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1.2kV 50A
型号：IKW25N120T2 编号：C111026
封装：TO-247-3
品牌：Infineon(英飞凌)
特性：短路耐受时间：10μs。适用于1200V应用的第二代TrenchStop技术，提供非常紧密的参数分布。高耐用性，温度稳定性能。由于VCE(sat)的正温度系数，易于并联。低电磁干扰。低栅极电荷。应用：变频器。不间断电源
数据手册

  • 1+

    ￥20.39

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    ￥17.68

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    ￥12.3
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    400V 21A
    型号：ISL9V3040S3ST-F085C 编号：C603081
    封装：D2PAK
    品牌：onsemi(安森美)
    ISL9V3040D3ST-F085C 和 ISL9V3040S3ST-F085C 提供卓越的 SCIS 能力，采用节省空间的 D-Pak (TO-252)、以及行业标准 D-Pak (TO-263) 塑料封装。此器件适用于汽车点火电路，尤其适合用作线圈驱动器。内部二极管提供了电压箝位，而无需外部组件。EcoSPARK 器件可针对具体的箝位电压进行定制。有关更多信息，请联系最近的安森美半导体销售办公室。之前开发类型为 49362。
    数据手册

    • 1+

      ￥12.73

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    600V 20A
    型号：IKW20N60T 编号：C10456
    封装：TO-247
    品牌：Infineon(英飞凌)
    Vce=600V，Ic=20A，Vce(sat)=1.5V
    数据手册

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      ￥8.89

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    IGBT 30A 650V
    型号：MLG30T65FDL-F 编号：C47967306
    封装：TO-220F
    品牌：minos(迈诺斯)
    MLG30T65FDL-F IGBT类型：场截止沟槽，集射极击穿电压Vces=650V，集电极电流Ic=30A

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      ￥6.46

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    1.2kV 40A
    型号：CRG40T120AK3SD 编号：C2981189
    封装：TO-247
    品牌：CRMICRO(华润微)
    UPS,变频器,光伏逆变,储能电源用 PB档
    数据手册

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      ￥10.77

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    1.2kV 64A
    型号：FGL40N120ANDTU 编号：C11754
    封装：TO-264-3
    品牌：onsemi(安森美)
    安森美半导体的 AN 系列 IGBT 采用 NPT 技术，提供了低导通和开关损耗。AN 系列为感应加热 (IH)、电机控制、通用型逆变器和不中断电源 (UPS) 等应用提供方案。
    数据手册

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      ￥78.16

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    300mJ、400V，N沟道点火IGBT
    型号：ISL9V3040D3ST-F085C 编号：C603080
    封装：DPAK(TO-252)
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：SCIS能量：在TJ = 25℃时为300 mJ。 逻辑电平栅极驱动。 通过AEC-Q101认证且具备PPAP能力。 这些器件无铅且符合RoHS标准。应用：汽车点火线圈驱动电路。 大电流点火系统
    数据手册

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      ￥8.15

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    TRENCHSTOP 5高速软开关IGBT，配备全电流额定RAPID 1二极管
    型号：IKW75N65ES5 编号：C454250
    封装：TO-247-3
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：高速S5技术，适用于硬开关和软开关的高速平滑开关器件。极低的集电极-发射极饱和电压（VCEsat），标称电流下为1.42V。可即插即用替换上一代IGBT。650V击穿电压。低栅极电荷QG。IGBT与全额定RAPID 1快速反并联二极管共封装。应用：谐振转换器。不间断电源
    数据手册

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      ￥15.65

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    四件套 1.2kV 370A
    型号：FF300R12KS4 编号：C541030
    封装：螺栓安装
    品牌：Infineon(英飞凌)
    数据手册

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      ￥743.93

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    650V 100A
    型号：SGT50T65FD1PN 编号：C2761787
    封装：TO-3P-3
    品牌：SILAN(士兰微)
    采用最新的第四代场截止（FieldStopIV）工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗。可应用于电焊机、UPS、SMPS以及PFC等领域。
    数据手册

