igbt模块_厂家_价格_品牌_库存

适用于1200V应用的第二代TrenchStop，具有非常紧密的参数分布和高耐用性、温度稳定特性。由于VCE(sat)具有正温度系数，易于并联。具有低电磁干扰和低栅极电荷。采用软、快速恢复的反并联发射极控制二极管。

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￥29.51
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￥25.69
30+
￥21.52

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型号：FZ600R17KE4 编号：C17371414

封装：螺栓安装

特性：电气特性:扩展工作温度T(v_ijop)。低V(CEsat)。高鲁棒性。 V(CEsat)具有正温度系数。机械特性:4 kV AC 1min绝缘。 CTI > 400的封装。应用：高功率转换器。电机驱动器

1+
￥597.98
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￥566.8

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型号：MLG40N60FUK 编号：C33129599

封装：TO-247

IGBT类型：场截止沟槽，集射极击穿电压Vces=600V，集电极电流Ic=80A

1+
￥9.12
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￥7.5
30+
￥6.61
90+
￥5.6
510+
￥5.16
990+
￥4.95

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型号：FGL40N120ANDTU-HX 编号：C52034469

封装：TO-264

品牌：ZHHXDZ(海芯电子)

FGL40N120ANDTU-HX的AND系列绝缘栅双极型晶体管（IGBT）采用了非穿通（NPT）技术，具有低导通和开关损耗，因此非常适合用于感应加热（IH）、电机控制、通用逆变器和不间断电源（UPS）等应用。

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￥18.873 ￥20.97
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￥16.218 ￥18.02
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￥14.643 ￥16.27
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￥13.05 ￥14.5
500+
￥12.312 ￥13.68
1000+
￥11.979 ￥13.31

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型号：MBQ40T120QESTH 编号：C41348477

封装：TO-247

1+
￥19.41
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￥16.52
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￥14.71
90+
￥12.86

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型号：IRGP4066DPBF 编号：C500537

封装：TO-247AC

特性：低Vce(ON)沟槽IGBT技术。低开关损耗。最高结温175℃。 5μs短路安全工作区。方形反向偏置安全工作区。 100%的器件进行ILM测试。正Vce(ON)温度系数。紧密的参数分布。无铅封装

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￥66.26
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￥58.65
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￥48.61
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￥44.73

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型号：FF75R12RT4 编号：C541132

封装：螺栓安装

特性：扩展工作温度 TVJop。低开关损耗。低 VCEsat。 TVJop = 150℃。 VCEsat 具有正温度系数。应用：高功率转换器。电机驱动器

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￥141.45
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￥138

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型号：FP25R12W2T4 编号：C534015

封装：插件,62.8x56.7mm

IGBT模块

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￥203.33
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￥196.13

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型号：MLG25N135RK 编号：C41433067

封装：TO-247

IGBT类型：场截止沟槽，集射极击穿电压Vces=1350V，集电极电流Ic=25A

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￥4.92
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￥4.44
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￥4.19
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￥3.89
510+
￥3.76
990+
￥3.7

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型号：MBQ50T65FESCTH 编号：C41348474

封装：TO-247

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￥10.8
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￥9.11
30+
￥8.06
100+
￥6.98

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型号：STGP3NC120HD 编号：C2971623

封装：TO-220

品牌：ST(意法半导体)

这款高压、超快速绝缘栅双极晶体管（IGBT）在低传导损耗和快速开关性能之间实现了出色的平衡。它采用 PowerMESH™ 技术设计，并结合了高压超快二极管。

数据手册

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￥10.93
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￥9.26
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￥7.88
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￥6.81
500+
￥6.33

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型号：IKW50N65EH5 编号：C536218

封装：TO-247-3

特性：高速H5技术，在硬开关和谐振拓扑中提供一流的效率。可即插即用替换上一代IGBT。击穿电压650V。低栅极电荷QG。IGBT与全额定RAPID 1快速软反并联二极管共封装。最高结温175℃。应用：不间断电源。太阳能转换器

数据手册

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￥12.15
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￥10.37
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￥9.26
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￥8.12
510+
￥7.61
990+
￥7.38

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型号：IKW30N65ET7XKSA1 编号：C3191680

封装：TO-247-3

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￥13.95
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￥13.19
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￥12.74
90+
￥12.28
510+
￥12.07
990+
￥11.98

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型号：MBQ75T65PEHTH 编号：C20611992

封装：TO-247

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￥16.93
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￥14.37
30+
￥12.76
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￥11.12
450+
￥10.38
900+
￥10.06

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型号：MBQ40T120FESTH 编号：C20611991

封装：TO-247

此IGBT采用先进的场截止沟槽IGBT技术，具有低VCE(SAT)、高开关性能和出色的质量。该器件适用于PFC、UPS和逆变器应用。

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￥18.9
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￥16.05
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￥14.26
90+
￥12.43
450+
￥11.6

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型号：NGTB25N120FL3WG 编号：C94822

封装：TO-247

品牌：onsemi(安森美)

