igbt模块_厂家_价格_品牌_库存

380V 200A IGBT

1+
￥74
10+
￥71.5

有货

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型号：SGM50HF12A1TFDT4 编号：C2897644

封装：-

品牌：SILAN(士兰微)

数据手册

1+
￥80.34
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￥77.9
30+
￥76.99

有货

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型号：6MBP35XSF060-50 编号：C22470718

封装：-

特性：低侧 IGBT 为独立发射极类型。短路保护。温度传感器输出功能。欠压保护。故障信号输出功能。输入接口：TTL(3.3V/5V) 高电平有效逻辑。应用：AC 100~240V 小功率交流电机驱动的三相逆变器驱动（如空调压缩机电机驱动、热泵应用压缩机电机驱动、风扇电机驱动、通风机电机驱动）

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￥82.48
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￥78.61
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￥71.89

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型号：IKY100N120CH7XKSA1 编号：C20191525

封装：-

特性：VCE = 1200 V。 IC = 100 A。最高结温 Tvjmax = 175℃。同类最佳高速IGBT，与全额定电流、低Qrr和软换相高速二极管共封装。低饱和电压 VCEsat = 1.7 V（Tvj = 25℃时）。针对高速硬开关拓扑（2-L逆变器、3-L NPC T型等）的高效率进行了优化。应用：工业UPS。电动汽车充电

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￥83.58
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￥79.49
30+
￥72.4

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型号：IXGH16N170 编号：C2831644

封装：TO-247

品牌：Littelfuse/IXYS

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￥107.63
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￥104.88

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型号：IKQB160N75CP2AKSA1 编号：C20191517

封装：TO-247-3

特性：VCE = 750 V。 IC = 160 A。低饱和电压 VCEsat = 1.4 V。低开关损耗。短路耐受时间 3 μs。 IGBT 与全电流、软快速恢复二极管共封装。应用：CAV 动力总成控制模块。通用驱动器 (GPD)

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￥121.34
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￥117.73

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型号：MCI100N65E3A2 编号：C49330893

封装：A2

650V/100A/-40~+150℃/Easy 2B/替代F3L100R07W2E3

1+
￥124.84
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￥121

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型号：SGM100HF12A1TFD 编号：C2761778

封装：-

品牌：SILAN(士兰微)

数据手册

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￥133.21
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￥119.07

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型号：MCI150N65S3A2 编号：C49330894

封装：A2

650V/150A/-40~+150℃/Easy 2B/替代F3L150R07W2E3

1+
￥162.29
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￥157.3

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型号：IXYH85N120A4 编号：C3193650

封装：TO-247

品牌：Littelfuse/IXYS

特性：针对低传导损耗进行优化。 Vce(sat)具有正温度系数。国际标准封装。高功率密度。低栅极驱动要求。应用：功率逆变器。 UPS

1+
￥187.11
30+
￥177.84

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型号：7MBR35VKD120-50 编号：C42387487

封装：插件,62.8x56.7mm

特性：低VCE(sat) 。紧凑型封装。印刷电路板安装模块。转换器二极管桥动态制动电路。符合RoHS标准的产品。应用：电机驱动逆变器。交流和直流伺服驱动放大器

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￥214.2
30+
￥207

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型号：7MBR25VA120-50 编号：C42387489

封装：插件,107.5x45mm

特性：低VCE(sat)。紧凑型封装。印刷电路板安装模块。转换器二极管桥。动态制动电路。符合RoHS标准的产品。应用：电机驱动逆变器。交直流伺服驱动放大器

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￥223.85
30+
￥212.75

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型号：7MBR35VM120-50 编号：C38438007

封装：插件,107.5x45mm

特性：低集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)）。紧凑型封装。印刷电路板安装模块。转换器二极管桥。动态制动电路。符合RoHS标准。应用：电机驱动逆变器。交流和直流伺服驱动器

1+
￥238
30+
￥230

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型号：MG100HF12MIC1 编号：C781180

封装：螺栓安装

品牌：YANGJIE(扬杰)

MG100HF12MIC1-A1-0000

数据手册

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￥246.01
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￥228.62

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型号：MCP75N120S2C3 编号：C49330895

封装：C3

1200V/75A/-40~+150℃/EconoPIM3/替代FP75R12KT4

1+
￥262.15
10+
￥254.09

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型号：2MBI300VB-060-50 编号：C46596100

封装：螺栓安装

特性：交流开关。高速开关。电压驱动。低电感模块结构。应用：UPS、PCS等的交流开关

1+
￥296.79
24+
￥280.9

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型号：MCP100N120S2C3 编号：C49330896

封装：C3

1200V/100A/-40~+150℃/EconoPIM3/替代FP100R12KT4

1+
￥312.09
10+
￥302.49

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型号：FS3L50R07W2H3FB11 编号：C3198805

封装：-

1+
￥475.76
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￥452.99

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型号：IKN01N60RC2ATMA1 编号：C3191594

封装：SOT-223-3

特性：VCE = 600 V。 IC = 1 A。非常紧密的参数分布。工作范围为 1 至 20 kHz。最大结温 150℃。 3 μs 的短路能力。应用：吊扇。台面电器

1+
￥1.82
10+
￥1.77
30+
￥1.74

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型号：IKN06N60RC2ATMA1 编号：C3191595

封装：SOT-223-3

特性：VCE = 600V。 IC = 6A。非常紧密的参数分布。工作范围为 1 至 20kHz。最高结温 150°C。短路能力为 3μs。应用：吊扇。台面电器

1+
￥3.05
10+
￥2.97
30+
￥2.93

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型号：MSG15T65FL 编号：C5353628

封装：TO-220F

特性：高耐用性，适用于电机控制。 VCE(sat)正温度系数。非常软、快速恢复的反并联二极管。低EMI。最高结温175℃。应用：电机控制逆变器

数据手册

1+
￥4.7
10+
￥3.79
50+
￥3.3
100+
￥2.85
500+
￥2.58
1000+
￥2.44

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型号：MSG15T120HLC0 编号：C7424072

封装：TO-247

特性：低栅极电荷。沟槽FS技术。 RoHS产品。应用：通用逆变器。感应加热（IH）

1+
￥6.46
10+
￥6.32
30+
￥6.01
90+
￥5.91

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型号：STGF7NB60SL 编号：C2969875

封装：TO-220FP

品牌：ST(意法半导体)

使用基于专利条形布局的最新高压技术，设计了先进的IGBT系列，后缀“S”表示针对低频应用（<1kHz）优化，以实现最小导通压降。

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￥6.63
10+
￥6.47
30+
￥6.37

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型号：MSG30T65HHT1 编号：C7424060

封装：TO-220F

特性：低栅极电荷。沟槽FS技术。快速开关速度。低开关损耗。应用：PFC。 UPS

1+
￥6.92
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￥5.77
50+
￥4.87
100+
￥4.16
500+
￥3.84
1000+
￥3.7

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型号：STGF15H60DF 编号：C726094

封装：TO-220FP

品牌：ST(意法半导体)

600 V、15 A高速沟槽栅场截止H系列IGBT

数据手册

1+
￥7.23
10+
￥7.05
30+
￥6.92

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型号：IRGR3B60KD2TRP 编号：C3190816

封装：DPAK

特性：低VCE (on)非穿通IGBT技术。低二极管VF。 10μs短路能力。方形RBSOA。超软二极管反向恢复特性。正VCE (on)温度系数。无铅

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￥7.44
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￥7.28
30+
￥7.17
100+
￥7.06

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型号：MSG40T65HPC0 编号：C7424062

封装：TO-247