igbt模块_厂家_价格_品牌_库存

型号：MSG50T120QLB3 编号：C50726515

封装：TO-264

品牌：MASPOWER(麦思浦)

1200V 50A IGBT

1+
￥22.89
10+
￥19.51
30+
￥17.5

有货

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型号：STGP19NC60HD 编号：C262943

封装：TO-220

品牌：ST(意法半导体)

这些器件是超快绝缘栅双极型晶体管（IGBT）。它们采用了先进的Power MESH™工艺，从而在开关性能和低导通状态特性之间实现了出色的平衡。

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1+
￥27.86
10+
￥24.03
30+
￥21.76

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型号：IKFW50N60DH3E 编号：C536178

封装：HSIP-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

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1+
￥28.8
10+
￥28.15
30+
￥27.71

有货

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型号：STGW20NC60V 编号：C17513074

封装：TO-247

品牌：ST(意法半导体)

该IGBT采用先进的PowerMESH™工艺，在开关性能和低导通状态特性之间实现了出色的平衡。

1+
￥29.66
10+
￥25.26
30+
￥22.65

有货

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型号：STGW20V60DF 编号：C5268554

封装：TO-247

品牌：ST(意法半导体)

600 V、20 A超高速沟槽栅场截止V系列IGBT

1+
￥29.92
10+
￥25.8
30+
￥23.36

有货

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型号：STGWA15M120DF3 编号：C2919729

封装：TO-247

品牌：ST(意法半导体)

1200 V、15 A沟槽栅场截止低损耗M系列IGBT

数据手册

1+
￥30.45
10+
￥26.26
30+
￥23.78

有货

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型号：STGW80V60DF 编号：C2985036

封装：TO-247

品牌：ST(意法半导体)

600 V、80 A超高速沟槽栅场截止V系列IGBT

数据手册

1+
￥31.99
10+
￥27.37
30+
￥24.56

有货

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型号：IKW08N120CS7XKSA1 编号：C3191651

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 1200 V-IC = 8 A-IGBT 与全电流、软恢复和低 Qrr 二极管共封装。低饱和电压 VCE(sat) = 2.0 V（Tvj = 175℃ 时）。针对硬开关拓扑进行优化（2-L 逆变器、3-L NPC T 型等）。短路耐受时间 8 μs。宽范围的 dv/dt 可控性。应用：工业驱动器。工业电源

1+
￥32.86
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￥28.21
30+
￥24.16

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型号：IKW30N65EL5XKSA1 编号：C84439

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：低VCE(sat) L5技术。极低的集电极-发射极饱和电压VCEsat。导通和开关损耗之间的同类最佳权衡。 650V击穿电压。低栅极电荷QG。最高结温175℃。应用：不间断电源。太阳能光伏逆变器

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1+
￥33.11
10+
￥28.69
30+
￥25.72

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型号：FGHL40T65MQDT 编号：C5209097

封装：TO-247-3LD

品牌：onsemi(安森美)

特性：最高结温：T₁ = 175℃。正温度系数，便于并联操作。高电流能力。低饱和电压：VCE(Sat) = 1.45V（典型值）@ IC = 40 A。所有部件均经过ILM测试。平滑优化的开关性能。应用：太阳能逆变器。 UPS

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1+
￥33.75
10+
￥28.91
30+
￥26.04

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型号：IKZA40N65EH7XKSA1 编号：C20191534

封装：-

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 650 V。 IC = 40 A。低开关损耗。极低的集电极-发射极饱和电压 VCEsat。非常软、快速恢复的反并联二极管。平滑的开关特性。应用：工业不间断电源。电动汽车充电

1+
￥36.13
10+
￥30.85
30+
￥27.64

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型号：STGW30V60F 编号：C2970703

封装：TO-247

品牌：ST(意法半导体)

600 V、30 A超高速沟槽栅场截止V系列IGBT

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1+
￥37.05
10+
￥31.72
30+
￥28.55

