igbt模块_厂家_价格_品牌_库存

型号：MSG15T120HLC0 编号：C7424072

封装：TO-247

品牌：MASPOWER(麦思浦)

特性：低栅极电荷。沟槽FS技术。 RoHS产品。应用：通用逆变器。感应加热（IH）

1+
￥10.86
10+
￥9.31
30+
￥8.13
90+
￥7.14
450+
￥6.69
900+
￥6.49

有货

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型号：RGT50NL65DGTL 编号：C2688826

封装：TO-263L

品牌：ROHM(罗姆)

特性：低集电极-发射极饱和电压。低开关损耗。短路耐受时间5μs。内置超快速软恢复FRD（RFN-系列）。无铅镀铅；符合RoHS标准。应用：通用逆变器。 UPS

数据手册

1+
￥11
10+
￥9.33
30+
￥8.29

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型号：STGD3NB60SDT4 编号：C17225633

封装：DPAK

品牌：ST(意法半导体)

采用基于专利条形布局的最新高压技术，推出了性能卓越的先进 IGBT 系列——PowerMESH™ IGBT。后缀 “S” 表示该系列针对低频应用（< 1 kHz）进行了优化，可实现最小导通压降。

1+
￥11.21
10+
￥10.97
30+
￥10.81

有货

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型号：MSG25T120FQC 编号：C7424077

封装：TO-247

品牌：MASPOWER(麦思浦)

特性：低栅极电荷。 FS技术。饱和电压：VCE(sat)，典型值为1.75V，条件为IC = 25A且TC = 25℃。符合RoHS标准。应用：通用逆变器。感应加热（IH）

1+
￥11.94
10+
￥9.8
30+
￥8.46
90+
￥7.09

有货

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型号：FGI3040G2-F085 编号：C898072

封装：TO-262AA-3

品牌：onsemi(安森美)

400V N-channel ignition IGBT for automotive ignition coil driver circuits and coil on plug applications.

数据手册

1+
￥11.95
10+
￥10.14
50+
￥9.01

有货

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型号：MSG40T65FH 编号：C7424061

封装：TO-247

品牌：MASPOWER(麦思浦)

高频

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￥12.48
10+
￥10.63
30+
￥9.47
90+
￥8.28

有货

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型号：STGP10H60DF 编号：C5268547

封装：TO-220

品牌：ST(意法半导体)

600 V、10 A高速沟槽栅场截止H系列IGBT

1+
￥12.6
10+
￥10.62
50+
￥9.38

有货

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型号：MSG50T65FQC 编号：C7424065

封装：TO-247

品牌：MASPOWER(麦思浦)

特性：低栅极电荷。沟槽FS技术。饱和电压：VCE(sat)，典型值 = 1.6V @ IC = 50A 和 TC = 25℃。应用：通用逆变器。 UPS

1+
￥12.82
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￥10.53
30+
￥9.09
90+
￥7.62

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型号：CRG75T65BK5SD 编号：C22363477

封装：TO-247

品牌：CRMICRO(华润微)

CRG75T65BK5SD采用先进的微沟槽FSIGBT技术，具有良好的导通和开关特性，易并联使用的特点。符合RoHS指令要求。

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￥13.12
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￥11.09
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￥9.47

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型号：STGB10H60DF 编号：C2971195

封装：D2PAK

品牌：ST(意法半导体)

600 V、10 A高速沟槽栅场截止H系列IGBT

数据手册

1+
￥14.42
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￥14.05
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￥13.81

有货

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型号：MSG60T65HHC0 编号：C7424068

封装：TO-247

品牌：MASPOWER(麦思浦)

特性：低栅极电荷。沟槽截止技术。高速开关。饱和电压：VCE(sat)，典型值 = 1.5V @ IC = 50A 和 TC = 25℃。应用：通用逆变器。感应加热(IH)

1+
￥15.08
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￥12.38
30+
￥10.7
90+
￥8.96

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型号：IHW30N140R5LXKSA1 编号：C20191005

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 1400V-IC = 30A。强大的单片体二极管，正向电压低，仅适用于软换相。非常紧密的参数分布。高鲁棒性，温度稳定特性。极低的VCEsat。由于VCEsat的正温度系数，易于并联。应用：电磁炉。微波炉

1+
￥15.1
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￥14.71
30+
￥14.45

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型号：FGD3245G2-F085 编号：C903656

封装：TO-252AA

品牌：onsemi(安森美)

FGB3245G2_F085 和 FGD3245G2 是采用 Fairchild 的 EcoSPARK 2 技术设计的 N 沟道 IGBT，有助于免去外部保护电路。该技术已针对在恶劣环境中汽车点火系统线圈的驱动进行了优化，并且该技术还能在工作温度提高时提供非常出色的 V

