igbt模块_厂家_价格_品牌_库存

型号：IXBH2N250 编号：C499433

封装：TO-247-3

品牌：Littelfuse/IXYS

1+
￥92.61
10+
￥88.26
30+
￥80.72

有货

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型号：IKZA75N65EH7XKSA1 编号：C20191538

封装：TO-247-4

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 650 V。 IC = 75 A。低开关损耗。极低的集电极-发射极饱和电压VCEsat。非常软、快速恢复的反并联二极管。平滑的开关特性。应用：工业UPS。电动汽车充电

1+
￥42.05
10+
￥40.98
30+
￥40.27

有货

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型号：IM241L6S1BAUMA1 编号：C17390972

封装：SOP-23

品牌：Infineon(英飞凌)

1+
￥43.71
10+
￥42.76
30+
￥42.12

有货

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型号：IKZA50N65RH5XKSA1 编号：C3191750

封装：TO-247-4

品牌：Infineon(英飞凌)

1+
￥43.95
10+
￥42.94
30+
￥42.27

有货

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型号：STGFW40V60DF 编号：C2971103

封装：TO-3PFM

品牌：ST(意法半导体)

600 V、40 A超高速沟槽栅场截止V系列IGBT

数据手册

1+
￥47.4
10+
￥46.37
30+
￥45.68

有货

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型号：STGIPNS4C60T-H 编号：C47122166

封装：NSDIP-26L

品牌：ST(意法半导体)

1+
￥48.34
10+
￥47.28
30+
￥46.58

有货

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型号：STGWT30H60DFB 编号：C2971010

封装：TO-3P

品牌：ST(意法半导体)

600 V、30 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT

数据手册

1+
￥48.64
10+
￥42.2
30+
￥38.27

有货

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型号：STGW40H65FB 编号：C5268578

封装：TO-247

品牌：ST(意法半导体)

650 V、40 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT

1+
￥50.12
10+
￥43.48
25+
￥39.44

有货

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型号：IKW40N65F5F 编号：C3171406

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：高速F5技术，在硬开关和谐振拓扑中具有一流的效率。650V击穿电压。低Qg。IGBT与RAPID 1快速软反并联二极管共封装。最高结温175℃。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。应用：太阳能转换器。不间断电源

1+
￥50.16
10+
￥42.79
30+
￥38.29

有货

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型号：STGW60H65DFB-4 编号：C5268577

封装：TO-247-4

品牌：ST(意法半导体)

650 V、60 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT

1+
￥50.23
10+
￥49.12
30+
￥43.39

有货

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型号：STGYA50H120DF2 编号：C5268594

封装：TO-247

品牌：ST(意法半导体)

1200 V、50 A高速沟槽栅场截止HB2系列IGBT，Max247长引线封装

1+
￥52.27
10+
￥45.35
30+
￥41.13

有货

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型号：IKW50N120CS7XKSA1 编号：C3191676

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 1200 V。IC = 50 A。IGBT 与全电流、软恢复且低 Qrr 的二极管共封装。低饱和电压：在 Tvj = 175°C 时，VCE(sat) = 2.0 V。针对硬开关拓扑（2-L 逆变器、3-L NPC T 型等）进行了优化。短路耐受时间为 8 μs。应用：工业驱动器。工业电源

1+
￥56.74
10+
￥49.3
30+
￥44.77

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型号：AFGHL75T65SQDT 编号：C603145

封装：TO-247-3L

品牌：onsemi(安森美)

AFGHL75T65SQDT采用新型场截止第四代IGBT技术和隐形二极管技术，具备低导通损耗和低开关损耗的特性，可实现最优性能，适用于各类应用的高效运行，尤其适用于图腾柱无桥PFC和DC-DC模块。

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1+
￥59.08
10+
￥57.8
30+
￥56.95

有货

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型号：FGY120T65SPD 编号：C47150937

封装：TO-247-3LD

品牌：onsemi(安森美)

