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Trench FS IGBTs 为通用逆变器和其他软开关应用提供更低的损耗和更高的能源效率,如电机驱动、交流和直流伺服驱动放大器、电源。
  • 1+

    ¥266.68
  • 24+

    ¥254.09
  • 有货
  • 特性:低 VcEsat。 Trenchstop™ IGBT7。 高达 175℃ 的过载运行。 2.5 kV 交流 1 分钟绝缘。 Al₂O₃ 低热阻基板。 高功率密度。应用:辅助逆变器。 空调
    数据手册
    • 1+

      ¥315.6
    • 24+

      ¥301.08
  • 有货
  • 特性:电气特性: -VCES = 1200V。ICnom = 100A / ICRM = 200A。低 VCESat。 可在高达 175℃ 下进行过载操作。 采用 TRENCHSTOP IGBT7。 机械特性: -具有低热阻的 Al₂O₃ 基板。应用:伺服驱动器。 辅助逆变器
    • 1+

      ¥318.59
    • 30+

      ¥302.4
  • 有货
  • 特性:平面IGBT技术。 低饱和电压。 10μs短路电流。 低关断损耗。 正温度系数。 具有快速软反向恢复的续流二极管。应用:焊机/电源。 UPS/逆变器
    • 1+

      ¥319.6
    • 10+

      ¥269.64
  • 有货
  • IGBT功率模块具备极低的导通损耗和出色的短路耐受能力。它们专为通用逆变器和不间断电源(UPS)等应用而设计。
    • 1+

      ¥375.76
    • 24+

      ¥356.87
  • 有货
  • 特性:针对低导通和开关损耗进行优化。 具备短路能力。 具备高电流处理能力。 高功率密度。 低栅极驱动要求。应用:功率逆变器。 不间断电源(UPS)
    • 1+

      ¥674.01
    • 30+

      ¥642.43
  • 有货
  • Trench IGBTs 为电机控制、通用逆变器和其他软开关应用等提供更低的损耗和更高的能源效率。
    • 1+

      ¥1.95
    • 10+

      ¥1.91
    • 50+

      ¥1.88
  • 有货
  • JIAEN沟槽式IGBT为电机控制、通用逆变器和其他软开关应用等提供更低的损耗和更高的能源效率。
    • 1+

      ¥3.67
    • 10+

      ¥2.98
    • 30+

      ¥2.63
    • 100+

      ¥2.29
  • 有货
    • 1+

      ¥4.11
    • 10+

      ¥4.01
    • 30+

      ¥3.95
  • 有货
  • IGBT 带有集成二极管,其封装具有节省空间的优势。适用于高达 30kHz 的硬开关应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.9
    • 10+

      ¥4.79
    • 30+

      ¥4.71
  • 有货
  • 600 V、5 A高速沟槽栅场截止H系列IGBT
    数据手册
    • 1+

      ¥5.86
    • 10+

      ¥5.71
    • 50+

      ¥5.61
  • 有货
  • 特性:非常紧密的参数分布。 工作范围高达20kHz。 最大结温175℃。 3μs的短路能力。 防潮设计。 无铅镀铅;符合RoHS标准。应用:主要家用电器。 空调
    • 1+

      ¥5.98
    • 10+

      ¥4.78
    • 30+

      ¥4.18
  • 有货
  • 采用基于专利条形布局的最新高压技术,PowerMESH IGBT 是先进的 IGBT 系列,具有卓越的性能。后缀 “H” 表示该系列针对高频应用进行了优化,在保持低电压降的同时,实现了非常高的开关性能(缩短了下降时间 tfall)。
    数据手册
    • 1+

      ¥6.11
    • 10+

      ¥5.97
    • 30+

      ¥5.88
  • 有货
  • 600 V、5 A高速沟槽栅场截止H系列IGBT
    • 1+

      ¥6.71
    • 10+

      ¥6.55
    • 50+

      ¥6.44
  • 有货
  • 采用沟槽和场截止技术的高速 IGBT,600V 高速开关系列第三代产品
    数据手册
    • 1+

      ¥6.94
    • 10+

      ¥6.76
    • 30+

      ¥6.64
  • 有货
  • 这些器件是采用先进的PowerMESH™技术开发的高速IGBT。该工艺确保了开关性能和低导通状态特性之间的出色平衡
    数据手册
    • 1+

      ¥7.6
    • 10+

      ¥7.41
    • 30+

      ¥7.28
  • 有货
  • 这款绝缘栅双极型晶体管(IGBT)采用先进的Power MESH™工艺,在低频工作条件(高达1 kHz)下具有极低的导通压降。
    数据手册
    • 1+

      ¥9.74
    • 10+

      ¥8.03
    • 50+

      ¥7.09
  • 有货
  • 汽车级450 V内部钳制IGBT ESCIS 300 mJ
    数据手册
    • 1+

      ¥10.72
    • 10+

      ¥10.48
    • 30+

      ¥10.31
  • 有货
    • 1+

      ¥6.63
    • 50+

      ¥6.12
    • 100+

      ¥5.865
    • 500+

      ¥5.712
    • 1000+

      ¥5.61
    采用基于专利条形布局的最新高压技术,推出了性能卓越的先进 IGBT 系列——PowerMESH™ IGBT。后缀 “S” 表示该系列针对低频应用(< 1 kHz)进行了优化,可实现最小导通压降。
    • 1+

      ¥11.21
    • 10+

      ¥10.97
    • 30+

      ¥10.81
  • 有货
  • 基于新的先进平面技术概念,可生产出一种绝缘栅双极晶体管(IGBT),该晶体管在不同温度下具有更稳定的开关性能(关断能量 Eoff),同时具有较低的传导损耗。
    • 1+

      ¥11.72
    • 10+

      ¥10.02
    • 30+

      ¥8.95
  • 有货
  • 400V N-channel ignition IGBT for automotive ignition coil driver circuits and coil on plug applications.
    数据手册
    • 1+

      ¥11.95
    • 10+

      ¥10.14
    • 50+

      ¥9.01
  • 有货
  • 特性:低栅极电荷。 沟槽FS技术。 饱和电压:VCE(sat),典型值 = 1.6V @ IC = 50A 和 TC = 25℃。应用:通用逆变器。 UPS
    • 1+

      ¥12.82
    • 10+

      ¥10.53
    • 30+

      ¥9.09
    • 90+

      ¥7.62
  • 有货
  • 特性:TRENCHSTOP技术。 极低的集电极-发射极饱和电压(VCEsat)。 低电磁干扰(EMI)。 非常软、快速恢复的反并联二极管。 最高结温175℃。 通过JEDEC认证,适用于目标应用。应用:不间断电源。 焊接转换器
    数据手册
    • 1+

      ¥13.23
    • 10+

      ¥12.91
    • 30+

      ¥12.05
  • 有货
  • 采用新型场截止绝缘栅双极型晶体管(IGBT)技术,仙童半导体(Fairchild)全新的第三代场截止 IGBT 系列产品,可为浪涌电流限制、照明和家电应用提供最佳性能。
    数据手册
    • 1+

      ¥13.9
    • 10+

      ¥11.78
    • 30+

      ¥10.45
  • 有货
  • 这些器件是超快绝缘栅双极型晶体管(IGBT)。它们采用了先进的Power MESH™工艺,从而在开关性能和低导通状态特性之间实现了出色的平衡。
    数据手册
    • 1+

      ¥14.14
    • 10+

      ¥12.05
    • 30+

      ¥10.74
  • 有货
    • 1+

      ¥15.88
    • 10+

      ¥13.59
    • 30+

      ¥11.32
  • 有货
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