igbt模块_厂家_价格_品牌_库存

型号：RGS80TSX2DHRC11 编号：C507505

封装：TO-247-3

品牌：ROHM(罗姆)

特性：低集电极-发射极饱和电压。短路耐受时间10μs。通过AEC-Q101认证。内置超快速软恢复FRD。无铅镀铅；符合RoHS标准。应用：汽车和工业用通用逆变器

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1+
￥28.71
10+
￥25.28
30+
￥21.15
100+
￥19.09

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型号：SGL160N60UFDTU 编号：C11757

封装：TO-264-3

品牌：onsemi(安森美)

绝缘栅双极晶体管（IGBT）提供低传导和开关损耗。专为需要高速开关的应用而设计，如电机控制和通用逆变器。

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1+
￥59.8
10+
￥58.47
25+
￥53.12
100+
￥48.64

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型号：FF300R12KT4 编号：C541034

封装：螺栓安装

品牌：Infineon(英飞凌)

62mm C-系列模块,采用快速沟槽/场截止IGBT4和优化的发射极控制二极管

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1+
￥341.76
10+
￥333.82

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型号：IXGK75N250 编号：C17192724

封装：TO-264

品牌：Littelfuse/IXYS

特性：非常高的峰值电流能力。低饱和电压。 MOS栅极导通。坚固的NPT结构。模塑环氧树脂符合UL 94V-0阻燃等级。易于安装。应用：电容放电。脉冲电路

1+
￥571.04
25+
￥546.75

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型号：CGU06N65F2SAA 编号：C49330887

封装：TO-252

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

650V/6A/-40~+175℃/TO-252/替代STGD5H60DF

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￥1.996
50+
￥1.5673
150+
￥1.3836
500+
￥1.1543

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型号：H6B65M 编号：C51883381

封装：TO-252

品牌：Huixin(慧芯)

集电极-发射极电压：650V，集电极电流：12A，耗散功率：69W，广泛应用于光伏逆变器、储能、UPS、电焊机等。

1+
￥2.3496 ￥2.67
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￥1.8656 ￥2.12
30+
￥1.6544 ￥1.88
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￥1.3904 ￥1.58
500+
￥1.276 ￥1.45
1000+
￥1.2056 ￥1.37

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型号：MLG15T65FUL 编号：C49108791

封装：TO-220F

品牌：minos(迈诺斯)

集射极击穿电压:650V 集电极电流:15A 耗散功率:41W

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￥4.58
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￥3.72
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￥3.29
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￥2.86
500+
￥2.6

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型号：STGF15M65DF2 编号：C2935300

封装：TO-220FP

品牌：ST(意法半导体)

沟槽栅场截止IGBT，M系列，650 V、15 A，低损耗

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1+
￥6.46
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￥5.25
50+
￥4.65
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￥4.05
500+
￥3.69

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型号：KGF40N65KDCA-U/P 编号：C49491114

封装：TO-247

品牌：KEC

提供低开关损耗、高能效和短路耐用性，适用于电机控制、不间断电源（UPS）、通用逆变器等应用。

1+
￥9.32
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￥7.77
30+
￥6.92
90+
￥5.8408 ￥5.96
510+
￥5.4194 ￥5.53
990+
￥5.2332 ￥5.34

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型号：STGWA40H65DFB 编号：C472629

封装：TO-247

品牌：ST(意法半导体)

650 V、40 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT

数据手册

1+
￥11.38
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￥9.51
30+
￥8.35
90+
￥7.15
510+
￥6.61

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型号：STGF3NC120HD 编号：C10076

封装：TO-220FP

品牌：ST(意法半导体)

这款 PowerMESH™ IGBT 采用基于专利条形布局的最新高压技术设计。全新的寿命控制技术可实现良好的开关性能和低电压降

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1+
￥11.82
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￥9.88
30+
￥8.66
100+
￥7.41
500+
￥6.85

