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Peltier模块集成温度控制器

型号：MAX1978ETM+T 编号：C962091

封装：TQFN-48-EP(7x7)

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

是完整的单芯片温度控制器，用于珀尔帖热电冷却器 (TEC) 模块。片上功率 FET 和热控制环路电路可减少外部组件数量，同时保持高效率。可选 500kHz/1MHz 开关频率和独特的纹波消除方案可优化组件尺寸和效率，同时降低噪声。内部 MOSFET 的开关速度经过优化，可降低噪声和 EMI。超低漂移斩波放大器可保持 ±0.001℃ 的温度稳定性。直接控制输出电流而非电压，以消除电流浪涌。独立的加热和冷却电流及电压限制为 TEC 提供最高级别的保护。

数据手册

1+
￥83.54
10+
￥75.54
30+
￥66.96
100+
￥61.2

有货

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ARM-based Cortex-M4 32b MCU+FPU，含多种功能模块

型号：STM32F302RCT6 编号：C133230

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：带FPU的ARM Cortex-M4 32位CPU（最高72 MHz），单周期乘法和硬件除法，DSP指令和MPU（内存保护单元）。工作条件:VDD、VDA电压范围：2.0 V至3.6 V。存储器:128至256 KB的闪存。高达40 KB的SRAM，前16 KB实现硬件奇偶校验。CRC计算单元。复位和电源管理:上电/掉电复位（POR/PDR）

数据手册

1+
￥23.81
10+
￥20.66
30+
￥18.79
100+
￥16.9
500+
￥16.03

有货

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N沟道，100V，138A，3mΩ@10V,30A，2.7V@250μA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

型号：BSC030N08NS5(ES) 编号：C49108769

封装：PDFN-8L(5x6)

品牌：ElecSuper(静芯)

N沟道，100V，138A，3mΩ@10V,30A，2.7V@250μA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

1+
￥6.41
10+
￥5.2
30+
￥4.6
100+
￥4
500+
￥3.64
1000+
￥3.45

有货

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集成100V 180A NMOS的理想二极管功率模块

型号：MX5050TL10R25 编号：C34376141

封装：TOLL

品牌：Wuxi Maxinmicro(无锡明芯微)

MX5050TL10R25是一款集成了理想二极管控制器和100V 180A NMOS的功率模块，代替传统的肖特基。肖特基二极管广泛用于电源系统设计，可在各种输入电源故障条件下提供保护，并通过并联电源提供系统冗余。该模块能够代替大功率20~30A,100V的肖特基，产品尺寸更小，可靠性更高，压降低功耗小，反向截至时间快，能够提高电源ORing应用的效率和性能。

1+
￥20.57
10+
￥17.88
30+
￥16.27
100+
￥12.34
500+
￥11.6
1000+
￥11.26

有货

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P沟道,-30V,-32A,8.0mΩ@10V,-32A,-1.5V@250uAL；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

型号：SI7617DN(ES) 编号：C42412335

封装：PDFN-8L(3x3)

品牌：ElecSuper(静芯)

P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下提供出色的导通电阻。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品为无铅产品。

1+
￥1.79
10+
￥1.56
30+
￥1.46
100+
￥1.34
500+
￥1.28
1000+
￥1.25

有货

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P沟道,-30V,-32A,8.0mΩ@10V,-32A,-1.5V@250uAL；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

型号：DMP3013SFV-7(ES) 编号：C42412325

封装：PDFN-8L(3x3)

品牌：ElecSuper(静芯)

P-Channel增强MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下提供出色的RDS(ON)。适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。产品无铅。

5+
￥1.0773
50+
￥0.9408
150+
￥0.8823
500+
￥0.8093
2500+
￥0.7768
5000+
￥0.7573

有货

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P沟道，-30V，-4.2A，42mΩ@-10V，-0.8V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

型号：ESLM3401 编号：C42420758

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

类型：P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.5A 功率(Pd)：1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：40mΩ@10V,4.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.0V@250uA P沟道,-30V,-4.5A,40mΩ@-10V

20+
￥0.2128
200+
￥0.1669
600+
￥0.1414
3000+
￥0.1261
9000+
￥0.1128

有货

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N沟道，100V，12.8A，90mΩ@10V,3.5A，1.65V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

型号：ESGNH10R90 编号：C42412302

封装：PDFN-8L(3x3)

品牌：ElecSuper(静芯)

ESGNH10R90 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的屏蔽栅沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

5+
￥0.9944
50+
￥0.8684
150+
￥0.8144
500+
￥0.747
2500+
￥0.717

有货

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P沟道，-30V,，-100A，2.8mΩ@-10V,-10A，-1.5V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

型号：AON6407(ES) 编号：C42412354

封装：PDFN-8L(5x6)

品牌：ElecSuper(静芯)

AON6407(ES) 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

5+
￥1.4668
50+
￥1.2778
150+
￥1.1968
500+
￥1.0957
2500+
￥1.0507
5000+
￥1.0237

有货

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N沟道，100V，11A，91mΩ@10V,7.5A，1.8V@250uA；应用领域：PLC控制器、DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

型号：AON6484(ES) 编号：C42412245

封装：PDFN-8L(5x6)

