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特性:短路耐受时间:10μs。适用于1200V应用的第二代TrenchStop技术,提供非常紧密的参数分布。高耐用性,温度稳定性能。由于VCE(sat)的正温度系数,易于并联。低电磁干扰。低栅极电荷。应用:变频器。不间断电源
数据手册
  • 1+

    ¥18.27
  • 10+

    ¥15.54
  • 30+

    ¥12.88
  • 90+

    ¥11.14
  • 480+

    ¥10.35
  • 960+

    ¥10.01
  • 有货
  • 40A1200V 英飞凌IGBT,广泛应用于电磁炉,电机,电焊机行业。
    数据手册
    • 1+

      ¥21.16
    • 10+

      ¥18.23
    • 30+

      ¥14.3
    • 90+

      ¥12.42
    • 480+

      ¥11.57
    • 960+

      ¥11.2
  • 有货
  • 安森美半导体的新型场截止第 2 代 IGBT 系列采用新型场截止 IGBT 技术,为太阳能逆变器、UPS、焊接机、电信、ESS 和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥19.85
    • 10+

      ¥16.82
    • 30+

      ¥15.02
    • 90+

      ¥13.2
    • 450+

      ¥12.36
    • 900+

      ¥11.98
  • 有货
  • 特性:高速H5技术,在硬开关和谐振拓扑中提供一流的效率。 可即插即用替换上一代IGBT。 击穿电压650V。 低栅极电荷QG。 IGBT与RAPID 1快速软反并联二极管共封装。 最高结温175°C。应用:太阳能转换器。 不间断电源
    数据手册
    • 1+

      ¥11.57
    • 10+

      ¥9.8
    • 30+

      ¥7.25
    • 100+

      ¥6.15
    • 500+

      ¥5.67
    • 1000+

      ¥5.45
  • 有货
  • MLG30T65FDL-F IGBT类型:场截止沟槽,集射极击穿电压Vces=650V,集电极电流Ic=30A
    • 1+

      ¥6.46
    • 10+

      ¥5.38
    • 50+

      ¥4.79
    • 100+

      ¥4.12
    • 500+

      ¥3.82
    • 1000+

      ¥3.68
  • 有货
  • 适用于1200V应用的第二代TrenchStop,具有非常紧密的参数分布和高耐用性、温度稳定特性。由于VCE(sat)具有正温度系数,易于并联。具有低电磁干扰和低栅极电荷。采用软、快速恢复的反并联发射极控制二极管。
    数据手册
    • 1+

      ¥26.04
    • 10+

      ¥22.8
    • 30+

      ¥19.28
    • 90+

      ¥17.34
    • 480+

      ¥16.44
    • 960+

      ¥16.03
  • 有货
  • 安森美半导体的 AN 系列 IGBT 采用 NPT 技术,提供了低导通和开关损耗。AN 系列为感应加热 (IH)、电机控制、通用型逆变器和不中断电源 (UPS) 等应用提供方案。
    数据手册
    • 1+

      ¥79.97
    • 10+

      ¥63.69
    • 25+

      ¥57.19
    • 100+

      ¥51.75
  • 有货
  • 这些器件是采用先进的PowerMESH技术开发的高速IGBT。该工艺确保了开关性能和低导通状态特性之间的出色平衡。
    数据手册
    • 1+

      ¥5.09
    • 10+

      ¥4.3
    • 30+

      ¥3.91
    • 100+

      ¥3.52
    • 500+

      ¥3.28
    • 1000+

      ¥3.16
  • 有货
  • Vce=600V,Ic=20A,Vce(sat)=1.5V
    数据手册
    • 1+

      ¥8.28
    • 10+

      ¥7.6
    • 30+

      ¥5.66
    • 90+

      ¥5.24
    • 510+

      ¥5.06
    • 990+

      ¥4.97
  • 有货
  • 特性:SCIS能量:在TJ = 25℃时为300 mJ。 逻辑电平栅极驱动。 通过AEC-Q101认证且具备PPAP能力。 这些器件无铅且符合RoHS标准。应用:汽车点火线圈驱动电路。 大电流点火系统
    数据手册
    • 1+

      ¥9.58
    • 10+

      ¥8.02
    • 30+

      ¥7.16
    • 100+

      ¥6.18
    • 500+

      ¥5.75
    • 1000+

      ¥5.55
  • 有货
  • ISL9V3040D3S、ISL9V3040S3S、ISL9V3040P3 和 ISL9V3040S3 是下一代点火 IGBT,它们在节省空间的 D-Pak (TO-252)、工业标准 D
    数据手册
    • 1+