此绝缘门极双极晶体管 (IGBT) 采用坚固耐用、经济高效的超场截止沟槽结构，为要求苛刻的开关应用提供出色性能，提供低导通状态电压，并最大限度降低开关损耗。此款 IGBT 非常适合 UPS 和太阳能应用。该器件结合了一个软性和快速的组合封装续流二极管，带有低正向电压。

数据手册

1+
￥19.07
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￥16.24
30+
￥14.47
100+
￥12.65
500+
￥11.83
1000+
￥11.48

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型号：IKW40N120H3 编号：C94637

封装：TO-247-3

40A1200V 英飞凌IGBT，广泛应用于电磁炉，电机，电焊机行业。

数据手册

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￥19.08
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￥16.55
30+
￥13.17
90+
￥11.55
480+
￥10.82
960+
￥10.51

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型号：DGW40N120CTLQ 编号：C20600427

封装：TO-247

品牌：YANGJIE(扬杰)

特性：低集电极-发射极饱和电压。最高结温 175℃。通过 AEC-Q101 认证。包含快速软恢复反并联 FWD。高短路能力（10μs）。符合 RoHS 标准。应用：汽车和工业通用逆变器。交流和直流伺服驱动放大器

1+
￥29.05
10+
￥27.83
30+
￥27.08
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￥26.46

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型号：FGY100T120SWD 编号：C22379659

封装：TO-247-3LD

品牌：onsemi(安森美)

使用新型场截止第7代IGBT技术和Gen7二极管，采用TO247 3引脚封装，为太阳能、UPS和ESS等各种应用中的高效运行提供低开关和传导损耗的最佳性能。

1+
￥45.69
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￥43.46
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￥42.1
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￥40.96

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型号：IXYX120N120C3-HXY 编号：C49003477

封装：TO-247P

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具备140A的集电极电流(Ic)和1200V的集射极击穿电压(Vces)，可稳定工作于较高功率应用场景。其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.55V，有助于降低导通损耗。内部续流二极管支持140A正向电流(IF)，正向压降(Vf)为2.01V，表现出良好的反向恢复特性。该模块适用于需要高效能开关与耐高压能力的电力电子系统，如电源变换器、储能设备及智能电网相关装置中。

1+
￥156.8355 ￥165.09
30+
￥149.435 ￥157.3

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型号：IXYX50N170C 编号：C3191897

封装：TO-247-3

品牌：Littelfuse/IXYS

1+
￥198.65
30+
￥189.95

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型号：FZ600R12KS4 编号：C535645

封装：-

IGBT模块

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1+
￥833.98
30+
￥798

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型号：FF600R17ME4 编号：C541121

封装：-

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单价：
￥1050.7 / 个

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型号：JNG10T65DJS1 编号：C51484239

封装：TO-252-2L

品牌：JIAENSEMI(佳恩半导体)

特性：650V，10A（Tc = 100℃）。 VCE(sat)(typ.) = 1.8V（VGE = 15V，Ic = 10A）。高速开关。电机控制的高系统效率。软电流关断波形。应用：电机驱动。家用电器

1+
￥2.91
10+
￥2.31
30+
￥2.05
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￥1.73
500+
￥1.58
1000+
￥1.5

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型号：MLG25N120RK 编号：C6719395

封装：TO-247

MLG25N120RK采用先进的非穿通（NPT）技术，并集成了续流功能。这款1350V的绝缘栅双极晶体管（IGBT）具备卓越的导通和开关性能。

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￥6.36
10+
￥5.21
30+
￥4.57
90+
￥3.86
510+
￥3.54
990+
￥3.4

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型号：STGB10NC60KDT4 编号：C2802052

封装：D2PAK

品牌：ST(意法半导体)

这些器件是采用先进的PowerMESH™技术开发的高速IGBT。该工艺确保了开关性能和低导通状态特性之间的出色平衡

数据手册

1+
￥7.09
10+
￥5.86
30+
￥5.24
100+
￥4.63
500+
￥4.26

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型号：MLG30T65FUL 编号：C47967305

封装：TO-247

MLG30T65FUL IGBT类型：场截止沟槽，集射极击穿电压Vces=650V，集电极电流Ic=30A

1+
￥7.54
10+
￥6.28
30+
￥5.58
90+
￥4.8
510+
￥4.45
990+
￥4.3

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型号：MLG30T65FDL 编号：C47967304

封装：TO-247

IGBT类型：场截止沟槽，集射极击穿电压Vces=650V，集电极电流Ic=30A

1+
￥7.54
10+
￥6.28
30+
￥5.58
90+
￥4.8
510+
￥4.45
990+
￥4.3

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型号：STGB20M65DF2 编号：C472552

封装：D2PAK

品牌：ST(意法半导体)

沟槽栅场截止IGBT，M系列，650 V、20 A，低损耗

数据手册

1+
￥7.62
10+
￥6.36
30+
￥5.67
100+
￥4.88
500+
￥4.54

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型号：IKB06N60T 编号：C536142

封装：TO-263-3