igbt模块_厂家_价格_品牌_库存

该IGBT模块典型集电极电流为75A，集射极击穿电压达650V，具备较高的电流承载与耐压能力。导通状态下，集射极饱和电压为1.6V，有助于减少功率损耗。内部续流二极管可承受75A正向电流，正向压降为1.85V，表现出良好的导通性能。模块采用通用封装设计，便于安装与散热，适用于多种电力电子系统中的开关与控制场景，能够满足对稳定性和效率有较高要求的应用需求。

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￥66.1865 ￥69.67
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￥57.1995 ￥60.21
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￥47.1295 ￥49.61

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型号：6MBP30XSF060-50 编号：C5819992

封装：DIP-24

品牌：FUJI(富士电机)

特性：低侧IGBT为独立发射极类型。短路保护。温度传感器输出功能。过热保护。欠压保护。故障信号输出功能。应用：AC 100~240V三相逆变器驱动，用于小功率交流电机驱动（如空调压缩机电机驱动、热泵应用压缩机电机驱动、风扇电机驱动、通风机电机驱动）

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￥70.85
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￥60.93
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￥54.88

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型号：APT70GR120B2-HXY 编号：C49003484

封装：TO-247P

本IGBT管/模块具备75A的集电极电流（Ic）和1200V的集射极击穿电压（Vces），适用于高电压与大电流工作环境。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.9V，有效降低导通损耗，提升整体能效。内置二极管支持75A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.9V，具备优异的开关特性和稳定性。该器件适合应用于高效电力转换系统，如智能电网、新能源发电、精密电机驱动等场景，满足对可靠性与性能的严苛要求。

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￥71.1835 ￥74.93
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￥67.9535 ￥71.53
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型号：IXGH40N120B2D1-HXY 编号：C49003394

封装：TO-247

本产品为IGBT管/模块，具备40A的集电极电流（Ic）和1200V的集射极击穿电压（Vces），适用于高电压与大电流工作环境。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.9V，有效降低导通损耗，提高系统效率。内置二极管可支持40A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为2.5V，具备良好的热稳定性和响应特性。该器件适合用于需要高频开关、功率控制精度高的应用场景，如电源变换、智能电网及高性能电机驱动等场合。

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型号：IXYR50N120C3D1-HXY 编号：C49003395

封装：TO-247P

该IGBT模块具备50A的集电极电流(Ic)和1200V的集射极击穿电压(Vces)，可稳定工作于较高功率应用场景。其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.9V，有助于降低导通损耗。内置二极管可支持50A的正向电流(IF)，正向压降(Vf)为2.7V，提升了整体能效表现。该模块适用于需要高效能量转换与稳定性能的电力电子系统，如智能电网、新能源发电以及高性能电源设备等领域。

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￥72.637 ￥76.46
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￥62.776 ￥66.08
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￥56.772 ￥59.76
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￥51.7275 ￥54.45

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型号：APT50GT120B2RG-HXY 编号：C49003482

封装：TO-247P

本款IGBT管/模块具备50A的集电极电流（Ic）和1200V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率电路应用。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.9V，在导通状态下可保持较低的能量损耗。内置二极管支持50A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为2.7V，具有良好的热稳定性和开关性能，适用于多种高性能电力电子系统的设计与应用。

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￥72.637 ￥76.46
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型号：IKY75N120CH3XKSA1-HXY 编号：C49003422

封装：TO-247P-4L

本款IGBT管/模块具备75A的集电极电流（Ic）与1200V的集射极击穿电压（Vces），适用于高功率密度和高效能转换的应用场景。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.91V，在保证性能的同时兼顾导通损耗控制。内置二极管支持75A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.8V，具备良好的反向恢复特性与热稳定性。该器件可广泛应用于电力变换、能源管理、智能电网及高性能电源系统中，满足对可靠性和效率有高要求的电路设计需求。

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￥77.482 ￥81.56
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￥66.9655 ￥70.49
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￥60.553 ￥63.74
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￥55.176 ￥58.08

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型号：FP30R06W1E3 编号：C534021

封装：插件,62.8x33.8mm

IGBT模块

数据手册

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￥173.92
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￥164.63

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型号：IXYT25N250CHV 编号：C17218292

封装：TO-268

品牌：Littelfuse/IXYS

特性：高压封装。高阻断电压。高峰值电流能力。低饱和电压。低栅极驱动要求。高功率密度。应用：开关模式和谐振模式电源。不间断电源 (UPS)

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￥213.5
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￥203

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型号：FP25R12KT4 编号：C3190284

封装：插件,107.5x45mm

特性：扩展工作温度 T₍Vop₎。低开关损耗。 Trench IGBT 4。 T₍Vop₎ = 150℃。高功率和热循环能力。集成 NTC 温度传感器。应用：电机驱动。伺服驱动器