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型号：STGWA60H65DFB 编号：C472600

封装：TO-247

品牌：ST(意法半导体)

650 V、60 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT

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1+
￥15.76
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￥14.92
30+
￥14.43
100+
￥13.92

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型号：KGF50N60KDA 编号：C400994

封装：TO-247-3

品牌：KEC

Field Stop Trench IGBTs 提供低开关损耗、高能效和短路耐用性。它专为电机控制、不间断电源 (UPS)、通用逆变器等应用而设计。

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1+
￥16.7
10+
￥14.35
30+
￥12.88
90+
￥11.38
510+
￥10.7
990+
￥10.4

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型号：IKW50N60H3 编号：C127956

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：TRENCHSTOP™技术提供非常低的VCEsat。低EMI。非常软、快速恢复的反并联二极管。最高结温175℃。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。无铅引脚镀层；符合RoHS标准。应用：不间断电源。焊接转换器

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1+
￥18.65
10+
￥15.96
30+
￥12.84
90+
￥11.11

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型号：RGC80TSX8RGC11 编号：C17443101

封装：TO-247N

品牌：ROHM(罗姆)

特性：低集电极-发射极饱和电压。高速开关。低开关损耗和软开关。具有低正向电压的单片体二极管。无铅镀铅；符合RoHS标准。应用：电压谐振逆变器

1+
￥53.92
10+
￥47.81
30+
￥44.08
90+
￥40.96

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型号：FGY75T120SQDN 编号：C898206

封装：TO-247-3

品牌：onsemi(安森美)

此绝缘门双极晶体管 (IGBT) 采用耐用和成本高效的超场截止沟槽结构，在要求较高的开关应用中提供卓越的性能，还能提供低导通状态电压和最低的开关损耗。该 IGBT 非常适用于 UPS 和太阳能应用。该器件结合了一个软性和快速的共封装续流二极管，带有较低正向电压。

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1+
￥54.58
10+
￥47.66
30+
￥43.44
100+
￥39.9

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型号：15T65SD 编号：C20417146

封装：ITO-220AB

品牌：JUXING(钜兴)

特性：650V 沟槽栅场终止技术。低导通和开关损耗。饱和电压正温度系数。具备 5μs 短路承受能力。应用：工业缝纫机

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￥4.1705 ￥4.39
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￥3.3345 ￥3.51
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￥2.9735 ￥3.13
100+
￥2.565 ￥2.7
500+
￥2.3085 ￥2.43
1000+
￥2.185 ￥2.3

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型号：CRG40T65AK5SD 编号：C38634182

封装：TO-247

品牌：CRMICRO(华润微)

CRG40T65AK5SD采用先进的微沟槽FS IGBT技术，具有良好的导通和开关特性，易并联使用的特点。符合RoHS指令要求。

1+
￥8.78
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￥7.32
25+
￥6.51
100+
￥5.6
500+
￥5.19

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型号：MLG40T120FDL5 编号：C52941371

封装：TO-247

品牌：minos(迈诺斯)

集射极击穿电压(Vces):1.2kV 集电极电流(Ic):40A 耗散功率(Pd):428W 输出电容(Coes):89pF 描述：采用先进的沟槽截止技术，具有低VCE(sat)，优化的开关性能和低栅极电荷Qg的优势

1+
￥10.15
10+
￥8.64
30+
￥7.7
90+
￥6.73
510+
￥6.3

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型号：MLG75N60FDK 编号：C47967303

封装：TO-247

品牌：minos(迈诺斯)

IGBT类型：场截止沟槽，集射极击穿电压Vces=600V，集电极电流Ic=75A

1+
￥12.18
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￥10.37
30+
￥9.24
90+
￥8.08
510+
￥7.56
990+
￥7.33

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型号：KGF60N65KDFA-U/H 编号：C51434888

