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工规级 IGBT单管 N沟道，TO247，广泛应用于各类高频电源行业。

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￥11.4855 ￥12.09
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型号：CRG40T120BV3S 编号：C42407854

封装：TO-264

品牌：CRMICRO(华润微)

具有良好的导通和开关特性，易并联使用的特点。符合RoHS指令要求。

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型号：SPT50N65F1A1 编号：C480188

封装：TO-247-3

品牌：SPTECH(深圳质超)

应用不间断电源逆变器焊接转换器 PFC应用转换器与高转换频率

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￥12.0935 ￥12.73
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型号：IKW30N60H3 编号：C114962

封装：TO-247-3

高速双封装：采用沟槽和场截止技术的 IGBT，配备软恢复、快速恢复的反并联二极管。

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型号：IKW30N60T 编号：C10457

封装：TO-247

Vce=600V，Ic=30A，Vce(sat)=1.5V

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￥13.53
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型号：HX40N120-TO247 编号：C41399171

封装：TO-247

品牌：ZHHXDZ(海芯电子)

HX40N120-TO247采用沟槽和场截止技术的IGBT，配备软恢复快速反向并联二极管

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￥13.572 ￥15.08
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型号：IRGP4063DPBF-HXY 编号：C49003310

封装：TO-247

该IGBT管/模块具备集电极电流（Ic）50A与集射极击穿电压（Vces）650V的电气特性，适用于中高功率的电子系统设计。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.65V，在导通状态下可有效控制能量损耗。内置二极管支持正向电流（IF）50A，正向压降（Vf）低至1.45V，具备良好的续流性能和热稳定性。该器件适合应用于电源转换、电机控制及其他对效率与可靠性有较高要求的电路场景。

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￥14.421 ￥15.18
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型号：IGW40N60TP-HXY 编号：C49003452

封装：TO-247

该IGBT模块具备40A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率电力电子系统。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有效降低导通损耗，提升效率。内置续流二极管支持40A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.8V，进一步优化整体能效表现。该器件广泛应用于电源转换、电机控制及高频开关电路中，满足多种高性能电路设计需求。

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型号：IGW30N65L5 编号：C536097

封装：TO-247-3

特性：低 VcE(sat) L5 技术，极低的集电极-发射极饱和电压 VcEsat。导通和开关损耗之间的同类最佳平衡。 650V 击穿电压。低栅极电荷 QG。最高结温 175℃。针对目标应用通过 JEDEC 认证。应用：不间断电源。太阳能光伏逆变器

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型号：YGW50N65T1 编号：C4153738

封装：TO-247

工规级 IGBT单管 N沟道，TO247，广泛应用于各类高频电源行业。

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￥9.595 ￥10.1
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￥9.31 ￥9.8

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型号：CRG75T60AK3HD 编号：C49705101

封装：TO-247-3

品牌：CRMICRO(华润微)

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￥16.84
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型号：IKW50N60DTP 编号：C501514

封装：TO-247-3

特性：TRENCHSTOP™技术提供极低的VCEsat。低关断损耗。短尾电流。低电磁干扰。非常软、快速恢复的反并联二极管。最高结温175℃。应用：驱动器。太阳能逆变器

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型号：IRG7PH46UD-EP-HXY 编号：C49003327

封装：TO-247

本IGBT管/模块具备40A集电极电流（Ic）和1200V集射极击穿电压（Vces），适用于高耐压、大功率应用场景。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.7V，在保证性能的同时降低了导通损耗。内置二极管支持40A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，具备良好的热稳定性与可靠性。该模块设计紧凑，效率高，适合用于对功率密度和转换效率有较高要求的电力电子系统中。

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￥18.26
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￥15.55
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￥13.86

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型号：IKW75N65EL5 编号：C454251

封装：TO-247-3

采用TRENCHSTOP™ 5技术的低VCE(sat)绝缘栅双极型晶体管（IGBT），与RAPID 1快速软恢复反并联二极管共封装。

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￥17
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￥12.48

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型号：IKW40N120H3-HXY 编号：C49003403

封装：TO-247

本IGBT管/模块具备40A集电极电流（Ic）和1200V集射极击穿电压（Vces），支持高耐压与大电流工作环境。导通状态下，集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.7V，有效降低损耗并提升效率。内部集成二极管正向电流（IF）达40A，正向压降（Vf）为1.85V，具备良好的开关特性和热稳定性。该器件适用于各类高效能电源转换系统、智能电网设备及新能源控制装置中的高频功率切换应用。

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￥19.85
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￥15.06

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型号：IHW20N120R5 编号：C536118

封装：TO-247-3

特性：强大的单片体二极管，正向电压低，专为软换流设计。TRENCHSTOP™技术，具有以下特点:非常紧密的参数分布。高鲁棒性，温度稳定性能。低VCEsat。由于VCEsat的正温度系数，易于并联开关。低电磁干扰。应用：感应烹饪。逆变微波炉

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￥20.02
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￥14.83
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型号：IKW15N120T2 编号：C79568

封装：TO-247-3

低损耗 DuoPack：采用第二代 TrenchStop 技术的 IGBT，具有软、快速恢复反并联发射极控制二极管。

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￥20.21
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￥17.37
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￥15.59
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￥12.59