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￥248.6
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￥239.8

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型号：FF200R12KS4 编号：C540999

封装：螺栓安装

62mm C系列模块，带有用于高频开关的快速IGBT2

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￥576.19
30+
￥550.4

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型号：FF600R12KE7 编号：C44038342

封装：螺栓安装

特性：电气特性: -VCES = 1200V。 -ICnom = 600A / ICRM = 1200A。 -TRENCHSTOP IGBT7 VCE,sat 具有正温度系数。机械特性: -4 kV AC 1 分钟绝缘。 -高爬电和电气间隙距离。 -高功率密度。应用：伺服驱动器。太阳能应用

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￥696.44
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￥660

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型号：FF900R12ME7B11 编号：C3190352

封装：螺栓安装

特性：集成温度传感器。 Trenchstop™ IGBT7。 VcEsat 具有正温度系数。高功率密度。绝缘底板。 PressFIT 连接技术。应用：高功率转换器。商用农业车辆

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￥1259.96
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￥1200

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型号：CMD5B65D 编号：C51793161

封装：TO-252

品牌：Cmos(广东场效应半导体)

MOS管，TO-252，N场，耐压：650V，电流：5A，功率：65W，CissTyp：260PF

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￥1.0102
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￥0.988
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￥0.9732

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型号：IKA15N60T-JSM 编号：C42444742

封装：TO-220F

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

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￥3.33
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￥3.25
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￥3.19

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型号：NCE07TD60BD 编号：C502938

封装：TO-263

采用NCE专有的沟槽设计和先进的第二代FS（场截止）技术，600V沟槽FSII IGBT具备卓越的导通和开关性能，且易于并联运行。

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￥3.79
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￥3.11
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￥2.77
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￥2.44

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型号：NCE15TD60BF 编号：C502930

封装：TO-220F

采用NCE专有的沟槽设计和先进的第二代FS（场截止）技术，600V沟槽FSII IGBT具备卓越的导通和开关性能，且易于并联运行。

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￥3.91
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￥3.09
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￥2.68
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￥2.27

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型号：MSG20T65HPE0 编号：C7424059

封装：TO-263

品牌：MASPOWER(麦思浦)

特性：低栅极电荷。沟槽FS技术。饱和电压：VCE(sat)，典型值 = 1.6V，IC = 20A 且 TC = 25℃。符合RoHS标准的产品。应用：通用逆变器。不间断电源（UPS）

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￥4.92
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￥3.97
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￥3.5
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￥3.03
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￥2.75
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￥2.61

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型号：IGP06N60T 编号：C536072

封装：TO-220-3

特性：极低的集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)）：1.5V（典型值）。最高结温：175℃。短路耐受时间：5μs。适用于600V应用的TRENCHSTOP和场截止技术，提供: -非常紧密的参数分布。 -高耐用性，温度稳定性能。低电磁干扰（EMI）。应用：洗衣机和空调的变速驱动器。降压转换器

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￥5.2753 ￥7.43
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￥4.1236 ￥6.76
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￥3.2589 ￥6.39
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￥3.0447 ￥5.97
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￥2.9529 ￥5.79
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￥2.907 ￥5.7

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型号：DGF10N65CTL0 编号：C20600400

封装：TO-220F

品牌：YANGJIE(扬杰)

特性：高速平滑开关器件，适用于硬开关和软开关。最高结温175℃。正温度系数。高耐用性，温度稳定。应用：软开关应用。空调

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￥5.5
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￥4.49
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￥3.98
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￥3.48

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型号：NCE20TD60BF 编号：C502932

封装：TO-220F

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￥5.97
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￥4.72
50+
￥4.09

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型号：NCE20TD60B 编号：C502933

封装：TO-220

采用专有沟槽设计和先进的 FS（场截止）第二代技术，600V 沟槽 FSII IGBT 具有卓越的导通和开关性能，且易于并联操作。

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￥6.03
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￥4.89
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￥4.32
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￥3.75

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型号：YGP20N65T2 编号：C4153667

封装：TO-220

品牌：luxin-semi(上海陆芯)

工规级 IGBT单管 N沟道，TO220，广泛应用于小电源，电机驱动行业。

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￥6.099 ￥6.42
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￥5.073 ￥5.34
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￥4.3415 ￥4.57
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￥3.705 ￥3.9
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￥3.42 ￥3.6
1000+
￥3.2965 ￥3.47

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型号：STGP8NC60KD 编号：C2970493

封装：TO-220

品牌：ST(意法半导体)

该IGBT采用先进的PowerME5H™工艺，在开关性能和低导通状态性能之间实现了出色的平衡。

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￥7.3
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￥7.16
30+
￥7.07

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型号：IXYP15N65C3D1M-HXY 编号：C49003315

封装：TO-220F