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封装：SIP,19.5x9.8mm

QA121C2是专为需要两组隔离电源的SiC驱动器而设计的DC-DC模块电源。其内部采用了两路共地输出模式，可以更好的为SiC的开通与关断提供能量。同时具有输出短路保护及自恢复能力。该产品适用于：1.通用变频器2.交流伺服驱动系统3.电焊机4.不间断电源(UPS),可持续短路保护,效率高达82%,超小隔离电容隔离电压 3500VAC/6000VDC, SIP国际标准引脚.工作温度范围：-40℃ ~+105℃

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￥19.3205 ￥22.73
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￥16.7025 ￥19.65
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￥12.8435 ￥15.11
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￥12.512 ￥14.72

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型号：HT1621BDX 编号：C51927328

封装：SSOP-48

品牌：GMIC(绿微)

是内存映象和多功能的LCD驱动器，软件配置特性使其适用于多种LCD应用场合，包括LCD模块和显示子系统。用于连接主控制器和的管脚只有4或5条，还有一个节电命令用于降低系统功耗。

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￥1.0324
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￥0.8167
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￥0.7243
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￥0.6089
2400+
￥0.5576
4800+
￥0.5267

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型号：TPN2R703NL,L1Q(ES) 编号：C49108772

封装：PDFN-8L(3x3)

品牌：ElecSuper(静芯)

N沟道，30V，80A，2.4mΩ@10V,20A，1.6V@250μA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

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￥1.86
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￥1.64
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￥1.54
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￥1.42
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￥1.37
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￥1.33

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型号：BSC030N08NS5(ES) 编号：C49108769

封装：PDFN-8L(5x6)

品牌：ElecSuper(静芯)

N沟道，100V，138A，3mΩ@10V,30A，2.7V@250μA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

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￥4.69
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￥4.18
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￥3.93
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￥3.68
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￥3.53
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￥3.45

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型号：QA123C-1504R3 编号：C5369881

封装：SIP,19.5x9.8mm

品牌：YLPTEC(易川)

QA123C-1504R3是专为SiC MOSFET 驱动器而设计的DC-DC 模块电源，其内部采用了非对称式电压输出形式，尽可能减小SiCMOSFET 的驱动损耗。同时具有输出短路保护及自恢复能力。该产品适用于：●通用变频器●交流伺服驱动系统●电焊机●不间断电源(UPS)，●满足加强绝缘●隔离电压：5.0KVAC●局部放电：1700V●效率：高达 87%（Typ.）●工作环境温度：-40℃～+105℃

数据手册

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￥14.6625 ￥17.25
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￥12.4355 ￥14.63
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￥11.628 ￥13.68
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￥10.2 ￥12
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￥9.554 ￥11.24
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￥9.282 ￥10.92

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型号：QA053C-1505R3 编号：C5369876

封装：SIP,19.5x9.8mm

品牌：YLPTEC(易川)

QA053C-1505R3是专为SiC MOSFET 驱动器而设计的DC-DC 模块电源，其内部采用了非对称式电压输出形式，尽可能减小SiCMOSFET 的驱动损耗。同时具有输出短路保护及自恢复能力。该产品适用于：●通用变频器●交流伺服驱动系统●电焊机●不间断电源(UPS)，●满足加强绝缘●隔离电压：5.0KVAC●局部放电：1700V●效率：高达 87%（Typ.）●工作环境温度：-40℃～+105℃

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1+
￥15.147 ￥17.82
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￥12.971 ￥15.26
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￥10.217 ￥12.02
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￥9.588 ￥11.28
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￥9.3075 ￥10.95

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型号：QA241 编号：C5369874

封装：SIP-5

品牌：YLPTEC(易川)

QA241是专为 IGBT 驱动器而设计的 DC-DC 模块电源，其内部采用了非对称式电压输出形式，尽可能减小 IGBT 的驱动损耗。同时具有输出短路保护及自恢复能力。该产品适用于：1.通用变频器2.交流伺服驱动系统3.电焊机4.不间断电源(UPS),效率高达85%,SIP国际标准引脚,可持续短路保护,可空载使用,超小隔离电容,最大容性负载1000uF,隔离电压 3000VAC工作温度范围：-40℃ ~+105℃

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￥22.321 ￥26.26
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￥18.972 ￥22.32
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￥14.62 ￥17.2

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型号：LMG2100R044RARR 编号：C22453052

封装：VQFN-FCRLF-16(4.5x5.5)

品牌：TI(德州仪器)

LMG2100R044器件是一款90V连续、100V脉冲、35A半桥功率级器件，集成了栅极驱动器和增强型氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET）。该器件由两个100V GaN FET组成，采用半桥配置，由一个高频90V GaN FET驱动器驱动。GaN FET在功率转换方面具有显著优势，因为它们具有零反向恢复特性，且输入电容Ciss和输出电容Coss非常小

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1+
￥37.25
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￥32.41
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￥29.46
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￥26.98

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型号：SI7617DN(ES) 编号：C42412335

封装：PDFN-8L(3x3)

品牌：ElecSuper(静芯)

P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下提供出色的导通电阻。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品为无铅产品。

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￥1.79
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￥1.28
1000+
￥1.25

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型号：QA01C-18 编号：C5369865

封装：SIP,19.5x9.8mm

品牌：YLPTEC(易川)

