igbt模块_厂家_价格_品牌_库存

型号：FGW50N60HD 编号：C35532347

封装：TO-247

品牌：FUJI(富士电机)

特性：低功率损耗。低开关浪涌和噪声。高可靠性，高耐用性（RBSOA、SCSOA等）。应用：不间断电源。功率调节器

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￥29.77
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￥25.83
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￥21.13

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型号：IXYH40N65C3H1-HXY 编号：C49003390

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具备40A集电极电流（Ic）和650V集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率转换场景。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有助于降低导通损耗，提升系统效率。内置续流二极管可承受40A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.8V，具备良好的电流响应与稳定性。采用通用封装设计，便于安装与散热，适合应用于电源变换、电机控制及智能电网等技术领域，满足多样化电路设计需求。

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￥30.7895 ￥32.41
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￥26.4575 ￥27.85
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￥23.883 ￥25.14
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￥21.2895 ￥22.41
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￥20.083 ￥21.14
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￥19.5415 ￥20.57

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型号：RGTH00TS65GC13-HXY 编号：C49003456

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具备50A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率场合。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有助于降低导通损耗。内置二极管可承受50A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，提升了整体能效与稳定性。模块设计兼顾性能与可靠性，适合多种高效能电力转换场景的应用需求。

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￥30.7895 ￥32.41
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型号：NGTB50N65FL2WG-HXY 编号：C49003319

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本IGBT管/模块具备50A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于多种中功率电力电子应用。导通状态下，集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有助于降低导通损耗，提升系统效率。内置续流二极管可支持50A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，具备良好的反向恢复特性。该器件适合用于电源转换、电机控制及能源管理系统，能够在较高频率下稳定工作，满足对性能与可靠性有要求的应用场合。

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型号：AFGHL40T65SPD-HXY 编号：C49003317

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为IGBT管/模块，具备集电极电流（Ic）40A、集射极击穿电压（Vces）650V的额定参数，能够满足较高功率应用场景的需求。在导通状态下，集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有助于降低导通损耗。内置续流二极管的正向电流（IF）为40A，正向压降（Vf）为1.8V，性能稳定。该模块适用于需要高效能与高可靠性的电力电子系统中，可广泛用于电源变换、电机控制及能源管理等领域，提供稳定的开关和导通表现。

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￥20.083 ￥21.14
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型号：RGSX5TS65HRC11-HXY 编号：C49003473

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本IGBT管/模块具备75A集电极电流（Ic）和650V集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率电力电子系统。其集射极饱和压降为1.6V，在导通状态下可有效控制能量损耗。内置二极管支持75A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，具备良好热稳定性和快速恢复特性。该器件适合用于电源转换、电机控制、储能装置及智能电力管理系统，满足对效率、可靠性和集成度有较高要求的电路设计应用需求。

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￥32.2905 ￥33.99
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￥27.9015 ￥29.37
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￥25.232 ￥26.56
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￥22.99 ￥24.2

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型号：IRGP4790-EPBF-HXY 编号：C49003471

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为IGBT管/模块，具备75A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于较高功率的应用场景。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有助于降低导通损耗。内置二极管可支持75A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，性能稳定。该模块在电源转换、电力控制等领域表现优异，能够满足多种复杂电路设计对效率与可靠性的要求。

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型号：IXXH40N65B4H1-HXY 编号：C49003388

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具备40A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率场合。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有助于降低导通损耗。内置二极管可承受40A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.8V，具备良好的续流能力。模块采用标准封装，便于散热与安装，适用于电源变换、电机控制及智能电网等领域，提供稳定可靠的开关性能。

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型号：RGS00TS65EHRC11-HXY 编号：C49003386

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本款IGBT管/模块具备50A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于较高功率需求的电力电子系统。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.65V，有助于降低导通损耗并提升整体效率。内置二极管可支持50A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.45V，进一步优化了器件在高频开关环境中的性能表现。该模块在结构设计上兼顾热稳定性和电气绝缘性，适合多种高要求场景下的功率转换与控制应用。

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￥25.232 ￥26.56
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型号：IRGP4266-EPBF-HXY 编号：C49003470

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本IGBT管/模块具备75A集电极电流（Ic）与650V集射极击穿电压（Vces），适合中高功率电力电子系统应用。其集射极饱和压降（VCE(sat)）为1.6V，有助于降低导通损耗，提升转换效率。内置续流二极管支持75A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，能够在高频工作条件下提供稳定可靠的反向续流路径。模块结构设计优化，兼顾良好的散热性能与电气稳定性，适用于多种高效电源变换设备。

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型号：IGW40N120H3-HXY 编号：C49003446

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本IGBT管/模块具有40A集电极电流（Ic）和1200V集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率场合。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.9V，有助于降低导通损耗，提升系统效率。内置二极管可承受40A正向电流（IF），正向压降（Vf）为2.5V，支持快速、稳定的反向恢复特性。该器件适用于各类电源转换设备、电机驱动装置及储能系统，具备良好的热稳定性和可靠性，适合在复杂工况下长期运行，满足多样化功率控制需求。