封装：TO-247

品牌：KEC

提供低开关损耗、高能效和短路耐用性，适用于功率因数校正（PFC）、逆变式微波炉、感应加热（IH）、不间断电源（UPS）和通用逆变器等应用。

1+
￥12.35
10+
￥10.54
30+
￥9.41
90+
￥8.25
510+
￥7.73
990+
￥7.5

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型号：IKP08N65H5 编号：C536189

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：高速H5技术，在硬开关和谐振拓扑中提供一流的效率。可即插即用替换上一代IGBT。 650V击穿电压。低QG。 IGBT与RAPID 1快速软反并联二极管共封装。最高结温175℃。应用：太阳能转换器。不间断电源

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1+
￥12.4264 ￥12.68
10+
￥10.2872 ￥11.69
50+
￥8.6268 ￥11.06
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￥8.1354 ￥10.43
500+
￥7.9092 ￥10.14
1000+
￥7.8078 ￥10.01

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型号：NGTB40N120FL3WG-HX-TO247 编号：C52034470

封装：TO-247

品牌：ZHHXDZ(海芯电子)

NGTB40N120FL3WG-HX-TO247采用沟槽和场截止技术的IGBT，配备软恢复快速反向并联二极管

1+
￥14.067 ￥15.63
10+
￥11.979 ￥13.31
25+
￥10.674 ￥11.86
100+
￥9.333 ￥10.37
500+
￥8.73 ￥9.7
1000+
￥8.469 ￥9.41

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型号：IKW75N65EH5 编号：C454259

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：高速H5技术，在硬开关和谐振拓扑中提供一流的效率。可插拔替换上一代IGBT。650V击穿电压。低栅极电荷QG。IGBT与全额定RAPID 1快速软反并联二极管共封装。最高结温175℃。应用：不间断电源。太阳能转换器

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1+
￥14.07
10+
￥11.8
30+
￥10.38
90+
￥8.93

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型号：CRG75T60AK3HD 编号：C2924646

封装：TO-247-3

品牌：CRMICRO(华润微)

CRG75T60AK3HD采用先进的沟槽FSIGBT技术，具有良好的导通和开关特性，易并联使用的特点。符合RoHS指令要求。

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1+
￥16.95
10+
￥14.35
25+
￥12.04
100+
￥10.38
500+
￥9.63
1000+
￥9.3

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型号：IKW15N120H3 编号：C879991

封装：TO-247

品牌：Infineon(英飞凌)

数据手册

1+
￥20.64
10+
￥17.77
30+
￥15.98
90+
￥14.14
510+
￥13.31
990+
￥12.95

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型号：FGA6560WDF 编号：C444007

封装：TO-3PN

品牌：onsemi(安森美)

采用新型场截止绝缘栅双极晶体管（IGBT）技术，全新系列的第三代场截止IGBT为焊机和工业应用提供了最佳性能，在这些应用中，低导通损耗和开关损耗至关重要。

1+
￥21
10+
￥18.13
30+
￥14.27
90+
￥12.54
510+
￥11.74
1200+
￥11.38

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型号：IXBH12N300 编号：C3445817

封装：TO-247

品牌：Littelfuse/IXYS

特性：高阻断电压。国际标准封装。反并联二极管。低传导损耗。低栅极驱动要求。高功率密度。应用：开关模式和谐振模式电源。不间断电源 (UPS)

1+
￥198.65
30+
￥189.95

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型号：FS3L25R12W2H3B11 编号：C17252031

封装：插件,62.8x56.7mm

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：高速IGBT H3。低电感设计。低开关损耗。应用：3-Level-应用。太阳能应用

1+
￥275
30+
￥265

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型号：FF150R12RT4 编号：C540936

封装：螺栓安装

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：扩展工作温度 TVJop。低开关损耗。低 VCEsat。 TVJop = 150℃。 VCEsat 具有正温度系数。绝缘底板。应用：高频开关应用。电机驱动

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单价：
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