igbt模块_厂家_价格_品牌_库存

型号：H08T60 编号：C50325456

封装：TO-220

品牌：Huixin(慧芯)

集电极-发射极电压：600V，集电极电流：16A，耗散功率：104W，广泛应用于光伏逆变器、储能、UPS、电焊机等。

1+
￥4.444 ￥5.05
10+
￥3.608 ￥4.1
50+
￥3.1856 ￥3.62
100+
￥2.772 ￥3.15
500+
￥2.5256 ￥2.87
1000+
￥2.3936 ￥2.72

有货

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型号：MLG20T65FUL 编号：C6719397

封装：TO-220

品牌：minos(迈诺斯)

MLG20T65FUL采用先进的沟槽场截止（T-FS）技术制造，具有低VCE(sat)、优化的开关性能和低栅极电荷Qg等特性。该IGBT适用于无刷直流电机（BLDC）、不间断电源（UPS）以及低VCE(sat)应用场景。

1+
￥4.45
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￥3.58
50+
￥3.15
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￥2.72
500+
￥2.46
1000+
￥2.33

有货

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型号：RJH65T14DPQ-A0#T0 编号：C3014313

封装：TO-247AC-3

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

特性：针对电流谐振应用进行优化。低集电极-发射极饱和电压：VCE(sat) = 1.45 V（典型值，IC = 50 A，VGE = 15 V，Ta = 25℃）。单封装内集成快速恢复二极管。采用沟槽栅和薄晶圆技术。应用：感应加热。微波炉

数据手册

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￥5.539 ￥9.55
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￥4.224 ￥8.8
30+
￥3.1654 ￥8.33
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￥2.983 ￥7.85
510+
￥2.9032 ￥7.64
990+
￥2.8652 ￥7.54

有货

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型号：YGP20N65T2 编号：C4153667

封装：TO-220

品牌：luxin-semi(上海陆芯)

工规级 IGBT单管 N沟道，TO220，广泛应用于小电源，电机驱动行业。

数据手册

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￥6.099 ￥6.42
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￥5.073 ￥5.34
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￥4.3415 ￥4.57
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￥3.705 ￥3.9
500+
￥3.42 ￥3.6
1000+
￥3.2965 ￥3.47

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型号：IKA15N65F5-JSM 编号：C42444741

封装：TO-220F

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

特性：提供高达650V的高击穿电压。低VCEsat。由于VCEsat的正温度系数，具有易于并联开关的能力。超快且软的反并联二极管。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。无铅引脚镀层。应用：UPS。空调

1+
￥6.21
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￥5
50+
￥4.4
100+
￥3.8

有货

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型号：MLG30N60FDL 编号：C49108790

封装：TO-247

品牌：minos(迈诺斯)

IGBT类型:FS(场截止) 集射极击穿电压:600V 集电极电流:60A 耗散功率:187W

1+
￥6.46
10+
￥5.38
30+
￥4.79
90+
￥4.12
510+
￥3.82
1200+
￥3.68

有货

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型号：IKA08N65F5 编号：C536135

封装：TO-220FP-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：高速F5技术，在硬开关和谐振拓扑中提供一流的效率。 650V击穿电压。低栅极电荷Q_G。 IGBT与RAPID 1快速软反并联二极管共封装。最高结温175℃。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。应用：太阳能转换器。不间断电源

数据手册

1+
￥7.7504 ￥12.11
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￥6.0318 ￥11.17
50+
￥4.6508 ￥10.57
100+
￥4.3824 ￥9.96
500+
￥4.2636 ￥9.69
1000+
￥4.2108 ￥9.57

有货

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型号：MLG40T65FDK 编号：C47967301

封装：TO-247

品牌：minos(迈诺斯)

IGBT类型：场截止沟槽，集射极击穿电压Vces=650V，集电极电流Ic=40A

1+
￥9.69
10+
￥8.07
30+
￥7.18
90+
￥6.17
510+
￥5.73
990+
￥5.52

有货

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型号：IKW40N65ES5 编号：C467846

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：高速S5技术，为硬开关和软开关提供高速平滑开关装置。极低的VCEsat，标称电流下为1.35V。可直接替代上一代IGBT。650V击穿电压。低栅极电荷QG。IGBT与全额定RAPID 1快速反并联二极管共封装。应用：谐振转换器。不间断电源

