1812电容_厂家_价格_品牌_库存

特性：随着陶瓷电介质层的薄层化和阳层技术的进步,实现了高电容量。单片式结构保证优异的机械强度和高可靠性。由于有良好的频率特性,与理论值的设计相近。由于ESR较小的缘故,对波纹电流所引起的发热也小。应用：一般电子设备。移动通信设备

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￥3.3957 ￥3.43
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￥2.7423 ￥2.77
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￥2.4651 ￥2.49
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￥2.1186 ￥2.14
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￥1.9602 ￥1.98
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￥1.8711 ￥1.89

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型号：FS43X105K251EGG 编号：C381468

封装：1812

采用无铅或镉的环保材料制造。这些电容器的特点是在多层陶瓷电容器(MLCC)中串联多层电容器单元,以实现高压性能。这种特殊设计可以在整个电容器中分布电压梯度,从而防止短路故障。这是用于LCD背光逆变器应用的安全设计。

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￥0.5269
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￥0.4294
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￥0.3793
500+
￥0.3311
2500+
￥0.3167
5000+
￥0.3069

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型号：FS43X226K500ERG 编号：C22388553

封装：1812

容值：22UF材质：X7R电压：50V精度：±10%

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￥3.4
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￥2.66
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￥2.3
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￥1.97
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￥1.84
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￥1.79

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型号：1812B103K202NT 编号：C574051

封装：1812

高频类:此类介质材料的电容器为I类电容器,包括通用型高频COG、COH电容器和温度补偿型高频HG、LG、PH、RH、SH、TH、UJ、SL电容器。其中COG、COH电容器电性能最稳定,几乎不随温度、电压和时间的变化而变化,适用于低损耗,稳定性要求高的高频电路。HG、LG、PH、RH、SH、TH、UJ、SL电容器容量随温度变化而相应变化,适用于低损耗、温度补偿型电路中。X7R、X5R、X7S、X6S:此类介质材料的电容器为II类电容器,具有较高的介电常数,容量比I类电容器高,具有较稳定的温度特性,适用于容量范围广,稳定性要求不高的电路中,如隔直、耦合、旁路、鉴频等电路中

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5+
￥0.6154
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￥0.5056
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￥0.4492
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￥0.3906
2000+
￥0.3743
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￥0.3634

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型号：FS43X106K500EGG 编号：C1021609

封装：1812

采用环保材料制造,无铅和镉。通过在 MLCC 中串联多层电容器单元实现高压性能。这种特殊设计可使电压梯度分布在整个电容器中,防止短路故障。是用于 LCD 背光逆变器应用的安全设计。

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5+
￥1.5206
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￥1.1946
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￥1.0355
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￥0.874
2500+
￥0.835
5000+
￥0.8116

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型号：1812B102K202NT 编号：C36077

封装：1812

高频类:此类介质材料的电容器为I类电容器,包括通用型高频COG、COH电容器和温度补偿型高频HG、LG、PH、RH、SH、TH、UJ、SL电容器。其中COG、COH电容器电性能最稳定,几乎不随温度、电压和时间的变化而变化,适用于低损耗,稳定性要求高的高频电路。HG、LG、PH、RH、SH、TH、UJ、SL电容器容量随温度变化而相应变化,适用于低损耗、温度补偿型电路中。X7R、X5R、X7S、X6S:此类介质材料的电容器为II类电容器,具有较高的介电常数,容量比I类电容器高,具有较稳定的温度特性,适用于容量范围广,稳定性要求不高的电路中,如隔直、耦合、旁路、鉴频等电路中

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5+
￥0.4185
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￥0.3447
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￥0.3068
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￥0.2755
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￥0.2646
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￥0.2572

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型号：FV43X104K102EGG 编号：C2894165

封装：1812

采用环保材料制造,无铅或镉。这些电容器的特点是在多层陶瓷电容器(MLCC)中串联多层电容器单元,以实现高压性能。这种特殊设计可以在整个电容器中分布电压梯度,从而防止短路故障。这是一种用于液晶显示器背光逆变器应用的安全设计。

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5+
￥0.8331
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￥0.6777
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￥0.5977
500+
￥0.5318
2500+
￥0.5089
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￥0.4933

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型号：1812B104K631NT 编号：C696256

封装：1812

高频类:此类介质材料的电容器为I类电容器,包括通用型高频COG、COH电容器和温度补偿型高频HG、LG、PH、RH、SH、TH、UJ、SL电容器。其中COG、COH电容器电性能最稳定,几乎不随温度、电压和时间的变化而变化,适用于低损耗,稳定性要求高的高频电路。HG、LG、PH、RH、SH、TH、UJ、SL电容器容量随温度变化而相应变化,适用于低损耗、温度补偿型电路中。X7R、X5R、X7S、X6S:此类介质材料的电容器为II类电容器,具有较高的介电常数,容量比I类电容器高,具有较稳定的温度特性,适用于容量范围广,稳定性要求不高的电路中,如隔直、耦合、旁路、鉴频等电路中

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10+
￥0.4693
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￥0.3735
500+
￥0.3256
1000+
￥0.2897
5000+
￥0.261
10000+
￥0.2466

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型号：1812B102K402NT 编号：C182470

封装：1812

高频类:此类介质材料的电容器为I类电容器,包括通用型高频COG、COH电容器和温度补偿型高频HG、LG、PH、RH、SH、TH、UJ、SL电容器。其中COG、COH电容器电性能最稳定,几乎不随温度、电压和时间的变化而变化,适用于低损耗,稳定性要求高的高频电路。HG、LG、PH、RH、SH、TH、UJ、SL电容器容量随温度变化而相应变化,适用于低损耗、温度补偿型电路中。X7R、X5R、X7S、X6S:此类介质材料的电容器为II类电容器,具有较高的介电常数,容量比I类电容器高,具有较稳定的温度特性,适用于容量范围广,稳定性要求不高的电路中,如隔直、耦合、旁路、鉴频等电路中

