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100nF ±10% 50V
型号：0402B104K500CT 编号：C152814
封装：0402
品牌：Walsin(华新科)
MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。采用NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。
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    100nF ±10% 50V
    型号：0603B104K500CT 编号：C314282
    封装：0603
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。采用NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。
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    470nF ±10% 50V
    型号：0402X474K500CT 编号：C2443204
    封装：0402
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。由NPO、X7R、X6S和X5R介电材料制成,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。

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    100nF ±10% 50V
    型号：0805B104K500CT 编号：C83055
    封装：0805
    品牌：Walsin(华新科)
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    100nF ±5% 50V
    型号：1206N104J500CT 编号：C170182
    封装：1206
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造片式SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。由NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料制成,为产品提供了高稳定性和可靠性。
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    100nF ±10% 50V
    型号：1206B104K500CT 编号：C93194
    封装：1206
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。由NPO、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料制成,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。
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    1uF ±10% 25V
    型号：0603B105K250CT 编号：C388002
    封装：0603
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。采用NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。
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    1nF ±10% 2kV
    型号：1206B102K202CT 编号：C303946
    封装：1206
    品牌：Walsin(华新科)
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    100nF ±10% 500V
    型号：1210B104K501CT 编号：C304008
    封装：1210
    品牌：Walsin(华新科)
    采用特殊的内部电极图案设计,可通过在整个电容器中分布电压梯度来降低电压集中。这种特殊设计还能在给定的尺寸和额定电压下增加电容值。芯片尺寸为1206及更大的产品仅适用于回流焊接工艺。X7R电介质的电容器不适用于交流线路滤波应用。电容器可能需要保护性表面涂层以防止外部电弧。
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    1nF ±10% 2kV
    型号：1210B102K202CT 编号：C304006
    封装：1210
    品牌：Walsin(华新科)
    采用特殊的内部电极图案设计,可通过在整个电容器中分布电压梯度来降低电压集中。这种特殊设计还能在给定的尺寸和额定电压下增加电容值。芯片尺寸为1206及更大的产品仅适用于回流焊接工艺。X7R电介质的电容器不适用于交流线路滤波应用。电容器可能需要保护性表面涂层以防止外部电弧。
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    10uF ±10% 50V
    型号：1210B106K500CT 编号：C525507
    封装：1210
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。采用NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。
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    1uF ±10% 50V
    型号：0603B105K500CT 编号：C388003
    封装：0603
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。采用NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。
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    2.2uF ±10% 100V
    型号：1210B225K101CT 编号：C338133
    封装：1210
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。采用NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。
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    2.2nF ±20% 250V 400V
    型号：YU0AH222M090D3EA0B 编号：C2991355
    封装：插件,P=10mm
    品牌：Walsin(华新科)
    数据手册

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    2.2nF ±20% 400V
    型号：YU0AH222M090BAMD0H 编号：C2859386
    封装：插件
    品牌：Walsin(华新科)
    特性：工作温度范围:-40至+125°C。封装:环氧树脂,阻燃性UL94 V-0。涂层(加强绝缘)最小厚度为0.4mm。应用：电子设备中的陶瓷绝缘圆盘式电容器。天线耦合、线路旁路和跨线应用

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    100nF ±10% 16V
    型号：0402B104K160CT 编号：C83056
    封装：0402
    品牌：Walsin(华新科)
    数据手册

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    100nF ±10% 100V
    型号：1206B104K101CT 编号：C77502
    封装：1206
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为了制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。由NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料制成,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。
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    1uF ±10% 50V
    型号：0805B105K500CT 编号：C99915
    封装：0805
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。采用NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。
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    100pF ±10% 1kV
    型号：1206B101K102CT 编号：C296113
    封装：1206
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为了制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。由NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料制成,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。
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    47nF ±10% 630V
    型号：1206B473K631CT 编号：C303962
    封装：1206
    品牌：Walsin(华新科)
    采用特殊的内部电极图案设计,可通过在整个电容器中分布电压梯度来降低电压集中。这种特殊设计还能在给定的尺寸和额定电压下增加电容值。芯片尺寸为1206及更大的产品仅适用于回流焊接工艺。X7R电介质的电容器不适用于交流线路滤波应用。电容器可能需要保护性表面涂层以防止外部电弧。
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