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特性:针对低开关损耗进行优化。 方形反向偏置安全工作区(RBSOA)。 国际标准封装。 Vce(sat)具有正温度系数。 雪崩额定。 高电流处理能力。应用:高频功率逆变器。 不间断电源(UPS)
  • 1+

    ¥250.04
  • 30+

    ¥238.76
  • 有货
  • 特性:针对电流谐振应用进行优化。 低集电极-发射极饱和电压:VCE(sat) = 1.45 V(典型值,IC = 50 A,VGE = 15 V,Ta = 25℃)。 单封装内集成快速恢复二极管。 采用沟槽栅和薄晶圆技术。应用:感应加热。 微波炉
    数据手册
    • 1+

      ¥9.55
    • 10+

      ¥8.8
    • 30+

      ¥8.33
    • 90+

      ¥7.85
    • 510+

      ¥7.64
  • 有货
  • MLG40N65FUK采用先进的沟槽场截止(T-FS)技术制造,具有低VCE(sat)、优化的开关性能和低栅极电荷Qg等特性。该IGBT适用于焊接、UPS及高开关频率应用。
    • 1+

      ¥10.1
    • 10+

      ¥8.3
    • 30+

      ¥7.14
    • 90+

      ¥6.03
    • 510+

      ¥5.53
    • 990+

      ¥5.31
  • 有货
  • IGBT类型:场截止沟槽,集射极击穿电压Vces=650V,集电极电流Ic=120A
    • 1+

      ¥10.78
    • 10+

      ¥9.12
    • 30+

      ¥8.08
    • 90+

      ¥7.02
    • 510+

      ¥6.54
    • 990+

      ¥6.33
  • 有货
  • IGBT类型:场截止沟槽,集射极击穿电压Vces=650V,集电极电流Ic=60A
    • 1+

      ¥11.16
    • 10+

      ¥9.51
    • 30+

      ¥8.47
    • 90+

      ¥7.41
    • 510+

      ¥6.93
    • 990+

      ¥6.72
  • 有货
  • 使用专有沟槽设计和先进的FS(场截止)第二代技术,1200V沟槽FSII IGBT提供卓越的传导和开关性能,以及易于并联操作。
    数据手册
    • 1+

      ¥11.76
    • 10+

      ¥9.8
    • 30+

      ¥8.57
    • 90+

      ¥7.32
  • 有货
  • 650 V、40 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT
    数据手册
    • 1+

      ¥15.49
    • 10+

      ¥14.55
    • 30+

      ¥13.15
    • 100+

      ¥12.58
    • 500+

      ¥12.32
  • 有货
    • 1+

      ¥17.13
    • 10+

      ¥14.34
    • 30+

      ¥12.87
    • 90+

      ¥11.08
  • 有货
  • 采用专有沟槽设计和先进的FS(场截止)第二代技术,1200V沟槽FSII IGBT具有卓越的导通和开关性能,易于并联操作。
    • 1+

      ¥20.22
    • 10+

      ¥16.85
    • 30+

      ¥14.74
    • 90+

      ¥12.58
  • 有货
  • 特性:针对低传导损耗进行优化。方形反向偏置安全工作区(RBSOA)。国际标准封装。高功率密度。低栅极驱动要求。应用:功率逆变器。不间断电源(UPS)
    数据手册
    • 1+

      ¥24.63
    • 10+

      ¥22.99
    • 30+

      ¥21.98
    • 90+

      ¥21.15
  • 有货
  • Vce=600V,Ic=40A,Vce(sat)=2.1V
    数据手册
    • 1+

      ¥25.21
    • 10+

      ¥21.58
    • 30+

      ¥19.42
    • 90+

      ¥17.23
    • 510+

      ¥16.23
    • 1200+

      ¥15.77
  • 有货
  • 特性:针对5-30kHz开关进行优化。 方形反向偏置安全工作区(RBSOA)。 反并联超快二极管。 雪崩能力。 短路能力。 国际标准封装。应用:功率逆变器。 不间断电源(UPS)
    数据手册
    • 1+

      ¥45.63
    • 10+

      ¥39.46
    • 30+

      ¥35.73
    • 100+

      ¥32.58
  • 有货
  • 本款IGBT管/模块具备160A的集电极电流(Ic)和650V的集射极击穿电压(Vces),适用于较高功率场景。其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.37V,有助于降低导通损耗。内置二极管可支持160A的正向电流(IF),正向压降(Vf)为1.33V,性能稳定,适合多种高要求电路设计应用。
    • 1+

      ¥92.5395 ¥97.41
    • 10+

      ¥88.3405 ¥92.99
    • 30+

      ¥81.0635 ¥85.33
    • 90+

      ¥74.7175 ¥78.65
  • 有货
  • 特性:低VCE(sat)。 紧凑型封装。 PCB板安装模块。 转换器二极管桥。 动态制动电路。 符合RoHS标准。应用:电机驱动逆变器。 交流和直流伺服驱动放大器
    • 1+

