igbt模块_厂家_价格_品牌_库存

封装：螺栓安装

特性：电气特性: -VCES = 6500V。 -IC(nom) = 250A / ICRM = 500A。 -低VCE,sat。机械特性: -扩展存储温度低至Tsat = -55℃。 -高爬电距离和电气间隙。 -CTI > 600的封装。应用：中压转换器。牵引驱动器

1+
￥6607.77
28+
￥6254

有货

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型号：AOD5B65MQ1E 编号：C3193928

封装：TO-252

品牌：AOS

1+
￥3.67
10+
￥3.03
30+
￥2.7
100+
￥2.38

有货

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型号：MLG20T65FUL 编号：C6719397

封装：TO-220

品牌：minos(迈诺斯)

MLG20T65FUL采用先进的沟槽场截止（T-FS）技术制造，具有低VCE(sat)、优化的开关性能和低栅极电荷Qg等特性。该IGBT适用于无刷直流电机（BLDC）、不间断电源（UPS）以及低VCE(sat)应用场景。

1+
￥4.45
10+
￥3.58
50+
￥3.15
100+
￥2.72
500+
￥2.46
1000+
￥2.33

有货

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型号：IKP04N60T 编号：C536186

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

低损耗DuoPack封装：采用TrenchStop和Fieldstop技术的IGBT，搭配软恢复、快速恢复的反并联EmCon HE二极管。

数据手册

1+
￥6.26
10+
￥5.57
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￥4.9344 ￥5.14
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￥4.5024 ￥4.69
500+
￥4.3104 ￥4.49
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￥4.224 ￥4.4

有货

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型号：IKA08N65H5 编号：C536136

封装：TO-220FP-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：高速H5技术，在硬开关和谐振拓扑中提供一流的效率。可即插即用替换上一代IGBT。 650V击穿电压。低QG。 IGBT与RAPID 1快速软反并联二极管共封装。最高结温175℃。应用：太阳能转换器。不间断电源

数据手册

1+
￥7.4168 ￥10.16
10+
￥6.2622 ￥9.94
50+
￥5.194 ￥9.8
100+
￥5.1145 ￥9.65

有货

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型号：IKW40N65H2-KTP 编号：C48392930

封装：TO-247

品牌：KTP(科泰普)

应用于电源、工业焊接、PV和PFC等。

1+
￥8.59
10+
￥7.08
30+
￥6.25
90+
￥5.31

有货

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型号：MLG40T65FDK 编号：C47967301

封装：TO-247

品牌：minos(迈诺斯)

IGBT类型：场截止沟槽，集射极击穿电压Vces=650V，集电极电流Ic=40A

1+
￥9.69
10+
￥8.07
30+
￥7.18
90+
￥6.17
510+
￥5.73
990+
￥5.52

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型号：IKP15N60T 编号：C467845

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：极低的VCE(sat)：1.5V（典型值）。最高结温：175℃。短路耐受时间：5μs。专为变频器和不间断电源设计。适用于600V应用的TRENCHSTOP™和场截止技术，提供: -非常紧密的参数分布。 -高耐用性，温度稳定性能。 -非常高的开关速度。 VCE(sat)具有正温度系数。低电磁干扰。无铅镀铅；符合RoHS标准。非常软、快速恢复的反并联发射极控制HE二极管。根据JEDEC针对目标应用进行了资格认证

数据手册

1+
￥10.66
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￥9.02
50+
￥7.73
100+
￥6.5464 ￥6.68
500+
￥6.0858 ￥6.21
1000+
￥5.88 ￥6

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型号：NCE40TD65BT 编号：C5122484

封装：TO-247

品牌：NCE(无锡新洁能)

采用新洁能（NCE）专有的沟槽设计和先进的第二代场截止（FS）技术，650V沟槽场截止II代（Trench FS II）绝缘栅双极晶体管（IGBT）具备卓越的导通和开关性能，且易于并联运行。

数据手册

1+
￥10.73
10+
￥8.72
30+
￥7.62
90+
￥6.38

有货

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型号：SPT25N120U1 编号：C480180

封装：TO-247-3

品牌：SPTECH(深圳质超)

应用不间断电源太阳能逆变器焊接 PFC应用

数据手册

1+
￥10.906 ￥11.48
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￥9.253 ￥9.74
30+
￥8.0275 ￥8.45
90+
￥6.973 ￥7.34
510+
￥6.498 ￥6.84
990+
￥6.289 ￥6.62

有货

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型号：MLG50N65FUK 编号：C20624240

封装：TO-247

品牌：minos(迈诺斯)

