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首页 > 热门关键词 > 控制模块
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价格(含税)
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操作
具有可配置4A输出阵列的四通道DC/DC μModule(电源模块)稳压器
数据手册
  • 1+

    ¥187.45
  • 30+

    ¥178.47
  • 有货
  • 是完整的单芯片温度控制器,用于珀尔帖热电冷却器 (TEC) 模块。片上功率 FET 和热控制环路电路可减少外部组件数量,同时保持高效率。可选 500kHz/1MHz 开关频率和独特的纹波消除方案可优化组件尺寸和效率,同时降低噪声。内部 MOSFET 的开关速度经过优化,可降低噪声和 EMI。超低漂移斩波放大器可保持 ±0.001℃ 的温度稳定性。直接控制输出电流而非电压,以消除电流浪涌。独立的加热和冷却电流及电压限制为 TEC 提供最高级别的保护。
    数据手册
    • 1+

      ¥82.5
    • 10+

      ¥79.02
    • 30+

      ¥67.42
    • 100+

      ¥62.15
  • 有货
  • 是 1A、2A 和 3A 引脚对引脚兼容的易于使用的同步直流/直流降压模块系列,具有集成电感器并采用 EMI 降低技术。器件采用 DCS-Control 拓扑,实现快速瞬态响应和较小的输出电容。输出电压可设置为低至 0.5V,并在整个工作结温范围内具有 1%的高反馈电压精度。模式引脚用于在节能模式和强制 PWM 模式之间进行选择
    数据手册
    • 1+

      ¥20.42
    • 10+

      ¥17.8
    • 30+

      ¥16.25
    • 100+

      ¥14.68
    • 500+

      ¥13.96
    • 1000+

      ¥13.63
  • 有货
  • 内置频率调整的32.768 kHz晶体单元 接口类型:PC-Bus 低备用电流:300 nA Typ./3V 自动电源切换功能:通过监控Vop电压自动切换到备用电源 备用电池充电控制功能:用于可充电电池 带延迟的复位功能:检测主电源并消除复位 中断输出:每分钟或每秒唤醒 闹钟中断:日、日期、小时、分钟、秒 自动重复唤醒定时器中断 自我监控中断:晶体振荡停止、VBAT低、Vop低 接口类型为2C-Bus接口,快速模式400 kHz 自动电源切换功能:监控Vop电压,自动切换到备用电源,备用电源切换电压1.2V Min. 时钟输出功能:输出频率可从32.768 kHz、1024 Hz、1 Hz中选择 唤醒定时器功能:可从244 μs到7.5年(16位x 1通道)中选择,定时器源时钟可从1/3600 Hz、1/60 Hz、1 Hz、64 Hz、4096 Hz中选择,定时器完成后从/IRQ引脚输出中断后自动释放,此操作以选定周期自动重复,可像看门狗定时器一样使用 备用电池充电控制功能:通过检测充满电自动停止充电,在寄存器中记录检测到的备用电源电压下降 带延迟的复位功能:当主电源供电时,复位输出释放,复位/释放电压由寄存器选择(2种),从备用模式释放的延迟时间为60ms Min.
    数据手册
    • 1+

      ¥5.64
    • 10+

      ¥4.57
    • 30+

      ¥4.03
    • 100+

      ¥3.5
    • 500+

      ¥3.03
    • 1000+

      ¥2.86
  • 有货
  • 具有可配置4A输出阵列的四通道DC/DC μModule(电源模块)稳压器
    数据手册
    • 1+

      ¥235.74
    • 5+

      ¥218.42
    • 30+

      ¥208.64
  • 有货
  • N沟道,30V,80A,2.4mΩ@10V,20A,1.6V@250μA;应用领域:DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    • 1+

      ¥1.86
    • 10+

      ¥1.64
    • 30+

      ¥1.54
    • 100+

      ¥1.42
    • 500+

      ¥1.37
    • 1000+

      ¥1.33
  • 有货
  • N沟道,100V,138A,3mΩ@10V,30A,2.7V@250μA;应用领域:DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    • 1+