1+
￥60.83
10+
￥59.5
40+
￥58.61

有货

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型号：STGWA15H120DF2 编号：C2970412

封装：TO-247

品牌：ST(意法半导体)

1200 V、15 A高速沟槽栅场截止H系列IGBT

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1+
￥60.9
10+
￥52.84
30+
￥47.92

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型号：IKY50N120CH3 编号：C536224

封装：TO-247-4

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：高速H3技术提供:由于采用开尔文发射极引脚封装结合高速H3技术，具有超低开关损耗。在硬开关和谐振拓扑中具有高效率。在Tvj = 175℃时，具有10μs的短路耐受时间。由于VCE(sat)具有正温度系数，易于并联。低电磁干扰。低栅极电荷QG。应用：工业不间断电源。充电器

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1+
￥70.41
10+
￥60.03
30+
￥53.7

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型号：IKFW90N60EH3 编号：C536184

封装：TO-247-3-AI

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：低VCE(sat)。短路耐受时间：在Tvj = 175℃时为5μs。 VCE(sat)具有正温度系数。低EMI。非常软、快速恢复的反并联二极管。最高结温：175℃。应用：通用驱动器（GPD）。伺服驱动器

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1+
￥70.84
10+
￥68.63

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型号：IKZA75N65SS5XKSA1 编号：C3191748

封装：TO-247-4

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 650 V-IC = 75 A。由于TRENCHSTOP™ 5和CoolSiC™技术的结合以及开尔文发射极引脚，具有超低开关损耗。极低的导通损耗。在硬开关拓扑中具有基准效率。可即插即用替代纯硅器件。由于四引脚封装的优化引脚布局，简化了PCB设计。应用：工业开关电源。工业不间断电源

1+
￥75.03
10+
￥72.69

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型号：SGM50HF12A1TFDT4 编号：C2897644

封装：-

品牌：SILAN(士兰微)

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1+
￥80.34
10+
￥77.9
30+
￥76.99

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型号：AIKW75N60CT 编号：C533181

封装：TO-247-3-41

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：符合汽车AEC-Q101标准。专为汽车应用的DC/AC转换器设计。极低的集电极-发射极饱和电压VCE(sat)：1.5V（典型值）。最高结温175℃。经过动态应力测试。短路耐受时间5μs。应用：主逆变器。气候压缩机

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1+
￥84.17
10+
￥81.55

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型号：IKZ75N65EL5 编号：C536230

封装：TO-247-4

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：低VCE(sat) L5技术。极低的集电极-发射极饱和电压VCEsat。导通和开关损耗之间的同类最佳权衡。 650V击穿电压。低栅极电荷QG。最高结温175℃。应用：不间断电源。太阳能光伏逆变器

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1+
￥85.16
10+
￥82.51

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型号：AFGY160T65SPD-B4 编号：C906605

封装：TO-247-3

品牌：onsemi(安森美)

特性：AEC-Q101认证且具备生产件批准程序（PPAP）能力。极低饱和电压：VCE(sat) = 1.6V（典型值），IC = 160A。最高结温：TJ = 175°C。正温度系数。紧密的参数分布。高输入阻抗。应用：混合动力汽车/电动汽车牵引逆变器。辅助直流/交流转换器

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1+
￥89.77
10+
￥85.59
30+
￥78.35

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型号：APT43GA90BD30 编号：C3193673

封装：TO-247-3

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是一种高速穿通开关模式 IGBT。通过领先的技术、硅设计和寿命控制工艺实现低 Eoff。与其他 IGBT 技术相比，降低 Eoff 和 VCE(ON) 的折衷结果带来了卓越的效率。低栅极电荷和大大降低的 Cres/Cles 比率提供了出色的抗噪性、短延迟时间和简单的栅极驱动。多晶硅栅极结构的本征芯片栅极电阻和电容有助于在开关期间控制 di/dt，即使在高频开关时也能实现低 EMI。

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