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1200 V、25 A高速沟槽栅场截止H系列IGBT

1+
￥28.3
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￥27.65
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￥27.22

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型号：STGP30V60DF 编号：C2971557

封装：TO-220

600 V、30 A超高速沟槽栅场截止V系列IGBT

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￥31.18
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￥23.81

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型号：STGB20N45LZAG 编号：C5268539

封装：D2PAK

汽车级450 V内部钳制IGBT ESCIS 300 mJ

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￥24.37

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型号：AIGB30N65F5ATMA1 编号：C3191790

封装：TO-263

特性：高速F5技术。在硬开关和谐振拓扑中具有一流的效率。 650V击穿电压。低栅极电荷QG。最高结温175℃。经过动态应力测试。应用：非车载充电器。车载充电器

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￥31.27
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￥29.63

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型号：IKWH30N65WR5XKSA1 编号：C3171061

封装：TO-247-3

特性：VCE = 650 V。 IC = 30 A。引脚到引脚爬电距离 > 4.8 mm。引脚到引脚电气间隙距离 > 3.4 mm。为PFC和焊接应用优化的单片二极管。稳定的温度特性。应用：PFC。焊接

单价：
￥31.27 / 个

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型号：STGW28IH125DF 编号：C222113

封装：TO-247

1250 V、25 A IH系列沟槽栅场截止IGBT

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型号：STGWA50H65DFB2 编号：C5268565

封装：TO-247

采用 TO-247 长引线封装的沟槽栅极场截止、650 V、50 A 高速 HB2 系列 IGBT

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型号：RGS00TS65DHRC11 编号：C3193881

封装：TO-247N

品牌：ROHM(罗姆)

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型号：FGHL75T65MQDTL4 编号：C5209105

封装：TO-247-4LD

特性：最大结温：T_J = 175℃。正温度系数，便于并联操作。高电流能力。低饱和电压：V_CE(sat) = 1.45 V（典型值），@ I_C = 75 A。 100% 的部件经过 I_LM 测试。平滑且优化的开关性能。应用：太阳能逆变器。 UPS、ESS

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型号：IKZ75N65ES5 编号：C536231

封装：TO-247-4

特性：高速S5技术，适用于硬开关和软开关的高速平滑开关器件。极低的集电极-发射极饱和电压（VCEsat），标称电流下为1.42V。可即插即用替换上一代IGBT。击穿电压为650V。低栅极电荷QG。 IGBT与全额定RAPID 1快速反并联二极管共封装。应用：工业不间断电源（UPS）。工业开关电源（SMPS）

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型号：IKW60N60H3 编号：C536221

封装：TO-247-3

特性：TRENCHSTOP™技术提供极低的关断能量。低VCEsat。低EMI。最高结温175℃。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。无铅引脚镀层，无卤模塑料，符合RoHS标准。应用：不间断电源。焊接转换器

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型号：IKZA75N65EH7XKSA1 编号：C20191538

封装：TO-247-4

特性：VCE = 650 V。 IC = 75 A。低开关损耗。极低的集电极-发射极饱和电压VCEsat。非常软、快速恢复的反并联二极管。平滑的开关特性。应用：工业UPS。电动汽车充电

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￥42.76
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型号：IM241L6S1BAUMA1 编号：C17390972

封装：SOP-23

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￥42.12

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型号：IKZA50N65RH5XKSA1 编号：C3191750

封装：TO-247-4

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型号：IRGP4650D-EPBF 编号：C538100

封装：TO-247-3

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￥43.94

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型号：IKWH100N65EH7XKSA1 编号：C20191521

封装：TO-247-3

特性：VCE = 650 V。 IC = 100 A。低开关损耗。极低的集电极-发射极饱和电压VCEsat。非常软、快速恢复的反并联二极管。平滑的开关特性。应用：工业不间断电源。电动汽车充电

单价：
￥21.6 / 个

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型号：STGFW40V60DF 编号：C2971103

封装：TO-3PFM

600 V、40 A超高速沟槽栅场截止V系列IGBT

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型号：STGIPNS4C60T-H 编号：C47122166

封装：NSDIP-26L

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型号：STGWT30H60DFB 编号：C2971010

封装：TO-3P

600 V、30 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT

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型号：IKW40N65F5F 编号：C3171406

封装：TO-247-3

特性：高速F5技术，在硬开关和谐振拓扑中具有一流的效率。650V击穿电压。低Qg。IGBT与RAPID 1快速软反并联二极管共封装。最高结温175℃。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。应用：太阳能转换器。不间断电源

1+
￥50.16
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￥42.79
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￥38.29

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型号：STGW60H65DFB-4 编号：C5268577

封装：TO-247-4

650 V、60 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT

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￥50.23
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￥49.12
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￥43.39

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型号：FGHL60T120RWD 编号：C22969010

封装：TO-247

FGHL60T120RWD采用新型场截止第七代IGBT技术和Gen7二极管，采用TO247三引脚封装，具有低传导损耗和良好的开关可控性，能实现最佳性能，可在电机控制、UPS、数据中心和高功率开关等各种应用中高效运行。

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型号：STGYA50H120DF2 编号：C5268594

封装：TO-247

1200 V、50 A高速沟槽栅场截止HB2系列IGBT，Max247长引线封装

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￥52.27
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￥45.35
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型号：IKQ75N120CH7XKSA1 编号：C20191014

封装：TO-247-3

特性：VCE = 1200V。 IC = 75A。最高结温 Tvjmax = 175℃。同类最佳的高速IGBT与全额定电流、低Qrr和软换向高速二极管共封装。低饱和电压 VCEsat = 1.7V（Tvj = 25℃时）。针对高速硬开关拓扑（2-L逆变器、3-L NPC T型等）的高效率进行了优化。应用：工业UPS。电动汽车充电

单价：
￥56.52 / 个

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型号：AFGHL75T65SQDT 编号：C603145

封装：TO-247-3L

AFGHL75T65SQDT采用新型场截止第四代IGBT技术和隐形二极管技术，具备低导通损耗和低开关损耗的特性，可实现最优性能，适用于各类应用的高效运行，尤其适用于图腾柱无桥PFC和DC-DC模块。

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￥59.08
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￥57.8
30+
￥56.95

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型号：FGY120T65SPD 编号：C47150937

封装：TO-247-3LD

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￥60.83
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￥59.5
40+
￥58.61

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型号：STGWA15H120DF2 编号：C2970412

封装：TO-247

1200 V、15 A高速沟槽栅场截止H系列IGBT

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￥60.9
10+
￥52.84
30+
￥47.92

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型号：SGM35PA12A6BTFD 编号：C5123269

封装：-

品牌：SILAN(士兰微)

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￥63.72
10+
￥52.82
30+
￥47.55

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型号：IKQ75N120CS7XKSA1 编号：C20191015

封装：TO-247-3