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这款 IGBT 采用了先进的 PowerMESH™ 工艺，可在开关性能和低导通状态特性之间实现出色的平衡。

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￥6.75
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￥5.57
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￥4.92
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￥3.96
500+
￥3.64

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型号：FGP20N60UFDTU 编号：C463254

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

采用新型场截止绝缘栅双极型晶体管（IGBT）技术，仙童半导体的场截止IGBT为太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、焊机和功率因数校正（PFC）应用提供了最佳性能，这些应用对低导通损耗和开关损耗有严格要求。

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￥12.4
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￥9.44
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￥8.8
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￥8.51
1000+
￥8.39

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型号：IHW20N135R5F 编号：C7467022

封装：TO-247-3

品牌：FUXINSEMI(富芯森美)

特性：提供高达1350V的高击穿电压，提高可靠性。强大的单片体二极管，正向电压低，专为软换流设计。参数分布非常紧密。高耐用性，温度稳定性好。低VCEsat。由于VCEsat的正温度系数，易于并联开关。应用：感应烹饪。逆变微波炉

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￥13.73
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￥10.25
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￥8.23
990+
￥7.95

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型号：CRG50T65AK5HD 编号：C37967603

封装：TO-247

品牌：CRMICRO(华润微)

CRG50T65AK5HD采用先进的微沟槽FSIGBT技术，具有良好的导通和开关特性，易并联使用的特点。符合RoHS指令要求。

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￥13.8
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￥9.15
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￥8.31

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型号：CRG40T120AK3S 编号：C2802633

封装：TO-247

品牌：CRMICRO(华润微)

具有良好的导通和开关特性，易并联使用的特点。符合RoHS指令要求。

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￥14.12
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￥12.22
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￥10.12
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型号：STGP30M65DF2 编号：C472637

封装：TO-220

沟槽栅场截止IGBT，M系列，650 V、30 A，低损耗

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￥19.26
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￥11.31

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型号：FGY160T65SPD-F085 编号：C462113

封装：TO-247-3

品牌：onsemi(安森美)

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￥46.52
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￥40.52
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￥36.87
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￥33.8

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型号：FF150R12RT4 编号：C540936

封装：螺栓安装

特性：扩展工作温度 TVJop。低开关损耗。低 VCEsat。 TVJop = 150℃。 VCEsat 具有正温度系数。绝缘底板。应用：高频开关应用。电机驱动

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单价：
￥348 / 个

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型号：IXBF55N300 编号：C3191182

封装：ISOPLUSi4-Pak

特性：硅芯片采用直接铜键合（DCB）基板。隔离安装表面。 4000V~电气隔离。高阻断电压。高峰值电流能力。低饱和电压。应用：开关模式和谐振模式电源。不间断电源（UPS）

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￥668.78
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￥646.3

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型号：STGB10NC60KDT4 编号：C2802052

封装：D2PAK

这些器件是采用先进的PowerMESH™技术开发的高速IGBT。该工艺确保了开关性能和低导通状态特性之间的出色平衡

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￥6.75
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￥5.04
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￥4.13
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￥3.96

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型号：NCE30TD60B 编号：C502941

封装：TO-220

采用新洁能（NCE）专有的沟槽设计和先进的第二代场截止（FS）技术，600V沟槽FSIII绝缘栅双极晶体管（IGBT）具备卓越的导通和开关性能，且易于并联运行。

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￥7.03 ￥7.4
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￥5.719 ￥6.02
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￥4.997 ￥5.26
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￥4.18 ￥4.4
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￥3.819 ￥4.02
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￥3.648 ￥3.84

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型号：FGH40N60SMD 编号：C49108793

封装：TO-247

品牌：minos(迈诺斯)

IGBT类型:FS(场截止) 集射极击穿电压:600V 集电极电流:80A 耗散功率:298W 描述:IGBT类型：场截止沟槽，具有低导通和开关损耗等特性，主要应用于太阳能逆变器、UPS、焊机等领域

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￥9.69
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￥8.07
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￥7.18
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￥6.17
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￥5.73
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￥5.52

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型号：NCE25TD120BT 编号：C2686745

封装：TO-247

使用专有沟槽设计和先进的FS（场截止）第二代技术，1200V沟槽FSII IGBT提供卓越的传导和开关性能，以及易于并联操作。

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￥11.76
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￥9.8
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￥8.57
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￥7.32
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￥6.75

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型号：SGT75T65SDM1P7 编号：C17179535

封装：TO-247-3L

品牌：SILAN(士兰微)

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￥17.94
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￥15.15
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￥13.68
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￥11.89
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￥11.08

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型号：CRGMF100T120FSA3 编号：C3018875

