igbt模块_厂家_价格_品牌_库存

型号：AU40N120T3A2 编号：C4153732

封装：TO-247

品牌：luxin-semi(上海陆芯)

车规级 IGBT单管通过车规AEC-Q101，N沟道，TO247，广泛应用于电机驱动，变频器，PTC行业。

数据手册

1+
￥23.161 ￥24.38
10+
￥22.0115 ￥23.17
30+
￥20.3015 ￥21.37
90+
￥19.6175 ￥20.65
510+
￥19.304 ￥20.32
1200+
￥19.152 ￥20.16

有货

立即购买

型号：FGHL50T65MQDT 编号：C5209101

封装：TO-247-3L

品牌：onsemi(安森美)

场截止第四代中速 IGBT 技术与全额定电流二极管共封装。

数据手册

1+
￥24.7
10+
￥23.54
30+
￥21.64
90+
￥21.05

有货

立即购买

型号：DGTD120T40S1PT-HXY 编号：C49003402

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为IGBT管/模块，具备集电极电流（Ic）40A、集射极击穿电压（Vces）1200V的高耐压与大电流能力，适合需要高效能功率转换的应用场景。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.7V，有效降低导通损耗，提高系统效率。内置二极管的正向电流（IF）可达40A，正向压降（Vf）为1.85V，支持快速恢复特性。该器件适用于电源变换器、智能电网设备、新能源控制系统等领域，提供稳定可靠的功率控制性能。

1+
￥24.78
10+
￥21.3
30+
￥19.23

有货

立即购买

型号：IXXH60N65C4-HXY 编号：C49003432

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具有60A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率应用场景。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.65V，能够在导通状态下保持较低的功耗。模块内置二极管，可承受50A的正向电流（IF），正向压降（Vf）同样为1.65V，具备良好的反向恢复性能。该器件适合用于电源转换、电机控制及能源管理等领域，提供稳定可靠的开关表现。

1+
￥25.3555 ￥26.69
10+
￥21.793 ￥22.94
30+
￥19.6745 ￥20.71
90+
￥17.5275 ￥18.45
510+
￥16.5395 ￥17.41
990+
￥16.093 ￥16.94

有货

立即购买

型号：STGWA75M65DF2-HXY 编号：C49003316

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具备75A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率电力电子系统。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有效降低导通损耗，提升整体能效。内置二极管可承受75A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，具备良好的反向恢复性能与稳定性。模块采用通用封装设计，便于安装与散热，广泛应用于电源转换、智能电网、精密电机控制等领域，满足多种高性能电力电子设备的技术需求。

1+
￥30.7895 ￥32.41
10+
￥26.4575 ￥27.85
30+
￥23.883 ￥25.14
90+
￥21.2895 ￥22.41
510+
￥20.083 ￥21.14
990+
￥19.5415 ￥20.57

有货

立即购买

型号：SPT40N120F1AT8TL-HXY 编号：C49003423

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为IGBT管/模块，具备40A的集电极电流（Ic）和1200V的集射极击穿电压（Vces），适用于高电压和高电流的工作环境。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.9V，有效降低导通损耗，提升系统效率。内置二极管的正向电流（IF）为40A，正向压降（Vf）为2.5V，具备良好的反向恢复特性。该器件适用于需要高频开关与高效能转换的电力电子系统，能够稳定运行于复杂电气环境中，为多种高性能电源应用提供可靠支持。

1+
￥30.7895 ￥32.41
10+
￥26.4575 ￥27.85
30+
￥23.883 ￥25.14
90+
￥21.2895 ￥22.41
510+
￥20.083 ￥21.14
990+
￥19.5415 ￥20.57

有货

立即购买

型号：YGQ100N65FP 编号：C4153748

封装：TO-247

品牌：luxin-semi(上海陆芯)

工规级 IGBT单管 N沟道，TO247Plus，广泛应用于各类高频电源行业。

数据手册

1+
￥31.331 ￥32.98
10+
￥26.9135 ￥28.33
30+
￥23.3795 ￥24.61
90+
￥20.729 ￥21.82
510+
￥19.5035 ￥20.53
1200+
￥18.9525 ￥19.95

有货

立即购买

型号：IKQ75N120CH3 编号：C467848

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：高速H3技术提供: 硬开关和谐振拓扑中的高效率。在Tv = 175℃时，具有10μs的短路耐受时间。由于VcEsat的正温度系数，易于并联。低电磁干扰。低栅极电荷Qg。非常软、快速恢复的全电流反并联二极管。应用：工业UPS。充电器

