igbt模块_厂家_价格_品牌_库存

特性：针对低传导损耗进行优化。方形反向偏置安全工作区（RBSOA）。高电流处理能力。国际标准封装。高功率密度。低栅极驱动要求。应用：功率逆变器。不间断电源（UPS）

1+
￥43.3
10+
￥37.87
30+
￥34.57

有货

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型号：IHW20N65R5 编号：C3191648

封装：TO-247-3

特性：强大的单片反向导通二极管，正向电压低。 TRENCHSTOP™ 技术提供: -非常紧密的参数分布。 -高耐用性和稳定的温度特性。 -非常低的 VCEsat 和低 Eoff。 -由于 VCEsat 的正温度系数，具有易于并联开关的能力。低电磁干扰。应用：感应烹饪。逆变式微波炉

1+
￥38.88
10+
￥33.73
30+
￥30.59

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型号：IKW30N60TFKSA1 编号：C3191711

封装：TO-247-3

特性：极低的集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)）：1.5V（典型值）。最高结温：175℃。短路耐受时间：5μs。 TRENCHSTOP™ 和场截止技术用于600V应用，提供: -非常紧密的参数分布。高耐用性，温度稳定特性。非常高的开关速度。应用：变频器。不间断电源

单价：
￥39.95 / 个

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型号：IGW75N60H3FKSA1 编号：C17246285

封装：TO-247-3

特性：TRENCHSTOP™技术提供极低的VCEsat。低电磁干扰（EMI）。最高结温175°C。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。无铅引脚镀层，无卤模塑料，符合RoHS标准。应用：不间断电源。焊接转换器

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￥43.11
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￥42.19
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￥41.58

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型号：IXBH5N160G 编号：C3028861

封装：TO-247

特性：高压BIMOSFETTM可替代高压MOSFET，电压降显著降低。MOSFET兼容控制，10V开启栅极电压。快速开关，适用于高频操作。反向导通能力。行业标准封装：TO-220AB、TO-247AD。环氧树脂符合UL94V-0。应用：开关电源。DC-DC转换器

数据手册

1+
￥45.66
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￥40.12
30+
￥36.75

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型号：AIKBE50N65RF5ATMA1 编号：C24077884

封装：TO-263-7

1+
￥55.63
10+
￥54.42
30+
￥53.61

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型号：RGTVX6TS65DGC13 编号：C22456426

封装：-

特性：低集电极-发射极饱和电压。高速开关和低开关损耗。短路耐受时间2μs。内置超快软恢复FRD。无铅镀铅；符合RoHS标准。应用：太阳能逆变器。 UPS

1+
￥59.04
10+
￥57.02

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型号：6MBP15VSC060-50U 编号：C42387490

封装：-

品牌：FUJI(富士电机)

1+
￥59.41
10+
￥58.12
30+
￥57.25

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型号：RGS80TSX2DGC11 编号：C17413183

封装：TO-247N

1+
￥62.27
10+
￥60.13

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型号：NGTB50N60FWG 编号：C463382

封装：TO-247

品牌：onsemi(安森美)

这款绝缘栅双极型晶体管（IGBT）采用坚固且经济高效的沟槽结构，在严苛的开关应用中具备卓越性能，兼具低导通压降和极小的开关损耗。

数据手册

1+
￥64.37
10+
￥62.39

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型号：IKW50N65SS5XKSA1 编号：C3191664

封装：TO-247-3

1+
￥70.3
10+
￥68.11

有货

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型号：RGA80TRX2EHRC15 编号：C41511661

封装：TO-247-4L

1+
￥71.33
10+
￥68.88

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型号：RGW00TS65CHRC11 编号：C17440883

封装：TO-247N

1+
￥72.65
10+
￥70.16

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型号：IXYH90N65A5 编号：C3193639

封装：TO-247

特性：针对低频大电流开关进行优化。高浪涌电流能力。方形反向偏置安全工作区（RBSOA）。国际标准封装。高功率密度。低栅极驱动要求。应用：功率逆变器。不间断电源（UPS）

1+
￥76.91
10+
￥67.79
30+
￥62.24

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型号：IKY120N65EH7XKSA1 编号：C20191527

封装：TO-247-4

特性：VCE = 650 V。 IC = 120 A。低开关损耗。极低的集电极-发射极饱和电压VCEsat。非常软、快速恢复的反并联二极管。平滑的开关特性。应用：工业不间断电源。电动汽车充电

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￥78.38
10+
￥75.87

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型号：IKZA50N65EH7XKSA1 编号：C20191536

封装：TO-247-4

特性：VCE = 650 V。 IC = 50 A。低开关损耗。极低的集电极-发射极饱和电压VCEsat。非常软、快速恢复的反并联二极管。平滑的开关特性。应用：工业UPS。电动汽车充电

1+
￥81.08
10+
￥78.67

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型号：RGS30TSX2DHRC11 编号：C3193915

封装：TO-247N

1+
￥81.17
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￥77.59
30+
￥71.38

有货

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型号：IKFW75N65EH5XKSA1 编号：C17447193

封装：HSIP247-3

1+
￥86.46
10+
￥83.89

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型号：IXGT10N170A 编号：C17480373

封装：TO-268AA

特性：国际标准封装JEDEC TO-268和JEDEC TO-247 AD。高电流处理能力。非常高的频率。 MOS栅极导通。驱动简单。坚固的NPT结构。应用：脉冲电路。交流电机调速

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￥102.96
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￥98.35
30+
￥90.37

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型号：IXGH40N120C3D1 编号：C17609049

封装：TO-247AD

特性：针对低传导损耗进行优化。方形反向偏置安全工作区（RBSOA）。雪崩额定。反并联超快二极管。国际标准封装。高功率密度。应用：开关模式和谐振模式电源。不间断电源（UPS）

1+
￥133.56
10+
￥130.02

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型号：IXYH16N170C 编号：C17449560

封装：TO-247

1+
￥138.18
10+
￥134.53

有货

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型号：GD100HFU120C1S 编号：C45969723

封装：螺栓安装

品牌：Starpower(嘉兴斯达)

IGBT功率模块具备超快开关速度和短路耐受能力。它们专为电子焊机和感应加热等应用而设计。

1+
￥151.2
30+
￥143.1

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型号：IXYX110N120B4 编号：C3191900

封装：TO-247-3

1+
￥180.18
10+
￥175.21

有货

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型号：IXYX110N120C4 编号：C3191893

封装：TO-247-3

1+
￥185.17
10+
￥180.06

有货

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型号：IXYH55N120C4H1 编号：C26671560

封装：TO-247-3L

1+
￥185.97
10+
￥181.05

有货

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型号：IXXK110N65B4H1 编号：C17298243

封装：TO-264

1+
￥212.76
25+
￥204.1

有货

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型号：RBN40H125S1FPQ-A0#CB0 编号：C3193700

封装：TO-247A

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

特性：沟槽栅和薄晶圆技术（G8H系列）。单封装内集成快速恢复二极管。低集电极-发射极饱和电压：VCE(sat) = 1.8V（典型值，IC = 40A，VGE = 15V，Ta = 25℃）。质量等级：标准。高速开关。短路耐受时间：10μs（最小值）。应用：UPS。焊接

1+
￥237.73
30+
￥226.36

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型号：F3L25R12W1T4B27 编号：C3190223

封装：-

1+
￥254.71
10+
￥245.96

有货

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型号：IXYH25N250CHV 编号：C23040956

封装：TO-247HV

1+
￥259.36
30+
￥248.8

有货

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型号：IXXX110N65B4H1 编号：C17254092

封装：TO-247-3