igbt模块_厂家_价格_品牌_库存

型号：IXEL40N400 编号：C3191189

封装：ISOPLUSi5-Pak

品牌：Littelfuse/IXYS

特性：硅芯片采用直接铜键合（DCB）基板。隔离安装表面。 4000V~ 电气隔离。 UL认证封装。高脉冲电流能力。低饱和电压。应用：电容放电。脉冲电路

1+
￥887.74
30+
￥848.88

有货

立即购买

型号：CRG40T120BK3SD 编号：C2981191

封装：TO-247

品牌：CRMICRO(华润微)

UPS,变频器,光伏逆变,储能电源用

数据手册

1+
￥13.34
10+
￥11.53
25+
￥9.15
100+
￥7.99
500+
￥7.47
1000+
￥7.24

有货

立即购买

型号：NGTB40N120FL3WG 编号：C411217

封装：TO-247

品牌：onsemi(安森美)

此绝缘门双极晶体管 (IGBT) 采用耐用和成本高效的超场截止沟槽结构，在要求较高的开关应用中提供卓越的性能，还能提供低导通状态电压和最低的开关损耗。该 IGBT 非常适用于 UPS 和太阳能应用。该器件结合了一个软性和快速的共封装续流二极管，带有较低正向电压。

数据手册

1+
￥20.42
10+
￥17.66
30+
￥15.24
100+
￥13.58
500+
￥12.81
1000+
￥12.47

有货

立即购买

型号：FGA40N65SMD 编号：C444005

封装：TO-3P

品牌：onsemi(安森美)

安森美半导体的新型场截止第 2 代 IGBT 采用新型场截止 IGBT 技术，为太阳能逆变器、UPS、焊接机、电感加热、电信、ESS 和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用。

数据手册

1+
￥21.81
10+
￥18.81
30+
￥14.04
90+
￥12.12
450+
￥11.26
900+
￥10.88

有货

立即购买

型号：NCE07TD60BK 编号：C502927

封装：TO-252

品牌：NCE(无锡新洁能)

采用专有的沟槽设计和先进的FS（场截止）第二代技术，600V沟槽FSII IGBT具有卓越的导通和开关性能，且易于并联操作。

数据手册

1+
￥2.73
10+
￥2.1
30+
￥1.83
100+
￥1.5
500+
￥1.35
1000+
￥1.25

有货

立即购买

型号：STGD6M65DF2 编号：C472580

封装：TO-252

品牌：ST(意法半导体)

650 V、6 A沟槽栅场截止低损耗M系列IGBT

数据手册

1+
￥8.57
10+
￥7.15
30+
￥6.36
100+
￥5.48
500+
￥5.09
1000+
￥4.91

有货

立即购买

型号：CRG25T120BK3S 编号：C2982571

封装：TO-247

品牌：CRMICRO(华润微)

UPS、光伏逆变、电焊机用高开关频率替代士兰 ST Magnachip infineon 25N12000 25A 1200V 半电流IGBT 25T120；完全兼容BT25T120CKD C2897743、IGF25T120D

数据手册

1+
￥10.36
10+
￥8.74
25+
￥6.88
100+
￥5.87
500+
￥5.43
1000+
￥5.22

有货

立即购买

型号：IKW08T120 编号：C168885

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

采用 TrenchStop® 和 Fieldstop 技术的 IGBT，配备软、快恢复反并联发射极控制 HE 二极管

数据手册

1+
￥12.77
10+
￥11.77
30+
￥9.91
90+
￥9.28
480+
￥8.99
960+
￥8.86

有货

立即购买

型号：NCE60TD65BT 编号：C5883265

封装：TO-247

品牌：NCE(无锡新洁能)

采用新洁能（NCE）专有的沟槽设计和先进的第二代场截止（FS）技术，650V沟槽式FSII绝缘栅双极晶体管（IGBT）具备卓越的导通和开关性能，且易于并联运行。

1+
￥12.89
10+
￥10.75
30+
￥9.4
90+
￥8.03
510+
￥7.4

有货

立即购买

型号：FGL60N100BNTDTU 编号：C105610

封装：TO-264-3

品牌：onsemi(安森美)

此款为新型号与FGL60N100BNTD无区别

数据手册

1+
￥85.74
10+
￥71.03
25+
￥65.14
100+
￥60

有货

立即购买

型号：STGB19NC60KDT4 编号：C314017

封装：D2PAK

品牌：ST(意法半导体)

