igbt模块_厂家_价格_品牌_库存

采用TRENCHSTOPTM 5技术的高速5 FAST IGBT，与RAPID 1快速软恢复反并联二极管共封装。

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￥9.2799 ￥14.73
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￥7.4412 ￥14.04
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￥5.8609 ￥13.63
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￥5.5599 ￥12.93

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型号：YGD40N65FFA1 编号：C49215483

封装：TO-3P

特性：高击穿电压至650V，提高可靠性。沟槽截止技术提供: 高速开关。高坚固性，温度稳定。短路耐受时间：5μs。低VCEsat。由于VCEsat的正温度系数，易于并联开关。应用：不间断电源。逆变器

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￥9.6425 ￥10.15
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￥8.208 ￥8.64
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￥7.315 ￥7.7
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￥5.985 ￥6.3
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￥5.8045 ￥6.11

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型号：CRG40T65AK5HD 编号：C3975125

封装：TO-247

品牌：CRMICRO(华润微)

光伏逆变储能 UPS 电源

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￥6.46
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￥5.81

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型号：SPT25N120U1 编号：C480180

封装：TO-247-3

品牌：SPTECH(深圳质超)

应用不间断电源太阳能逆变器焊接 PFC应用

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￥10.906 ￥11.48
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￥9.253 ￥9.74
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￥6.498 ￥6.84
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￥6.289 ￥6.62

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型号：YGW40N65F1 编号：C4153734

封装：TO-247

工规级 IGBT单管 N沟道，TO247，广泛应用于各类高频电源行业。

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￥10.9155 ￥11.49
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￥5.985 ￥6.3

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型号：SPT20N120F1 编号：C480177

封装：TO-247-3

品牌：SPTECH(深圳质超)

应用感应烹饪逆变微波炉谐振转换器软开关应用

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￥11.5995 ￥12.21
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￥6.384 ￥6.72
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￥6.1845 ￥6.51

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型号：IGW40N65H5 编号：C536102

封装：TO-247-3

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￥13.0416 ￥19.76
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￥8.6296 ￥18.76

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型号：DGW30N65CTL 编号：C20600422

封装：TO-247

品牌：YANGJIE(扬杰)

特性：低开关损耗。最高结温175℃。正温度系数。高耐用性，温度稳定。高短路能力（10μs）。应用：电机驱动逆变器。交流和直流伺服驱动放大器

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￥13.08
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￥10.1
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￥8.4

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型号：BLG75T65FDL-F 编号：C48677153

封装：TO-247

品牌：BL(上海贝岭)

采用先进的沟槽场截止（T-FS）技术，具有低VCE(sat)、优化的开关性能和低栅极电荷Qg。适用于光伏、UPS、升压和高开关频率应用。

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￥13.26
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￥9.86
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￥8.52

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型号：YGW50N65F1A 编号：C4153737

封装：TO-247

工规级 IGBT单管 N沟道，TO247，广泛应用于各类高频电源行业。

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￥13.4235 ￥14.13
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￥11.4285 ￥12.03
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￥9.7755 ￥10.29
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￥7.657 ￥8.06

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型号：IXYP15N65C3D1M-HXY 编号：C49003315

封装：TO-220F

该IGBT模块具备15A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率电力电子设备。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.79V，有助于降低导通损耗，提高系统效率。内置二极管可承受15A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.68V，提升了反向恢复性能与整体可靠性。该器件采用标准封装设计，便于散热与安装，广泛应用于电源转换、电机控制及智能电网等领域，为高性能电力电子装置提供了良好的技术支持。

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￥13.4995 ￥14.21
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￥11.495 ￥12.1
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￥8.1225 ￥8.55

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型号：S-FGH40N60UFDTU 编号：C42374824

封装：TO-247-3L

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

应用于电机驱动、太阳能逆变器、谐振转换器等等。

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￥14.47
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￥11.02

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型号：YGW60N65F1A2 编号：C4153740

封装：TO-247

工规级广泛应用于各类高频电源行业。

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￥15.143 ￥15.94
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型号：MBQ40T120QESTH-HXY 编号：C49003413

