igbt模块_厂家_价格_品牌_库存

型号：IXBH14N300HV 编号：C3193876

封装：TO-247HV

品牌：Littelfuse/IXYS

特性：高电压封装。高阻断电压。反并联二极管。低传导损耗。低栅极驱动要求。高功率密度。应用：开关模式和谐振模式电源。不间断电源（UPS）

1+
￥123.12
10+
￥118.02
30+
￥109.19

有货

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型号：FGY160T65SPD-F085 编号：C462113

封装：TO-247-3

品牌：onsemi(安森美)

数据手册

1+
￥45.3
10+
￥39.3
30+
￥35.65
100+
￥32.58

有货

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型号：IKQ140N120CH7XKSA1-HXY 编号：C49003418

封装：TO-247P

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具备140A的集电极电流（Ic）与1200V的集射极击穿电压（Vces），适合高功率密度场景的应用需求。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.55V，有效降低导通状态下的能量损耗，提升整体能效表现。内部集成二极管可支持140A正向电流（IF），正向压降（Vf）为2.01V，具有良好的热稳定性和快速恢复能力。模块设计兼顾可靠性和兼容性，适用于多种高效电力转换设备的构建与优化。

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￥74.93
10+
￥71.53
30+
￥65.64

有货

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型号：IXGH50N120C3-HXY 编号：C49003444

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本款IGBT管/模块具备40A的集电极电流（Ic）和1200V的集射极击穿电压（Vces），适用于较高功率应用场景。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.9V，能够在导通状态下保持较低的能量损耗。内置二极管可支持40A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为2.5V，性能稳定。该器件适合用于需要高效能开关和功率控制的设备中，例如电源转换装置、电机驱动系统以及储能设备等，具备良好的热稳定性和可靠性，能够满足复杂工况下的运行需求。

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￥85.4145 ￥89.91
10+
￥81.5385 ￥85.83
30+
￥74.8315 ￥78.77
90+
￥68.97 ￥72.6

有货

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型号：IXXK300N60B3 编号：C17358106

封装：TO-264

品牌：Littelfuse/IXYS

特性：针对10-30kHz开关进行优化。方形反向偏置安全工作区（RBSOA）。国际标准封装。雪崩额定。短路能力。高电流处理能力。应用：功率逆变器。不间断电源（UPS）

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￥202.76
25+
￥193.88

有货

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型号：MSG70T170HLB3 编号：C37635843

封装：TO-264

品牌：MASPOWER(麦思浦)

IGBT 70A 1700V TO-264封装高压晶体管大电流

单价：
￥296.82 / 个

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型号：FF200R17KE4 编号：C541005

封装：螺栓安装

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：电气特性：扩展工作温度 T(v_ijop)。低 V(CEsat)。高鲁棒性。V(CEsat) 具有正温度系数。机械特性：4 kV 交流 1 分钟绝缘。CTI > 400 的封装。应用：典型应用：高性能变频器。电机驱动

数据手册

1+
￥433.54
30+
￥410.93

有货

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型号：FF300R12ME4 编号：C17441694

封装：螺栓安装

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：低VCEsat，Tvrop = 150℃。标准封装。应用：电机驱动。伺服驱动器

1+
￥598.49
30+
￥571.5

有货

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型号：FS200R12N3T7 编号：C42387482

封装：插件,122x62.5mm

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：集电极-发射极电压（VCES）：1200V。连续直流集电极电流（ICDC）：200A。重复峰值集电极电流（ICRM）：400A。低集电极-发射极饱和电压（VCE sat）。过载运行温度可达175℃。集成NTC温度传感器。应用：电机驱动器。辅助逆变器

1+
￥672.8
30+
￥649.6

有货

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型号：SL20T65K1 编号：C6800598

封装：TO-263

品牌：Slkor(萨科微)

特性：低栅极电荷。沟槽场截止技术，饱和电压：Vce(sat)，典型值 = 1.6V（Ic = 20A，Tc = 25℃）。符合RoHS标准的产品。应用：通用逆变器。 UPS

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￥5.328 ￥6.66
10+
￥4.408 ￥5.51
30+
￥3.896 ￥4.87
100+
￥3.328 ￥4.16
500+
￥3.072 ￥3.84
800+
￥2.96 ￥3.7

有货

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型号：IKA15N65F5-JSM 编号：C42444741

封装：TO-220F

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

特性：提供高达650V的高击穿电压。低VCEsat。由于VCEsat的正温度系数，具有易于并联开关的能力。超快且软的反并联二极管。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。无铅引脚镀层。应用：UPS。空调

