构,旨在抑制闪络事件,同时增加可用电容。这种内部系统基于部分法拉第笼原理开发,与外部表面涂层技术相比,具有无与伦比的性能和可靠性
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    330nF ±10% 500V
    型号：C1812X334KCRACAUTO 编号：C3869643
    封装：1812
    品牌：KEMET(基美)

    • 1+

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    2.2nF ±10% 3kV
    型号：HV1812Y222KXHATHV 编号：C2182620
    封装：1812
    品牌：VISHAY(威世)
    特性：优异的可靠性和热冲击性能。与RoHS标准设计相比,具有高电压击穿能力。高可靠的串联电极设计。可能需要保护性表面涂层以防止表面电弧。提供聚合物端接,以满足电路板弯曲的要求。湿法制造工艺。应用：输入滤波电容。输出滤波电容
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    100nF ±5% 100V
    型号：C1812C104J1GACTU 编号：C2168940
    封装：1812
    品牌：KEMET(基美)
    C0G电介质的最高工作温度为125°C,被认为是“稳定的”。电子元件、组件和材料协会(EIA)将C0G电介质归类为I类材料。此类组件具有温度补偿功能,适用于谐振电路应用或需要Q值和电容特性稳定性的场合。C0G的电容随时间和电压无变化,且在环境温度变化时电容变化可忽略不计。在 -55°C至 +125°C的温度范围内,电容变化限制在 ±30ppm/°C。
    数据手册

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    1uF ±10% 100V
    型号：C1812J105K1RAC7800 编号：C141250
    封装：1812
    品牌：KEMET(基美)
    陶瓷开放式模式电容器采用X7R电介质,旨在显著降低在电路板应力弯曲情况下发生低绝缘电阻或短路故障的概率,从而减少灾难性故障的可能性。开放式模式电容器的电容可能会下降,但由于裂纹通常不会在器件“有效区域”内的反电极之间扩展,因此不太可能发生短路。由于典型的开放式模式弯曲裂纹不会产生电流泄漏,因此不会出现局部发热,从而降低了发生灾难性和潜在高成本故障事件的可能性。该电容器是为满足对更坚固、可靠组件的需求而设计的,适用于对工作温度和机械应力有较高要求的关键应用。这些电容器广泛应用于汽车电路、电源(输入和输出滤波器)和一般电子应用中。这些器件提供KEMET的柔性端接技术,可抑制电路板应力传递到刚性陶瓷本体,从而减少可能导致低绝缘电阻或短路故障的弯曲裂纹
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    2.2nF ±10% 1kV
    型号：C1812C222KDRACTU 编号：C2168287
    封装：1812
    品牌：KEMET(基美)
    数据手册

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      ￥7.28

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    470pF ±10% 2kV
    型号：C1812C471KGRACAUTO 编号：C2180468
    封装：1812
    品牌：KEMET(基美)
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    10uF ±10% 25V
    型号：CGA8P2X7R1E106K250KA 编号：C3903633
    封装：1812
    品牌：TDK
    通用型CGA系列是一种表面贴装元件,其多层电介质和内部电极交替堆叠。 整体结构确保了卓越的机械强度和高可靠性。此外,由于其结构比其他电容器更简单,因此具有低ESR和低ESL等出色的频率特性。电容范围高达100μF,并且产品线已扩展到薄膜电容器和电解电容器的范围。

    • 1+

      ￥7.92

    • 10+

      ￥6.51

    • 30+

      ￥5.74
  • 有货
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    1uF ±10% 100V
    型号：C1812C105K1RACAUTO 编号：C2181927
    封装：1812
    品牌：KEMET(基美)
    数据手册

    • 1+

      ￥8.09

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    470nF ±5% 50V
    型号：C1812C474J5JACTU 编号：C7461151
    封装：1812
    品牌：KEMET(基美)
    U2J电介质的最高工作温度为125°C,被认为是稳定的。电子工业联盟(EIA)将U2J电介质归类为I类材料。这种分类的元件具有温度补偿特性,适用于谐振电路应用或需要Q值和电容特性稳定性的应用。U2J是一种极其稳定的电介质材料,其电容随电压的变化可以忽略不计,并且电容随环境温度的变化是可预测的线性变化,没有老化效应

    • 1+

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    220nF ±5% 50V
    型号：C1812C224J5GACTU 编号：C2167959
    封装：1812
    品牌：KEMET(基美)
    数据手册

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    470nF ±10% 250V
    型号：C1812X474KARACTU 编号：C2168414
    封装：1812
    品牌：KEMET(基美)
    SMD, MLCC, FT-CAP, 温度稳定,锡端接
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    1uF ±10% 25V
    型号：C1812C105K3RACTU 编号：C2416436
    封装：1812
    品牌：KEMET(基美)
    数据手册

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    C1812C223J1GACTU
    型号：C1812C223J1GACTU 编号：C25841513
    封装：1812
    品牌：KEMET(基美)

    • 1+

      ￥9.72

    • 10+

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    • 30+

      ￥9.37
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    2.2uF ±10% 100V
    型号：C1812C225K1RACTU 编号：C2167808
    封装：1812
    品牌：KEMET(基美)
    X7R电介质的最高工作温度为125°C,被认为是温度稳定的。电子元件、组件和材料协会(EIA)将X7R电介质归类为II类材料。此类组件是固定陶瓷介质电容器,适用于旁路和去耦应用,或适用于对Q值和电容特性稳定性要求不高的鉴频电路。X7R的电容随时间和电压的变化是可预测的,并且相对于环境温度的电容变化极小。在 -55°C至 +125°C的温度范围内,电容变化限制在 ±15%。
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    10nF ±5% 2kV
    型号：C1812X103JGRACAUTO 编号：C1864464
    封装：1812
    品牌：KEMET(基美)
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