igbt模块_厂家_价格_品牌_库存

特性：低VCE(sat)。紧凑型封装。印刷电路板安装模块。转换器二极管桥动态制动电路。符合RoHS标准的产品。应用：电机驱动逆变器。交流和直流伺服驱动放大器

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￥112
24+
￥108

有货

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型号：MCI100N65E3A2 编号：C49330893

封装：A2

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

650V/100A/-40~+150℃/Easy 2B/替代F3L100R07W2E3

1+
￥124.84
10+
￥121

有货

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型号：STGY50NC60WD 编号：C2971563

封装：Max247

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￥127.88
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￥122.01
30+
￥111.84

有货

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型号：IKY75N120CH7XKSA1 编号：C20191530

封装：TO-247-4

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￥142.6
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￥136.31
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￥125.41

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型号：ESJ75SH120AN 编号：C41417724

封装：FD-7

1200V 75A FD7 电源模块高功率 NPT IGBT 模块

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￥143.15
30+
￥135.95

有货

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型号：MCI150N65S3A2 编号：C49330894

封装：A2

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

650V/150A/-40~+150℃/Easy 2B/替代F3L150R07W2E3

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￥162.29
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￥157.3

有货

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型号：STGSB200M65DF2AG 编号：C5268592

封装：-

采用 ACEPACK SMIT 封装的汽车级沟槽栅极场截止、650 V、200 A 低损耗 M 系列 IGBT

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￥175.42
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￥167.02

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型号：IXXN110N65C4H1 编号：C3193038

封装：SOT-227B

品牌：Littelfuse/IXYS

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￥208.33
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￥198.81

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型号：2MBI300VB-060-50 编号：C46596100

封装：螺栓安装

特性：交流开关。高速开关。电压驱动。低电感模块结构。应用：UPS、PCS等的交流开关

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￥291.5
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￥280.9

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型号：7MBR50VM120-50 编号：C22470719

封装：-

特性：低VCE(sat)。紧凑型封装。 P.C. 板安装模块。转换器二极管桥。动态制动电路。 RoHS合规产品。应用：电机驱动逆变器。交流和直流伺服驱动放大器

1+
￥303.05
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￥293.25

有货

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型号：7MBP150RA120-05 编号：C42387491

封装：-

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￥3019.77
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￥2881.86

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型号：IKN01N60RC2ATMA1 编号：C3191594

封装：SOT-223-3

特性：VCE = 600 V。 IC = 1 A。非常紧密的参数分布。工作范围为 1 至 20 kHz。最大结温 150℃。 3 μs 的短路能力。应用：吊扇。台面电器

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￥2.18
10+
￥2.14
30+
￥2.11

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型号：IKD06N60R 编号：C536168

封装：TO-252-3

数据手册

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￥4.11
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￥4.01
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￥3.95

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型号：NCE10TD60BK 编号：C502955

封装：TO-252-2

品牌：NCE(无锡新洁能)

采用专有沟槽设计和先进的 FS（场截止）第二代技术，600V 沟槽 FSII IGBT 具有卓越的导通和开关性能，且易于并联操作。

数据手册

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￥4.13
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￥3.35
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￥2.96
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￥2.23

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型号：IKN03N60RC2ATMA1 编号：C3191597

封装：SOT-223-3

特性：集电极-发射极电压（VCE）：600V。集电极电流（IC）：3A。参数分布非常紧密。工作范围：1至20kHz。最高结温：150°C。短路承受时间：3μs。应用：吊扇。台面电器

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￥4.41
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￥3.54
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￥3.11

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型号：MSG15T65FLT 编号：C41417731

封装：TO-220

IGBT 650V 15A TO-220

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￥5.32
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￥4.29
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￥3.26
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￥2.95
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￥2.79

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型号：IKD04N60RC2ATMA1 编号：C3191763

封装：TO-252-3

特性：非常紧密的参数分布。工作范围高达20kHz。最大结温175℃。 3μs的短路能力。防潮设计。无铅镀铅；符合RoHS标准。应用：主要家用电器。空调

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￥5.93
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￥4.73
30+
￥4.13

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型号：STGF7NB60SL 编号：C2969875

封装：TO-220FP

使用基于专利条形布局的最新高压技术，设计了先进的IGBT系列，后缀“S”表示针对低频应用（<1kHz）优化，以实现最小导通压降。

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￥6.63
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￥6.47
30+
￥6.37

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型号：MSG30T65HHT1 编号：C7424060

封装：TO-220F

特性：低栅极电荷。沟槽FS技术。快速开关速度。低开关损耗。应用：PFC。 UPS

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￥6.92
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￥5.77
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￥4.87
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￥3.84
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￥3.7

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型号：STGF10H60DF 编号：C2970813

封装：TO-220FP

600 V、10 A高速沟槽栅场截止H系列IGBT

数据手册

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￥7.17
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￥6.98
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￥6.86

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型号：IGB20N60H3 编号：C536053

封装：TO-263-3

采用沟槽和场截止技术的高速 IGBT，600V 高速开关系列第三代产品

数据手册

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￥7.25
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￥7.07
30+
￥6.95

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型号：STGF10NC60KD 编号：C2802546

封装：TO-220FP

这些器件是采用先进的PowerMESH™技术开发的高速IGBT。该工艺确保了开关性能和低导通状态特性之间的出色平衡

数据手册

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￥7.6
10+
￥7.41
30+
￥7.28

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型号：MSG40T65HPC0 编号：C7424062

封装：TO-247

特性：高速开关和低功率损耗。集电极-发射极饱和电压 VCE(sat) = 1.95V（集电极电流 IC = 40A 时）。关断损耗 Eoff = 0.35mJ（壳温 TC = 25℃ 时）。高输入阻抗。反向恢复时间 Trr = 80ns（典型值）（电流变化率 diF / dt = 1000A / μs 时）。最大结温 Tjmax = 175℃。应用：不间断电源（UPS）。功率因数校正（PFC）

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￥7.96
10+
￥6.48
30+
￥5.67
90+
￥4.75

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型号：MSG15T120HLT1 编号：C37635842

封装：TO-220F

IGBT 15A 1200V TO-220F封装高压晶体管贴片封装

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￥8.74
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￥7.23
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￥6.4
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￥5.46
500+
￥5.04
1000+
￥4.85

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型号：IGB08N120S7ATMA1 编号：C32168359

封装：TO-263-3

特性：VCE = 1200 V。 IC = 8 A。低饱和电压：VCEsat = 2 V（Tdj = 150℃时）。短路耐用性：8 μs。宽范围的dv/dt可控性。完整的产品系列和PSpice模型。应用：工业驱动器

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￥8.76
10+
￥8.55
30+
￥8.42

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型号：RGT8NS65DGTL 编号：C7044785

封装：TO-263-3

品牌：ROHM(罗姆)

特性：低集电极-发射极饱和电压。低开关损耗。短路耐受时间5μs。内置超快软恢复FRD（RFN系列）。无铅镀铅；符合RoHS标准。应用：通用逆变器。 UPS

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￥9.26
10+
￥9.03
30+
￥8.87

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型号：IGP10N60T 编号：C536073

封装：TO-220-3