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IGBT 650V 30A TO-247

1+
￥9.58
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￥7.92
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￥7.01

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型号：STGD7NC60HT4 编号：C221505

封装：TO-252-2(DPAK)

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￥10.94
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￥10.69
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￥10.51

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型号：RGT50NL65DGTL 编号：C2688826

封装：TO-263L

品牌：ROHM(罗姆)

特性：低集电极-发射极饱和电压。低开关损耗。短路耐受时间5μs。内置超快速软恢复FRD（RFN-系列）。无铅镀铅；符合RoHS标准。应用：通用逆变器。 UPS

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￥11
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￥9.33
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￥8.29

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型号：IKA10N60TXKSA1 编号：C3191643

封装：TO-220-3-31

特性：极低的VCE(sat) 1.5V（典型值）。最高结温175℃。短路耐受时间5μs。适用于600V应用的TRENCHSTOP™和场截止技术提供: -非常紧密的参数分布。 -高耐用性，温度稳定性能。 -非常高的开关速度。应用：洗衣机。空调

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￥11.07
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￥10.79
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￥10.61

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型号：MSG50N350FH 编号：C7424049

封装：TO-247

特性：高电流能力。低饱和电压：VCE(sat) = 1.30 V @ IC = 50 A。高输入阻抗。符合RoHS标准。应用：PDP电视

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￥11.28
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￥8
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￥6.7

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型号：MSG25T120FQC 编号：C7424077

封装：TO-247

特性：低栅极电荷。 FS技术。饱和电压：VCE(sat)，典型值为1.75V，条件为IC = 25A且TC = 25℃。符合RoHS标准。应用：通用逆变器。感应加热（IH）

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￥11.94
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￥7.09

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型号：STGP10H60DF 编号：C5268547

封装：TO-220

600 V、10 A高速沟槽栅场截止H系列IGBT

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￥12.6
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￥9.38

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型号：SGF23N60UFTU 编号：C898055

封装：TO-3PF

品牌：onsemi(安森美)

UF系列IGBT提供低传导和开关损耗。该系列专为需要高速开关的通用逆变器等应用而设计。

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1+
￥12.97
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￥11.12
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型号：JNG30N120HS3 编号：C51484269

封装：TO-247

品牌：JIAENSEMI(佳恩半导体)

NPT IGBTs 为诸如 IH（感应加热）、UPS、通用逆变器和其他软开关应用等提供更低的损耗和更高的能源效率。

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￥12.99
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￥9.85
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型号：STGP4M65DF2 编号：C5268588

封装：TO-220

650 V、4 A沟槽栅场截止低损耗M系列IGBT

1+
￥13.81
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￥11.8
50+
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型号：AGW75N65 编号：C7494995

封装：TO-247

品牌：ANHI(安海)

特性：CoolWatt II Trench-FS技术。低Vcesat。低开关损耗。带有反并联快速恢复二极管。正温度系数。高可靠性。应用：逆变器电源。 UPS

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￥14.09
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￥12.95
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￥12.52

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型号：MSG60T65HHC0 编号：C7424068

封装：TO-247

特性：低栅极电荷。沟槽截止技术。高速开关。饱和电压：VCE(sat)，典型值 = 1.5V @ IC = 50A 和 TC = 25℃。应用：通用逆变器。感应加热(IH)

1+
￥15.08
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￥12.38
30+
￥10.7
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￥8.96

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型号：FGD3245G2-F085 编号：C903656

封装：TO-252AA

品牌：onsemi(安森美)

FGB3245G2_F085 和 FGD3245G2 是采用 Fairchild 的 EcoSPARK 2 技术设计的 N 沟道 IGBT，有助于免去外部保护电路。该技术已针对在恶劣环境中汽车点火系统线圈的驱动进行了优化，并且该技术还能在工作温度提高时提供非常出色的 V

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1+
￥15.38
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￥13.13
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￥11.72

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型号：MSG50T65QHC0 编号：C42445159