品牌：ElecSuper(静芯)

AON6484(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

1+
￥1.99
10+
￥1.74
30+
￥1.63
100+
￥1.5
500+
￥1.44
1000+
￥1.4

有货

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P沟道，-30V，-45A，8.0mΩ@-20A，-1.5V@-250uA；应用领域：锂电池保护板、DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

型号：ESD90P06DN56 编号：C42385167

封装：PDFN-8L(5x6)

品牌：ElecSuper(静芯)

类型：P沟道漏源电压(Vdss)：-30V 连续漏极电流(Id)：-45A 功率(Pd)：38W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：8.0mΩ@-20A,-10V 阈值电压(Vgs(th)@Id)：-1.5V@-250uA

1+
￥2.41
10+
￥2.14
30+
￥2.01
100+
￥1.87
500+
￥1.79
1000+
￥1.75

有货

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控制集成电源系统，双列直插式智能功率模块，3Φ桥600V/30A

型号：IKCM30F60GD 编号：C476130

封装：插件

品牌：Infineon(英飞凌)

模块系列提供了集成各种功率和控制组件的机会，以提高可靠性、优化 PCB 尺寸和系统成本。它旨在控制变速驱动器中的三相交流电机和永磁电机，适用于空调、冰箱和洗衣机等应用。封装概念特别适用于需要良好热传导和电气隔离的功率应用，同时具备 EMI 安全控制和过载保护。TRENCHSTOP IGBT 和反并联二极管与优化的 SOI 栅极驱动器相结合，以实现出色的电气性能。

数据手册

1+
￥81.14
10+
￥75.08
28+
￥68.9

有货

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N沟道，40V，59A，5.5mΩ@10V,30A，1.7V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

型号：ESEP4045GU 编号：C42420756

封装：PDFN5x6-8L

品牌：ElecSuper(静芯)

类型：N沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：59A 功率(Pd)：44.6W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：5.5mΩ@10V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.7V@250uA N沟道,40V,59A,5.5mΩ@10V

5+
￥1.6587
50+
￥1.3059
150+
￥1.1547
500+
￥0.9661
2500+
￥0.8821
5000+
￥0.8316

有货

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N沟道，68V，80A，7.3mΩ@10V,30A，2.8V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

型号：IRFR3607TRPBF(ES) 编号：C42434113

封装：TO-252

品牌：ElecSuper(静芯)

IRFR3607TRPBF(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、功率开关和充电电路

1+
￥2.91
10+
￥2.31
30+
￥2.05
100+
￥1.73
500+
￥1.58
1000+
￥1.5

有货

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N沟道，100V，83A，7.1mΩ@10V,30A，3.0V@250μA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

型号：CSD19534Q5A(ES) 编号：C49108754

封装：PDFN-8L(5x6)

品牌：ElecSuper(静芯)

N沟道，100V，83A，7.1mΩ@10V,30A，3.0V@250μA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

1+
￥3.9
10+
￥3.16
30+
￥2.79
100+
￥2.43
500+
￥2.21
1000+
￥2.1

有货

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N沟道，30V，40A，6.5mΩ@10V,18A，1.35V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

型号：AON7466(ES) 编号：C42412303

封装：PDFN-8L(3x3)

品牌：ElecSuper(静芯)

AON7466(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路

5+
￥0.7458
50+
￥0.6513
150+
￥0.6108
500+
￥0.5603
2500+
￥0.5378

有货

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N沟道，30V，32A，10.0mΩ@10V,20A，1.5V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

型号：AON6204(ES) 编号：C42412241

封装：PDFN-8L(5x6)

品牌：ElecSuper(静芯)

AON6204(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路

5+
￥0.7458
50+
￥0.6513
150+
￥0.6108
500+
￥0.5603
2500+
￥0.5378
5000+
￥0.5243

有货

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P沟道，-30V,，-31A，13.0mΩ@-10V,-29A，-1.5V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

型号：ESD30L40DN-ES 编号：C42385168

封装：PDFN-8L(3x3)

品牌：ElecSuper(静芯)

类型：P沟道漏源电压(Vdss)：-30V 连续漏极电流(Id)：-31A 功率(Pd)：42W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：13.0mΩ@-10V,-29A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：-1.5V@-250uA

5+
￥1.1733
50+
￥0.9213
150+
￥0.8133
500+
￥0.6786
2500+
￥0.6186
5000+
￥0.5825

有货

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N沟道，30V，41A，5.0mΩ@10V,20A，1.7V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

型号：ESDNJ03R4 编号：C42412251

封装：PDFN-8L(5x6)

品牌：ElecSuper(静芯)

ESDNJ03R4是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路

5+
￥1.3259
50+
￥1.1579
150+
￥1.0859
500+
￥0.996
2500+
￥0.956

有货

立即购买

N沟道，100V，83A，7.1mΩ@10V,30A，3.0V@250μA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

型号：BSC070N10NS5(ES) 编号：C49108749

封装：PDFN-8L(5x6)

品牌：ElecSuper(静芯)

N沟道，100V，83A，7.1mΩ@10V,30A，3.0V@250μA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

5+
￥2.3534
50+
￥1.8642
150+
￥1.6545
500+
￥1.3929

有货

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