您好,请登录 免费注册
手机立创
  • 微信小程序

    找料更方便

  • 立创APP

    体验更友好

  • 立创公众号

    售前咨询,优惠活动

消息(0)
我的订单
联系客服
  • 4000800709

    点击QQ咨询

  • 0755-83865666

    0755-83865666

    拨打电话咨询

帮助中心
供应商合作
嘉立创产业服务群

温馨提示

您上传的BOM清单格式不准确,当前支持上传xls、xlsx、csv、JPG、PNG、JPEG格式,请检查后重新上传

BOM正在分析中...
首页 > 热门关键词 > igbt模块
综合排序 价格 销量
-
符合条件商品:共4593
图片
关键参数
描述
价格(含税)
库存
操作
  • 1+

    ¥12.78
  • 10+

    ¥12.46
  • 30+

    ¥12.25
  • 有货
  • 特性:极低的集电极发射极饱和电压(VCE(sat)):1.5V(典型值)。 最高结温:175℃。 短路耐受时间:3μs。 适用于650V应用的沟槽和场截止技术,具有非常紧密的参数分布。 高耐用性和温度稳定性。 低集电极发射极饱和电压(VCEsat)和正温度系数。应用:驱动器。 通用驱动器(GPD)
    数据手册
    • 1+

      ¥14.54
    • 10+

      ¥12.34
    • 50+

      ¥10.96
  • 有货
  • 特性:高速H5技术,在硬开关和谐振拓扑中提供一流的效率。可直接替代上一代IGBT。650V击穿电压。低Qg。IGBT与RAPID 1快速软反并联二极管共封装。最高结温175℃。应用:太阳能转换器。不间断电源
    数据手册
    • 1+

      ¥15.16
    • 10+

      ¥14.84
    • 30+

      ¥14.62
  • 有货
    • 1+

      ¥16.63
    • 10+

      ¥13.95
    • 30+

      ¥12.27
  • 有货
    • 1+

      ¥16.74
    • 10+

      ¥16.38
    • 30+

      ¥16.14
  • 有货
  • 特性:高速F5技术,在硬开关和谐振拓扑中具有一流的效率。650V击穿电压。低Qg。IGBT与RAPID 1快速软反并联二极管共封装。最高结温175℃。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。应用:太阳能转换器。不间断电源
    • 1+

      ¥17.51
    • 10+

      ¥17.1
    • 30+

      ¥16.82
  • 有货
  • 特性:低集电极-发射极饱和电压。 高自钳位电感开关能量。 内置栅极-发射极保护二极管。 内置栅极-发射极电阻。 符合AEC-Q101标准。 无铅引脚镀层;符合RoHS标准。应用:点火线圈驱动电路。 螺线管驱动电路
    数据手册
    • 1+

      ¥18.09
    • 10+

      ¥15.34
    • 30+

      ¥13.71
  • 有货
  • 特性:极低的VCE(sat) 1.5V(典型值)。 最高结温175℃。 短路耐受时间3μs。 适用于650V应用的沟槽和场截止技术提供: -非常紧密的参数分布。高鲁棒性,温度稳定性能。低VCEsat和正温度系数。应用:驱动器。通用驱动器(GPD)
    • 1+

      ¥19.15
    • 10+

      ¥16.35
    • 50+

      ¥14.07
  • 有货
    • 1+

      ¥19.25
    • 10+

      ¥18.83
    • 30+

      ¥18.55
  • 有货
  • 特性:高速F5技术,在硬开关和谐振拓扑中提供一流的效率。 650V击穿电压。 低栅极电荷QG。 在升压转换器中与碳化硅肖特基二极管完美匹配。 最高结温175℃。 符合JEDEC目标应用标准。应用:太阳能转换器。 不间断电源
    数据手册
    • 1+