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型号：NCE80TD60BT 编号：C502947

封装：TO-247

品牌：NCE(无锡新洁能)

使用专有沟槽设计和先进的 FS（场截止）第二代技术，600V 沟槽 FSII IGBT 具有卓越的导通和开关性能，且易于并联操作。

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￥20.43
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￥17.03
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￥14.9

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型号：NGTB40N120IHRWG-HXY 编号：C49003329

封装：TO-247

该IGBT模块具有40A的集电极电流（Ic）和1200V的集射极击穿电压（Vces），适用于高功率、高电压的应用场景。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.7V，有助于降低导通损耗，提高系统效率。内置的续流二极管具备40A的正向电流（IF）能力和1.85V的正向压降（Vf），在高频开关和能量回馈场合表现稳定。模块采用标准封装设计，便于安装与散热，广泛用于电源变换、新能源设备及精密电机控制等电力电子领域。

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￥20.97
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￥18.02
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￥16.27

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型号：IKWH60N65WR6 编号：C5359103

封装：TO-247-3

特性：VCE = 650 V。 IC = 60 A。引脚到引脚爬电距离 > 4.8 mm。引脚到引脚电气间隙距离 > 3.4 mm。针对PFC和焊接应用优化的单片二极管。稳定的温度特性。应用：PFC。焊接

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￥23.58
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￥19.58
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￥17.21
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￥14.81

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型号：SPT40N120T1B1T8TL-HXY 编号：C49003313

封装：TO-247

该IGBT模块具有40A的集电极电流(Ic)和1200V的集射极击穿电压(Vces)，可满足高功率场合下的开关需求。其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.7V，有助于降低导通损耗。内置二极管具备40A的正向电流(IF)能力，正向压降(Vf)为1.85V，提升了整体能效与稳定性。模块采用标准封装设计，适用于多种高电压、大电流应用场景，如智能电网设备、新能源变换系统及精密电源管理装置等。

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￥24.78
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￥21.3
30+
￥19.23

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型号：YGW75N65HP 编号：C4153747

封装：TO-247

工规级广泛应用于各类高频电源行业。

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￥25.5645 ￥26.91
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￥22.002 ￥23.16
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￥19.0855 ￥20.09
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￥16.9385 ￥17.83
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￥15.9505 ￥16.79
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￥15.504 ￥16.32

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型号：FGW75N65WE 编号：C31630721

封装：TO-247

品牌：FUJI(富士电机)

特性：低功耗。低开关浪涌和噪声。高可靠性，高耐用性（RBSOA、SCSOA等）。应用：不间断电源。光伏功率调节器

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￥25.86
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￥22.11
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￥19.88
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￥17.62

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型号：YGW40N120F2 编号：C4153679

封装：TO-247

工规级 IGBT单管 N沟道，TO247，广泛应用于各类高频电源行业。

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￥27.1795 ￥28.61
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￥23.3605 ￥24.59
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￥20.235 ￥21.3
90+
￥17.936 ￥18.88
510+
￥16.8815 ￥17.77
1200+
￥16.397 ￥17.26

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型号：IKW75N60H3 编号：C2916135

封装：TO-247-3

特性：TRENCHSTOP™技术。极低的VCEsat。低EMI。最高结温175℃。符合JEDEC标准，适用于目标应用。无铅引脚镀层，无卤模塑料，符合RoHS标准。应用：不间断电源。焊接转换器

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1+
￥30.05
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￥26.3
30+
￥24.07
90+
￥21.81
480+
￥20.77
960+
￥20.3

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型号：STGW80H65DFB 编号：C457471

封装：TO-247

品牌：ST(意法半导体)

650 V、80 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT

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￥32.7756 ￥63.03
10+
￥28.4388 ￥54.69
30+
￥25.792 ￥49.6
90+
￥23.5768 ￥45.34

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型号：IRG7PH50K10D-EPBF-HXY 编号：C49003382

封装：TO-247

本产品为IGBT管/模块，具备40A的集电极电流（Ic）和1200V的集射极击穿电压（Vces），适用于较高功率的应用场景。在导通状态下，集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.9V，有助于降低导通损耗。内置二极管可支持40A的正向电流（IF），其正向压降（Vf）为2.5V，性能稳定。该器件适合用于需要高效能开关与耐高压特性的设备中，如电力转换装置、精密电机控制及高频率电源系统等场景。

1+
￥36.404 ￥38.32
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￥35.5775 ￥37.45
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￥35.036 ￥36.88
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￥34.485 ￥36.3

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型号：IXYH75N65C3H1-HXY 编号：C49003392

封装：TO-247

该IGBT管/模块具备60A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），可支持中高功率电力转换需求。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.65V，有助于降低导通损耗，提升系统效率。内置二极管可承受50A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.65V，具备良好的电流承载与恢复特性。适用于各类高效能电源设备、储能系统及智能电网相关装置，满足对稳定性与效率的高标准要求。

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￥36.404 ￥38.32
10+
￥35.5775 ￥37.45
30+
￥35.036 ￥36.88
90+
￥34.485 ￥36.3

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型号：FGH60N60SFDTU-HXY 编号：C49003411

封装：TO-247