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特性:针对低传导损耗进行优化。 方形反向偏置安全工作区(RBSOA)。 国际标准封装。 高功率密度。 低栅极驱动要求。应用:功率逆变器。 不间断电源(UPS)
  • 1+

    ¥25.1
  • 10+

    ¥21.48
  • 50+

    ¥19.33
  • 有货
  • 采用新型场截止 IGBT 技术,新一代场截止第四代 IGBT 为太阳能逆变器、UPS、焊机、电信、ESS 和 PFC 应用提供了最佳性能,这些应用中低导通和开关损耗至关重要。
    数据手册
    • 1+

      ¥20.56
    • 10+

      ¥20.08
    • 30+

      ¥19.76
  • 有货
  • 特性:VCE = 1400V。IC = 40A。强大的单片体二极管,正向电压低,专为软换流设计。参数分布非常紧密。高耐用性,温度稳定性好。极低的VCEsat。应用:电磁炉。微波炉
    • 1+

      ¥21.71
    • 10+

      ¥21.24
    • 30+

      ¥20.92
  • 有货
  • 特性:TRENCHSTOP™技术提供极低的集电极-发射极饱和电压(VCEsat)。 低电磁干扰(EMI)。 非常软、快速恢复的反并联二极管。 最高结温175℃。 符合JEDEC标准,适用于目标应用。 无铅引脚镀层;符合RoHS标准。应用:不间断电源。 焊接转换器
    数据手册
    • 单价:

      ¥22.53 / 个
  • 有货
  • 特性:低集电极-发射极饱和电压。 低开关损耗。 短路耐受时间5μs。 内置超快软恢复FRD(RFN-系列)。 无铅镀覆;符合RoHS标准。应用:通用逆变器。 UPS
    • 1+

      ¥22.74
    • 10+

      ¥22.16
    • 30+

      ¥21.77
  • 有货
  • 特性:高速H5技术,在硬开关和谐振拓扑中具有一流的效率。 650V击穿电压。 低栅极电荷Qg。 IGBT与全额定电流RAPID 1快速反并联二极管共封装。 最高结温175°C。 无铅镀铅,符合RoHS标准。应用:能源发电-太阳能串式逆变器-太阳能微型逆变器。 工业电源-工业开关电源-工业不间断电源
    • 1+

      ¥23.37
    • 10+

      ¥22.79
    • 30+

      ¥22.41
  • 有货
    • 1+

      ¥26.78
    • 10+

      ¥26.09
    • 30+

      ¥25.64
  • 有货
  • 特性:TRENCHSTOP™ 技术。 极低的关断能量。 低集电极-发射极饱和电压(VcEsat)。 低 FMI。 最高结温 175℃。 符合 JEDEC 目标应用标准。应用:不间断电源。 焊接转换器
    数据手册
    • 1+

      ¥27.32
    • 10+

      ¥23.66
    • 50+

      ¥21.49
  • 有货
  • 特性:TRENCHSTOP Reverse Conducting (RC) 技术,适用于 600V 应用。优化 Eon、Eoff 和 Qrr,实现低开关损耗。工作范围为 4 至 30kHz。平滑开关性能,低 EMI 水平。非常紧密的参数分布。最大结温 175℃。应用:家用和工业驱动器。压缩机
    数据手册
    • 1+

      ¥28.18
    • 10+

      ¥24.25
    • 30+

      ¥21.91
  • 有货
  • 特性:6.5 代。 RC-IGBT 由一个在 IGBT 芯片中单片集成的续流二极管 (FWD) 组成。 增强模式。 高速开关。 -IGBT:tf = 0.05 μs(典型值)(IC = 50A)。 -FWD:trr = 0.35 μs(典型值)(IF = 15A)。应用:电流谐振逆变器开关应用
    • 1+

      ¥28.45
    • 10+

      ¥27.83
    • 25+

      ¥27.42
  • 有货
    • 1+

      ¥28.8
    • 10+

      ¥28.15
    • 30+

      ¥27.71
  • 有货
    • 1+

      ¥29.5
    • 10+

      ¥28.85
    • 30+

      ¥28.42
  • 有货
  • 特性:低集电极-发射极饱和电压。 高速开关。 低开关损耗和软开关。 内置超快软恢复 FRD。 无铅镀铅;符合 RoHS 标准。应用:PFC。 UPS
    • 1+

      ¥30.68
    • 10+

      ¥29.9
    • 30+

      ¥29.38
  • 有货
  • 特性:TRENCHSTOP技术提供极低的VCEsat。 低EMI。 非常软、快速恢复的反并联二极管。 最高结温175℃。 针对目标应用通过JEDEC认证。 无铅引脚镀层;符合RoHS标准。应用:不间断电源。 焊接转换器
    • 1+

      ¥30.99
    • 10+

      ¥30.21
    • 30+

      ¥29.7
  • 有货
  • 特性:高速F5技术。 在硬开关和谐振拓扑中具有一流的效率。 650V击穿电压。 低栅极电荷QG。 最高结温175℃。 经过动态应力测试。应用:非车载充电器。 车载充电器
    • 1+

