igbt模块_厂家_价格_品牌_库存

型号：FF100R12RT4 编号：C540913

封装：螺栓安装

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：扩展工作温度 TVJop。低开关损耗。低 VCEsat。TVJop = 150°C。VCEsat 具有正温度系数。应用：高功率转换器。电机驱动

数据手册

1+
￥325.49
10+
￥317.4

有货

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型号：IXYH30N450HV 编号：C3193873

封装：TO-247

品牌：Littelfuse/IXYS

1+
￥336.29
30+
￥318.6

有货

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型号：FF300R17KE4 编号：C541044

封装：-

品牌：Infineon(英飞凌)

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单价：
￥471.5 / 个

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型号：MLG25N135RK 编号：C41433067

封装：TO-247

品牌：minos(迈诺斯)

IGBT类型：场截止沟槽，集射极击穿电压Vces=1350V，集电极电流Ic=25A

1+
￥4.64
10+
￥4.16
30+
￥3.91
90+
￥3.61
510+
￥3.48
990+
￥3.42

有货

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型号：MLG30T65FUL 编号：C47967305

封装：TO-247

品牌：minos(迈诺斯)

MLG30T65FUL IGBT类型：场截止沟槽，集射极击穿电压Vces=650V，集电极电流Ic=30A

1+
￥7.54
10+
￥6.28
30+
￥5.58
90+
￥4.8
510+
￥4.45
990+
￥4.3

有货

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型号：SGT40N60NPFDPN 编号：C254541

封装：TO-3P-3

品牌：SILAN(士兰微)

数据手册

1+
￥8.1
10+
￥6.75
30+
￥6.12
90+
￥5.28
510+
￥4.9

有货

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型号：KGF40N65KDCA-U/P 编号：C49491114

封装：TO-247

品牌：KEC

提供低开关损耗、高能效和短路耐用性，适用于电机控制、不间断电源（UPS）、通用逆变器等应用。

1+
￥8.56
10+
￥7.02
30+
￥6.17
90+
￥5.2
510+
￥4.78
990+
￥4.58

有货

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型号：CRG40T65AK5SD 编号：C38634182

封装：TO-247

品牌：CRMICRO(华润微)

CRG40T65AK5SD采用先进的微沟槽FS IGBT技术，具有良好的导通和开关特性，易并联使用的特点。符合RoHS指令要求。

1+
￥9.24
10+
￥7.62
25+
￥6.73
100+
￥5.72
500+
￥5.28

有货

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型号：NCE40TD65BT 编号：C5122484

封装：TO-247

品牌：NCE(无锡新洁能)

采用新洁能（NCE）专有的沟槽设计和先进的第二代场截止（FS）技术，650V沟槽场截止II代（Trench FS II）绝缘栅双极晶体管（IGBT）具备卓越的导通和开关性能，且易于并联运行。

数据手册

1+
￥10.1935 ￥10.73
10+
￥8.284 ￥8.72
30+
￥7.239 ￥7.62
90+
￥6.061 ￥6.38
510+
￥5.529 ￥5.82
1200+
￥5.2915 ￥5.57

有货

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型号：MBQ50T65FESCTH 编号：C41348474

封装：TO-247

品牌：MagnaChip(美格纳)

1+
￥10.56
10+
￥8.87
30+
￥7.82
100+
￥6.73

有货

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型号：MLG60N60FUK 编号：C33129601

封装：TO-247

品牌：minos(迈诺斯)

IGBT类型：场截止沟槽，集射极击穿电压Vces=600V，集电极电流Ic=120A

1+
￥12.24
10+
￥10.43
30+
￥8.82
90+
￥7.66
510+
￥7.14
990+
￥6.91

有货

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型号：HGTP5N120BND 编号：C898683

封装：TO-220AB

品牌：onsemi(安森美)

HGTG5N120BND和HGTP5N120BND采用非穿通（NPT）绝缘栅双极型晶体管（IGBT）设计。它们是MOS栅控高压开关IGBT系列的新成员

数据手册

1+
￥12.38
10+
￥11.46
50+
￥8.76
100+
￥8.17
500+
￥7.9
800+
￥7.78

有货

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型号：MBQ75T65PEHTH 编号：C20611992

封装：TO-247

品牌：MagnaChip(美格纳)

1+
￥16.93
10+
￥14.37
30+
￥12.77
90+
￥11.13
450+
￥10.39
900+
￥10.07

有货

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型号：NGTB25N120FL3WG 编号：C94822

封装：TO-247

品牌：onsemi(安森美)

此绝缘门极双极晶体管 (IGBT) 采用坚固耐用、经济高效的超场截止沟槽结构，为要求苛刻的开关应用提供出色性能，提供低导通状态电压，并最大限度降低开关损耗。此款 IGBT 非常适合 UPS 和太阳能应用。该器件结合了一个软性和快速的组合封装续流二极管，带有低正向电压。

数据手册

1+
￥19.83
10+
￥16.99
30+
￥15.22
100+
￥13.41
500+
￥12.58
1000+
￥12.23

有货

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型号：DGW75N65CTS2A 编号：C20600438