数据手册

1+
￥10.37
10+
￥8.81
30+
￥7.35
90+
￥6.35

有货

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型号：STGB30M65DF2 编号：C2970045

封装：D2PAK

品牌：ST(意法半导体)

沟槽栅场截止IGBT，M系列，650 V、30 A，低损耗

数据手册

1+
￥10.6524 ￥10.76
10+
￥8.01 ￥9
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￥6.3437 ￥8.03
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￥5.4747 ￥6.93
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￥5.0876 ￥6.44
1000+
￥4.9217 ￥6.23

有货

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型号：IKW30N60H3 编号：C114962

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

高速双封装：采用沟槽和场截止技术的 IGBT，配备软恢复、快速恢复的反并联二极管。

数据手册

1+
￥11.47
10+
￥9.69
30+
￥8.38
90+
￥7.24

有货

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型号：YGW60N65F1A1 编号：C4153739

封装：TO-247

品牌：luxin-semi(上海陆芯)

工规级 IGBT单管 N沟道，TO247，广泛应用于各类高频电源行业。

数据手册

1+
￥14.3545 ￥15.11
10+
￥12.122 ￥12.76
30+
￥10.3265 ￥10.87
90+
￥8.892 ￥9.36
510+
￥8.246 ￥8.68
1200+
￥7.9705 ￥8.39

有货

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型号：CMH75N65EH5 编号：C51793168

封装：TO-247

品牌：Cmos(广东场效应半导体)

MOS管，TO-247，N场，耐压：650V，电流：75A，CissTyp：5000PF

1+
￥14.4115 ￥15.17
10+
￥12.274 ￥12.92
30+
￥10.9345 ￥11.51
90+
￥9.5665 ￥10.07
480+
￥8.9395 ￥9.41
960+
￥8.6735 ￥9.13

有货

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型号：IHW40N65R6 编号：C20613158

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：完整的产品系列和PSpice模型。由于VCEsat具有正温度系数，易于并联开关。高耐用性和稳定的温度特性。低EMI。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。强大的单片反向导通二极管，正向电压低。应用：感应烹饪。微波炉

1+
￥15.38
10+
￥12.93
30+
￥11.39
90+
￥9.82

有货

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型号：FGH40N60SMD 编号：C49512

封装：TO-247

品牌：onsemi(安森美)

飞兆半导体的场截止第二代 IGBT 新系列采用新型场截止 IGBT 技术，为光伏逆变器、UPS、焊机、通讯、ESS 和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用提供最佳性能。

数据手册

1+
￥16.62
10+
￥14.17
30+
￥11.4
90+
￥9.83
450+
￥9.12
900+
￥8.81

有货

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型号：CRG75T60AK3HD 编号：C49705101

封装：TO-247-3

品牌：CRMICRO(华润微)

1+
￥16.84
10+
￥14.34
30+
￥12.78
90+
￥11.18
480+
￥10.45

有货

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型号：STGWA40H120DF2 编号：C472603

封装：TO-247

品牌：ST(意法半导体)

1200 V、40 A高速沟槽栅场截止H系列IGBT

数据手册

1+
￥16.99
10+
￥14.23
30+
￥12.5
90+
￥10.72

有货

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型号：IKW40N120T2 编号：C5369328

封装：TO-247-3

品牌：SPTECH(深圳质超)

应用程序，变频器，电机驱动器

数据手册

1+
￥17.6795 ￥18.61
10+
￥14.9625 ￥15.75
30+
￥13.262 ￥13.96
90+
￥11.514 ￥12.12
660+
￥10.7255 ￥11.29
990+
￥10.393 ￥10.94

有货

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型号：IGW50N65F5 编号：C536107

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：高速F5技术，在硬开关和谐振拓扑中提供一流的效率。 650V击穿电压。低栅极电荷QG。与升压转换器中的碳化硅肖特基二极管完美匹配。最高结温175℃。符合JEDEC标准，适用于目标应用。应用：太阳能转换器。不间断电源