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型号：APT45GR65B-HXY 编号：C49003461

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具有50A集电极电流（Ic）和650V集射极击穿电压（Vces），支持高功率密度设计。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有助于降低导通损耗，提升能效。内置二极管可承受50A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，具备良好的续流能力。模块采用坚固封装结构，适用于多种高频开关应用，如电源转换、电机控制及智能家电等领域，提供稳定可靠的电力电子解决方案。

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型号：IKW60N60H3-HXY 编号：C49003414

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本IGBT管/模块具备60A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率场合下的电力控制与转换。其导通时集射极饱和电压（VCE(sat)）低至1.65V，有效减少导通损耗，提高整体能效。内部二极管可承载最大50A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.65V，表现出良好的热稳定性与可靠性。该器件适合用于对效率、稳定性和空间布局有较高要求的多种应用场合，满足复杂环境下的长期运行需求。

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￥32.5945 ￥34.31
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￥28.0155 ￥29.49
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￥25.289 ￥26.62
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￥22.534 ￥23.72
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￥21.2705 ￥22.39
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￥20.691 ￥21.78

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型号：IRGP4263D-EPBF-HXY 编号：C49003331

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具有50A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率电力电子系统。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有助于降低导通损耗，提升转换效率。内置续流二极管支持50A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，可在高频开关与能量回馈应用中提供稳定性能。模块结构设计优化，兼顾散热效率与电气性能，广泛应用于电源变换、新能源控制及高效电机驱动等领域，满足高压高电流场景的技术需求。

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￥33.9055 ￥35.69
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￥29.298 ￥30.84
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￥24.1395 ￥25.41

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型号：RGS80TS65HRC11-HXY 编号：C49003450

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为IGBT管/模块，主要参数包括：集电极电流（Ic）为40A，集射极击穿电压（Vces）达650V，确保在高压环境下稳定工作；集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有助于降低导通损耗。内置二极管的正向电流（IF）为40A，正向压降（Vf）为1.8V，具备良好的续流能力。该器件适用于需要高效能功率转换与控制的场景，如智能电网、可再生能源系统及精密电机驱动等领域，提供可靠、高效的性能支持。

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￥34.409 ￥36.22
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￥29.5735 ￥31.13
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￥26.695 ￥28.1
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￥23.788 ￥25.04
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￥22.4485 ￥23.63
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￥21.8405 ￥22.99

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型号：IXYH50N65C3H1-HXY 编号：C49003391

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT管/模块的集电极电流（Ic）为40A，集射极击穿电压（Vces）达650V，可支持较高功率应用场景。集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有助于降低导通损耗。内置二极管的正向电流（IF）为40A，正向压降（Vf）为1.8V，具备良好的反向恢复性能。该器件适用于需要高效能与稳定性的电力转换设备，如电源系统、储能装置及智能电网相关设备中，满足高可靠性和高效率的设计需求。

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￥40.356 ￥42.48
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￥34.8745 ￥36.71
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￥31.54 ￥33.2
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￥28.7375 ￥30.25

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型号：IXXH60N65B4-HXY 编号：C49003431

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT管/模块具备60A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率电力转换场景。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.65V，有助于降低导通损耗，提升系统效率。内置二极管可承受50A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.65V，进一步优化整体电性能表现。该器件适合用于多种类型的电力电子设备中，满足对稳定性和效率的较高要求。

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￥28.7375 ￥30.25

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型号：APT70GR65B-HXY 编号：C49003472

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本IGBT管/模块具备75A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率电力电子设备。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有效降低导通损耗，提升系统效率。内置二极管支持75A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，具备良好的反向恢复特性。该器件可广泛应用于电源变换器、电机驱动、储能系统及智能电网等场景，满足高效能与高稳定性需求的电路设计要求。

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￥43.586 ￥45.88
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￥37.6675 ￥39.65
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￥34.067 ￥35.86
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￥31.0365 ￥32.67

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型号：APT40GR120B-HXY 编号：C49003445

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本款IGBT管/模块典型集电极电流为40A，集射极击穿电压达1200V，具备较强的高电压和大电流承载能力。其集射极饱和电压为1.9V，在导通状态下可有效降低功率损耗。内部反并联二极管支持40A正向电流，正向压降为2.5V，适用于高频开关应用。该器件适合用于电源变换、电机控制及储能系统等场景，具备良好的热稳定性与可靠性，能够适应较复杂的工作环境，满足高效能功率转换需求。

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型号：APT68GA60B-HXY 编号：C49003455

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本IGBT管/模块具备40A集电极电流（Ic）和650V集射极击穿电压（Vces），满足中高功率场景下的开关需求。导通时集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有效控制导通损耗。内部集成续流二极管，其正向电流（IF）达40A，正向压降（Vf）为1.8V，确保稳定工作。该器件适用于电源变换、智能电网、高性能电子设备等应用场景，具备良好的热稳定性与开关性能，可为系统提供高效可靠的支持。