有货

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型号：RGS30TSX2DGC11 编号：C3193883

封装：TO-247N

品牌：ROHM(罗姆)

1+
￥37.46
10+
￥36.52
30+
￥35.9

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型号：FGA30S120P 编号：C898157

封装：TO-3PN

品牌：onsemi(安森美)

飞兆半导体的短路阳极沟道 IGBT 系列采用先进的场截止沟道和短路阳极技术，为软开关应用提供卓越的导通和开关性能。该器件可并行配置，具有极佳的雪崩能力。该器件为感应加热和微波炉而设计。

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1+
￥38.41
10+
￥37.51
30+
￥36.9

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型号：STGP30H60DFB 编号：C5199073

封装：TO-220

品牌：ST(意法半导体)

600 V、30 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT

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1+
￥38.95
10+
￥33.59
30+
￥30.41

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型号：GWA40MS120DF4AG 编号：C23864667

封装：TO-247

品牌：ST(意法半导体)

该器件是一款采用先进的专有沟槽栅场截止结构开发的绝缘栅双极型晶体管（IGBT）。该器件属于MS系列IGBT，该系列是低损耗M系列的改进版本，凭借其在高母线电压值下出色的短路能力，特别为逆变器系统而设计。此外，其VCE(sat)温度系数略呈正特性，且参数分布极为紧密，这使得并联运行更加安全

1+
￥39.51
10+
￥38.58
30+
￥37.96

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型号：IKW50N120CH7XKSA1 编号：C20191519

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 1200 V。 IC = 50 A。最大结温 Tvjmax = 175°C。同类最佳的高速 IGBT，与全额定电流、低 Qrr 和软换向高速二极管共封装。低饱和电压 VCEsat = 1.7 V（Tvj = 25°C 时）。针对高速硬开关拓扑（2-L 逆变器、3-L NPC T 型等）的高效率进行了优化。应用：工业 UPS。电动汽车充电

1+
￥39.58
10+
￥38.59
30+
￥37.94

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型号：RGTVX6TS65DGC11 编号：C17694859

封装：TO-247N

品牌：ROHM(罗姆)

1+
￥41.4
10+
￥40.43
30+
￥39.78

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型号：STGWA25M120DF3 编号：C472602

封装：TO-247

品牌：ST(意法半导体)

1200 V、25 A沟槽栅场截止低损耗M系列IGBT

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1+
￥42.4
10+
￥36.79
30+
￥33.36

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型号：STGWA75H65DFB2 编号：C2971080

封装：TO-247

品牌：ST(意法半导体)

采用 TO-247 长引线封装的沟槽栅极场截止、650 V、75 A 高速 HB2 系列 IGBT

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1+
￥44.32
10+
￥43.64
30+
￥43.18

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型号：STGW40H65FB 编号：C5268578

封装：TO-247

品牌：ST(意法半导体)

650 V、40 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT

1+
￥50.12
10+
￥43.48
25+
￥39.44

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型号：MSG120T65HLB3 编号：C42445165

封装：TO-264

品牌：MASPOWER(麦思浦)

IGBT单管 650V 120A 大电流 TO-264

1+
￥51.57
10+
￥44.27
30+
￥39.82
100+
￥36.09

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型号：FGH75T65SQDNL4 编号：C462112

封装：TO-247-4L

品牌：onsemi(安森美)

此款隔离门极双极晶体管 (IGBT) 采用坚固耐用、经济高效的场截止 IV 沟槽结构，为要求苛刻的开关应用提供卓越性能，提供低导通状态电压，并最大限度降低开关损耗。另外，此新器件采用 TO?247?4L 封装，与标准 TO?247?3L 封装相比提供了明显的 Eon 损耗降低。此款 IGBT 非常适合 UPS 和太阳能应用。此器件集成了一个柔软、快速的组合封装续流二极管，采用低正向电压。

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