igbt模块_厂家_价格_品牌_库存

型号：YFWG40T65HAP 编号：C45662253

封装：TO-247

品牌：YFW(佑风微)

P:5000W VRWM:5.0V-220V GPP芯片

1+
￥10.564 ￥11.12
10+
￥8.911 ￥9.38
30+
￥7.866 ￥8.28
90+
￥6.973 ￥7.34
510+
￥6.4885 ￥6.83
1200+
￥6.2795 ￥6.61

有货

立即购买

型号：IHW20N135R5 编号：C536119

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：提供1350V的高击穿电压，提高可靠性。强大的单片体二极管，正向电压低，专为软换流设计。 TRENCHSTOP™技术提供: -非常紧密的参数分布。 -高耐用性，温度稳定性能。 -低Vce(sat)。 -由于Vce(sat)具有正温度系数，易于并联开关。应用：感应烹饪。逆变微波炉

数据手册

1+
￥11.52
10+
￥9.91
30+
￥8.9
90+
￥7.86

有货

立即购买

型号：CRG40T120AK3LD 编号：C47115424

封装：TO-247

品牌：CRMICRO(华润微)

1+
￥12.42
10+
￥10.58
30+
￥9.42
100+
￥8.24
500+
￥7.71
1000+
￥7.48

有货

立即购买

型号：MLG75T65FDK 编号：C33129607

封装：TO-247

品牌：minos(迈诺斯)

IGBT类型：场截止沟槽，集射极击穿电压Vces=650V，集电极电流Ic=75A

1+
￥12.43
10+
￥10.62
30+
￥9.3
90+
￥8.14
510+
￥7.62
990+
￥7.39

有货

立即购买

型号：STGW30V60DF 编号：C2970852

封装：TO-247

品牌：ST(意法半导体)

600 V、30 A超高速沟槽栅场截止V系列IGBT

数据手册

1+
￥12.6321 ￥15.99
10+
￥10.5156 ￥15.24
30+
￥8.732 ￥14.8
100+
￥8.4606 ￥14.34
500+
￥8.3426 ￥14.14
1000+
￥8.2836 ￥14.04

有货

立即购买

型号：IKW75N65EH5 编号：C454259

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：高速H5技术，在硬开关和谐振拓扑中提供一流的效率。可插拔替换上一代IGBT。650V击穿电压。低栅极电荷QG。IGBT与全额定RAPID 1快速软反并联二极管共封装。最高结温175℃。应用：不间断电源。太阳能转换器

数据手册

1+
￥15.46
10+
￥12.97
30+
￥11.41

有货

立即购买

型号：NCE80TD60BT 编号：C502947

封装：TO-247

品牌：NCE(无锡新洁能)

使用专有沟槽设计和先进的 FS（场截止）第二代技术，600V 沟槽 FSII IGBT 具有卓越的导通和开关性能，且易于并联操作。

数据手册

1+
￥15.462 ￥17.18
10+
￥12.888 ￥14.32
30+
￥11.277 ￥12.53
90+
￥9.621 ￥10.69
510+
￥8.874 ￥9.86
990+
￥8.55 ￥9.5

有货

立即购买

型号：NCE40TD120BT 编号：C2686742

封装：TO-247

品牌：NCE(无锡新洁能)

采用专有沟槽设计和先进的 FS（场截止）第二代技术，提供卓越的导通和开关性能，且易于并联操作。

数据手册

1+
￥16.321 ￥17.18
10+
￥13.604 ￥14.32
30+
￥11.9035 ￥12.53
90+
￥10.1555 ￥10.69
510+
￥9.367 ￥9.86
990+
￥9.025 ￥9.5

有货

立即购买

型号：IKW50N60H3 编号：C127956

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：TRENCHSTOP™技术提供非常低的VCEsat。低EMI。非常软、快速恢复的反并联二极管。最高结温175℃。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。无铅引脚镀层；符合RoHS标准。应用：不间断电源。焊接转换器

数据手册

1+
￥16.92
10+
￥14.46
30+
￥11.59
90+
￥10.02

有货

立即购买

型号：FGH40T65SQD-F155-HXY 编号：C49003409

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具有40A的集电极电流(Ic)和650V的集射极击穿电压(Vces)，适用于中等功率场景下的高频开关应用。其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.6V，在保证性能的同时有助于降低导通损耗。内置续流二极管可承受最大40A正向电流(IF)，正向压降(Vf)为1.8V，具备稳定的反向恢复特性。模块采用优化的封装结构，散热性能良好，适用于对能效与稳定性有一定要求的电力电子系统设计。