      ¥19.34
    • 10+

      ¥18.91
    • 30+

      ¥18.62
  • 有货
  • 特性:低集电极-发射极饱和电压。 软开关。 无铅镀铅;符合RoHS标准。应用:部分开关PFC。 放电电路
    • 1+

      ¥19.37
    • 10+

      ¥18.87
    • 30+

      ¥18.54
  • 有货
  • 采用新型场截止 IGBT 技术,新一代场截止第四代 IGBT 为太阳能逆变器、UPS、焊机、电信、ESS 和 PFC 应用提供了最佳性能,这些应用中低导通和开关损耗至关重要。
    数据手册
    • 1+

      ¥20.56
    • 10+

      ¥20.08
    • 30+

      ¥19.76
  • 有货
    • 1+

      ¥20.71
    • 10+

      ¥20.25
    • 30+

      ¥19.95
  • 有货
    • 1+

      ¥22.51
    • 10+

      ¥22.07
    • 50+

      ¥21.78
  • 有货
  • 特性:低集电极-发射极饱和电压。 低开关损耗。 短路耐受时间5μs。 内置超快软恢复FRD(RFN-系列)。 无铅镀覆;符合RoHS标准。应用:通用逆变器。 UPS
    • 1+

      ¥22.74
    • 10+

      ¥22.16
    • 30+

      ¥21.77
  • 有货
  • 特性:优化低传导损耗。 方形反向偏置安全工作区(RBSOA)。 高电流处理能力。 国际标准封装。 高功率密度。 低栅极驱动要求。应用:功率逆变器。 不间断电源(UPS)
    • 1+

      ¥22.88
    • 10+

      ¥22.44
    • 30+

      ¥22.15
  • 有货
  • 特性:VCE = 1200 V-IC = 15 A-IGBT 与全电流、软恢复且低 Qrr 的二极管共封装。 低饱和电压,在 Tvj = 175℃ 时 VCE(sat) = 2.0 V。 针对硬开关拓扑(2-L 逆变器、3-L NPC T 型等)进行了优化。 短路耐受时间为 8 μs。 具有宽范围的 dv/dt 可控性。应用:工业驱动器。 工业电源
    • 1+

      ¥23.06
    • 10+

      ¥22.47
    • 30+

      ¥22.08
  • 有货
  • 特性:VCE = 650 V-IC = 40 A。 由于TRENCHSTOP 5和CoolSiC技术的结合,具有超低开关损耗。 在硬开关拓扑中具有基准效率。 可即插即用替换纯硅器件。 最高结温Tvjmax = 175℃。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。应用:工业开关电源。 工业不间断电源
    • 1+

      ¥26.45
    • 10+

      ¥25.77
    • 30+

      ¥25.32
  • 有货
  • 特性:TRENCHSTOP™ 技术。 极低的关断能量。 低集电极-发射极饱和电压(VcEsat)。 低 FMI。 最高结温 175℃。 符合 JEDEC 目标应用标准。应用:不间断电源。 焊接转换器
    数据手册
    • 1+

      ¥27.32
    • 10+

      ¥23.66
    • 50+

      ¥21.49
  • 有货
  • 特性:VCE = 1200 V-IC = 25 A-IGBT 与全电流、软恢复且低 Qrr 的二极管共封装。 低饱和电压 VCE(sat) = 2.0 V(Tvj = 175℃ 时)。 针对硬开关拓扑(2-L 逆变器、3-L NPC T 型等)进行了优化。 短路耐受时间 8 μs。 宽范围的 dv/dt 可控性。应用:工业驱动器。 工业电源
    • 1+

      ¥27.53
    • 10+

      ¥26.83
    • 30+

      ¥26.36
  • 有货
  • 特性:TRENCHSTOP Reverse Conducting (RC) 技术,适用于 600V 应用。优化 Eon、Eoff 和 Qrr,实现低开关损耗。工作范围为 4 至 30kHz。平滑开关性能,低 EMI 水平。非常紧密的参数分布。最大结温 175℃。应用:家用和工业驱动器。压缩机
    数据手册
    • 1+