这些器件是采用先进的PowerMESH技术开发的高速IGBT。该工艺确保了开关性能和低导通状态特性之间的出色平衡。

数据手册

1+
￥3.6
10+
￥2.87
30+
￥2.5
100+
￥2.14
500+
￥1.92
1000+
￥1.81

有货

立即购买

型号：H15T60 编号：C51883383

封装：TO-220F

品牌：Huixin(慧芯)

集电极-发射极电压：600V，集电极电流：30A，耗散功率：40W，广泛应用于光伏逆变器、储能、UPS、电焊机等。

1+
￥7.54
10+
￥6.28
30+
￥5.58
100+
￥4.8
500+
￥4.45

有货

立即购买

型号：SGT40N60FD2PN 编号：C2761786

封装：TO-3P-3

品牌：SILAN(士兰微)

数据手册

1+
￥8.79
10+
￥7.45
30+
￥5.88
90+
￥5.04
510+
￥4.67
1200+
￥4.51

有货

立即购买

型号：IHW20N135R5F 编号：C7467022

封装：TO-247-3

品牌：FUXINSEMI(富芯森美)

特性：提供高达1350V的高击穿电压，提高可靠性。强大的单片体二极管，正向电压低，专为软换流设计。参数分布非常紧密。高耐用性，温度稳定性好。低VCEsat。由于VCEsat的正温度系数，易于并联开关。应用：感应烹饪。逆变微波炉

1+
￥11.23
10+
￥8.62
30+
￥7.19
90+
￥5.57

有货

立即购买

型号：FGP20N60UFDTU 编号：C463254

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

采用新型场截止绝缘栅双极型晶体管（IGBT）技术，仙童半导体的场截止IGBT为太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、焊机和功率因数校正（PFC）应用提供了最佳性能，这些应用对低导通损耗和开关损耗有严格要求。

1+
￥12.4
10+
￥11.41
50+
￥9.44
100+
￥8.8
500+
￥8.51
1000+
￥8.39

有货

立即购买

型号：FGH50T65SQD-F155 编号：C132704

封装：TO-247-G03

品牌：onsemi(安森美)

安森美半导体的新型场截止第 4 代 IGBT 系列采用新型场截止 IGBT 技术，为太阳能逆变器、UPS、焊接机、电信、ESS 和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用提供优异性能。

数据手册

1+
￥18.05
10+
￥15.29
30+
￥12.65
100+
￥10.88
500+
￥10.08
1000+
￥9.74

有货

立即购买

型号：FGH40T120SMD 编号：C462120

封装：TO-247-3

品牌：onsemi(安森美)

安森美半导体的新型场截止沟槽 IGBT 系列采用创新的场截止沟槽 IGBT 技术，为太阳能逆变器、UPS、焊接机和 PFC 等硬开关应用提供最佳性能。

数据手册

1+
￥28.34
10+
￥22.77
30+
￥20.39
90+
￥17.98
510+
￥16.87
990+
￥16.37

有货

立即购买

型号：NCE10TD60BK 编号：C502955

封装：TO-252-2

品牌：NCE(无锡新洁能)

采用专有沟槽设计和先进的 FS（场截止）第二代技术，600V 沟槽 FSII IGBT 具有卓越的导通和开关性能，且易于并联操作。

数据手册

1+
￥3.15
10+
￥2.42
30+
￥2.11
100+
￥1.72
500+
￥1.55
1000+
￥1.44

有货

立即购买

型号：NCE30TD60BD 编号：C502954

封装：TO-263

品牌：NCE(无锡新洁能)

采用NCE专有的沟槽设计和先进的第二代FS（场截止）技术，600V沟槽FS II IGBT具备卓越的导通和开关性能，且易于并联运行。

数据手册

1+
￥7.71
10+
￥6.27
30+
￥5.48
100+
￥4.58
500+
￥4.18

有货

立即购买

型号：STGB19NC60HDT4 编号：C222140

封装：TO-263-2

品牌：ST(意法半导体)

这些器件是超快绝缘栅双极型晶体管（IGBT）。它们采用了先进的Power MESH™工艺，从而在开关性能和低导通状态特性之间实现了出色的平衡。

数据手册

1+
￥10.6314 ￥13.63
10+
￥8.4864 ￥12.48
30+
￥6.8208 ￥11.76
100+
￥6.3916 ￥11.02
500+
￥6.2002 ￥10.69
1000+
￥6.119 ￥10.55

