igbt模块_厂家_价格_品牌_库存

特性：针对10-30kHz开关进行优化。方形反向偏置安全工作区（RBSOA）。国际标准封装。雪崩额定。短路能力。高电流处理能力。应用：功率逆变器。不间断电源（UPS）

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￥300.33
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￥288.11

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型号：GD150HFU120C2S 编号：C22609009

封装：螺栓安装

品牌：Starpower(嘉兴斯达)

提供超快的开关速度和短路耐用性，专为电子焊机和感应加热等应用而设计。

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￥304.96
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￥294.56

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型号：IXYN110N120A4 编号：C17633129

封装：SOT-227B

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￥327.42
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￥314.1

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型号：IXXK160N65B4 编号：C17349291

封装：TO-264

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￥330.38
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￥316.93

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型号：IXBT42N170 编号：C17555727

封装：TO-268AA

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￥332.94
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￥319.39

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型号：IXGK400N30A3 编号：C17453778

封装：TO-264

特性：针对低开关损耗进行优化。方形反向偏置安全工作区。高雪崩能力。国际标准封装。高功率密度。低栅极驱动要求。应用：功率逆变器。不间断电源

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￥337.31
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￥328.39

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型号：IXXX200N65B4 编号：C17542197

封装：TO-247-3

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￥359.31
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￥344.68

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型号：IXGK75N250 编号：C17192724

封装：TO-264

特性：非常高的峰值电流能力。低饱和电压。 MOS栅极导通。坚固的NPT结构。模塑环氧树脂符合UL 94V-0阻燃等级。易于安装。应用：电容放电。脉冲电路

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￥571.04
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￥546.75

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型号：JNG25T65PS1 编号：C51484252

封装：TO-220

JIAEN沟槽式IGBT为电机控制、通用逆变器和其他软开关应用等提供更低的损耗和更高的能源效率。

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￥3.12
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￥3.05
50+
￥3.01

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型号：JNG25T65FS1 编号：C51484250

封装：TO-220F

JIAEN沟槽式IGBT为电机控制、通用逆变器和其他软开关应用等提供更低的损耗和更高的能源效率。

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￥3.12
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￥3.05
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型号：JNG20T65PS1 编号：C51484249

封装：TO-220

JIAEN沟槽式IGBT可为电机控制、通用逆变器和其他软开关应用等提供更低的损耗和更高的能源效率。

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￥4.12
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￥3.35
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￥2.96

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型号：JNG15T120HS 编号：C51484264

封装：TO-247

JIAEN沟槽式IGBT为诸如IH（感应加热）、UPS、通用逆变器和其他软开关应用等提供更低的损耗和更高的能源效率。

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￥4.27
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￥4.18
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￥4.12

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型号：JNG20T65FJS1 编号：C51484247

封装：TO-220F

特性：650V, 20A。 VCE(sat)(typ) = 1.6V @ VGE = 15V, IC = 20A。高耐用性。 10μs短路能力。电机控制效率高。并联运行时均流性能出色。应用：家用电器。电机驱动

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￥4.35
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￥3.53
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￥3.12

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型号：JNG20T65KS 编号：C51484245

封装：TO-263

JIAEN沟槽式IGBT为电机控制、通用逆变器和其他软开关应用等提供更低的损耗和更高的能源效率。

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￥4.35
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￥3.53
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型号：JNG15N120HS2 编号：C51484263

封装：TO-247

NPT IGBTs 为 IH（感应加热）、UPS、通用逆变器和其他软开关应用等提供更低的损耗和更高的能源效率。

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￥4.4
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￥4.31
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￥4.24

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型号：SGT20T60SDM1P7 编号：C5123271

封装：TO-247-3L

品牌：SILAN(士兰微)

数据手册

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￥4.88
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￥3.94
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￥3.42

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型号：JNG25N120HS 编号：C51484266

封装：TO-247

NPT IGBT 为感应加热 (IH)、UPS、通用逆变器和其他软开关应用等提供更低的损耗和更高的能源效率。

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￥5.83
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￥5.7
30+
￥5.61

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型号：SL15T120FL 编号：C5632302

封装：TO-247

品牌：Slkor(萨科微)