      ¥8.43
    • 10+

      ¥7.03
    • 30+

      ¥6.26
    • 100+

      ¥5.39
    • 500+

      ¥5
    • 1000+

      ¥4.83
  • 有货
  • 特性:6.5 代。 RC-IGBT 由一个在 IGBT 芯片中单片集成的续流二极管 (FWD) 组成。 增强模式。 高速开关。 -IGBT:tf = 0.05 μs(典型值)(IC = 50A)。 -FWD:trr = 0.35 μs(典型值)(IF = 15A)。应用:电流谐振逆变器开关应用
    • 1+

      ¥10.27
    • 10+

      ¥8.58
    • 25+

      ¥6.52
    • 100+

      ¥5.48
    • 500+

      ¥5.01
    • 1000+

      ¥4.8
  • 有货
  • UPS,变频器,光伏逆变,储能电源用 PB档
    数据手册
    • 1+

      ¥11.43
    • 10+

      ¥9.87
    • 25+

      ¥7.85
    • 100+

      ¥6.84
    • 500+

      ¥6.39
    • 1000+

      ¥6.19
  • 有货
  • 特性:高速H5技术,在硬开关和谐振拓扑中提供一流的效率。可即插即用替换上一代IGBT。击穿电压650V。低栅极电荷QG。IGBT与全额定RAPID 1快速软反并联二极管共封装。最高结温175℃。应用:不间断电源。太阳能转换器
    数据手册
    • 1+

      ¥11.86
    • 10+

      ¥9.99
    • 30+

      ¥8.82
    • 90+

      ¥7.62
    • 510+

      ¥7.08
    • 990+

      ¥6.84
  • 有货
  • 该IGBT采用先进的PowerMESH™工艺,在开关性能和低导通状态特性之间实现了出色的平衡。
    数据手册
    • 1+

      ¥13.12
    • 10+

      ¥11
    • 30+

      ¥9.68
    • 100+

      ¥8.32
    • 500+

      ¥7.71
    • 1000+

      ¥7.45
  • 有货
  • 特性:强大的单片体二极管,正向电压低,专为软换相设计。TRENCHSTOP™ 技术应用提供:非常紧密的参数分布。高耐用性,温度稳定性能。低 VCEsat。由于 VCEsat 具有正温度系数,易于并联开关。低 EMI。应用:感应烹饪。逆变微波炉
    数据手册
    • 1+

      ¥13.31
    • 10+

      ¥11.44
    • 30+

      ¥10.26
    • 90+

      ¥9.06
    • 510+

      ¥8.52
    • 990+

      ¥8.29
  • 有货
  • 安森美半导体的新型场截止第 4 代 IGBT 系列采用新型场截止 IGBT 技术,为太阳能逆变器、UPS、焊接机、电信、ESS 和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用提供优异性能。
    数据手册
    • 1+

      ¥17.04
    • 10+

      ¥14.55
    • 30+

      ¥12.18
    • 100+

      ¥10.59
    • 500+

      ¥9.87
    • 1000+

      ¥9.56
  • 有货
  • 应用于不间断电源,逆变器,焊接转换器,PFC应用,转换器与高转换频率。
    • 1+

      ¥17.17
    • 10+

      ¥14.61
    • 30+

      ¥13.26
    • 90+

      ¥11.62
    • 510+

      ¥10.88
  • 有货
  • 特性:高速H5技术,在硬开关和谐振拓扑中提供一流的效率。 可直接替代上一代IGBT。 650V击穿电压。 低栅极电荷QG。 IGBT与RAPID 1快速软反并联二极管共封装。 最高结温175℃。应用:太阳能转换器。 不间断电源
    数据手册
    • 1+

      ¥17.35
    • 10+

      ¥15.06
    • 30+

      ¥12.69
    • 90+

      ¥11.22
    • 510+

      ¥10.55
    • 990+

      ¥10.27
  • 有货
  • 此绝缘门双极晶体管 (IGBT) 采用耐用和成本高效的超场截止沟槽结构,在要求较高的开关应用中提供卓越的性能,还能提供低导通状态电压和最低的开关损耗。该 IGBT 非常适用于 UPS 和太阳能应用。该器件结合了一个软性和快速的共封装续流二极管,带有较低正向电压。
    数据手册
    • 1+

      ¥19.79
    • 10+

      ¥16.87
    • 30+

      ¥14.31
    • 100+

      ¥12.45
    • 500+

      ¥11.6
    • 1000+

      ¥11.24
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