      ¥31.27
    • 30+

      ¥29.63
  • 有货
  • 特性:VCE = 650 V。 IC = 30 A。 引脚到引脚爬电距离 > 4.8 mm。 引脚到引脚电气间隙距离 > 3.4 mm。 为PFC和焊接应用优化的单片二极管。 稳定的温度特性。应用:PFC。 焊接
    • 单价:

      ¥31.27 / 个
  • 有货
  • 高速DuoPack:采用沟槽和场截止技术的IGBT,具有软恢复、快速恢复的反并联二极管
    数据手册
    • 1+

      ¥33.54
    • 10+

      ¥29.47
    • 30+

      ¥25.22
  • 有货
  • 特性:低集电极-发射极饱和电压。 短路耐受时间8μs。 符合AEC-Q101标准。 无铅镀铅;符合RoHS标准。应用:汽车加热器
    • 1+

      ¥34.11
    • 10+

      ¥33.25
    • 30+

      ¥32.68
  • 有货
  • 特性:低集电极-发射极饱和电压。 高速开关和低开关损耗。 短路耐受时间2μs。 内置超快速软恢复FRD。 无铅镀铅;符合RoHS标准。应用:太阳能逆变器。 UPS
    • 1+

      ¥35.83
    • 10+

      ¥34.94
    • 30+

      ¥34.35
  • 有货
  • 特性:强大的单片反向导通二极管,正向电压低。 TRENCHSTOP™技术提供: 非常紧密的参数分布。 高耐用性和稳定的温度特性。 极低的VCEsat和低Eoff。 由于VCEsat的正温度系数,易于并联开关。 低电磁干扰。应用:感应烹饪。 逆变微波炉
    • 1+

      ¥35.95
    • 30+

      ¥34.27
  • 有货
  • 使用新型场截止第7代IGBT技术和Gen7二极管,采用TO247-3引脚封装,可在太阳能、UPS和ESS等各种应用中实现高效运行,具有低开关和传导损耗的最佳性能。
    数据手册
    • 1+

      ¥38.5
    • 10+

      ¥33.1
    • 30+

      ¥29.8
  • 有货
  • 特性:强大的单片反向导通二极管,正向电压低。 TRENCHSTOP™ 技术提供: -非常紧密的参数分布。 -高耐用性和稳定的温度特性。 -非常低的 VCEsat 和低 Eoff。 -由于 VCEsat 的正温度系数,具有易于并联开关的能力。 低电磁干扰。应用:感应烹饪。 逆变式微波炉
    • 1+

      ¥38.88
    • 10+

      ¥33.73
    • 30+

      ¥30.59
  • 有货
  • 本产品为IGBT管/模块,具备60A的集电极电流(Ic)和650V的集射极击穿电压(Vces),适合高功率场景下的稳定工作。在导通状态下,集射极饱和电压(VCE(sat))仅为1.65V,有助于降低导通损耗。内置二极管可支持高达50A的正向电流(IF),其正向压降(Vf)也为1.65V,提升了整体能效表现。该器件适用于需要高频开关与高效能转换的电力电子系统设计,能够满足复杂电路中对可靠性和性能的要求。
    • 1+

      ¥39.08
    • 10+

      ¥33.78
    • 30+

      ¥30.54
    • 90+

      ¥27.83
  • 订货
  • 特性:VCE = 1200 V。 IC = 40 A。 IGBT 与全电流、软恢复和低 Qrr 二极管共封装。 低饱和电压 VCEsat = 2.0 V(TVj = 175℃ 时)。 针对硬开关拓扑进行优化(2-L 逆变器、3-L NPC T 型等)。 短路耐受时间为 8 μs。应用:工业驱动器。 工业电源
    • 1+

      ¥42.65
    • 10+

      ¥41.6
    • 30+

      ¥40.89
  • 有货
  • 特性:TRENCHSTOP™技术提供极低的VCEsat。低电磁干扰(EMI)。最高结温175°C。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。无铅引脚镀层,无卤模塑料,符合RoHS标准。应用:不间断电源。焊接转换器
    • 1+

      ¥43.11
    • 10+

      ¥42.19
    • 30+

      ¥41.58
  • 有货
  • 低损耗DuoPack封装:采用TrenchStop和Fieldstop技术的IGBT,搭配软恢复、快速恢复的反并联发射极控制HE二极管。约1
    数据手册
    • 1+

      ¥43.9
    • 10+

      ¥38.09
    • 30+

      ¥34.54
  • 有货
    • 1+

      ¥55.63
    • 10+

      ¥54.42
    • 30+

      ¥53.61
  • 有货
    • 1+

      ¥64.26
    • 10+

      ¥56.04
    • 30+

      ¥51.02
  • 有货
  • 这款绝缘栅双极型晶体管(IGBT)采用坚固且经济高效的沟槽结构,在严苛的开关应用中具备卓越性能,兼具低导通压降和极小的开关损耗。
    数据手册
    • 1+

      ¥64.37
    • 10+

      ¥62.39
  • 有货
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