igbt模块_厂家_价格_品牌_库存

型号：NCE40TD120VT 编号：C5124157

封装：TO-247

品牌：NCE(无锡新洁能)

采用专有的沟槽设计和先进的 FS（场截止）第二代技术，提供卓越的传导和开关性能，以及易于并联操作。

数据手册

1+
￥20.583 ￥22.87
10+
￥17.154 ￥19.06
30+
￥15.012 ￥16.68
90+
￥12.816 ￥14.24
510+
￥11.817 ￥13.13
1200+
￥11.385 ￥12.65

有货

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型号：IKW40N120CS6 编号：C454252

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：1200V TRENCHSTOP IGBT6技术。硬开关和谐振拓扑中具有高效率。由于VCEsat的正温度系数，易于并联。低EMI。低栅极电荷Qg。非常软、快速恢复的全电流反并联二极管。应用：工业UPS。充电器

数据手册

1+
￥27.77
10+
￥24.01
30+
￥19.66
100+
￥17.4
500+
￥16.36

有货

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型号：STGD6M65DF2 编号：C472580

封装：TO-252

品牌：ST(意法半导体)

650 V、6 A沟槽栅场截止低损耗M系列IGBT

数据手册

1+
￥8.22
10+
￥6.79
30+
￥6.01
100+
￥5.12
500+
￥4.73
1000+
￥4.55

有货

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型号：KGF75N65KDFA-U/H 编号：C51431401

封装：TO-247

品牌：KEC

提供低开关损耗、高能效和短路耐用性，适用于电机控制、不间断电源（UPS）、通用逆变器等应用。

1+
￥14.06
10+
￥11.92
30+
￥10.58
90+
￥9.21
510+
￥8.59
990+
￥8.32

有货

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型号：IKW50N65ES5 编号：C454257

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：高速S5技术，适用于硬开关和软开关的高速平滑开关器件。极低的集电极-发射极饱和电压VCEsat，在额定电流下为1.35V。可直接替代上一代IGBT。650V击穿电压。低栅极电荷QG。IGBT与全额定RAPID 1快速反并联二极管共封装。应用：谐振转换器。不间断电源

数据手册

1+
￥14.78
10+
￥12.43
30+
￥10.96
90+
￥9.45
510+
￥8.77
990+
￥8.48

有货

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型号：IKW50N65F5 编号：C536219

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：高速F5技术，在硬开关和谐振拓扑中提供一流的效率。650V击穿电压。低栅极电荷QG。IGBT与RAPID 1快速软反向并联二极管共封装。最高结温175℃。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。应用：太阳能转换器。不间断电源

数据手册

1+
￥16.61
10+
￥14.47
30+
￥12.71
100+
￥11.34
500+
￥10.72
1000+
￥10.45

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型号：FGH40N60SFDTU 编号：C49514

封装：TO-247

品牌：onsemi(安森美)

安森美半导体的场截止 IGBT 采用新型场截止 IGBT 技术，为太阳能逆变器、UPS、焊接机、微波炉、电信、ESS 和 PFC 等导通和开关损耗至关重要的应用。

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1+
￥17.56
10+
￥14.85
30+
￥12.43
90+
￥10.69
450+
￥9.9
900+
￥9.56

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型号：IKW75N65ES5 编号：C454250

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：高速S5技术，适用于硬开关和软开关的高速平滑开关器件。极低的集电极-发射极饱和电压（VCEsat），标称电流下为1.42V。可即插即用替换上一代IGBT。650V击穿电压。低栅极电荷QG。IGBT与全额定RAPID 1快速反并联二极管共封装。应用：谐振转换器。不间断电源

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1+
￥18.8
10+
￥16.19
30+
￥13.95
90+
￥12.27
510+
￥11.51

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型号：IKW15N120H3 编号：C879991

封装：TO-247

品牌：Infineon(英飞凌)

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1+
￥18.84
10+
￥15.97
30+
￥14.18
90+
￥12.34
510+
￥11.51

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型号：H6B65M 编号：C51883381

封装：TO-252

品牌：Huixin(慧芯)

集电极-发射极电压：650V，集电极电流：12A，耗散功率：69W，广泛应用于光伏逆变器、储能、UPS、电焊机等。

1+
￥2.9656 ￥3.37
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￥2.376 ￥2.7
30+
￥2.1296 ￥2.42
100+
￥1.8216 ￥2.07
500+
￥1.6808 ￥1.91
1000+
￥1.6016 ￥1.82

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型号：NCE20TD60BF 编号：C502932

封装：TO-220F

品牌：NCE(无锡新洁能)

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1+
￥5.652 ￥6.28
10+
￥4.464 ￥4.96
50+
￥3.87 ￥4.3
100+
￥3.285 ￥3.65
500+
￥2.934 ￥3.26
1000+
￥2.745 ￥3.05

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型号：MLG60T65FDK 编号：C47967302

封装：TO-247

品牌：minos(迈诺斯)

IGBT类型：场截止沟槽，集射极击穿电压Vces=650V，集电极电流Ic=60A

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￥10.602 ￥11.16
10+
￥9.0345 ￥9.51
30+
￥8.0465 ￥8.47
90+
￥7.0395 ￥7.41
510+
￥6.5835 ￥6.93
990+
￥6.384 ￥6.72

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型号：ISL9V3040S3ST-F085C 编号：C603081

封装：D2PAK

品牌：onsemi(安森美)

ISL9V3040D3ST-F085C 和 ISL9V3040S3ST-F085C 提供卓越的 SCIS 能力，采用节省空间的 D-Pak (TO-252)、以及行业标准 D-Pak (TO-263) 塑料封装。此器件适用于汽车点火电路，尤其适合用作线圈驱动器。内部二极管提供了电压箝位，而无需外部组件。EcoSPARK 器件可针对具体的箝位电压进行定制。有关更多信息，请联系最近的安森美半导体销售办公室。之前开发类型为 49362。

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