封装：TO-247

本产品为IGBT管/模块，具备40A的集电极电流（Ic）和1200V的集射极击穿电压（Vces），适用于较高电压与功率需求的电力电子系统。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.7V，在保证性能的同时有效控制导通损耗。内置二极管可支持40A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，表现出良好的导通特性和热稳定性。该器件适合用于高频开关、电源转换及能量管理系统的电路设计，能够满足对耐压能力与运行可靠性有要求的应用场景。

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￥16.23
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￥13.82
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￥12.32

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型号：IGW25T120 编号：C536094

封装：TO-247-3

特性：短路耐受时间：10μs。 TrenchStop和Fieldstop技术用于1200V应用，具有非常紧密的参数分布。 TrenchStop和Fieldstop技术用于1200V应用，具有高耐用性和温度稳定性能。 NPT技术由于VCE(sat)的正温度系数，具有易于并联开关的能力。低电磁干扰。低栅极电荷。应用：变频器。不间断电源

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￥17.0048 ￥26.57
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￥13.6782 ￥25.33
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￥10.8196 ￥24.59
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￥10.2652 ￥23.33

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型号：IRG7PH46UD-EP-HXY 编号：C49003327

封装：TO-247

本IGBT管/模块具备40A集电极电流（Ic）和1200V集射极击穿电压（Vces），适用于高耐压、大功率应用场景。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.7V，在保证性能的同时降低了导通损耗。内置二极管支持40A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，具备良好的热稳定性与可靠性。该模块设计紧凑，效率高，适合用于对功率密度和转换效率有较高要求的电力电子系统中。

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￥18.26
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￥15.55
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￥13.86

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型号：AFGHL50T65SQD-HXY 编号：C49003419

封装：TO-247

该IGBT模块具备50A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于中等功率电力转换场景。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有助于降低导通损耗，提升系统整体效率。内部集成二极管可承受50A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，具备良好的热稳定性和反向恢复性能。模块采用通用封装设计，便于安装与维护，适合用于各类高效能电源设备中的电力调控应用。

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￥21.736 ￥22.88
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￥18.677 ￥19.66
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￥16.8625 ￥17.75
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￥15.029 ￥15.82
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￥14.1835 ￥14.93
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￥13.794 ￥14.52

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型号：NGTB30N135IHRWG-HXY 编号：C49003400

封装：TO-247

该IGBT模块具有30A的集电极电流（Ic）和1350V的集射极击穿电压（Vces），适用于较高电压等级的功率应用环境。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.65V，有效控制导通损耗。内置续流二极管支持30A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，提升系统能效表现。模块设计符合标准封装规范，便于安装与散热管理，适用于电源变换、电机控制等高性能电力电子系统方案。

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￥21.736 ￥22.88
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￥18.677 ￥19.66
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￥16.8625 ￥17.75
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￥14.1835 ￥14.93
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￥13.794 ￥14.52

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型号：HGTG11N120CND 编号：C11755

封装：TO-247AC-3

品牌：onsemi(安森美)

非穿通 (NPT) IGBT 设计，是 MOS 门控高压开关 IGBT 系列的新成员。IGBT 结合了 MOSFET 和双极晶体管的最佳特性，具有 MOSFET 的高输入阻抗和双极晶体管的低导通损耗。适用于许多需要低传导损耗的中高频高压开关应用。

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￥22.03
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￥18.71
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￥16.73
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￥14.73
450+
￥13.81
900+
￥13.4

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型号：IKW75N65EL5 编号：C454251

封装：TO-247-3

采用TRENCHSTOP™ 5技术的低VCE(sat)绝缘栅双极型晶体管（IGBT），与RAPID 1快速软恢复反并联二极管共封装。

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￥22.79
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￥19.48
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￥17.41
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￥15.28
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￥14.32
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￥13.91

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型号：DGTD120T40S1PT-HXY 编号：C49003402

封装：TO-247

本产品为IGBT管/模块，具备集电极电流（Ic）40A、集射极击穿电压（Vces）1200V的高耐压与大电流能力，适合需要高效能功率转换的应用场景。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.7V，有效降低导通损耗，提高系统效率。内置二极管的正向电流（IF）可达40A，正向压降（Vf）为1.85V，支持快速恢复特性。该器件适用于电源变换器、智能电网设备、新能源控制系统等领域，提供稳定可靠的功率控制性能。

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￥24.78
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￥21.3
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￥19.23