      ¥28.18
    • 10+

      ¥24.25
    • 30+

      ¥21.91
  • 有货
  • 特性:6.5 代。 RC-IGBT 由一个在 IGBT 芯片中单片集成的续流二极管 (FWD) 组成。 增强模式。 高速开关。 -IGBT:tf = 0.05 μs(典型值)(IC = 50A)。 -FWD:trr = 0.35 μs(典型值)(IF = 15A)。应用:电流谐振逆变器开关应用
    • 1+

      ¥28.45
    • 10+

      ¥27.83
    • 25+

      ¥27.42
  • 有货
    • 1+

      ¥29.5
    • 10+

      ¥28.85
    • 30+

      ¥28.42
  • 有货
  • JIAEN沟槽式IGBT为电机控制、通用逆变器和其他软开关应用等提供更低的损耗和更高的能源效率。
    • 1+

      ¥30.5
    • 10+

      ¥26.21
    • 25+

      ¥23.67
  • 有货
  • 特性:低集电极-发射极饱和电压。 高速开关。 低开关损耗和软开关。 内置超快软恢复 FRD。 无铅镀铅;符合 RoHS 标准。应用:PFC。 UPS
    • 1+

      ¥30.68
    • 10+

      ¥29.9
    • 30+

      ¥29.38
  • 有货
  • 特性:TRENCHSTOP技术提供极低的VCEsat。 低EMI。 非常软、快速恢复的反并联二极管。 最高结温175℃。 针对目标应用通过JEDEC认证。 无铅引脚镀层;符合RoHS标准。应用:不间断电源。 焊接转换器
    • 1+

      ¥30.99
    • 10+

      ¥30.21
    • 30+

      ¥29.7
  • 有货
  • 高速DuoPack:采用沟槽和场截止技术的IGBT,具有软恢复、快速恢复的反并联二极管
    数据手册
    • 1+

      ¥33.54
    • 10+

      ¥29.47
    • 30+

      ¥25.22
  • 有货
  • 特性:低集电极-发射极饱和电压。 短路耐受时间8μs。 符合AEC-Q101标准。 无铅镀铅;符合RoHS标准。应用:汽车加热器
    • 1+

      ¥34.11
    • 10+

      ¥33.25
    • 30+

      ¥32.68
  • 有货
  • 特性:低集电极-发射极饱和电压。 高速开关和低开关损耗。 短路耐受时间2μs。 内置超快速软恢复FRD。 无铅镀铅;符合RoHS标准。应用:太阳能逆变器。 UPS
    • 1+

      ¥35.83
    • 10+

      ¥34.94
    • 30+

      ¥34.35
  • 有货
  • 特性:强大的单片反向导通二极管,正向电压低。 TRENCHSTOP™技术提供: 非常紧密的参数分布。 高耐用性和稳定的温度特性。 极低的VCEsat和低Eoff。 由于VCEsat的正温度系数,易于并联开关。 低电磁干扰。应用:感应烹饪。 逆变微波炉
    • 1+

      ¥35.95
    • 30+

      ¥34.27
  • 有货
  • 立创商城为您提供igbt模块型号、厂家、价格、库存、PDF数据手册、图片等信息,为您购买igbt模块提供详细信息
    您的浏览器版本过低(IE8及IE8以下的浏览器或者其他浏览器的兼容模式),存在严重安全漏洞,请切换浏览器为极速模式或者将IE浏览器升级到更高版本。【查看详情】
    推荐您下载并使用 立创商城APP 或者最新版 谷歌浏览器火狐浏览器360浏览器搜狗浏览器QQ浏览器 的极(高)速模式进行访问。
    © 深圳市立创电子商务有限公司 版权所有
    |

    提示

    您确定要删除此收货地址的吗?

    请填写订单取消原因

    提示

    您确定删除此收货地址吗?

    成功提示

    content

    失败提示

    content

    提示

    content