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特性:VCE = 1200 V,IC = 75 A,IGBT与全电流、软恢复且低Qrr的二极管共封装。 低饱和电压:在Tvj = 175℃时,VCEsat = 2.0 V。 针对硬开关拓扑进行优化(如2-L逆变器、3-L NPC T型等)。 短路耐受时间为8 μs。 具备宽范围的dv/dt可控性。 完整的产品系列和PSpice模型。应用:工业驱动器。 工业电源
  • 1+

    ¥64.9
  • 10+

    ¥62.65
  • 有货
  • 特性:针对低频大电流开关进行优化。 高浪涌电流能力。 方形反向偏置安全工作区(RBSOA)。 国际标准封装。 高功率密度。 低栅极驱动要求。应用:功率逆变器。 不间断电源(UPS)
    • 1+

      ¥65.08
    • 10+

      ¥55.97
    • 30+

      ¥50.42
  • 有货
    • 1+

      ¥70.78
    • 10+

      ¥61.79
    • 30+

      ¥56.3
  • 有货
  • 特性:VCE = 650 V。 IC = 50 A。 低开关损耗。 极低的集电极-发射极饱和电压VCEsat。 非常软、快速恢复的反并联二极管。 平滑的开关特性。应用:工业UPS。 电动汽车充电
    • 1+

      ¥81.08
    • 10+

      ¥78.67
  • 有货
  • 通过 AEC Q101 认证的 AFGY120T65SPD,在各种应用中实现高效运行时,具有极低的导通和开关损耗,具备出色的瞬态可靠性和低电磁干扰(EMI)特性。同时,该器件还具有卓越的并联运行性能和均衡的电流分配优势。
    数据手册
    • 1+

      ¥82.37
    • 10+

      ¥78.74
    • 30+

      ¥72.44
  • 有货
  • 特性:针对低传导损耗进行优化。 Vce(sat)具有正温度系数。 国际标准封装。 高功率密度。 低栅极驱动要求。应用:功率逆变器。 UPS
    • 1+

      ¥84.28
    • 30+

      ¥75
  • 有货
  • 特性:VCE = 1200 V。 IC = 100 A。 最高结温 Tvjmax = 175℃。 同类最佳高速IGBT,与全额定电流、低Qrr和软换相高速二极管共封装。 低饱和电压 VCEsat = 1.7 V(Tvj = 25℃时)。 针对高速硬开关拓扑(2-L逆变器、3-L NPC T型等)的高效率进行了优化。应用:工业UPS。 电动汽车充电
    • 1+

      ¥87.09
    • 10+

      ¥83
    • 30+

      ¥75.91
  • 有货
  • 特性:VCE = 1200 V。 IC = 120 A。 低饱和电压VCEsat = 2.0 V(Tv = 175℃)。 短路耐受能力8 μs。 宽范围的dv/dt可控性。 完整的产品系列和PSpice模型。应用:工业电源。 太阳能
    • 1+

      ¥89.56
    • 10+

      ¥86.42
  • 有货
  • 特性:国际标准封装JEDEC TO-268和JEDEC TO-247 AD。 高电流处理能力。 非常高的频率。 MOS栅极导通。 驱动简单。 坚固的NPT结构。应用:脉冲电路。 交流电机调速
    • 1+

      ¥98.11
    • 10+

      ¥93.5
    • 30+

      ¥85.51
  • 有货
  • 特性:1200V 100A。 VCE(sat)(typ.)=2.5V。 平面栅场截止技术。 高 RBSOA 性能。 低关断损耗。应用:感应加热。 电焊机
    • 1+

      ¥98.91
    • 10+

      ¥94.42
    • 24+

      ¥86.64
  • 有货
  • 特性:高速H3技术提供: 由于采用开尔文发射极引脚封装并结合高速H3技术,具有超低开关损耗。 在硬开关和谐振拓扑中具有高效率。 在Tvj = 175℃时,短路耐受时间为10μs。 由于VCE(sat)具有正温度系数,易于并联。 低电磁干扰。 低栅极电荷QG。应用:工业不间断电源。 充电器
    • 1+

      ¥107.46
    • 10+

      ¥102.15
    • 30+

      ¥92.97
  • 有货
  • 采用可回流焊接封装的短路耐受型750 V EDT2 IGBT,与软恢复快速恢复二极管共封装。
    • 1+

      ¥110.91
    • 10+

      ¥107.61
  • 有货
  • 特性:VCE = 650 V-IC = 75 A。 由于TRENCHSTOP™ 5和CoolSiC™技术的结合,具有超低开关损耗。 极低的导通损耗。 在硬开关拓扑中具有基准效率。 可即插即用替代纯硅器件。 最高结温Tvjmax = 175℃。应用:工业开关电源。 工业不间断电源
    • 1+

      ¥111.01
    • 10+

      ¥107.23
  • 有货
  • 特性:VCE = 750 V。 IC = 160 A。 低饱和电压 VCEsat = 1.4 V。 低开关损耗。 短路耐受时间 3 μs。 IGBT 与全电流、软快速恢复二极管共封装。应用:CAV 动力总成控制模块。 通用驱动器 (GPD)
    • 1+

      ¥121.34
    • 10+

      ¥117.73
  • 有货
  • 特性:VCE = 750V。 IC = 200A。 最佳的高功率密度。应用:xEV逆变器
    • 1+

      ¥130.26
    • 10+

      ¥126.35
  • 有货
  • 特性:非常低的VCE(sat),标称电流下为1.75V。 在Tv = 175℃时,短路耐受时间为10μs。 由于VCE(sat)具有正温度系数,易于并联。 低EMI。 非常软、快速恢复的全电流反并联二极管。 最高结温175℃。应用:通用驱动器(GPD)。 伺服驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥137.16
    • 10+

      ¥130.87
    • 30+

      ¥119.96
  • 有货
  • Trench FS IGBTs 为通用逆变器和其他软开关应用提供更低的损耗和更高的能源效率,如电机驱动、交流和直流伺服驱动放大器、电源。
    • 1+

      ¥228.59
    • 24+

      ¥217.79
  • 有货
  • 特性:沟槽栅和薄晶圆技术(G8H系列)。 单封装内集成快速恢复二极管。 低集电极-发射极饱和电压:VCE(sat) = 1.8V(典型值,IC = 40A,VGE = 15V,Ta = 25℃)。 质量等级:标准。 高速开关。 短路耐受时间:10μs(最小值)。应用:UPS。 焊接
    • 1+

      ¥237.73
    • 30+

      ¥226.36
  • 有货
  • Trench FS IGBTs 为通用逆变器和其他软开关应用提供更低的损耗和更高的能源效率,如电机驱动、交流和直流伺服驱动放大器、电源。
    • 1+

      ¥266.68
    • 24+

      ¥254.09
  • 有货
  • 特性:低VCE(sat)。 紧凑型封装。 PCB板安装模块。 转换器。 二极管桥。 动态制动电路。应用:电机驱动逆变器。 交流和直流伺服驱动放大器
    • 1+

      ¥268.61
    • 30+

      ¥260.61
  • 有货
  • 特性:针对10-30kHz开关进行优化。 方形反向偏置安全工作区(RBSOA)。 国际标准封装。 雪崩额定。 短路能力。 高电流处理能力。应用:功率逆变器。 不间断电源(UPS)
    • 1+

      ¥296.67
    • 30+

      ¥284.44
  • 有货
    • 1+

      ¥324.82
    • 30+

      ¥311.27
  • 有货
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