1+
￥6.01
10+
￥4.81
50+
￥4.2
100+
￥3.6

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型号：IKA06N60T 编号：C536133

封装：TO-220FP

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：极低的VCE(sat)：1.5V（典型值）。最大结温：175℃。短路耐受时间：5μs。适用于600V应用的TRENCHSTOP™和场截止技术提供:非常紧密的参数分布。高耐用性，温度稳定特性。非常高的开关速度。应用：洗衣机。逆变器和变速驱动器

数据手册

1+
￥6.6953 ￥9.43
10+
￥5.3009 ￥8.69
50+
￥4.1973 ￥8.23
100+
￥3.9525 ￥7.75
500+
￥3.8454 ￥7.54
1000+
￥3.7995 ￥7.45

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型号：SGT40N60NPFDPN 编号：C254541

封装：TO-3P-3

品牌：SILAN(士兰微)

数据手册

1+
￥7.69
10+
￥6.34
30+
￥5.71
90+
￥4.87
510+
￥4.5

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型号：HGTD1N120BNS9A 编号：C462776

封装：TO-252AA

品牌：onsemi(安森美)

HGTD1N120BNS9A 基于无通冲孔 (NPT) IGBT 设计。此 IGBT 适用于低导通损耗至关重要的、在中等频率下运行的多种高电压开关应用，如 UPS、太阳能逆变器、电机控制和电源。

数据手册

1+
￥8.78
10+
￥7.34
30+
￥6.55
100+
￥5.66

有货

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型号：CRG15T60A83L 编号：C18905998

封装：TO-220

品牌：CRMICRO(华润微)

CRG15T60A83L和CRG15T60A93L具有良好的导通和开关特性和易并联使用的特点。符合RoHS指令要求。

1+
￥9.51
10+
￥7.96
50+
￥6.55
100+
￥5.58
500+
￥5.16
1000+
￥4.97

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型号：STGB18N40LZT4 编号：C262942

封装：TO-263AB

品牌：ST(意法半导体)

汽车级390 V内部钳制IGBT ESCIS 180 mJ

数据手册

1+
￥10.13
10+
￥8.8
30+
￥8.07
100+
￥7.24

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型号：MLG60N65FUK 编号：C20624241

封装：TO-247

品牌：minos(迈诺斯)

MLG60N65FUK采用先进的沟槽场截止（T-FS）技术制造，具有低集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)）、优化的开关性能和低栅极电荷Qg等特性。该绝缘栅双极晶体管（IGBT）是光伏、不间断电源（UPS）、升压及高开关频率应用的理想器件。

1+
￥11.94
10+
￥10.13
30+
￥8.82
90+
￥7.66
510+
￥7.14
990+
￥6.91

有货

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型号：MLG60N60FUK 编号：C33129601

封装：TO-247

品牌：minos(迈诺斯)

IGBT类型：场截止沟槽，集射极击穿电压Vces=600V，集电极电流Ic=120A

1+
￥12.24
10+
￥10.43
30+
￥8.82
90+
￥7.66
510+
￥7.14
990+
￥6.91

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型号：FGW40XS120C 编号：C7461435

封装：TO-247

品牌：FUJI(富士电机)

特性：无铅引脚端子。符合RoHS标准的无卤模塑料。应用：不间断电源。光伏功率调节器

1+
￥12.59
10+
￥11.91
30+
￥11.5
100+
￥11.09
600+
￥10.9
1200+
￥10.82

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型号：BLG75T65FDL-F 编号：C48677153

封装：TO-247

品牌：BL(上海贝岭)

采用先进的沟槽场截止（T-FS）技术，具有低VCE(sat)、优化的开关性能和低栅极电荷Qg。适用于光伏、UPS、升压和高开关频率应用。

1+
￥13.26
10+
￥11.17
30+
￥9.86
90+
￥8.52

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型号：S-FGH40N60UFDTU 编号：C42374824

封装：TO-247-3L

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

应用于电机驱动、太阳能逆变器、谐振转换器等等。

1+
￥14.47
10+
￥12.21
30+
￥11.02

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型号：YGW60N65F1A1 编号：C4153739

封装：TO-247

品牌：luxin-semi(上海陆芯)