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￥45.201 ￥47.58
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￥39.064 ￥41.12
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￥35.321 ￥37.18
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￥32.186 ￥33.88

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型号：IGW100N60H3-HXY 编号：C49003438

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本IGBT模块具有100A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率应用场景。导通状态下，集射极饱和电压（VCE(sat)）低至1.45V，有效减少导通损耗，提升整体能效。内置二极管可承受100A的正向电流（IF），其正向压降（Vf）为1.55V，具备良好的导电性能与热稳定性。该模块可广泛用于高效能电源转换系统、精密电机驱动及电力调控装置，为高要求电路设计提供可靠的技术支持。

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￥39.064 ￥41.12
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￥32.186 ￥33.88

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型号：IXYH100N65C3-HXY 编号：C49003474

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具有75A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率场合。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有助于降低导通损耗。内置二极管可承受75A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，具备良好的反向恢复特性。模块采用标准封装形式，便于散热与安装，适用于电源转换、电机控制及能源管理等领域，提供稳定可靠的开关性能。

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￥32.186 ￥33.88

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型号：IXYH55N120C4-HXY 编号：C49003437

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本IGBT模块具备60A的集电极电流（Ic）和1200V的集射极击穿电压（Vces），适用于高电压与大电流的工作环境。导通时，集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.65V，有助于降低导通损耗，提高系统效率。内置二极管可承受60A的正向电流（IF），其正向压降（Vf）为2.35V，具备良好的热稳定性和可靠性。该器件可广泛应用于高效电源转换、精密电机控制及电力调节设备中，满足对功率密度和能效要求较高的场景需求。

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￥32.186 ￥33.88

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型号：IRG7PH50K10D-EPBF-HXY 编号：C49003382

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为IGBT管/模块，具备40A的集电极电流（Ic）和1200V的集射极击穿电压（Vces），适用于较高功率的应用场景。在导通状态下，集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.9V，有助于降低导通损耗。内置二极管可支持40A的正向电流（IF），其正向压降（Vf）为2.5V，性能稳定。该器件适合用于需要高效能开关与耐高压特性的设备中，如电力转换装置、精密电机控制及高频率电源系统等场景。

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￥48.431 ￥50.98
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￥41.857 ￥44.06
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￥37.848 ￥39.84
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￥34.485 ￥36.3

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型号：IXYH75N65C3H1-HXY 编号：C49003392

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT管/模块具备60A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），可支持中高功率电力转换需求。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.65V，有助于降低导通损耗，提升系统效率。内置二极管可承受50A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.65V，具备良好的电流承载与恢复特性。适用于各类高效能电源设备、储能系统及智能电网相关装置，满足对稳定性与效率的高标准要求。

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型号：IXYH75N65C3D1-HXY 编号：C49003430

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT管/模块具备60A的集电极电流（Ic）与650V的集射极击穿电压（Vces），可适应较高功率需求的电路设计。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.65V，有效降低导通压降，提升能量转换效率。内置二极管支持50A正向电流（IF），正向压降（Vf）同样为1.65V，进一步优化系统整体性能。该器件适合用于多种高效电力控制与转换场景，提供稳定可靠的运行表现。

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￥51.661 ￥54.38
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￥44.6405 ￥46.99
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￥40.3655 ￥42.49
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￥36.784 ￥38.72

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型号：IRG8P60N120KD-EPBF-HXY 编号：C49003397

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具备40A的集电极电流(Ic)和1200V的集射极击穿电压(Vces)，可稳定工作于较高功率应用场景。其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.7V，有助于降低导通损耗。内置二极管可支持40A正向电流(IF)，正向压降(Vf)为1.85V，提升了整体能效表现。该模块适用于需要高效能量转换与稳定性能的电力电子系统中，提供可靠的开关与续流功能。

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￥52.68
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￥45.53
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￥41.17

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型号：IXYH40N65B3D1-HXY 编号：C49003389

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块集电极电流（Ic）为40A，集射极击穿电压（Vces）达650V，具备较强的电流承载与耐压能力。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，在导通状态下可有效控制功率损耗。内部续流二极管支持40A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.8V，确保稳定可靠的续流性能。模块设计紧凑，适配通用封装标准，便于安装与散热，广泛应用于电源转换、电机驱动及智能电网等高要求场景。

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型号：IXGH60N60C3D1 编号：C497181

封装：TO-247-3

品牌：Littelfuse/IXYS

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型号：IXYH40N120C3-HXY 编号：C49003442

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本IGBT管/模块具备40A的集电极电流（Ic）和1200V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率电力电子设备。导通时集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.9V，有效降低导通损耗，提升系统整体效率。内部反并联二极管可承受40A的正向电流（IF），其正向压降（Vf）为2.5V，具备良好的续流能力与稳定性。该器件适合应用于电源变换器、储能系统及高效能开关电路等场景，满足对性能与可靠性有较高要求的电力电子设计方案。

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