封装：TO-247

品牌：YANGJIE(扬杰)

特性：高速平滑开关器件，适用于硬开关和软开关。最高结温175℃。正温度系数。高耐用性，温度稳定。应用：谐振转换器。不间断电源

1+
￥21.94
10+
￥19.05
36+
￥17.33
108+
￥15.59
360+
￥14.79

有货

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型号：DGW40N120CTLQ 编号：C20600427

封装：TO-247

品牌：YANGJIE(扬杰)

特性：低集电极-发射极饱和电压。最高结温 175℃。通过 AEC-Q101 认证。包含快速软恢复反并联 FWD。高短路能力（10μs）。符合 RoHS 标准。应用：汽车和工业通用逆变器。交流和直流伺服驱动放大器

1+
￥26.93
10+
￥25.71
30+
￥24.97
90+
￥24.34

有货

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型号：IXYT25N250CHV 编号：C17218292

封装：TO-268

品牌：Littelfuse/IXYS

特性：高压封装。高阻断电压。高峰值电流能力。低饱和电压。低栅极驱动要求。高功率密度。应用：开关模式和谐振模式电源。不间断电源 (UPS)

1+
￥196
30+
￥185.5

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型号：DF80R12W2H3FB11 编号：C17271226

封装：插件,62.8x56.7mm

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：CoolSiC Schottky二极管第5代。高速IGBT H3。低开关损耗。 3 kV AC 1min绝缘。 Al₂O₃基板，低热阻。集成NTC温度传感器。应用：太阳能应用

1+
￥285
30+
￥275

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型号：IXGF30N400 编号：C3093671

封装：ISOPLUS-I4-5.0mm

品牌：Littelfuse/IXYS

特性：硅芯片采用直接铜键合（DCB）基板。隔离安装表面。4000V电气隔离。高脉冲电流能力。低饱和电压。模塑环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级。应用：电容器放电。脉冲电路

1+
￥487.91
25+
￥462.24

有货

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型号：FF300R07KE4 编号：C17561819

封装：-

品牌：Infineon(英飞凌)

1+
￥512.05
30+
￥488.67

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型号：IXEL40N400 编号：C3191189

封装：ISOPLUSi5-Pak

品牌：Littelfuse/IXYS

特性：硅芯片采用直接铜键合（DCB）基板。隔离安装表面。 4000V~ 电气隔离。 UL认证封装。高脉冲电流能力。低饱和电压。应用：电容放电。脉冲电路

1+
￥722.24
30+
￥683.39

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型号：NCE07TD60BD 编号：C502938

封装：TO-263

品牌：NCE(无锡新洁能)

采用NCE专有的沟槽设计和先进的第二代FS（场截止）技术，600V沟槽FSII IGBT具备卓越的导通和开关性能，且易于并联运行。

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1+
￥3.7521 ￥3.79
10+
￥2.7679 ￥3.11
30+
￥2.1883 ￥2.77
100+
￥1.9276 ￥2.44
500+
￥1.7617 ￥2.23
800+
￥1.6827 ￥2.13

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型号：SL15T65FK 编号：C7543333

封装：TO-263

品牌：Slkor(萨科微)

特性：高耐用性，适用于电机控制。 VCE(sat)正温度系数。非常软、快速恢复的反并联二极管。低电磁干扰。最高结温175℃。应用：电机控制逆变器

1+
￥4.44 ￥5.55
10+
￥3.576 ￥4.47
30+
￥3.144 ￥3.93
100+
￥2.712 ￥3.39
500+
￥2.456 ￥3.07
800+
￥2.32 ￥2.9

有货

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型号：SL20T65K1 编号：C6800598

封装：TO-263

品牌：Slkor(萨科微)

特性：低栅极电荷。沟槽场截止技术，饱和电压：Vce(sat)，典型值 = 1.6V（Ic = 20A，Tc = 25℃）。符合RoHS标准的产品。应用：通用逆变器。 UPS

1+
￥5.328 ￥6.66
10+
￥4.408 ￥5.51
30+
￥3.896 ￥4.87
100+
￥3.328 ￥4.16
500+
￥3.072 ￥3.84
800+
￥2.96 ￥3.7

有货

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型号：NCE20TD60B 编号：C502933

封装：TO-220

品牌：NCE(无锡新洁能)

采用专有沟槽设计和先进的 FS（场截止）第二代技术，600V 沟槽 FSII IGBT 具有卓越的导通和开关性能，且易于并联操作。

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1+
￥6.2415 ￥6.57
10+
￥4.9305 ￥5.19
50+
￥4.275 ￥4.5
100+
￥3.6195 ￥3.81
500+
￥3.2395 ￥3.41
1000+
￥3.0305 ￥3.19

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型号：IKB06N60T 编号：C536142

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：极低的集电极-发射极饱和电压VCE(sat)：1.5V（典型值）。最高结温：175℃。短路耐受时间：5μs。 TRENCHSTOP™和场截止技术，适用于600V应用，提供：非常紧密的参数分布。高耐用性，温度稳定性能。非常高的开关速度。低电磁干扰（EMI）。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。无铅引脚镀层；符合RoHS标准

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