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MLG25N120RK采用先进的非穿通（NPT）技术，并集成了续流功能。这款1350V的绝缘栅双极晶体管（IGBT）具备卓越的导通和开关性能。

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型号：CRG40T60AN3H 编号：C2895727

封装：TO-3PN

电焊机 UPS 电源用半电流续流二极管 TO-3P 替代士兰 SGT40N60F\BT40T60ANFK\美格纳Megnachip兼容；完全兼容BT40T60ANFK C2764974、BT40T60ANF C2833250

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型号：CRG50T60AK3SD 编号：C22363475

封装：TO-247

CRG50T60AK3SD采用先进的沟槽FSIGBT技术，具有良好的导通和开关特性，易并联使用的特点。符合RoHS指令要求。

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￥6.83

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型号：KGF60N65KDFA-U/H 编号：C51434888

封装：TO-247

品牌：KEC

提供低开关损耗、高能效和短路耐用性，适用于功率因数校正（PFC）、逆变式微波炉、感应加热（IH）、不间断电源（UPS）和通用逆变器等应用。

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型号：NGTB40N120FL3WG-HX-TO247 编号：C52034470

封装：TO-247

品牌：ZHHXDZ(海芯电子)

NGTB40N120FL3WG-HX-TO247采用沟槽和场截止技术的IGBT，配备软恢复快速反向并联二极管

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型号：CRG75T60AK3HD 编号：C2924646

封装：TO-247-3

CRG75T60AK3HD采用先进的沟槽FSIGBT技术，具有良好的导通和开关特性，易并联使用的特点。符合RoHS指令要求。

数据手册

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型号：STGWA80H65DFB 编号：C5268579

封装：TO-247

650 V、80 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT

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￥19.76
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￥13.08

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型号：IKW75N60T 编号：C44294

封装：TO-247-3

Vce=600V，Ic=80A，Vce(sat)=1.5V

数据手册

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￥24.83
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型号：RGS80TSX2DHRC11 编号：C507505

封装：TO-247-3

品牌：ROHM(罗姆)

特性：低集电极-发射极饱和电压。短路耐受时间10μs。通过AEC-Q101认证。内置超快速软恢复FRD。无铅镀铅；符合RoHS标准。应用：汽车和工业用通用逆变器

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型号：FP25R12W2T4 编号：C534015

封装：插件,62.8x56.7mm

IGBT模块

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￥196.13
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￥188.93

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型号：FF450R12ME4 编号：C541072

封装：-

数据手册

单价：
￥556.8 / 个

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型号：FS200R12KT4R 编号：C535453

封装：-

IGBT模块

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￥696.86
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￥666.28

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型号：H06T65 编号：C49435649

封装：TO-263

品牌：Huixin(慧芯)

集电极-发射极电压：650V，集电极电流：12A，耗散功率：96.2W，广泛应用于光伏逆变器、储能、UPS、电焊机等。

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型号：MLG15T65FUL 编号：C49108791

封装：TO-220F

集射极击穿电压:650V 集电极电流:15A 耗散功率:41W

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型号：MLG30T65FDL 编号：C47967304

封装：TO-247

IGBT类型：场截止沟槽，集射极击穿电压Vces=650V，集电极电流Ic=30A

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型号：STGB15M65DF2 编号：C472578

封装：D2PAK

沟槽栅场截止IGBT，M系列，650 V、15 A，低损耗

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型号：MLG50T65FUK 编号：C5352767

封装：TO-247

MLG50T65FUK采用先进的沟槽场截止（T-FS）技术制造，具有低VCE(sat)、优化的开关性能和低栅极电荷Qg等特点。该IGBT适用于焊接、UPS以及高开关频率应用。

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型号：STGWA40H65DFB 编号：C472629

封装：TO-247

650 V、40 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT

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￥11.05
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型号：IKP08N65H5 编号：C536189

封装：TO-220-3

特性：高速H5技术，在硬开关和谐振拓扑中提供一流的效率。可即插即用替换上一代IGBT。 650V击穿电压。低QG。 IGBT与RAPID 1快速软反并联二极管共封装。最高结温175℃。应用：太阳能转换器。不间断电源

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型号：STGF3NC120HD 编号：C10076

封装：TO-220FP

这款 PowerMESH™ IGBT 采用基于专利条形布局的最新高压技术设计。全新的寿命控制技术可实现良好的开关性能和低电压降

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型号：NCE60TD60BT 编号：C502946

封装：TO-247

品牌：NCE(无锡新洁能)

采用专有沟槽设计和先进的FS（场截止）第二代技术，600V沟槽FSII IGBT提供卓越的导通和开关性能，以及易于并联操作。

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型号：NCE80TD65BT 编号：C502948

封装：TO-247

品牌：NCE(无锡新洁能)

使用专有沟槽设计和先进的 FS（场截止）第二代技术，650V 沟槽 FS II IGBT 具有出色的导通和开关性能，并且易于并联操作。

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型号：STGB40H65FB 编号：C2965367

封装：D2PAK

650 V、40 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT

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型号：STGWA60H65DFB 编号：C472600

封装：TO-247

650 V、60 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT

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型号：MBQ40T120QESTH 编号：C41348477

封装：TO-247

品牌：MagnaChip(美格纳)

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型号：FGL40N120ANDTU-HX 编号：C52034469

封装：TO-264

品牌：ZHHXDZ(海芯电子)

FGL40N120ANDTU-HX的AND系列绝缘栅双极型晶体管（IGBT）采用了非穿通（NPT）技术，具有低导通和开关损耗，因此非常适合用于感应加热（IH）、电机控制、通用逆变器和不间断电源（UPS）等应用。

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型号：NCE50TD120VT 编号：C7429722

封装：TO-247

品牌：NCE(无锡新洁能)

采用专有沟槽设计和先进的FS（场截止）第二代技术，1200V沟槽FSII IGBT具有卓越的导通和开关性能，易于并联操作。

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型号：CRG50T120AX3HD 编号：C49327919

封装：TO-247Plus

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￥14.5
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型号：IHW40N135R5 编号：C536128

封装：TO-247-3