工规级 IGBT单管 N沟道，TO247，广泛应用于各类高频电源行业。

数据手册

1+
￥15.0955 ￥15.89
10+
￥12.863 ￥13.54
30+
￥11.077 ￥11.66
90+
￥9.6425 ￥10.15
510+
￥8.9965 ￥9.47
1200+
￥8.7115 ￥9.17

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型号：IGW25T120 编号：C536094

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：短路耐受时间：10μs。 TrenchStop和Fieldstop技术用于1200V应用，具有非常紧密的参数分布。 TrenchStop和Fieldstop技术用于1200V应用，具有高耐用性和温度稳定性能。 NPT技术由于VCE(sat)的正温度系数，具有易于并联开关的能力。低电磁干扰。低栅极电荷。应用：变频器。不间断电源

数据手册

1+
￥18.8647 ￥26.57
10+
￥15.4513 ￥25.33
30+
￥12.5409 ￥24.59
90+
￥12.1584 ￥23.84
510+
￥11.9799 ￥23.49
990+
￥11.8983 ￥23.33

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型号：YGW75N65FP 编号：C4153744

封装：TO-247

品牌：luxin-semi(上海陆芯)

工规级 IGBT单管 N沟道，TO247，广泛应用于各类高频电源行业。

数据手册

1+
￥26.239 ￥27.62
10+
￥22.42 ￥23.6
30+
￥19.456 ￥20.48
90+
￥17.1665 ￥18.07
510+
￥16.1025 ￥16.95
1200+
￥15.6275 ￥16.45

有货

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型号：FGW50N60HD 编号：C35532347

封装：TO-247

品牌：FUJI(富士电机)

特性：低功率损耗。低开关浪涌和噪声。高可靠性，高耐用性（RBSOA、SCSOA等）。应用：不间断电源。功率调节器

1+
￥26.54
10+
￥22.6
30+
￥20.26
90+
￥17.89

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型号：STGYA50H120DF2-HXY 编号：C49003407

封装：TO-247P

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为IGBT管/模块，具备50A的集电极电流（Ic）和1200V的集射极击穿电压（Vces），可适应较高功率的应用需求。导通状态下，集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.9V，有助于在高效能运作的同时控制导通损耗。内置二极管支持最大50A的正向电流（IF），其正向压降（Vf）为2.7V，表现出良好的导通特性。该器件适用于电源变换装置、电机控制电路以及多种高精度电子设备，为系统提供稳定且高效的功率处理能力。

1+
￥34.31
10+
￥29.49
30+
￥26.62

有货

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型号：IXYH50N120C3D1 编号：C497186

封装：TO-247

品牌：Littelfuse/IXYS

特性：优化低开关损耗。方形反向偏置安全工作区（RBSOA）。 Vce(sat)正温度系数。反并联超快二极管。高电流处理能力。国际标准封装。应用：高频功率逆变器。 UPS

数据手册

1+
￥75.92
10+
￥66.23
30+
￥60.33
100+
￥55.38

有货

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型号：FS25R12W1T4_B11 编号：C535474

封装：插件,62.8x33.8mm

品牌：Infineon(英飞凌)

IGBT模块

数据手册

1+
￥90.58
10+
￥89.22
30+
￥86.86
100+
￥84.8

有货

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型号：APT45GP120B2DQ2G-HXY 编号：C49003384

封装：TO-247P

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本IGBT管/模块具有50A的集电极电流（Ic）和1200V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率应用场景。导通状态下，集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.9V，有助于提升系统整体效率。内置二极管可承受50A的正向电流（IF），其正向压降（Vf）为2.7V，具备良好的导通特性与稳定性。该器件适合用于电源变换设备、高效能电机控制电路以及高频电力电子系统，满足对开关性能与耐压能力有较高要求的设计需求。

1+
￥99.655 ￥104.9
10+
￥95.133 ￥100.14
30+
￥87.2955 ￥91.89
90+
￥80.465 ￥84.7

有货

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型号：APT50GF120B2RG-HXY 编号：C49003483

封装：TO-247P

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为IGBT管/模块，具备50A的集电极电流（Ic）和1200V的集射极击穿电压（Vces），可支持高功率应用场景。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.9V，有助于降低导通损耗并提升系统效率。内置二极管可承受50A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为2.7V，确保在高频开关条件下稳定运行。该器件适用于需要高效能与高可靠性的电力电子系统，如智能电网、可再生能源转换及精密电机控制等领域。

1+
￥113.886 ￥119.88
10+
￥108.718 ￥114.44
30+
￥99.769 ￥105.02
90+
￥91.96 ￥96.8

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