      ¥4.69
    • 10+

      ¥4.18
    • 30+

      ¥3.93
    • 100+

      ¥3.68
    • 500+

      ¥3.53
    • 1000+

      ¥3.45
  • 有货
  • 版本对应的 RX8111CE B
    数据手册
    • 1+

      ¥7.26
    • 10+

      ¥6.07
    • 30+

      ¥5.42
    • 100+

      ¥4.68
    • 500+

      ¥4.34
    • 1000+

      ¥4.19
  • 有货
  • I2C总线接口,快速模式400 kHz,稳定性高。UA:在 +40℃ 至 +85℃ 范围内为 ±3.4×10⁻⁶(相当于每月偏差 ±9 秒)。UB:在 +40℃ 至 +85℃ 范围内为 ±5.0×10⁻⁶(相当于每月偏差 ±13 秒)。UC:在 +30℃ 至 +70℃ 范围内为 ±5.0×10⁻⁶(相当于每月偏差 ±13 秒)
    • 1+

      ¥10.71
    • 10+

      ¥8.97
    • 30+

      ¥8.01
    • 100+

      ¥6.92
    • 500+

      ¥6.44
    • 1000+

      ¥6.22
  • 有货
  • MX5050TL10R25是一款集成了理想二极管控制器和100V 180A NMOS的功率模块,代替传统的肖特基。肖特基二极管广泛用于电源系统设计,可在各种输入电源故障条件下提供保护,并通过并联电源提供系统冗余。该模块能够代替大功率20~30A,100V的肖特基,产品尺寸更小,可靠性更高,压降低功耗小,反向截至时间快,能够提高电源ORing应用的效率和性能。
    • 1+

      ¥20.57
    • 10+

      ¥17.88
    • 30+

      ¥16.27
    • 100+

      ¥12.34
    • 500+

      ¥11.6
    • 1000+

      ¥11.26
  • 有货
  • 是一款高效、高压输入、易于使用的同步降压电源模块。该器件集成了功率MOSFET、屏蔽式电感器和基本无源器件,更大限度地减小了设计尺寸。该器件具有4.5V至28V的宽工作输入电压范围,非常适合由12V、19V、24V总线电源轨供电的系统。支持高达6A的持续输出电流,相应的输出电压介于0.6V和13V之间
    数据手册
    • 1+

      ¥49.75
    • 10+

      ¥43.52
    • 30+

      ¥39.73
  • 有货
  • 双通道 25A 或单通道 50A DC/DC μModule 稳压器
    数据手册
    • 1+

      ¥505.27
    • 3+

      ¥441.74
    • 30+

      ¥419.1
  • 有货
  • P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷下提供出色的导通电阻。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品为无铅产品。
    • 1+

      ¥1.79
    • 10+

      ¥1.56
    • 30+

      ¥1.46
    • 100+

      ¥1.34
    • 500+

      ¥1.28
    • 1000+

      ¥1.25
  • 有货
  • 双通道、超薄、2.5A 或单 5A 降压型 DC/DC μModule 稳压器
    数据手册
    • 1+

      ¥94.59
    • 10+

      ¥90.79
    • 30+

      ¥75.66
    • 100+

      ¥69.91
  • 有货
  • 符合 EN55022B 规格的 36VIN、15VOUT、8A、DC/DC μModule 稳压器
    数据手册
    • 1+

      ¥534.81
    • 3+

      ¥496.5
    • 30+

      ¥473.53
  • 有货
  • ESGNH10R90 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的屏蔽栅沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路
    • 5+

      ¥0.9576
    • 50+

      ¥0.8316
    • 150+

      ¥0.7776
    • 500+

      ¥0.7103
    • 2500+

      ¥0.6803
  • 有货
  • P-Channel增强MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷下提供出色的RDS(ON)。适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。产品无铅。
    • 5+

      ¥1.0374
    • 50+

      ¥0.9009
    • 150+

      ¥0.8424
    • 500+

      ¥0.7694
    • 2500+

      ¥0.7369
    • 5000+

      ¥0.7174
  • 有货
  • AON6407(ES) 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路
    • 5+

      ¥1.4668
    • 50+

      ¥1.2778
    • 150+

      ¥1.1968
    • 500+

      ¥1.0957
    • 2500+

      ¥1.0507
    • 5000+

      ¥1.0237
  • 有货
  • 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):59A 功率(Pd):44.6W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.5mΩ@10V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.7V@250uA N沟道,40V,59A,5.5mΩ@10V
    • 5+

      ¥1.6426
    • 50+

      ¥1.2898
    • 150+

      ¥1.1386
    • 500+

      ¥0.95
    • 2500+

      ¥0.866
    • 5000+

      ¥0.8155
  • 有货
  • AON6484(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路
    • 1+

      ¥1.99
    • 10+

      ¥1.74
    • 30+

      ¥1.63
    • 100+

      ¥1.5
    • 500+

      ¥1.44
    • 1000+

      ¥1.4
  • 有货
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