数据手册

1+
￥15.14
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￥12.9
30+
￥11.49

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型号：IGB50N65S5 编号：C536059

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：高速S5技术提供用于硬开关和软开关的高速平滑开关器件。极低的VCEsat，额定电流下为1.35V。可即插即用替换上一代IGBT。 650V击穿电压。低Qs。最高结温175℃。应用：能源发电：太阳能串式逆变器、太阳能微型逆变器。工业电源：工业开关电源、工业不间断电源

数据手册

1+
￥15.18
10+
￥14.83
30+
￥14.6

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型号：MSG50T65QHC0 编号：C42445159

封装：TO-247

品牌：MASPOWER(麦思浦)

IGBT单管 650V 50A 应用于变频器

1+
￥15.87
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￥13.43
30+
￥11.9

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型号：KGF50N65KDF-U/H 编号：C7434821

封装：TO-247

品牌：KEC

1+
￥15.88
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￥13.59
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￥11.32

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型号：AGW60N65 编号：C7494996

封装：TO-247

品牌：ANHI(安海)

特性：CoolWatt@ II Trench- FS技术。低VcEsAT。低开关损耗。带有反并联快速恢复二极管。正温度系数。高可靠性。应用：逆变器电源。工业焊接

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￥15.93
10+
￥13.48
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￥11.95

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型号：RGPZ10BM40FHTL 编号：C3014295

封装：TO-252

品牌：ROHM(罗姆)

1+
￥15.93
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￥15.53
30+
￥15.26

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型号：STGD10NC60KDT4 编号：C283504

封装：DPAK

品牌：ST(意法半导体)

数据手册

1+
￥15.94
10+
￥15.59
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￥15.36

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型号：STGH30H65DFB-2AG 编号：C5268567

封装：H2PAK-2

品牌：ST(意法半导体)

汽车级600 V、30 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT

1+
￥16.34
10+
￥15.92
30+
￥15.64

有货

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型号：FGW50XS65C 编号：C35339614

封装：TO-247

品牌：FUJI(富士电机)

1+
￥16.48
10+
￥14.08
30+
￥12.58
90+
￥11.05

有货

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型号：MSG80N350FL 编号：C7424052

封装：TO-247

品牌：MASPOWER(麦思浦)

特性：高电流能力。低饱和电压：VCE(sat) = 1.58 V @ IC = 80 A。高输入阻抗。符合RoHS标准。应用：PDP TV

1+
￥16.67
10+
￥14.02
30+
￥12.93
90+
￥11.23
450+
￥10.46
900+
￥10.13

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型号：MSG75D65HFC0 编号：C37635846

封装：TO-247

品牌：MASPOWER(麦思浦)

IGBT 650V 75A TO-247封装无反向二极管的IGBT 国产

1+
￥16.92
10+
￥14.32
30+
￥12.69

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型号：STGB20NB41LZT4 编号：C2970665

封装：D2PAK

品牌：ST(意法半导体)

20 A、410 V内部钳制IGBT

数据手册

1+
￥17.07
10+
￥16.63
30+
￥16.34

有货

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型号：MSG40T120FQC 编号：C7424075

封装：TO-247

品牌：MASPOWER(麦思浦)

特性：低栅极电荷。沟槽FS技术。饱和电压：VCE(sat) = 2.0V @ IC = 40 A。符合RoHS标准。应用：通用逆变器。焊接

1+
￥17.53
10+
￥14.4
30+
￥12.43
90+
￥10.42

有货

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型号：MSG30D120FLB 编号：C7424073

封装：TO-3PN

品牌：MASPOWER(麦思浦)

特性：高栅极电荷。沟槽FS技术。低饱和电压：VCE(sat) = 1.5V @ IC + 30 A。符合RoHS标准。应用：通用逆变器。 UPS

1+
￥17.93
10+
￥15.19
30+
￥13.57
90+
￥11.92

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型号：STGWA20H65DFB2 编号：C3193678

封装：TO-247-3

品牌：ST(意法半导体)

采用 TO-247 长引线封装的沟槽栅极场截止 650 V、20 A 高速 HB2 系列 IGBT

数据手册

1+
￥18.62
10+
￥18.23
30+
￥16.23

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型号：FGW50XS65D 编号：C36319066

封装：TO-247

品牌：FUJI(富士电机)

1+
￥19.42
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￥16.59
30+
￥14.83
90+
￥13.02

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型号：STGF10M65DF2 编号：C472634

封装：TO-220FP

品牌：ST(意法半导体)

沟槽栅场截止IGBT，M系列，650 V、10 A，低损耗

数据手册

1+
￥19.65
10+
￥19.23
30+
￥18.94

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型号：MSG80T65HHC0 编号：C7424069

封装：TO-247

品牌：MASPOWER(麦思浦)

特性：低栅极电荷。 FS技术。饱和电压：VCE(sat)，典型值 = 1.45V。应用：通用逆变器。感应加热（IH）

1+
￥20
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￥16.92
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