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￥1.41273 ￥1.427
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￥1.138302 ￥1.1498
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￥1.02069 ￥1.031
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￥0.873873 ￥0.8827
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￥0.808533 ￥0.8167
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￥0.734283 ￥0.7417

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型号：C4532X5R1A476MT000N 编号：C342615

封装：1812

积层陶瓷贴片电容器的C系列,是由该电体材料以及内部电极、导电材料相互积层的表面贴装(SMD)产品。单片式结构保证优异的机械强度和高可靠性。又因其简单的构造,跟其他种类电容相比具有更低的ESR、ESL,频率特性良好。目前可以做到100uF的大容量,满足薄膜电容和电解电容的容量领域。

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￥3.0987 ￥3.13
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￥2.4156 ￥2.44
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￥2.1285 ￥2.15
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￥1.7721 ￥1.79
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￥1.6038 ￥1.62
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￥1.5147 ￥1.53

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型号：GRM43DR72J104KW01L 编号：C23743

封装：1812

品牌：muRata(村田)

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￥0.998
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￥0.8088
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￥0.7142
1000+
￥0.6432
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￥0.5864
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￥0.558

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型号：C4532X7R1H335KT000N 编号：C342636

封装：1812

积层陶瓷贴片电容器的C系列,是由该电体材料以及内部电极、导电材料相互积层的表面贴装(SMD)产品。单片式结构保证优异的机械强度和高可靠性。又因其简单的构造,跟其他种类电容相比具有更低的ESR、ESL,频率特性良好。目前可以做到100μF的大容量,满足薄膜电容和电解电容的容量领域。

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1+
￥2.08449 ￥2.3161
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￥1.67625 ￥1.8625
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￥1.50129 ￥1.6681
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￥1.28304 ￥1.4256
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￥1.18584 ￥1.3176
1000+
￥1.12752 ￥1.2528

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型号：GRM43DR73A473KW01L 编号：C97978

封装：1812

品牌：muRata(村田)

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￥1.5458
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￥1.2331
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￥1.0991
1000+
￥0.9318
2000+
￥0.8574
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￥0.8127

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型号：CGA1812X7R226K500RT 编号：C53084266

封装：1812

品牌：HRE(芯声)

容值：22uF 精度：±10% 额定电压：50V 材质(温度系数)：X7R 材质：X7R

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￥3.81
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￥3.11
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￥2.77
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￥2.42
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￥2.22
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￥2.11

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型号：CC1812KKX7RCBB103 编号：C577346

封装：1812

品牌：YAGEO(国巨)

特性：RoHS合规。无卤合规。MSL等级为MSL I。焊接符合J-STD-020D标准。由陶瓷介质矩形块组成,内部包含多个交错的金属电极,单位体积电容高。内部电极连接到两个端部终端,终端覆盖一层镀锡(NiSn),终端无铅。应用：个人电脑。硬盘

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￥0.5806
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￥0.4692
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￥0.4135
1000+
￥0.3634
2000+
￥0.33
5000+
￥0.3132

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型号：C1812X104K102T 编号：C106147

封装：1812

品牌：IHHEC(禾伸堂)

产品设计和制造符合国际标准的一般要求,适用于商业和工业应用,包括NP0 (C0G) 和X7R特性,尺寸从0603到2225,工作电压可达8KV。

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￥1.946637 ￥1.9663
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￥1.582317 ￥1.5983
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￥1.426194 ￥1.4406
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￥1.231362 ￥1.2438
700+
￥1.100286 ￥1.1114
1400+
￥1.048212 ￥1.0588

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型号：C4532X7T2E105KT000N 编号：C342623

封装：1812

积层陶瓷贴片电容器的C系列,是由该电体材料以及内部电极、导电材料相互积层的表面贴装(SMD)产品。单片式结构保证优异的机械强度和高可靠性。又因其简单的构造,跟其他种类电容相比具有更低的ESR、ESL,频率特性良好。目前可以做到100μF的大容量,满足薄膜电容和电解电容的容量领域。

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￥3.366 ￥3.4
10+
￥2.7027 ￥2.73
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￥2.4156 ￥2.44
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￥2.0592 ￥2.08
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￥1.8909 ￥1.91
1000+
￥1.8018 ￥1.82

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型号：1812B105K201NT 编号：C3037685

封装：1812

高频类:此类介质材料的电容器为I类电容器,包括通用型高频COG、COH电容器和温度补偿型高频HG、LG、PH、RH、SH、TH、UJ、SL电容器。其中COG、COH电容器电性能最稳定,几乎不随温度、电压和时间的变化而变化,适用于低损耗,稳定性要求高的高频电路。HG、LG、PH、RH、SH、TH、UJ、SL电容器容量随温度变化而相应变化,适用于低损耗、温度补偿型电路中。X7R、X5R、X7S、X6S:此类介质材料的电容器为II类电容器,具有较高的介电常数,容量比I类电容器高,具有较稳定的温度特性,适用于容量范围广,稳定性要求不高的电路中,如隔直、耦合、旁路、鉴频等电路中

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5+
￥1.4516
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￥1.1764
150+
￥1.0585
500+
￥0.893
2500+
￥0.8274
5000+
￥0.7881

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型号：C4532X7R1H475KT000N 编号：C342629

封装：1812