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首页 > 热门关键词 > 驱动模块
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QA121C2是专为需要两组隔离电源的SiC驱动器而设计的DC-DC模块电源。其内部采用了两路共地输出模式,可以更好的为SiC的开通与关断提供能量。同时具有输出 短路保护及自恢复能力。该产品适用于:1.通用变频器2.交流伺服驱动系统3.电焊机4.不间断电源(UPS),可持续 短路保护,效率高达82%,超小隔离电容隔离电压 3500VAC/6000VDC, SIP国际标准引脚.工作温度范围:-40℃ ~+105℃
数据手册
  • 1+

    ¥17.4675 ¥20.55
  • 10+

    ¥14.841 ¥17.46
  • 25+

    ¥13.2855 ¥15.63
  • 100+

    ¥11.713 ¥13.78
  • 500+

    ¥10.982 ¥12.92
  • 1200+

    ¥10.659 ¥12.54
  • 有货
  • QA123C-1803R3是专为SiC MOSFET 驱动器而设计的DC-DC 模块电源,其内部采用了非对称式电压输出形式,尽可能减小SiCMOSFET 的驱动损耗。同时具有输出 短路保护及自恢复能力。该产品适用于:●通用变频器●交流伺服驱动系统●电焊机●不间断电源(UPS),●满足加强绝缘●隔离电压:5.0KVAC●局部放电:1700V●效率:高达 87%(Typ.)●工作环境温度:-40℃~+105℃●
    数据手册
    • 1+

      ¥14.2035 ¥16.71
    • 10+

      ¥11.9425 ¥14.05
    • 25+

      ¥10.54 ¥12.4
    • 100+

      ¥9.095 ¥10.7
    • 500+

      ¥8.4405 ¥9.93
    • 1200+

      ¥8.16 ¥9.6
  • 有货
  • N沟道,100V,138A,3mΩ@10V,30A,2.7V@250μA;应用领域:DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    • 1+

      ¥6.41
    • 10+

      ¥5.2
    • 30+

      ¥4.6
    • 100+

      ¥4
    • 500+

      ¥3.64
    • 1000+

      ¥3.45
  • 有货
  • QA053C-1505R3是专为SiC MOSFET 驱动器而设计的DC-DC 模块电源,其内部采用了非对称式电压输出形式,尽可能减小SiCMOSFET 的驱动损耗。同时具有输出 短路保护及自恢复能力。该产品适用于:●通用变频器●交流伺服驱动系统●电焊机●不间断电源(UPS),●满足加强绝缘●隔离电压:5.0KVAC●局部放电:1700V●效率:高达 87%(Typ.)●工作环境温度:-40℃~+105℃
    数据手册
    • 1+

      ¥13.719 ¥16.14
    • 10+

      ¥11.543 ¥13.58
    • 25+

      ¥10.1745 ¥11.97
    • 100+

      ¥8.7805 ¥10.33
    • 500+

      ¥8.1515 ¥9.59
    • 1200+

      ¥7.8795 ¥9.27
  • 有货
  • MGJ2 系列是专为 IGBT驱动器而设计的 DC-DC模块电源,其内部采用了非对称式电压输出形式,尽可能减小IGBT 的驱动损耗。同时具有输出 短路保护及自恢复能力。该产品适用于:1)通用变频器;2)交流伺服驱动系统;3)电焊机;4)不间断电源(UPS)。
    数据手册
    • 1+

      ¥22.78 ¥26.8
    • 10+

      ¥19.363 ¥22.78
    • 25+

      ¥17.3315 ¥20.39
    • 100+

      ¥15.2745 ¥17.97
    • 500+

      ¥14.331 ¥16.86
    • 1200+

      ¥13.8975 ¥16.35
  • 有货
  • P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷下提供出色的导通电阻。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品为无铅产品。
    • 1+

      ¥1.79
    • 10+

      ¥1.56
    • 30+

      ¥1.46
    • 100+

      ¥1.34
    • 500+

      ¥1.28
    • 1000+

      ¥1.25
  • 有货
  • QA01C-18是专为需要两组隔离电源的SiC驱动器而设计的DC-DC模块电源。其内部采用了两路共地输出模式,可以更好的为SiC的开通与关断提供能量。同时具有输出 短路保护及自恢复能力。该产品适用于:1.通用变频器2.交流伺服驱动系统3.电焊机4.不间断电源(UPS),可持续 短路保护,效率高达82%,超小隔离电容隔离电压 3500VAC/6000VDC, SIP国际标准引脚.工作温度范围:-40℃ ~+105℃
    数据手册
    • 1+

      ¥14.3565 ¥16.89
    • 10+

      ¥12.0785 ¥14.21
    • 25+

      ¥10.659 ¥12.54
    • 100+

      ¥9.197 ¥10.82
    • 500+

      ¥8.534 ¥10.04
    • 1200+

      ¥8.2535 ¥9.71
  • 有货
  • P-Channel增强MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷下提供出色的RDS(ON)。适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。产品无铅。
    • 5+

      ¥1.0773
    • 50+

      ¥0.9408
    • 150+

      ¥0.8823
    • 500+

      ¥0.8093
    • 2500+

      ¥0.7768
    • 5000+

      ¥0.7573
  • 有货
  • QA123C-1504R3是专为SiC MOSFET 驱动器而设计的DC-DC 模块电源,其内部采用了非对称式电压输出形式,尽可能减小SiCMOSFET 的驱动损耗。同时具有输出 短路保护及自恢复能力。该产品适用于:●通用变频器●交流伺服驱动系统●电焊机●不间断电源(UPS),●满足加强绝缘●隔离电压:5.0KVAC●局部放电:1700V●效率:高达 87%(Typ.)●工作环境温度:-40℃~+105℃
    数据手册
    • 1+