有货

立即购买

型号：HGTP5N120BND 编号：C898683

封装：TO-220AB

品牌：onsemi(安森美)

HGTG5N120BND和HGTP5N120BND采用非穿通（NPT）绝缘栅双极型晶体管（IGBT）设计。它们是MOS栅控高压开关IGBT系列的新成员

数据手册

1+
￥12.38
10+
￥11.46
50+
￥8.76
100+
￥8.17
500+
￥7.9
800+
￥7.78

有货

立即购买

型号：KGF75N65KDF-U/H 编号：C5300000

封装：TO-247

品牌：KEC

场截止沟槽 IGBT 提供低开关损耗、高能效和短路耐用性。它专为功率因数校正 (PFC)、逆变微波炉、焊机、不间断电源 (UPS) 和通用转换器等应用而设计。

数据手册

1+
￥13.02
10+
￥10.98
30+
￥9.31
90+
￥8
450+
￥7.41
900+
￥7.16

有货

立即购买

型号：CRG60T60AK3HD 编号：C2924648

封装：TO-247-3

品牌：CRMICRO(华润微)

采用先进的沟槽FSIGBT技术，具有良好的导通和开关特性，易并联使用的特点。符合RoHS指令要求。

数据手册

1+
￥13.73
10+
￥11.75
25+
￥9.58
100+
￥8.3
500+
￥7.72
1000+
￥7.47

有货

立即购买

型号：KGF75N65KDFA-U/H 编号：C51431401

封装：TO-247

品牌：KEC

提供低开关损耗、高能效和短路耐用性，适用于电机控制、不间断电源（UPS）、通用逆变器等应用。

1+
￥14.33
10+
￥12.19
30+
￥10.86
90+
￥9.49
510+
￥8.87
990+
￥8.6

有货

立即购买

型号：IHW30N135R5 编号：C536124

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：强大的单片体二极管，正向电压低，专为软换流设计。 TRENCHSTOP™ 技术提供: 非常紧密的参数分布。高耐用性，温度稳定性能。低 VCEsat。由于 VCEsat 具有正温度系数，易于并联开关。低电磁干扰。应用：感应烹饪。微波炉

数据手册

1+
￥15.95
10+
￥13.59
30+
￥11.27
90+
￥9.76
480+
￥9.07
960+
￥8.78

有货

立即购买

型号：FGH40N60SMD 编号：C49512

封装：TO-247

品牌：onsemi(安森美)

飞兆半导体的场截止第二代 IGBT 新系列采用新型场截止 IGBT 技术，为光伏逆变器、UPS、焊机、通讯、ESS 和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用提供最佳性能。

数据手册

1+
￥17.12
10+
￥14.84
30+
￥12.26
90+
￥10.8
450+
￥10.14
900+
￥9.85

有货

立即购买

型号：KGF40N120KDA-U/H 编号：C49169068

封装：TO-247

品牌：KEC

Field Stop Trench IGBTs提供低开关损耗、高能效和短路耐用性。它专为电机控制、不间断电源（UPS）、通用逆变器等应用而设计。

1+
￥17.9
10+
￥15.43
30+
￥13.88
90+
￥12.3
450+
￥11.59
900+
￥11.28

有货

立即购买

型号：NCE40TD120VT 编号：C5124157

封装：TO-247

品牌：NCE(无锡新洁能)

采用专有的沟槽设计和先进的 FS（场截止）第二代技术，提供卓越的传导和开关性能，以及易于并联操作。

数据手册

1+
￥19.89
10+
￥16.58
30+
￥14.5
90+
￥12.38
510+
￥11.42

有货

立即购买

型号：IKW75N60T 编号：C44294

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

Vce=600V，Ic=80A，Vce(sat)=1.5V

数据手册

1+
￥26.39
10+
￥22.82
30+
￥19.71
90+
￥17.56

有货

立即购买

型号：FGH75T65SHDTL4 编号：C898195

封装：TO-247-4LD

品牌：onsemi(安森美)

安森美半导体的新型场截止第 3 代 IGBT 系列采用新型场截止 IGBT 技术，为太阳能逆变器、UPS、焊接机、电信、ESS 和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用提供最佳性能。

数据手册

1+
￥33.57
10+
￥28.45
30+
￥25.4
100+
￥22.33
450+
￥20.91
900+
￥20.27

有货

立即购买

海量现货

闪电发货

严控渠道

降低成本

提示

提示

成功提示

失败提示

提示