      ¥366.69
    • 30+

      ¥349.9
  • 有货
  • IGBT模块
    数据手册
    • 1+

      ¥608.4
    • 30+

      ¥587.6
  • 有货
  • 特性:低Vce(sat)。 低电感。 模块结构。 焊接引脚端子。应用:电机驱动逆变器。 交流和直流伺服驱动器
    • 1+

      ¥960.83
    • 30+

      ¥912
  • 有货
  • 650 V、4 A沟槽栅场截止低损耗M系列IGBT
    数据手册
    • 1+

      ¥2.8158 ¥4.94
    • 10+

      ¥2.0962 ¥4.46
    • 30+

      ¥1.5503 ¥4.19
    • 100+

      ¥1.4393 ¥3.89
    • 500+

      ¥1.3912 ¥3.76
    • 1000+

      ¥1.369 ¥3.7
  • 有货
  • 特性:高耐用性,适用于电机控制。 VCE(sat)正温度系数。 非常软、快速恢复的反并联二极管。 低电磁干扰。 最高结温175℃。应用:电机控制逆变器
    • 1+

      ¥4.44 ¥5.55
    • 10+

      ¥3.576 ¥4.47
    • 30+

      ¥3.144 ¥3.93
    • 100+

      ¥2.712 ¥3.39
    • 500+

      ¥2.456 ¥3.07
    • 800+

      ¥2.32 ¥2.9
  • 有货
  • 采用NCE专有的沟槽设计和先进的第二代FS(场截止)技术,600V沟槽FSII IGBT具备卓越的导通和开关性能,且易于并联运行。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.57
    • 10+

      ¥3.61
    • 30+

      ¥3.13
    • 100+

      ¥2.66
  • 有货
  • IGBT类型:FS(场截止) 集射极击穿电压:600V 集电极电流:60A 耗散功率:187W
    • 1+

      ¥6.46
    • 10+

      ¥5.38
    • 30+

      ¥4.79
    • 90+

      ¥4.12
  • 有货
  • 特性:低VCE (on)非穿通IGBT技术。 低二极管VF。 10μs短路能力。 方形RBSOA。 超软二极管反向恢复特性。 正VCE (on)温度系数。 无铅
    • 1+

      ¥7.44
    • 10+

      ¥7.28
    • 30+

      ¥7.17
    • 100+

      ¥7.06
  • 有货
  • 采用TRENCHSTOPTM 5技术的高速5 FAST IGBT,与RAPID 1快速软恢复反并联二极管共封装。
    数据手册
    • 1+

      ¥10.311 ¥14.73
    • 10+

      ¥8.424 ¥14.04
    • 50+

      ¥6.815 ¥13.63
    • 100+

      ¥6.605 ¥13.21
    • 500+

      ¥6.51 ¥13.02
    • 1000+

      ¥6.465 ¥12.93
  • 有货
  • IGBT类型:场截止沟槽,集射极击穿电压Vces=650V,集电极电流Ic=75A
    • 1+

      ¥11.59
    • 10+

      ¥9.78
    • 30+

      ¥8.47
    • 90+

      ¥7.31
    • 510+

      ¥6.79
    • 990+

      ¥6.56
  • 有货
  • 600 V、30 A超高速沟槽栅场截止V系列IGBT
    数据手册
    • 1+

      ¥12.7624 ¥14.84
    • 10+

      ¥10.7084 ¥14.09
    • 30+

      ¥9.0024 ¥13.64
    • 100+

      ¥8.7054 ¥13.19
    • 500+

      ¥8.5668 ¥12.98
    • 1000+

      ¥8.5074 ¥12.89
  • 有货
  • 工规级 IGBT单管 N沟道,TO247,广泛应用于各类高频电源行业。
    数据手册
    • 1+

      ¥16.6155 ¥17.49
    • 10+

      ¥13.9935 ¥14.73
    • 30+

      ¥11.8655 ¥12.49
    • 90+

      ¥10.1745 ¥10.71
    • 510+

      ¥9.4145 ¥9.91
    • 1200+

      ¥9.0915 ¥9.57
  • 有货
  • 1200 V、40 A高速沟槽栅场截止H系列IGBT
    数据手册
    • 1+

      ¥17.09
    • 10+

      ¥14.35
    • 30+

      ¥12.64
    • 90+

      ¥10.89
  • 有货
  • 特性:低集电极-发射极饱和电压。 短路耐受时间10μs。 符合AEC-Q101标准。 无铅镀铅;符合RoHS标准。应用:汽车加热器
    • 1+

      ¥23.15
    • 10+

      ¥19.81
    • 30+

      ¥17.83
    • 100+

      ¥15.82
  • 有货
  • 特性:高速F5技术,在硬开关和谐振拓扑中提供一流的效率。 650V击穿电压。 低栅极电荷QG。 与升压转换器中的碳化硅肖特基二极管完美匹配。 最高结温175℃。 符合JEDEC标准,适用于目标应用。应用:太阳能转换器。 不间断电源
    数据手册
    • 1+

      ¥24.12
    • 10+

      ¥22.81
    • 30+

      ¥22.03
    • 90+

      ¥19.55 ¥21.25
    • 510+

      ¥19.2096 ¥20.88
    • 990+

      ¥19.0624 ¥20.72
  • 有货
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