封装：螺栓安装

品牌：CRMICRO(华润微)

电焊机 UPB电源电机驱动变频器用 34mm 替代英飞凌infineon FF75R12RT4 士兰 ST Magnachip 75N120 75A 1200V IGBT Modules

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￥122.4
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￥99.08
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￥91.24
108+
￥84.41

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型号：FF300R12KT4 编号：C541034

封装：螺栓安装

62mm C-系列模块,采用快速沟槽/场截止IGBT4和优化的发射极控制二极管

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1+
￥394.53
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￥384.16

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型号：IXBX50N360HV 编号：C3193926

封装：TO-247P

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￥557.59
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￥533.6

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型号：NCE15TD60BD 编号：C502952

封装：TO-263

采用NCE专有的沟槽设计和先进的第二代FS（场截止）技术，600V沟槽FSII IGBT具备卓越的导通和开关性能，且易于并联运行。

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￥4.8
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￥3.79
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￥3.29
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￥2.79
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￥2.49
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￥2.33

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型号：H15T60 编号：C51883383

封装：TO-220F

品牌：Huixin(慧芯)

集电极-发射极电压：600V，集电极电流：30A，耗散功率：40W，广泛应用于光伏逆变器、储能、UPS、电焊机等。

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￥6.6352 ￥7.54
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￥5.5264 ￥6.28
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￥4.224 ￥4.8
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￥3.784 ￥4.3

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型号：STGB19NC60HDT4 编号：C222140

封装：TO-263-2

这些器件是超快绝缘栅双极型晶体管（IGBT）。它们采用了先进的Power MESH™工艺，从而在开关性能和低导通状态特性之间实现了出色的平衡。

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￥10.4228 ￥14.68
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￥8.2533 ￥13.53
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￥6.5331 ￥12.81
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￥5.9874 ￥11.74
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￥5.9109 ￥11.59

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型号：IKW30N65ET7XKSA1 编号：C3191680

封装：TO-247-3

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￥13.67
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￥12.93
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￥12.48
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￥12.04
510+
￥11.83
990+
￥11.74

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型号：KGF75N65KDF-U/H 编号：C5300000

封装：TO-247

品牌：KEC

场截止沟槽 IGBT 提供低开关损耗、高能效和短路耐用性。它专为功率因数校正 (PFC)、逆变微波炉、焊机、不间断电源 (UPS) 和通用转换器等应用而设计。

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￥13.85
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￥11.81
30+
￥10.14
90+
￥8.83
450+
￥8.24
900+
￥7.99

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型号：FGY75T120SQDN 编号：C898206

封装：TO-247-3

品牌：onsemi(安森美)

此绝缘门双极晶体管 (IGBT) 采用耐用和成本高效的超场截止沟槽结构，在要求较高的开关应用中提供卓越的性能，还能提供低导通状态电压和最低的开关损耗。该 IGBT 非常适用于 UPS 和太阳能应用。该器件结合了一个软性和快速的共封装续流二极管，带有较低正向电压。

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1+
￥47.68
10+
￥40.76
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￥36.54
100+
￥33

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型号：IXBH10N300HV 编号：C17695771

封装：TO-247HV

特性：高阻断电压。反并联二极管。低传导损耗。低栅极驱动要求。高功率密度。应用：开关模式和谐振模式电源。不间断电源 (UPS)

1+
￥84.63
10+
￥80.89
30+
￥74.41
90+
￥68.75

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型号：IXBH42N250 编号：C17316820

封装：TO-247AD

特性：高阻断电压。国际标准封装。反并联二极管。低传导损耗。低栅极驱动要求。高功率密度。应用：开关模式和谐振模式电源。不间断电源 (UPS)

1+
￥216.6
30+
￥205.2

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型号：FS3L25R12W2H3B11 编号：C17252031

封装：插件,62.8x56.7mm

特性：高速IGBT H3。低电感设计。低开关损耗。应用：3-Level-应用。太阳能应用

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￥275
30+
￥265

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型号：IXGK75N250 编号：C17192724

封装：TO-264

特性：非常高的峰值电流能力。低饱和电压。 MOS栅极导通。坚固的NPT结构。模塑环氧树脂符合UL 94V-0阻燃等级。易于安装。应用：电容放电。脉冲电路

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￥461.69
25+
￥437.4

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型号：FP200R12N3T7 编号：C42547889

封装：插件,122x62.5mm

特性：电气特性。 VCES = 1200 V。 ICnom = 200 A / ICRM = 400 A。沟槽栅 IGBT7。过载操作达 175℃。低 VCESat。应用：辅助逆变器。电机传动

1+
￥683.31
30+
￥648.59

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型号：NCE15TD60BF 编号：C502930

封装：TO-220F