igbt模块_厂家_价格_品牌_库存

型号：IXGP36N60A3 编号：C7431485

封装：TO-220-3

品牌：Littelfuse/IXYS

特性：针对低传导损耗进行优化。方形反向偏置安全工作区（RBSOA）。国际标准封装。高功率密度。低栅极驱动要求。应用：功率逆变器。不间断电源（UPS）

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￥27.26
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￥23.64
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￥21.49

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型号：JNG50T120QMU2 编号：C51484275

封装：TO-247-3LPlus

品牌：JIAENSEMI(佳恩半导体)

JIAEN沟槽IGBT为UPS、电机驱动、PFC、移动电源站和其他软开关应用等提供更低的损耗和更高的能源效率。

1+
￥16.23
10+
￥13.82
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￥12.32

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型号：STGH30H65DFB-2AG 编号：C5268567

封装：H2PAK-2

品牌：ST(意法半导体)

汽车级600 V、30 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT

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￥16.34
10+
￥15.92
30+
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型号：STGWT30HP65FB 编号：C2917578

封装：TO-3P

品牌：ST(意法半导体)

650 V、30 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT

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￥17.58
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￥15.03
30+
￥13.43

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型号：STGWA20H65DFB2 编号：C3193678

封装：TO-247-3

品牌：ST(意法半导体)

采用 TO-247 长引线封装的沟槽栅极场截止 650 V、20 A 高速 HB2 系列 IGBT

数据手册

1+
￥18.62
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￥18.23
30+
￥16.23

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型号：STGF20H60DF 编号：C2971449

封装：TO-220FP

品牌：ST(意法半导体)

600 V、20 A高速沟槽栅场截止IGBT

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1+
￥19.44
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￥16.61
50+
￥14.84

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型号：STGF10M65DF2 编号：C472634

封装：TO-220FP

品牌：ST(意法半导体)

沟槽栅场截止IGBT，M系列，650 V、10 A，低损耗

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1+
￥19.65
10+
￥19.23
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￥18.94

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型号：FGHL50T65MQD 编号：C898202

封装：TO-247-3L

品牌：onsemi(安森美)

特性：最大结温:TJ = 175°C。正温度系数,便于并联操作。高电流能力。低饱和电压:VCE(sat) = 1.45V(典型值) @ IC = 50A。100%的部件经过ILM测试。平滑且优化的开关性能。应用：太阳能逆变器。UPS

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￥19.93
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型号：MSG80T65HHC0 编号：C7424069

封装：TO-247

品牌：MASPOWER(麦思浦)

特性：低栅极电荷。 FS技术。饱和电压：VCE(sat)，典型值 = 1.45V。应用：通用逆变器。感应加热（IH）

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￥20
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￥16.92
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￥15.09
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型号：STGWA8M120DF3 编号：C5268600

封装：TO-247

品牌：ST(意法半导体)

1200 V、8 A沟槽栅场截止低损耗M系列IGBT

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￥20.38
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￥19.86
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型号：IKWH70N67PR7XKSA1 编号：C42433310

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

TRENCHSTOP IGBT 7 PR7 反向导通 IGBT，用于升压 PFC 级，具备改善的 EMI 特性，可为高功率和高开关频率应用提供同类最佳性能。

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￥20.73
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￥20.22
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型号：IGW50N60H3 编号：C536104

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：TRENCHSTOP™技术提供极低的集电极-发射极饱和电压（VCEsat）。低电磁干扰（EMI）。非常软、快速恢复的反并联二极管。最高结温175℃。符合JEDEC标准，适用于目标应用。无铅引脚镀层；符合RoHS标准。应用：不间断电源。焊接转换器

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单价：
￥21.12 / 个

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型号：IHW40N65R5 编号：C536131

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：强大的单片反向导通二极管，正向电压低。 TRENCHSTOP™技术提供: 非常紧密的参数分布。高耐用性和稳定的温度特性。极低的VCEsat和低Eoff。由于VCEsat的正温度系数，易于并联开关。低电磁干扰。应用：感应烹饪。逆变微波炉

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1+
￥21.2
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￥18.02
30+
￥16.13

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型号：MSG80N60FQC 编号：C7424057

封装：TO-247

品牌：MASPOWER(麦思浦)

特性：低栅极电荷。沟槽截止技术。高速开关。饱和电压：VCE(sat), typ = 1.5V。应用：通用逆变器。感应加热(IH)

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￥21.71
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￥18.05
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￥15.87
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￥13.67

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型号：FGHL50T65SQ 编号：C605145

封装：TO-247-3

品牌：onsemi(安森美)

采用新型场截止第 4 代 IGBT 技术。FGHL50T65SQ 是单 IGBT。此 IGBT 在各种应用中以低导通损耗和开关损耗提供最佳性能。

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￥22.22
10+
￥21.71
30+
￥21.37

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型号：STGHU30M65DF2AG 编号：C41602668

封装：HU3PAK

品牌：ST(意法半导体)

1+
￥22.41
10+
￥21.92
30+
￥21.59

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型号：IKB30N65EH5ATMA1 编号：C42434071

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：高速H5技术，在硬开关和谐振拓扑中具有一流的效率。 650V击穿电压。低栅极电荷Qg。 IGBT与全额定电流RAPID 1快速反并联二极管共封装。最高结温175°C。无铅镀铅，符合RoHS标准。应用：能源发电-太阳能串式逆变器-太阳能微型逆变器。工业电源-工业开关电源-工业不间断电源

1+
￥22.57
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￥21.99
30+
￥21.61

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型号：IKW20N65ET7XKSA1 编号：C3191677

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

封装引脚定义：引脚 C 及背面集电极

1+
￥22.91
10+
￥19.47
30+
￥17.43

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型号：STGB15H60DF 编号：C2970786

封装：D2PAK

品牌：ST(意法半导体)

600 V、15 A高速沟槽栅场截止H系列IGBT

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￥24.23
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￥20.9
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￥18.92

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型号：IGW75N60T 编号：C536111

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

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￥25.01
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￥24.38
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￥23.97

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型号：ISL9V5045S3ST-F085 编号：C898703

封装：TO-263AB

品牌：onsemi(安森美)

ISL9V5045S3ST_F085 是下一代 IGBT，提供卓越的 SCIS 能力，采用 D2-Pak (TO-263) 塑料封装。此器件适用于汽车点火电路，尤其适合用作线圈驱动器。内部二极管提供了电压箝位，而无需外部组件。EcoSPARK 器件可针对具体的箝位电压进行定制。有关更多信息，请联系当地安森美半导体销售办公室。

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