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1200 V、8 A沟槽栅场截止低损耗M系列IGBT

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型号：IGW15N120H3 编号：C536090

封装：TO-247-3

特性：TRENCHSTOP™技术。极低的关断能量。低集电极-发射极饱和电压（VcEsat）。低FMI。最高结温175℃。符合JEDEC标准，适用于目标应用。应用：不间断电源。焊接转换器

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型号：MSG80N60FQC 编号：C7424057

封装：TO-247

品牌：MASPOWER(麦思浦)

特性：低栅极电荷。沟槽截止技术。高速开关。饱和电压：VCE(sat), typ = 1.5V。应用：通用逆变器。感应加热(IH)

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型号：FGHL50T65SQ 编号：C605145

封装：TO-247-3

采用新型场截止第 4 代 IGBT 技术。FGHL50T65SQ 是单 IGBT。此 IGBT 在各种应用中以低导通损耗和开关损耗提供最佳性能。

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￥22.22
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型号：IXYP20N65C3D1 编号：C17428856

封装：TO-220-3

品牌：Littelfuse/IXYS

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型号：STGWT20H65FB 编号：C5268586

封装：TO-3P

650 V、20 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT

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￥22.56
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型号：IGW75N60T 编号：C536111

封装：TO-247-3

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型号：STGB30H60DLLFBAG 编号：C5268569

封装：D2PAK

汽车级600 V、30 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT

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型号：ISL9V5045S3ST-F085 编号：C898703

封装：TO-263AB

ISL9V5045S3ST_F085 是下一代 IGBT，提供卓越的 SCIS 能力，采用 D2-Pak (TO-263) 塑料封装。此器件适用于汽车点火电路，尤其适合用作线圈驱动器。内部二极管提供了电压箝位，而无需外部组件。EcoSPARK 器件可针对具体的箝位电压进行定制。有关更多信息，请联系当地安森美半导体销售办公室。

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型号：FGH40T65SQD-F155 编号：C605142

封装：TO-247-3LD

采用新型场截止 IGBT 技术，安森美半导体（ON Semiconductor）的新一代场截止第四代 IGBT 系列，为太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、焊机、电信、储能系统（ESS）和功率因数校正（PFC）等应用提供了最佳性能，这些应用对低导通和开关损耗有严格要求。

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￥22.07
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型号：STL165N10F8AG 编号：C25204269

封装：PowerFLAT5x6

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￥26.04
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￥25.47
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￥25.09

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型号：FGB3040G2-F085C 编号：C898620

封装：D2PAK

N 沟道点火 IGBT，用于汽车点火线圈驱动器电路和插头应用上的线圈。

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￥26.22
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￥25.62
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￥25.22

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型号：FGD3040G2-F085C 编号：C903654

封装：DPAK

N 沟道点火 IGBT，用于汽车点火线圈驱动器电路和插头应用上的线圈。

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￥26.23
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￥22.57
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￥20.39

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型号：IGW50N65H5 编号：C536108

封装：TO-247-3

特性：高速H5技术，在硬开关和谐振拓扑中提供一流的效率。可即插即用替换上一代IGBT。650V击穿电压。低QG。最高结温175℃。符合JEDEC标准，适用于目标应用。应用：不间断电源。太阳能转换器

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￥26.8
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￥22.78
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型号：FGB40T65SPD-F085 编号：C898625

封装：D2PAK-3

FGH40T65SPD_F085 使用新颖的第三代场截止 IGBT 技术，具有低导通损耗和开关损耗的最佳性能，可在各种应用中实现高效能运行，同时提供 50V 的更高阻断电压和稳固的高电流开关可靠性。同时，该零件还具有并行运行的出色性能优势。

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￥27.41
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￥26.82
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￥26.42

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型号：STGW25H120DF2 编号：C5268596

封装：TO-247

1200 V、25 A高速沟槽栅场截止H系列IGBT

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￥28.3
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￥27.65
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￥27.22

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型号：IKW75N65ET7XKSA1 编号：C17307379

封装：TO-247-3

特性：VCE = 650V。 IC = 75A。极低的 VCE,sat。低关断损耗。短尾电流。降低电磁干扰 (EMI)。应用：伺服驱动器。通用驱动器 (GPD)

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￥28.72
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￥28
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￥27.52

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型号：IKW40N65ET7 编号：C5359097

封装：TO-247-3

1+
￥29.02
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￥24.62
30+
￥22.01

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型号：STGW20V60DF 编号：C5268554

封装：TO-247

600 V、20 A超高速沟槽栅场截止V系列IGBT

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￥29.92
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￥25.8
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￥23.36

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型号：STGP30V60DF 编号：C2971557

封装：TO-220

600 V、30 A超高速沟槽栅场截止V系列IGBT

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￥31.18
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￥23.81

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型号：STGB20N45LZAG 编号：C5268539

封装：D2PAK

汽车级450 V内部钳制IGBT ESCIS 300 mJ

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￥31.21
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￥24.37

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型号：STGWA50H65DFB2 编号：C5268565

封装：TO-247

采用 TO-247 长引线封装的沟槽栅极场截止、650 V、50 A 高速 HB2 系列 IGBT

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￥31.99
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型号：FGHL40T65MQDT 编号：C5209097

封装：TO-247-3LD

特性：最高结温：T₁ = 175℃。正温度系数，便于并联操作。高电流能力。低饱和电压：VCE(Sat) = 1.45V（典型值）@ IC = 40 A。所有部件均经过ILM测试。平滑优化的开关性能。应用：太阳能逆变器。 UPS

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￥33.75
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￥26.04

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型号：RGS00TS65DHRC11 编号：C3193881

封装：TO-247N

品牌：ROHM(罗姆)

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￥37.18
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型号：IKZ75N65ES5 编号：C536231

封装：TO-247-4