igbt模块_厂家_价格_品牌_库存

型号：RGC80TSX8RGC11 编号：C17443101

封装：TO-247N

品牌：ROHM(罗姆)

特性：低集电极-发射极饱和电压。高速开关。低开关损耗和软开关。具有低正向电压的单片体二极管。无铅镀铅；符合RoHS标准。应用：电压谐振逆变器

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￥54.5
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￥48.38
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￥44.66

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型号：IRGP4790D-EPBF-HXY 编号：C49003328

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本IGBT管/模块提供75A集电极电流（Ic）与650V集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率电力电子系统。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有助于降低导通损耗，提升整体效率。内置二极管可支持75A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，具备良好的热稳定性与可靠性。该器件结构紧凑、性能稳定，适合用于对能效和功率密度有一定要求的高频开关与电源转换应用。

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￥56.4965 ￥59.47
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￥48.83 ￥51.4
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￥44.156 ￥46.48
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￥40.2325 ￥42.35

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型号：IXYH40N120B3D1-HXY 编号：C49003429

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT管/模块具备40A的集电极电流（Ic）和1200V的集射极击穿电压（Vces），可稳定支持高功率应用场景。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.9V，有助于降低导通损耗。内置二极管可承受40A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为2.5V，提升了整体能效与可靠性。该器件适用于需要高效能电力转换与控制的设备，提供稳定的电路运行表现。

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￥61.3415 ￥64.57
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￥53.01 ￥55.8
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￥47.937 ￥50.46
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￥43.681 ￥45.98

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型号：APT50GR120B2-HXY 编号：C49003481

封装：TO-247P

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本款IGBT管/模块集电极电流（Ic）为50A，集射极击穿电压（Vces）可达1200V，具备较高的耐压能力，适合中高功率应用场景。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.9V，在导通状态下能保持较好的能效表现。内置二极管可承受50A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为2.7V，适用于对稳定性与开关性能有一定要求的电路设计。

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￥64.5715 ￥67.97
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￥55.803 ￥58.74
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￥50.464 ￥53.12
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￥45.98 ￥48.4

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型号：SKQ150N65EH7I 编号：C49257179

封装：TO-247PLUS-3L

品牌：赛力康电气

N沟道 650V 150A 1.4mΩ@10v 功率(Pd)621W 阈值电压(Vgs(th)@Id) 4V@250uA

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￥65.7135 ￥77.31
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￥56.797 ￥66.82
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￥51.357 ￥60.42
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￥46.801 ￥55.06

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型号：FGH75N60SFTU-HXY 编号：C49003476

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块典型集电极电流为75A，集射极击穿电压达650V，具备较高的电流承载与耐压能力。导通状态下，集射极饱和电压为1.6V，有助于减少功率损耗。内部续流二极管可承受75A正向电流，正向压降为1.85V，表现出良好的导通性能。模块采用通用封装设计，便于安装与散热，适用于多种电力电子系统中的开关与控制场景，能够满足对稳定性和效率有较高要求的应用需求。

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￥66.1865 ￥69.67
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￥57.1995 ￥60.21
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￥51.718 ￥54.44
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￥47.1295 ￥49.61

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型号：APT70GR120B2-HXY 编号：C49003484

封装：TO-247P

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本IGBT管/模块具备75A的集电极电流（Ic）和1200V的集射极击穿电压（Vces），适用于高电压与大电流工作环境。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.9V，有效降低导通损耗，提升整体能效。内置二极管支持75A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.9V，具备优异的开关特性和稳定性。该器件适合应用于高效电力转换系统，如智能电网、新能源发电、精密电机驱动等场景，满足对可靠性与性能的严苛要求。

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￥71.1835 ￥74.93
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￥67.9535 ￥71.53
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￥62.358 ￥65.64
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￥57.475 ￥60.5

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型号：IXGH40N120B2D1-HXY 编号：C49003394

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为IGBT管/模块，具备40A的集电极电流（Ic）和1200V的集射极击穿电压（Vces），适用于高电压与大电流工作环境。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.9V，有效降低导通损耗，提高系统效率。内置二极管可支持40A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为2.5V，具备良好的热稳定性和响应特性。该器件适合用于需要高频开关、功率控制精度高的应用场景，如电源变换、智能电网及高性能电机驱动等场合。

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￥71.1835 ￥74.93
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￥67.9535 ￥71.53
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￥62.358 ￥65.64
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￥57.475 ￥60.5

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型号：IXYR50N120C3D1-HXY 编号：C49003395

封装：TO-247P

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具备50A的集电极电流(Ic)和1200V的集射极击穿电压(Vces)，可稳定工作于较高功率应用场景。其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.9V，有助于降低导通损耗。内置二极管可支持50A的正向电流(IF)，正向压降(Vf)为2.7V，提升了整体能效表现。该模块适用于需要高效能量转换与稳定性能的电力电子系统，如智能电网、新能源发电以及高性能电源设备等领域。

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￥72.637 ￥76.46
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￥62.776 ￥66.08
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￥56.772 ￥59.76
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￥51.7275 ￥54.45

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型号：APT50GT120B2RG-HXY 编号：C49003482

封装：TO-247P

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本款IGBT管/模块具备50A的集电极电流（Ic）和1200V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率电路应用。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.9V，在导通状态下可保持较低的能量损耗。内置二极管支持50A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为2.7V，具有良好的热稳定性和开关性能，适用于多种高性能电力电子系统的设计与应用。

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型号：IKY75N120CH3XKSA1-HXY 编号：C49003422

封装：TO-247P-4L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本款IGBT管/模块具备75A的集电极电流（Ic）与1200V的集射极击穿电压（Vces），适用于高功率密度和高效能转换的应用场景。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.91V，在保证性能的同时兼顾导通损耗控制。内置二极管支持75A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.8V，具备良好的反向恢复特性与热稳定性。该器件可广泛应用于电力变换、能源管理、智能电网及高性能电源系统中，满足对可靠性和效率有高要求的电路设计需求。

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￥77.482 ￥81.56
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￥66.9655 ￥70.49
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￥60.553 ￥63.74
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￥55.176 ￥58.08

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型号：SKG140N120CH7DI 编号：C49257180

封装：TO-247PLUS-4L

品牌：赛力康电气

N沟道 1200V 140A 1.7mΩ@10v 功率(Pd)962W 阈值电压(Vgs(th)@Id) 4V@250uA

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￥77.93
10+
￥74.39
30+
￥68.27
90+
￥62.92

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型号：IXXX160N65B4-HXY 编号：C49003479

封装：TO-247P

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具备160A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适合用于中高功率电力电子系统。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.37V，有助于降低导通损耗，提高能效。内置续流二极管支持160A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.33V，表现出良好的电流承载能力和较低的损耗特性。该模块适用于电源变换、能量管理及高效电子设备，可满足高频开关与稳定运行的设计需求。

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￥78.299 ￥82.42
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￥74.746 ￥78.68
30+
￥68.59 ￥72.2
90+
￥63.2225 ￥66.55

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型号：IXXX160N65C4-HXY 编号：C49003478

封装：TO-247P

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具有160A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率电力电子系统。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.37V，有效降低导通损耗，提升整体效率。内部集成的续流二极管可承受160A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.33V，具备良好的电流承载与恢复性能。该器件适合应用于电源转换、能量管理及高效能电子设备中，支持高频开关操作，满足对稳定性和可靠性要求较高的电路设计需求。