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    IGBT 50A 600V
    型号：MLG50N60FUK 编号：C33129600
    封装：TO-247
    品牌：minos(迈诺斯)
    IGBT类型：场截止沟槽，集射极击穿电压Vces=600V，集电极电流Ic=100A

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      ￥10.2

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    650V 50A
    型号：S-IRGP4063DPBF 编号：C42374822
    封装：TO-247-3L
    品牌：JSMSEMI(杰盛微)
    应用于不间断电源，逆变器，焊接转换器，PFC应用，转换器与高转换频率。

    • 1+

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    650V 80A
    型号：IKW50N65H5 编号：C476108
    封装：TO-247-3
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：高速H5技术，在硬开关和谐振拓扑中提供一流的效率。 可直接替代上一代IGBT。 650V击穿电压。 低栅极电荷QG。 IGBT与RAPID 1快速软反并联二极管共封装。 最高结温175℃。应用：太阳能转换器。 不间断电源
    数据手册

    • 1+

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    600V 80A
    型号：FGH40N60SFDTU 编号：C49514
    封装：TO-247
    品牌：onsemi(安森美)
    安森美半导体的场截止 IGBT 采用新型场截止 IGBT 技术，为太阳能逆变器、UPS、焊接机、微波炉、电信、ESS 和 PFC 等导通和开关损耗至关重要的应用。
    数据手册

    • 1+

      ￥19.24

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    20 A-600 V，抗短路IGBT
    型号：STGP19NC60KD 编号：C59521
    封装：TO-220
    品牌：ST(意法半导体)
    这款 IGBT 采用了先进的 PowerMESH™ 工艺，可在开关性能和低导通状态特性之间实现出色的平衡。
    数据手册

    • 1+

      ￥6.75

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    600V、30A沟槽式FSII快速绝缘栅双极型晶体管（IGBT）
    型号：NCE30TD60BF 编号：C502942
    封装：TO-220F-3
    品牌：NCE(无锡新洁能)
    使用专有沟槽设计和先进的FS（场截止）第二代技术，提供卓越的导通和开关性能，易于并联操作。
    数据手册

    • 1+

      ￥7.49

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      ￥5.92

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    • 100+

      ￥4.35

    • 500+

      ￥3.89

    • 1000+

      ￥3.64
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    650V 80A
    型号：KGF40N65KDC-U/P 编号：C2976610
    封装：TO-247
    品牌：KEC
    Field Stop Trench IGBTs 提供低开关损耗、高能效和短路耐用性。它专为电机控制、不间断电源 (UPS)、通用逆变器等应用而设计。
    数据手册

    • 1+

      ￥8.68

    • 10+

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      ￥4.6844 ￥4.78
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    650V 75A
    型号：CRG75T65AK5HD 编号：C3975126
    封装：TO-247
    品牌：CRMICRO(华润微)
    光伏逆变 储能 UPS 电源
    数据手册

    • 1+

      ￥11.38

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    650V 74A
    型号：IKW40N65H5 编号：C454249
    封装：TO-247-3
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：高速H5技术，在硬开关和谐振拓扑中提供一流的效率。 可即插即用替换上一代IGBT。 击穿电压650V。 低栅极电荷QG。 IGBT与RAPID 1快速软反并联二极管共封装。 最高结温175°C。应用：太阳能转换器。 不间断电源
    数据手册

    • 1+

      ￥11.39

    • 10+

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    1.6kV 60A
    型号：IHW30N160R5 编号：C536125
    封装：TO-247-3
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：强大的单片体二极管，正向电压低。 TRENCHSTOP™ 技术应用提供: 非常紧密的参数分布。 高耐用性，温度稳定性能。 低集电极-发射极饱和电压（VcEsat）。 由于 VcEsat 具有正温度系数，易于并联开关。 低电磁干扰（EMI）。应用：电磁炉。 微波炉
    数据手册

    • 1+

      ￥20.18

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      ￥15.69

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