QA01C-18是专为需要两组隔离电源的SiC驱动器而设计的DC-DC模块电源。其内部采用了两路共地输出模式，可以更好的为SiC的开通与关断提供能量。同时具有输出短路保护及自恢复能力。该产品适用于：1.通用变频器2.交流伺服驱动系统3.电焊机4.不间断电源(UPS),可持续短路保护,效率高达82%,超小隔离电容隔离电压 3500VAC/6000VDC, SIP国际标准引脚.工作温度范围：-40℃ ~+105℃

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￥15.8865 ￥18.69
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￥13.6085 ￥16.01
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￥12.189 ￥14.34
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￥10.064 ￥11.84
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￥9.7835 ￥11.51

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型号：MGJ2D121505SC 编号：C5369897

封装：SIP,19.5x9.8mm

品牌：YLPTEC(易川)

MGJ2 系列是专为 IGBT驱动器而设计的 DC-DC模块电源，其内部采用了非对称式电压输出形式，尽可能减小IGBT 的驱动损耗。同时具有输出短路保护及自恢复能力。该产品适用于：1）通用变频器；2）交流伺服驱动系统；3）电焊机；4）不间断电源(UPS)。

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￥25.1855 ￥29.63
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￥21.7685 ￥25.61
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￥19.737 ￥23.22
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￥17.68 ￥20.8
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￥16.303 ￥19.18

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型号：ESGNH10R90 编号：C42412302

封装：PDFN-8L(3x3)

品牌：ElecSuper(静芯)

ESGNH10R90 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的屏蔽栅沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

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￥0.9576
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￥0.8316
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￥0.7776
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￥0.7103
2500+
￥0.6803

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型号：DMP3013SFV-7(ES) 编号：C42412325

封装：PDFN-8L(3x3)

品牌：ElecSuper(静芯)

P-Channel增强MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下提供出色的RDS(ON)。适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。产品无铅。

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￥1.0374
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￥0.9009
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￥0.7694
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￥0.7369
5000+
￥0.7174

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型号：AON6407(ES) 编号：C42412354

封装：PDFN-8L(5x6)

品牌：ElecSuper(静芯)

AON6407(ES) 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

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￥1.4668
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￥1.2778
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￥1.0957
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￥1.0507
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￥1.0237

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型号：ESEP4045GU 编号：C42420756

封装：PDFN5x6-8L

品牌：ElecSuper(静芯)

类型：N沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：59A 功率(Pd)：44.6W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：5.5mΩ@10V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.7V@250uA N沟道,40V,59A,5.5mΩ@10V

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￥1.6426
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￥1.2898
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￥1.1386
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￥0.95
2500+
￥0.866
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￥0.8155

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型号：AON6484(ES) 编号：C42412245

封装：PDFN-8L(5x6)

品牌：ElecSuper(静芯)

AON6484(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

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￥1.99
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￥1.74
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￥1.4

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型号：CSD19534Q5A(ES) 编号：C49108754

封装：PDFN-8L(5x6)

品牌：ElecSuper(静芯)

N沟道，100V，83A，7.1mΩ@10V,30A，3.0V@250μA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

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￥3.9
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￥2.79
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￥2.43
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￥2.21
1000+
￥2.1

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型号：QA243C-1504R3 编号：C5369883

封装：SIP,19.5x9.8mm

品牌：YLPTEC(易川)

QA243C-1504R3是专为SiC MOSFET 驱动器而设计的DC-DC 模块电源，其内部采用了非对称式电压输出形式，尽可能减小SiCMOSFET 的驱动损耗。同时具有输出短路保护及自恢复能力。该产品适用于：●通用变频器●交流伺服驱动系统●电焊机●不间断电源(UPS)，●满足加强绝缘●隔离电压：5.0KVAC●局部放电：1700V●效率：高达 87%（Typ.）●工作环境温度：-40℃～+105℃

数据手册

1+
￥16.966 ￥19.96
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￥14.535 ￥17.1
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￥13.0135 ￥15.31
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￥11.4495 ￥13.47
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￥10.744 ￥12.64
1200+
￥10.438 ￥12.28

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型号：QA243HCD2-1803R3 编号：C5369895

封装：DIP,31.7x20.3mm

品牌：YLPTEC(易川)

QA243HCD2-1803R3是专为 SiC MOSFET 驱动器而设计的 DC-DC 模块电源，其内部采用了非对称式电压输出形式，尽可能减小SiCMOSFET 的驱动损耗。同时具有输出短路保护及自恢复能力。该产品适用于：1.通用变频器2.交流伺服驱动系统3.电焊机4.不间断电源(UPS)满足加强绝缘 隔离电压 5000VAC 局部放电 1700V CMTI>200 kV/µs 最大容性负载 2200µF

数据手册

1+
￥29.5375 ￥34.75
10+
￥25.551 ￥30.06
30+
￥23.1795 ￥27.27
105+
￥20.7825 ￥24.45
600+
￥19.6775 ￥23.15
900+
￥19.1845 ￥22.57

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型号：ESD30L40DN-ES 编号：C42385168

封装：PDFN-8L(3x3)

品牌：ElecSuper(静芯)

类型：P沟道漏源电压(Vdss)：-30V 连续漏极电流(Id)：-31A 功率(Pd)：42W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：13.0mΩ@-10V,-29A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：-1.5V@-250uA

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￥1.1733
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￥0.9213
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￥0.8133
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