igbt模块_厂家_价格_品牌_库存

封装：TO-247

该IGBT管/模块具备集电极电流（Ic）50A与集射极击穿电压（Vces）650V的电气特性，适用于中高功率的电子系统设计。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.65V，在导通状态下可有效控制能量损耗。内置二极管支持正向电流（IF）50A，正向压降（Vf）低至1.45V，具备良好的续流性能和热稳定性。该器件适合应用于电源转换、电机控制及其他对效率与可靠性有较高要求的电路场景。

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￥14.421 ￥15.18
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￥12.2835 ￥12.93
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￥8.949 ￥9.42
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￥8.683 ￥9.14

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型号：KGF75N60KDB 编号：C400993

封装：TO-247-3

品牌：KEC

数据手册

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￥17.42
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￥14.83
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￥11.89
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￥10.23
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￥9.48

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型号：GT40QR21(STA1,E,D 编号：C4153791

封装：TO-3P-3

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：第6.5代。 RC-IGBT由一个在IGBT芯片中单片集成的续流二极管组成。增强模式。高速开关 IGBT：tf = 0.20 μs（典型值）（IC = 40 A） FWD：trr = 0.60 μs（典型值）（IF = 15 A）。低饱和电压：VCE(sat) = 1.9V（典型值）（IC = 40A）。高结温：TJ = 175℃（最大值）。应用：专用于电压谐振逆变器开关应用

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￥20.57
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￥17.62
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￥15.78
100+
￥13.9

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型号：FGA6560WDF 编号：C444007

封装：TO-3PN

品牌：onsemi(安森美)

采用新型场截止绝缘栅双极晶体管（IGBT）技术，全新系列的第三代场截止IGBT为焊机和工业应用提供了最佳性能，在这些应用中，低导通损耗和开关损耗至关重要。

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￥21
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￥18.13
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￥14.27
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￥12.54
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￥11.74
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￥11.38

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型号：IHW40N135R5 编号：C536128

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：强大的单片体二极管，正向电压低，专为软换流而设计。 TRENCHSTOP™技术提供: -非常紧密的参数分布。 -高耐用性，温度稳定特性。 -低VCEsat。 -由于VCEsat具有正温度系数，易于并联开关。低EMI。应用：感应烹饪。微波炉

数据手册

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￥22.43
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￥19.31
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￥16.76
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￥14.89

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型号：IXXH60N65C4-HXY 编号：C49003432

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具有60A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率应用场景。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.65V，能够在导通状态下保持较低的功耗。模块内置二极管，可承受50A的正向电流（IF），正向压降（Vf）同样为1.65V，具备良好的反向恢复性能。该器件适合用于电源转换、电机控制及能源管理等领域，提供稳定可靠的开关表现。

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￥25.3555 ￥26.69
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￥21.793 ￥22.94
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￥19.6745 ￥20.71
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￥17.5275 ￥18.45
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￥16.5395 ￥17.41
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￥16.093 ￥16.94

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型号：IXXH75N60B3D1 编号：C425671

封装：TO-247AD

品牌：Littelfuse/IXYS

特性：针对5-30kHz开关进行优化。方形反向偏置安全工作区（RBSOA）。反并联超快二极管。雪崩能力。短路能力。国际标准封装。应用：功率逆变器。不间断电源（UPS）

数据手册

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￥45.88
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￥39.54
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￥35.7
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￥32.46

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型号：IRGP4066DPBF 编号：C500537

封装：TO-247AC

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：低Vce(ON)沟槽IGBT技术。低开关损耗。最高结温175℃。 5μs短路安全工作区。方形反向偏置安全工作区。 100%的器件进行ILM测试。正Vce(ON)温度系数。紧密的参数分布。无铅封装

数据手册

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￥63.69
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￥55.79
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￥45.36

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型号：6MBP30XSF060-50 编号：C5819992

封装：DIP-24

品牌：FUJI(富士电机)

特性：低侧IGBT为独立发射极类型。短路保护。温度传感器输出功能。过热保护。欠压保护。故障信号输出功能。应用：AC 100~240V三相逆变器驱动，用于小功率交流电机驱动（如空调压缩机电机驱动、热泵应用压缩机电机驱动、风扇电机驱动、通风机电机驱动）

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￥69.56
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￥60.72
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￥55.34

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型号：IKQ140N120CH7XKSA1-HXY 编号：C49003418

封装：TO-247P

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具备140A的集电极电流（Ic）与1200V的集射极击穿电压（Vces），适合高功率密度场景的应用需求。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.55V，有效降低导通状态下的能量损耗，提升整体能效表现。内部集成二极管可支持140A正向电流（IF），正向压降（Vf）为2.01V，具有良好的热稳定性和快速恢复能力。模块设计兼顾可靠性和兼容性，适用于多种高效电力转换设备的构建与优化。

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￥74.93
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￥71.53
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￥65.64

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型号：FS25R12W1T4_B11 编号：C535474

封装：插件,62.8x33.8mm

品牌：Infineon(英飞凌)

IGBT模块

数据手册

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￥93.78
10+
￥92.42
30+
￥90.06
100+
￥88

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型号：APT75GP120B2G-HXY 编号：C49003485

封装：TO-247P

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本IGBT管/模块具备75A的集电极电流（Ic）和1200V的集射极击穿电压（Vces），适用于高电压与大电流工作环境。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.9V，有助于降低导通损耗，提升系统效率。内置二极管支持75A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.9V，表现出优异的开关性能与稳定性。该器件可广泛应用于高效能电力电子系统，如智能电网、新能源转换、精密电机控制等领域，满足对效率与可靠性的高标准需求。

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￥113.886 ￥119.88
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￥108.718 ￥114.44
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￥99.769 ￥105.02
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￥91.96 ￥96.8

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型号：APT50GF120B2RG-HXY 编号：C49003483

封装：TO-247P

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为IGBT管/模块，具备50A的集电极电流（Ic）和1200V的集射极击穿电压（Vces），可支持高功率应用场景。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.9V，有助于降低导通损耗并提升系统效率。内置二极管可承受50A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为2.7V，确保在高频开关条件下稳定运行。该器件适用于需要高效能与高可靠性的电力电子系统，如智能电网、可再生能源转换及精密电机控制等领域。