1+
￥17.5465 ￥18.47
10+
￥15.0005 ￥15.79
30+
￥13.49 ￥14.2
90+
￥11.9605 ￥12.59
510+
￥11.2575 ￥11.85
990+
￥10.9345 ￥11.51

有货

立即购买

型号：FGH40N60UFDTU 编号：C442452

封装：TO-247

品牌：onsemi(安森美)

安森美半导体的场截止 IGBT 采用新型场截止 IGBT 技术，为太阳能逆变器、UPS、焊接机、微波炉、电信、ESS 和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用提供优异性能。

数据手册

1+
￥17.84
10+
￥15.34
30+
￥12.92
90+
￥11.31
450+
￥10.59
900+
￥10.28

有货

立即购买

型号：IGW50N65F5 编号：C536107

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：高速F5技术，在硬开关和谐振拓扑中提供一流的效率。 650V击穿电压。低栅极电荷QG。与升压转换器中的碳化硅肖特基二极管完美匹配。最高结温175℃。符合JEDEC标准，适用于目标应用。应用：太阳能转换器。不间断电源

数据手册

1+
￥17.8496 ￥27.89
10+
￥14.3532 ￥26.58
30+
￥11.3564 ￥25.81
90+
￥11.0088 ￥25.02
510+
￥10.8504 ￥24.66
990+
￥10.7756 ￥24.49

有货

立即购买

型号：CRG40T120BK3SD 编号：C2981191

封装：TO-247

品牌：CRMICRO(华润微)

UPS,变频器,光伏逆变,储能电源用

数据手册

1+
￥18.87
10+
￥16.32
25+
￥12.95
100+
￥11.31
500+
￥10.57
1000+
￥10.25

有货

立即购买

型号：IXGA48N60A3-TRL 编号：C3193988

封装：TO-263(D2PAK)

品牌：Littelfuse/IXYS

特性：针对低传导损耗进行优化。方形反向偏置安全工作区（RBSOA）。高电流处理能力。国际标准封装。高功率密度。低栅极驱动要求。应用：功率逆变器。不间断电源（UPS）

1+
￥22.12
10+
￥19.16
30+
￥17.39
100+
￥15.61
500+
￥14.79
800+
￥14.42

有货

立即购买

型号：FGHL50T65MQDT 编号：C5209101

封装：TO-247-3L

品牌：onsemi(安森美)

场截止第四代中速 IGBT 技术与全额定电流二极管共封装。

数据手册

1+
￥24.7
10+
￥23.54
30+
￥21.64
90+
￥21.05

有货

立即购买

型号：SL50T120FZ 编号：C5375317

封装：TO-264

品牌：Slkor(萨科微)

特性：高效沟槽场截止技术。最高结温（TJmax）：175℃。软快速反向恢复二极管。针对高速开关进行优化。 10μs短路承受能力。应用：太阳能逆变器。 UPS

数据手册

1+
￥25.86
10+
￥22.11
25+
￥19.88
100+
￥17.62
500+
￥16.58
1000+
￥16.11

有货

立即购买

型号：IKW40N60H3 编号：C128881

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

采用沟槽和场截止技术的高速DuoPack绝缘栅双极型晶体管（IGBT），配备软恢复、快速恢复的反并联二极管。

数据手册

1+
￥40.43
10+
￥35.18
30+
￥31.99

有货

立即购买

型号：IXYH50N120C3D1 编号：C497186

封装：TO-247

品牌：Littelfuse/IXYS

特性：优化低开关损耗。方形反向偏置安全工作区（RBSOA）。 Vce(sat)正温度系数。反并联超快二极管。高电流处理能力。国际标准封装。应用：高频功率逆变器。 UPS

数据手册

1+
￥70.94
10+
￥61.25
30+
￥55.35
100+
￥50.4

有货

立即购买

型号：APT35GP120BG-HXY 编号：C49003441

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具备40A集电极电流（Ic）和1200V集射极击穿电压（Vces），适用于较高电压等级的电力电子应用。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.9V，在高耐压条件下仍可保持较好的导通性能。内置二极管支持40A正向电流（IF），正向压降（Vf）为2.5V，具备良好的热稳定性和反向恢复特性。适用于电源转换、智能电网设备、精密电机控制等场景，提供高效、稳定的开关表现。