      ¥14.042 ¥16.52
    • 10+

      ¥11.8065 ¥13.89
    • 25+

      ¥10.4125 ¥12.25
    • 100+

      ¥8.993 ¥10.58
    • 500+

      ¥8.347 ¥9.82
    • 1200+

      ¥8.0665 ¥9.49
  • 有货
  • QA241是专为 IGBT 驱动器而设计的 DC-DC 模块电源,其内部采用了非对称式电压输出形式,尽可能减小 IGBT 的驱动损耗。同时具有输出 短路保护及自恢复能力。该产品适用于:1.通用变频器2.交流伺服驱动系统3.电焊机4.不间断电源(UPS),效率高达85%,SIP国际标准引脚,可持续 短路保护,可空载使用,超小隔离电容,最大容性负载1000uF,隔离电压 3000VAC工作温度范围:-40℃ ~+105℃
    数据手册
    • 1+

      ¥22.321 ¥26.26
    • 10+

      ¥18.972 ¥22.32
    • 25+

      ¥16.983 ¥19.98
    • 100+

      ¥14.9685 ¥17.61
    • 500+

      ¥14.042 ¥16.52
    • 1200+

      ¥13.6255 ¥16.03
  • 有货
  • 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):4.5A 功率(Pd):1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):40mΩ@10V,4.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.0V@250uA P沟道,-30V,-4.5A,40mΩ@-10V
    • 20+

      ¥0.2128
    • 200+

      ¥0.1669
    • 600+

      ¥0.1414
    • 3000+

      ¥0.1261
    • 9000+

      ¥0.1128
  • 有货
  • ESGNH10R90 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的屏蔽栅沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路
    • 5+

      ¥0.9944
    • 50+

      ¥0.8684
    • 150+

      ¥0.8144
    • 500+

      ¥0.747
    • 2500+

      ¥0.717
  • 有货
  • AON6407(ES) 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路
    • 5+

      ¥1.4668
    • 50+

      ¥1.2778
    • 150+

      ¥1.1968
    • 500+

      ¥1.0957
    • 2500+

      ¥1.0507
    • 5000+

      ¥1.0237
  • 有货
  • AON6484(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路
    • 1+

      ¥1.99
    • 10+

      ¥1.74
    • 30+

      ¥1.63
    • 100+

      ¥1.5
    • 500+

      ¥1.44
    • 1000+

      ¥1.4
  • 有货
  • 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):-30V 连续漏极电流(Id):-45A 功率(Pd):38W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8.0mΩ@-20A,-10V 阈值电压(Vgs(th)@Id):-1.5V@-250uA
    • 1+

      ¥2.41
    • 10+

      ¥2.14
    • 30+

      ¥2.01
    • 100+

      ¥1.87
    • 500+

      ¥1.79
    • 1000+

      ¥1.75
  • 有货
  • QA2401C-20是专为需要两组隔离电源的SiC驱动器而设计的DC-DC模块电源。其内部采用了两路共地输出模式,可以更好的为SiC的开通与关断提供能量。同时具有输出 短路保护及自恢复能力。该产品适用于:1.通用变频器2.交流伺服驱动系统3.电焊机4.不间断电源(UPS),可持续 短路保护,效率高达82%,超小隔离电容隔离电压 3500VAC/6000VDC,SIP国际标准引脚,工作温度范围:-40℃ ~+105℃
    数据手册
    • 1+

      ¥22.321 ¥26.26
    • 10+

      ¥18.972 ¥22.32
    • 25+

      ¥16.983 ¥19.98
    • 100+

      ¥14.9685 ¥17.61
    • 500+

      ¥14.042 ¥16.52
    • 1200+

      ¥13.6255 ¥16.03
  • 有货
  • MGJ2 系列是专为 IGBT驱动器而设计的 DC-DC模块电源,其内部采用了非对称式电压输出形式,尽可能减小IGBT 的驱动损耗。同时具有输出 短路保护及自恢复能力。该产品适用于:1)通用变频器;2)交流伺服驱动系统;3)电焊机;4)不间断电源(UPS)。
    数据手册
    • 1+

      ¥23.5535 ¥27.71
    • 10+

      ¥20.1365 ¥23.69
    • 25+

      ¥18.105 ¥21.3
    • 100+

      ¥16.048 ¥18.88
    • 500+

      ¥15.1045 ¥17.77
    • 1200+

      ¥14.671 ¥17.26
  • 有货
  • 尺寸最小的TEC电源驱动器,用于光模块、 业内尺寸最小的TEC驱动器,用于SFF/SFP模块,可减少发热50%
    数据手册
    • 1+

      ¥60.92
    • 10+

      ¥52.62
    • 30+

      ¥46.73
    • 100+

      ¥42.48
  • 有货
  • 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):59A 功率(Pd):44.6W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.5mΩ@10V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.7V@250uA N沟道,40V,59A,5.5mΩ@10V
    • 5+

      ¥1.6587
    • 50+

      ¥1.3059
    • 150+

      ¥1.1547
    • 500+

      ¥0.9661
    • 2500+

      ¥0.8821
    • 5000+

      ¥0.8316
  • 有货
  • IRFR3607TRPBF(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、功率开关和充电电路
    • 1+

      ¥2.91
    • 10+

      ¥2.31
    • 30+

      ¥2.05
    • 100+

      ¥1.73
    • 500+

      ¥1.58
    • 1000+

      ¥1.5
  • 有货
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