MLG50N65FUK采用先进的沟槽场截止（T-FS）技术制造，具有低VCE(sat)、优化的开关性能和低栅极电荷Qg等特点。该IGBT适用于焊接、UPS及高开关频率应用。

1+
￥11.22
10+
￥9.56
30+
￥8.08
90+
￥7.02
510+
￥6.54
990+
￥6.33

有货

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型号：IKP30N65H5 编号：C536198

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：高速H5技术，在硬开关和谐振拓扑中提供一流的效率。可即插即用替换上一代IGBT。 650V击穿电压。低栅极电荷QG。 IGBT与RAPID 1快速软反并联二极管共封装。最高结温175℃。应用：太阳能转换器。不间断电源

数据手册

1+
￥11.2677 ￥15.87
10+
￥9.2293 ￥15.13
50+
￥7.4919 ￥14.69
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￥7.2624 ￥14.24
500+
￥7.1553 ￥14.03
1000+
￥7.1094 ￥13.94

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型号：DGW30N65CTL 编号：C20600422

封装：TO-247

品牌：YANGJIE(扬杰)

特性：低开关损耗。最高结温175℃。正温度系数。高耐用性，温度稳定。高短路能力（10μs）。应用：电机驱动逆变器。交流和直流伺服驱动放大器

1+
￥13.23
10+
￥11.41
36+
￥10.26
108+
￥9.09
360+
￥8.56

有货

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型号：CMH75N65EH5 编号：C51793168

封装：TO-247

品牌：Cmos(广东场效应半导体)

MOS管，TO-247，N场，耐压：650V，电流：75A，CissTyp：5000PF

1+
￥13.24
10+
￥11.28
30+
￥10.05
90+
￥8.79

有货

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型号：YGW50N65F1A 编号：C4153737

封装：TO-247

品牌：luxin-semi(上海陆芯)

工规级 IGBT单管 N沟道，TO247，广泛应用于各类高频电源行业。

数据手册

1+
￥13.85
10+
￥11.74
30+
￥10

有货

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型号：IGW40N65H5 编号：C536102

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

数据手册

1+
￥14.4248 ￥19.76
10+
￥12.1779 ￥19.33
30+
￥10.0912 ￥19.04
90+
￥9.9428 ￥18.76

有货

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型号：IGW40N65F5 编号：C536101

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

数据手册

1+
￥15.0236 ￥21.16
10+
￥12.3037 ￥20.17
30+
￥9.9858 ￥19.58
90+
￥9.6798 ￥18.98
510+
￥9.537 ￥18.7
990+
￥9.4758 ￥18.58

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型号：IKW50N60H3-HXY 编号：C49003408

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为IGBT管/模块，具备50A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率应用场景。导通状态下，集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.65V，有助于降低导通损耗，提升系统效率。内置二极管可支持最大50A的正向电流（IF），其正向压降（Vf）为1.45V，表现出优异的导通性能。该器件可广泛应用于电源转换、电机驱动及精密电子设备中，提供高效、稳定的功率控制解决方案。

1+
￥15.4185 ￥16.23
10+
￥13.129 ￥13.82
30+
￥11.704 ￥12.32
90+
￥10.2315 ￥10.77
510+
￥9.5665 ￥10.07
990+
￥9.2815 ￥9.77

有货

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型号：IKW50N65ES5 编号：C454257

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：高速S5技术，适用于硬开关和软开关的高速平滑开关器件。极低的集电极-发射极饱和电压VCEsat，在额定电流下为1.35V。可直接替代上一代IGBT。650V击穿电压。低栅极电荷QG。IGBT与全额定RAPID 1快速反并联二极管共封装。应用：谐振转换器。不间断电源

数据手册

1+
￥17.41
10+
￥14.6
30+
￥12.83
90+
￥11.03

有货

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型号：IKW40N60H3 编号：C128881

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

采用沟槽和场截止技术的高速DuoPack绝缘栅双极型晶体管（IGBT），配备软恢复、快速恢复的反并联二极管。

数据手册

1+
￥18.37
10+
￥16.16
30+
￥14.78

有货

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型号：FGA60N65SMD 编号：C444004

封装：TO-3PN

品牌：onsemi(安森美)

安森美半导体的新型场截止第 2 代 IGBT 系列采用新型场截止 IGBT 技术，为太阳能逆变器、UPS、焊接机、电信、ESS 和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用。

数据手册

1+
￥21.52
10+
￥18.67
30+
￥14.83
90+
￥13.01
450+
￥12.18
900+
￥11.82

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型号：IHW40N135R5 编号：C536128

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：强大的单片体二极管，正向电压低，专为软换流而设计。 TRENCHSTOP™技术提供: -非常紧密的参数分布。 -高耐用性，温度稳定特性。 -低VCEsat。 -由于VCEsat具有正温度系数，易于并联开关。低EMI。应用：感应烹饪。微波炉