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型号：FGW75N65WE 编号：C31630721

封装：TO-247

品牌：FUJI(富士电机)

特性：低功耗。低开关浪涌和噪声。高可靠性，高耐用性（RBSOA、SCSOA等）。应用：不间断电源。光伏功率调节器

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￥25.63
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￥21.88
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￥19.64
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￥17.39

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型号：IGW75N65H5XKSA1-HXY 编号：C49003469

封装：TO-247

本IGBT管/模块具备75A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率电力变换场景。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有效降低导通损耗，提升整体能效。内置续流二极管支持75A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，具备良好的高频响应与稳定性。模块采用优化的封装设计，兼顾散热性能与电气绝缘，适用于多种高效、高可靠性要求的电源系统。

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￥26.258 ￥27.64
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￥22.572 ￥23.76
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￥20.3775 ￥21.45
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￥16.6725 ￥17.55

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型号：AOK40B65HQ2 编号：C49003425

封装：TO-247

本款IGBT管/模块具备40A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率电力转换场景。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有效降低导通损耗，提升系统效率。内置二极管可支持40A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.8V，性能稳定可靠。该器件可广泛应用于电源管理、电机控制、智能电网及相关电子设备中，满足高效、高可靠性电路设计需求。

1+
￥27.17 ￥28.6
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￥23.351 ￥24.58
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￥18.7815 ￥19.77
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￥17.727 ￥18.66
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￥17.2425 ￥18.15

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型号：MIW40N65RA-BP-HXY 编号：C49003427

封装：TO-247

该IGBT模块具备40A的集电极电流(Ic)与650V的集射极击穿电压(Vces)，适用于中高功率电力转换场景。其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.6V，在保证性能的同时兼顾导通压降控制。内部续流二极管支持40A的正向电流(IF)，正向压降(Vf)为1.8V，具备良好的电流承载与续流特性。模块封装设计稳定，适用于多种高效能电源系统，提供可靠的开关表现和热管理能力。

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￥27.17 ￥28.6
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￥23.351 ￥24.58
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￥21.0805 ￥22.19
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￥18.7815 ￥19.77
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￥17.727 ￥18.66
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￥17.2425 ￥18.15

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型号：AOK75B65H1 编号：C49003324

封装：TO-247

该IGBT模块具备75A的集电极电流（Ic）与650V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率电力电子系统。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有效降低导通损耗，提升整体效率。内部集成的二极管可承受75A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，具备良好的热稳定性和电流承载能力。模块采用标准化封装设计，便于安装和散热，适用于电源变换、电机驱动及电力调节等多种应用场合，提供高效可靠的功率解决方案。

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￥27.17 ￥28.6
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￥17.2425 ￥18.15

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型号：FGH75T65SHD-F155-HXY 编号：C49003311

封装：TO-247

本IGBT管/模块具备75A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），可满足中高功率应用场景的需求。器件的集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有助于提升导通效率并减少能量损耗。内置二极管支持75A正向电流（IF），其正向压降（Vf）为1.85V，具有良好的热稳定性和可靠性。该产品适用于智能电网、家用电器以及高效电源转换系统，为复杂电路提供精准的开关控制与能量传输支持。

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型号：FGH75T65SHD-F155 编号：C511966

封装：TO-247-G03

品牌：onsemi(安森美)

安森美半导体的新型场截止第 3 代 IGBT 系列采用新型场截止 IGBT 技术，为太阳能逆变器、UPS、焊接机、电信、ESS 和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用提供最佳性能。

数据手册

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￥28.29
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￥25.26
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￥23.45
90+
￥21.63
450+
￥20.78
900+
￥20.4

有货

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型号：NGTB40N65FL2WG-HXY 编号：C49003415

封装：TO-247

本IGBT管/模块具备40A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率电力转换与控制场景。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，在导通状态下可有效降低损耗，提升系统效率。内置二极管支持40A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.8V，具备良好的热稳定性和可靠性。该器件适合对能效、运行稳定性及安装空间有较高要求的多样化应用环境，满足复杂工况下的长期使用需求。

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￥22.4865 ￥23.67
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￥18.905 ￥19.9
990+
￥18.392 ￥19.36

有货

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型号：RGWS00TS65GC13-HXY 编号：C49003463

封装：TO-247