1+
￥82.574 ￥86.92
10+
￥78.8215 ￥82.97
30+
￥72.333 ￥76.14
90+
￥66.671 ￥70.18

有货

立即购买

型号：IXYH120N65C3-HXY 编号：C49003440

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具备100A集电极电流（Ic）和650V集射极击穿电压（Vces），适合多种中高功率电力电子应用。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.45V，有效降低导通损耗，提升整体能效。内置二极管可承受100A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.55V，具备良好的热稳定性和快速恢复特性。适用于电源变换、智能电网设备、高性能电机驱动等场景，提供高效、可靠的开关控制能力。

1+
￥82.574 ￥86.92
10+
￥78.8215 ￥82.97
30+
￥72.333 ￥76.14
90+
￥66.671 ￥70.18

有货

立即购买

型号：IXYH120N65B3-HXY 编号：C49003439

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具有100A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率应用场合。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.45V，有助于降低导通损耗，提高系统效率。内部二极管具备100A的正向电流（IF）能力，正向压降（Vf）为1.55V，表现出良好的反向恢复特性。该器件采用标准封装设计，适用于多种电力电子变换装置，如电源转换、智能电网设备及精密电机控制等场景，提供稳定可靠的开关性能。

1+
￥82.574 ￥86.92
10+
￥78.8215 ￥82.97
30+
￥72.333 ￥76.14
90+
￥66.671 ￥70.18

有货

立即购买

型号：IXGH40N120A2-HXY 编号：C49003443

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本IGBT管/模块具有40A集电极电流（Ic）和1200V集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率电力电子系统。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.9V，有助于降低导通损耗，提升整体能效。内置二极管支持40A正向电流（IF），正向压降（Vf）为2.5V，具备良好的续流性能与稳定性。该器件适合应用于电源转换、储能装置及高效开关电路等场景，满足对效率与可靠性有较高要求的电路设计方案。

1+
￥85.4145 ￥89.91
10+
￥81.5385 ￥85.83
30+
￥74.8315 ￥78.77
90+
￥68.97 ￥72.6

有货

立即购买

型号：IXGH50N120C3-HXY 编号：C49003444

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本款IGBT管/模块具备40A的集电极电流（Ic）和1200V的集射极击穿电压（Vces），适用于较高功率应用场景。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.9V，能够在导通状态下保持较低的能量损耗。内置二极管可支持40A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为2.5V，性能稳定。该器件适合用于需要高效能开关和功率控制的设备中，例如电源转换装置、电机驱动系统以及储能设备等，具备良好的热稳定性和可靠性，能够满足复杂工况下的运行需求。

1+
￥85.4145 ￥89.91
10+
￥81.5385 ￥85.83
30+
￥74.8315 ￥78.77
90+
￥68.97 ￥72.6

有货

立即购买

型号：IXXX200N65B4-HXY 编号：C49003480

封装：TO-247P

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本款IGBT管/模块具备160A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于较高功率场景。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.37V，有助于降低导通损耗。内置二极管可支持160A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.33V，性能稳定，适合多种高要求电路设计应用。

1+
￥92.5395 ￥97.41
10+
￥88.3405 ￥92.99
30+
￥81.0635 ￥85.33
90+
￥74.7175 ￥78.65

有货

立即购买

型号：APT50GT120B2RDQ2G-HXY 编号：C49003383

封装：TO-247P

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本IGBT管/模块具备50A的集电极电流（Ic）和1200V的集射极击穿电压（Vces），可满足较高功率需求的应用场景。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.9V，在导通状态下能有效控制能量损耗。内部集成的二极管支持50A正向电流（IF），正向压降（Vf）为2.7V，具备良好的导通性能。该器件适用于电力变换装置、高效电机驱动及高频电源系统等场合，为高可靠性开关应用提供技术支持。

1+
￥93.9645 ￥98.91
10+
￥89.699 ￥94.42
30+
￥82.308 ￥86.64
90+
￥75.867 ￥79.86

有货

立即购买

型号：APT45GP120B2DQ2G-HXY 编号：C49003384

封装：TO-247P

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本IGBT管/模块具有50A的集电极电流（Ic）和1200V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率应用场景。导通状态下，集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.9V，有助于提升系统整体效率。内置二极管可承受50A的正向电流（IF），其正向压降（Vf）为2.7V，具备良好的导通特性与稳定性。该器件适合用于电源变换设备、高效能电机控制电路以及高频电力电子系统，满足对开关性能与耐压能力有较高要求的设计需求。