数据手册

1+
￥53.5
10+
￥48.29
30+
￥45.11

有货

立即购买

型号：IXXX160N65B4-HXY 编号：C49003479

封装：TO-247P

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具备160A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适合用于中高功率电力电子系统。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.37V，有助于降低导通损耗，提高能效。内置续流二极管支持160A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.33V，表现出良好的电流承载能力和较低的损耗特性。该模块适用于电源变换、能量管理及高效电子设备，可满足高频开关与稳定运行的设计需求。

1+
￥78.299 ￥82.42
10+
￥74.746 ￥78.68
30+
￥68.59 ￥72.2
90+
￥63.2225 ￥66.55

有货

立即购买

型号：IXXX160N65C4-HXY 编号：C49003478

封装：TO-247P

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具有160A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率电力电子系统。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.37V，有效降低导通损耗，提升整体效率。内部集成的续流二极管可承受160A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.33V，具备良好的电流承载与恢复性能。该器件适合应用于电源转换、能量管理及高效能电子设备中，支持高频开关操作，满足对稳定性和可靠性要求较高的电路设计需求。

1+
￥78.299 ￥82.42
10+
￥74.746 ￥78.68
30+
￥68.59 ￥72.2
90+
￥63.2225 ￥66.55

有货

立即购买

型号：APT35GP120BG-HXY 编号：C49003441

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具备40A集电极电流（Ic）和1200V集射极击穿电压（Vces），适用于较高电压等级的电力电子应用。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.9V，在高耐压条件下仍可保持较好的导通性能。内置二极管支持40A正向电流（IF），正向压降（Vf）为2.5V，具备良好的热稳定性和反向恢复特性。适用于电源转换、智能电网设备、精密电机控制等场景，提供高效、稳定的开关表现。

1+
￥82.574 ￥86.92
10+
￥78.8215 ￥82.97
30+
￥72.333 ￥76.14
90+
￥66.671 ￥70.18

有货

立即购买

型号：IXYH120N65C3-HXY 编号：C49003440

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具备100A集电极电流（Ic）和650V集射极击穿电压（Vces），适合多种中高功率电力电子应用。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.45V，有效降低导通损耗，提升整体能效。内置二极管可承受100A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.55V，具备良好的热稳定性和快速恢复特性。适用于电源变换、智能电网设备、高性能电机驱动等场景，提供高效、可靠的开关控制能力。

1+
￥82.574 ￥86.92
10+
￥78.8215 ￥82.97
30+
￥72.333 ￥76.14
90+
￥66.671 ￥70.18

有货

立即购买

型号：IXYH120N65B3-HXY 编号：C49003439

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具有100A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率应用场合。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.45V，有助于降低导通损耗，提高系统效率。内部二极管具备100A的正向电流（IF）能力，正向压降（Vf）为1.55V，表现出良好的反向恢复特性。该器件采用标准封装设计，适用于多种电力电子变换装置，如电源转换、智能电网设备及精密电机控制等场景，提供稳定可靠的开关性能。

1+
￥82.574 ￥86.92
10+
￥78.8215 ￥82.97
30+
￥72.333 ￥76.14
90+
￥66.671 ￥70.18

有货

立即购买

型号：IXGH40N120A2-HXY 编号：C49003443

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本IGBT管/模块具有40A集电极电流（Ic）和1200V集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率电力电子系统。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.9V，有助于降低导通损耗，提升整体能效。内置二极管支持40A正向电流（IF），正向压降（Vf）为2.5V，具备良好的续流性能与稳定性。该器件适合应用于电源转换、储能装置及高效开关电路等场景，满足对效率与可靠性有较高要求的电路设计方案。

1+
￥85.4145 ￥89.91
10+
￥81.5385 ￥85.83
30+
￥74.8315 ￥78.77
90+
￥68.97 ￥72.6

有货

立即购买

型号：APT50GT120B2RDQ2G-HXY 编号：C49003383

封装：TO-247P

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本IGBT管/模块具备50A的集电极电流（Ic）和1200V的集射极击穿电压（Vces），可满足较高功率需求的应用场景。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.9V，在导通状态下能有效控制能量损耗。内部集成的二极管支持50A正向电流（IF），正向压降（Vf）为2.7V，具备良好的导通性能。该器件适用于电力变换装置、高效电机驱动及高频电源系统等场合，为高可靠性开关应用提供技术支持。