特性：低栅极电荷。 FS技术。饱和电压：VCE(sat)，典型值 = 2.2V @ IC = 15A 和 TC = 25℃。符合RoHS标准的产品。应用：通用逆变器。感应加热（IH）

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￥10.18
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￥8.49
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￥7.56
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￥6.51
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990+
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型号：IXYH40N120B3D1 编号：C3193657

封装：TO-247(IXYH)

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￥17.4
10+
￥17.05
30+
￥16.81

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型号：IKW40N65H5FKSA1 编号：C3191662

封装：TO-247-3

特性：高速H5技术，在硬开关和谐振拓扑中提供一流的效率。可即插即用替换上一代IGBT。击穿电压650V。低栅极电荷QG。 IGBT与RAPID 1快速软反并联二极管共封装。最高结温175°C。应用：太阳能转换器。不间断电源

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￥17.63
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￥17.21
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￥16.05

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型号：IKW20N60TFKSA1 编号：C3191721

封装：TO-247-3

应用：全桥/双晶体管正激：焊接逆变器。半桥：感应加热逆变器（电流谐振）。单开关：感应加热逆变器（电压谐振）。不对称全桥：太阳能逆变器（移相和不对称全桥）。对称全桥：太阳能逆变器（对称全桥）。三电平逆变器（II型）：太阳能、UPS。电机控制：三相电机控制。不间断电源：通用电源b6桥

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￥23.55
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￥23.02
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￥22.67

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型号：IXGA12N120A3 编号：C17375783

封装：TO-263AA

特性：针对低传导损耗进行优化。采用国际标准封装。高功率密度。低栅极驱动要求。应用：功率逆变器。 UPS

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￥34.79
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￥34.11
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￥33.66

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型号：IXGH36N60B3 编号：C17341582

封装：TO-247AD

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￥35.54
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￥34.84
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￥34.38

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型号：FGW40N120WD 编号：C7461434

封装：TO-247

品牌：FUJI(富士电机)

特性：低功率损耗。低开关浪涌和噪声。高可靠性，高耐用性（RBSOA、SCSOA等）。应用：不间断电源。光伏功率调节器

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￥36.25
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￥31.18
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￥28.08

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型号：IXYH30N120C3D1 编号：C17335758

封装：TO-247

特性：针对低开关损耗进行优化。方形反向偏置安全工作区（RBSOA）。 Vce(sat)具有正温度系数。反并联超快速二极管。雪崩额定。高电流处理能力。应用：高频功率逆变器。不间断电源（UPS）

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￥37.01
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￥36.29
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￥35.81

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型号：IGZ100N65H5XKSA1 编号：C42434069

封装：TO-247-4

特性：高速H5技术。由于采用开尔文发射极引脚与TRENCHSTOP™ 5相结合，实现超低损耗开关。在硬开关和谐振拓扑中具有同类最佳效率。可直接替代上一代IGBT。 650V击穿电压。低栅极电荷QG。应用：不间断电源。焊接转换器

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￥37.06
10+
￥36.11
30+
￥35.48

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型号：HGTP10N120BN 编号：C511971

封装：TO-220AB

品牌：onsemi(安森美)

HGTG10N120BN、HGTP10N120BN和HGT1S10N120BNS采用非穿通（NPT）绝缘栅双极型晶体管（IGBT）设计。它们是MOS栅控高压开关IGBT系列的新成员

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￥38.9
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￥33.75
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￥30.61

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型号：IXGA48N60A3 编号：C17555287

封装：TO-263AA

特性：针对低传导损耗进行优化。方形反向偏置安全工作区 (RBSOA)。高电流处理能力。国际标准封装。高功率密度。低栅极驱动要求。应用：功率逆变器。不间断电源 (UPS)

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￥41.45
10+
￥40.64
50+
￥40.11

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型号：IGW40T120FKSA1 编号：C3191718

封装：TO-247-3-1

特性：短路耐受时间：10μs。 TrenchStop和Fieldstop技术用于1200V应用，提供非常紧密的参数分布、高耐用性和温度稳定性能。 NPT技术由于VCE(sat)的正温度系数，具有易于并联开关的能力。低电磁干扰。低栅极电荷。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。应用：变频器。不间断电源

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￥44.22
10+
￥43.23
30+
￥42.57

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型号：IKW15N120H3FKSA1 编号：C3191702

封装：TO-247-3