数据手册

1+
￥17.8496 ￥27.89
10+
￥14.3532 ￥26.58
30+
￥11.3564 ￥25.81
90+
￥11.0088 ￥25.02
510+
￥10.8504 ￥24.66
990+
￥10.7756 ￥24.49

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型号：IHW30N135R5 编号：C536124

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：强大的单片体二极管，正向电压低，专为软换流设计。 TRENCHSTOP™ 技术提供: 非常紧密的参数分布。高耐用性，温度稳定性能。低 VCEsat。由于 VCEsat 具有正温度系数，易于并联开关。低电磁干扰。应用：感应烹饪。微波炉

数据手册

1+
￥18.24
10+
￥15.53
30+
￥12.87
90+
￥11.13
480+
￥10.35
960+
￥10.01

有货

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型号：IKW40N120H3-HXY 编号：C49003403

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本IGBT管/模块具备40A集电极电流（Ic）和1200V集射极击穿电压（Vces），支持高耐压与大电流工作环境。导通状态下，集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.7V，有效降低损耗并提升效率。内部集成二极管正向电流（IF）达40A，正向压降（Vf）为1.85V，具备良好的开关特性和热稳定性。该器件适用于各类高效能电源转换系统、智能电网设备及新能源控制装置中的高频功率切换应用。

1+
￥19.85
10+
￥16.9
30+
￥15.06

有货

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型号：NGTB40N120FL2WG-HXY 编号：C49003416

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本IGBT管/模块具备40A集电极电流（Ic）和1200V集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率电力电子设备。其集射极饱和电压（VCE(sat)）典型值为1.7V，有效降低导通损耗，提升系统效率。内置续流二极管支持40A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，具备良好的反向恢复特性。该器件适合应用于高性能电源转换系统，如智能电网设备、高效能变频器及精密电机控制模块，满足对稳定性和耐压能力有较高要求的电路设计需求。

1+
￥20.97
10+
￥18.02
30+
￥16.27

有货

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型号：FGH75T65SQDT-F155 编号：C398050

封装：TO-247-G03

品牌：onsemi(安森美)

采用新型场截止绝缘栅双极型晶体管（IGBT）技术，全新系列的第四代场截止IGBT为太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、焊机、电信、储能系统（ESS）和功率因数校正（PFC）应用提供了最佳性能，这些应用对低导通损耗和开关损耗有严格要求。

数据手册

1+
￥21.76
10+
￥18.88
30+
￥17.17
90+
￥15.44
510+
￥14.64
990+
￥14.28

有货

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型号：IHW30N160R5 编号：C536125

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：强大的单片体二极管，正向电压低。 TRENCHSTOP™ 技术应用提供: 非常紧密的参数分布。高耐用性，温度稳定性能。低集电极-发射极饱和电压（VcEsat）。由于 VcEsat 具有正温度系数，易于并联开关。低电磁干扰（EMI）。应用：电磁炉。微波炉

数据手册

1+
￥22.71
10+
￥19.63
30+
￥17.8
90+
￥15.95

有货

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型号：NGTB40N120FL2WG 编号：C364882

封装：TO-247

品牌：onsemi(安森美)

这款绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 采用坚固且经济高效的场截止 II 型沟槽结构，在苛刻的开关应用中提供卓越性能，兼具低导通态电压和最小开关损耗。该 IGBT 非常适合用于 UPS 和太阳能应用。器件中集成了一个具有低正向电压的软恢复快速共封装续流二极管。

数据手册

1+
￥23.59
10+
￥20.57
30+
￥17.97
100+
￥16.15
500+
￥15.31
1000+
￥14.93

有货

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型号：RJH60F7DPQ-A0#T0 编号：C118764

封装：TO-247A

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

特性：低集电极-发射极饱和电压：VCE(sat) = 1.35V 典型值（IC = 50A，VGE = 15V，Ta = 25℃）。单封装内置快速恢复二极管。沟槽栅和薄晶圆技术。高速开关：tf = 74ns 典型值（IC = 30A，VCE = 400V，VGE = 15V，Rg = 5Ω，Ta = 25℃，感性负载）