封装：TO-247

IGBT单管 650V 50A 应用于变频器

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￥15.46
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￥13.02
30+
￥11.49

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型号：STGB40V60F 编号：C5268557

封装：D2PAK

600 V、40 A超高速沟槽栅场截止V系列IGBT

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￥15.57
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￥15.22
30+
￥14.98

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型号：RGPZ10BM40FHTL 编号：C3014295

封装：TO-252

品牌：ROHM(罗姆)

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￥15.93
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￥15.53
30+
￥15.26

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型号：IKB15N65EH5 编号：C536145

封装：TO-263-3

特性：高速H5技术，在硬开关和谐振拓扑中提供一流的效率。650V击穿电压。低栅极电荷（QG）。IGBT与全额定电流的RAPID 1快速反并联二极管共封装。最高结温175℃。无铅镀铅，符合RoHS标准。应用：能源发电。太阳能串式逆变器

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￥16.54
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￥16.16
30+
￥15.91

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型号：IHW50N65R5XKSA1 编号：C3191668

封装：TO-247-3

特性：强大的单片反向导通二极管，正向电压低。 TRENCHSTOP™ 技术提供: -非常紧密的参数分布。 -高耐用性和稳定的温度特性。 -极低的 VCEsat 和低 Eoff。 -由于 VCEsat 的正温度系数，易于并联开关。低电磁干扰。应用：感应烹饪。逆变微波炉

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￥16.67
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型号：ISL9V3040D3STV 编号：C903784

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

ISL9V3040D3ST-F085C 和 ISL9V3040S3ST-F085C 为在节省空间的 D-Pak (TO-252)、以及行业标准 D2-Pak (TO-263) 塑料封装中提供卓越的 SCIS 能力。此器件适用于汽车点火电路，尤其适合用作线圈驱动器。内部二极管提供了电压箝位，而无需外部组件。EcoSPARK 器件可针对具体的箝位电压进行定制。有关更多信息，请联系最近的安森美半导体销售办公室。之前开发类型为 49362。

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￥16.88
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￥16.49
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￥16.24

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型号：STGB20NB41LZT4 编号：C2970665

封装：D2PAK

20 A、410 V内部钳制IGBT

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1+
￥17.07
10+
￥16.63
30+
￥16.34

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型号：MSG30D120FLB 编号：C7424073

封装：TO-3PN

特性：高栅极电荷。沟槽FS技术。低饱和电压：VCE(sat) = 1.5V @ IC + 30 A。符合RoHS标准。应用：通用逆变器。 UPS

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￥17.93
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￥15.19
30+
￥13.57
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￥11.92

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型号：MSG80N350HLC0 编号：C7424054

封装：TO-247

特性：高电流能力。低饱和电压：VCE(sat) = 1.3V @ IC = 50 A。高输入阻抗。符合RoHS标准。应用：PDP TV

1+
￥18.26
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￥15.55
30+
￥13.86
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￥12.12

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型号：MSG100T65BLC0 编号：C50726511

封装：TO-247

650V 100A IGBT

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￥18.44
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￥15.72
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￥14.1

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型号：MSG120N35HLB3 编号：C50726513

封装：TO-264

350V 120A IGBT

1+
￥18.5
10+
￥15.59
30+
￥13.78

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型号：STGW8M120DF3 编号：C5268601

封装：TO-247

1200 V、8 A沟槽栅场截止低损耗M系列IGBT

1+
￥20.32
10+
￥19.87
30+
￥19.58

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型号：MSG80D60FLC 编号：C7424056

封装：TO-247

特性：低栅极电荷。沟槽截止技术。高速开关。饱和电压：VCE(sat)，典型值 = 1.25V @ IC = 80A 和 TC = 25℃。应用：通用逆变器。感应加热(IH)

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￥21.67
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￥18.02
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￥15.84
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￥13.65

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型号：IGW30N60T 编号：C386331

封装：TO-247-3