数据手册

1+
￥24.26
10+
￥20.7
30+
￥17.78
90+
￥15.64

有货

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型号：STGWA100H65DFB2-HXY 编号：C49003309

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本款IGBT管/模块具备100A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），可适用于较高功率的电力电子系统。其集射极饱和电压（VCE(sat)）低至1.45V，有助于减小导通损耗，提升整体能效。内置二极管支持100A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.55V，具备较强的续流能力与稳定性。该器件适合用于各类高效功率转换设备中的开关控制与能量调节应用，参数设计兼顾性能与可靠性需求。

1+
￥24.2725 ￥25.55
10+
￥23.7215 ￥24.97
30+
￥23.3605 ￥24.59
90+
￥22.99 ￥24.2

有货

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型号：SL50T120FZ 编号：C5375317

封装：TO-264

品牌：Slkor(萨科微)

特性：高效沟槽场截止技术。最高结温（TJmax）：175℃。软快速反向恢复二极管。针对高速开关进行优化。 10μs短路承受能力。应用：太阳能逆变器。 UPS

数据手册

1+
￥25.86
10+
￥22.11
25+
￥19.88
100+
￥17.62
500+
￥16.58
1000+
￥16.11

有货

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型号：IKW40N120CH7XKSA1-HXY 编号：C49003410

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具备40A的集电极电流(Ic)和1200V的集射极击穿电压(Vces)，适用于高电压与中高功率的应用场景。其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.7V，在导通状态下可有效控制功率损耗。内置二极管可承受最高40A的正向电流(IF)，正向压降(Vf)为1.85V，表现出稳定的续流能力和良好的热性能。模块结构设计紧凑，支持高效、可靠的电力转换与控制功能，适用于多种高性能电子系统的功率管理需求。

1+
￥32.41
10+
￥27.85
30+
￥25.14

有货

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型号：IXYH55N120C4-HXY 编号：C49003437

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本IGBT模块具备60A的集电极电流（Ic）和1200V的集射极击穿电压（Vces），适用于高电压与大电流的工作环境。导通时，集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.65V，有助于降低导通损耗，提高系统效率。内置二极管可承受60A的正向电流（IF），其正向压降（Vf）为2.35V，具备良好的热稳定性和可靠性。该器件可广泛应用于高效电源转换、精密电机控制及电力调节设备中，满足对功率密度和能效要求较高的场景需求。

1+
￥33.972 ￥35.76
10+
￥33.212 ￥34.96
30+
￥32.699 ￥34.42
90+
￥32.186 ￥33.88

有货

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型号：MSG100T120FQC1 编号：C37635837

封装：TO-247

品牌：MASPOWER(麦思浦)

IGBT 100A 1200V TO-247PLUS封装高压晶体管大电流

1+
￥43.49
10+
￥37.37
30+
￥33.64

有货

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型号：IRG8P50N120KD-EPBF-HXY 编号：C49003396

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具有40A的集电极电流(Ic)和1200V的集射极击穿电压(Vces)，可适应较高功率密度的应用需求。其集射极饱和电压(VCE(sat))低至1.7V，有效减少导通状态下的功率损耗。内部二极管支持40A的正向电流(IF)，正向压降(Vf)为1.85V，进一步提升系统整体效率。该模块适合应用于高效能电力转换系统，如智能能源管理、可再生能源接入以及高精度电源控制等领域。

1+
￥50.98
10+
￥44.06
30+
￥39.84

有货

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型号：IXYH40N120B3D1-HXY 编号：C49003429

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT管/模块具备40A的集电极电流（Ic）和1200V的集射极击穿电压（Vces），可稳定支持高功率应用场景。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.9V，有助于降低导通损耗。内置二极管可承受40A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为2.5V，提升了整体能效与可靠性。该器件适用于需要高效能电力转换与控制的设备，提供稳定的电路运行表现。

1+
￥61.3415 ￥64.57
10+
￥53.01 ￥55.8
30+
￥47.937 ￥50.46
90+
￥43.681 ￥45.98

有货

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型号：APT50GR120B2-HXY 编号：C49003481

封装：TO-247P

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本款IGBT管/模块集电极电流（Ic）为50A，集射极击穿电压（Vces）可达1200V，具备较高的耐压能力，适合中高功率应用场景。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.9V，在导通状态下能保持较好的能效表现。内置二极管可承受50A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为2.7V，适用于对稳定性与开关性能有一定要求的电路设计。

1+
￥64.5715 ￥67.97
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￥55.803 ￥58.74
30+
￥50.464 ￥53.12
90+
￥45.98 ￥48.4

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