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沟槽栅场截止IGBT，M系列，650 V、30 A，低损耗

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1+
￥19.87
10+
￥16.87
30+
￥14.99

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型号：MSG75T65HFC0 编号：C41417595

封装：TO-247

IGBT 650V 75A TO-247

1+
￥21.06
10+
￥18
30+
￥16.19

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型号：RGS80TS65DHRC11 编号：C7493801

封装：TO-247N

品牌：ROHM(罗姆)

特性：低集电极-发射极饱和电压。短路耐受时间8μs。通过AEC-Q101认证。内置超快软恢复FRD。无铅镀铅；符合RoHS标准。应用：汽车和工业用通用逆变器

1+
￥21.26
10+
￥20.77
30+
￥20.43

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型号：MSG80D60FLC 编号：C7424056

封装：TO-247

特性：低栅极电荷。沟槽截止技术。高速开关。饱和电压：VCE(sat)，典型值 = 1.25V @ IC = 80A 和 TC = 25℃。应用：通用逆变器。感应加热(IH)

1+
￥21.67
10+
￥18.02
30+
￥15.84
90+
￥13.65

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型号：IKP30N65H5 编号：C536198

封装：TO-220-3

特性：高速H5技术，在硬开关和谐振拓扑中提供一流的效率。可即插即用替换上一代IGBT。 650V击穿电压。低栅极电荷QG。 IGBT与RAPID 1快速软反并联二极管共封装。最高结温175℃。应用：太阳能转换器。不间断电源

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1+
￥21.68
10+
￥18.7
50+
￥16.93

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型号：IKWH50N67PR7XKSA1 编号：C42433313

封装：TO-247-3

特性：VCE = 670 V。 IC = 50 A。引脚间爬电距离 >4.8 mm。引脚间电气间隙距离 >3.4 mm。针对PFC应用优化的单片二极管。改善的EMI特性，具有较低的dv/dt。应用：家用空调/商用空调。家用暖通空调/商用暖通空调

1+
￥22.73
10+
￥19.26
30+
￥17.2

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型号：IKW50N65WR5 编号：C536220

封装：TO-247-3

特性：强大的单片二极管，针对零电流开关（ZCS）应用进行了优化。TRENCHSTOP™ 5技术应用提供：高坚固性，温度稳定性能。极低的集电极-发射极饱和电压（VCEsat）和低E(max)。由于VCEsat的正温度系数，具有易于并联开关的能力。低电磁干扰（EMI）。电气参数对温度的依赖性低。应用：焊接。功率因数校正（PFC）

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1+
￥23.6
10+
￥20.25
30+
￥18.26

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型号：MSG75T65FQC 编号：C5353632

封装：TO-247

特性：低栅极电荷。 FS技术。短路耐受时间10μs。饱和电压：VCE(sat)，典型值为1.7V。应用：通用逆变器。感应加热(IH)

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1+
￥23.83
10+
￥20.37
30+
￥18.32

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型号：IKW50N65ET7 编号：C5359098

封装：TO-247-3

1+
￥26.25
10+
￥25.65
30+
￥25.25

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型号：IKW40N65RH5XKSA1 编号：C3191674

封装：TO-247-3

特性：VCE = 650 V-IC = 40 A。由于TRENCHSTOP 5和CoolSiC技术的结合，具有超低开关损耗。在硬开关拓扑中具有基准效率。可即插即用替换纯硅器件。最高结温Tvjmax = 175℃。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。应用：工业开关电源。工业不间断电源

1+
￥26.45
10+
￥25.77
30+
￥25.32

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型号：STGW20NC60V 编号：C17513074

封装：TO-247

该IGBT采用先进的PowerMESH™工艺，在开关性能和低导通状态特性之间实现了出色的平衡。

1+
￥29.66
10+
￥25.26
30+
￥22.65

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型号：STGW80V60DF 编号：C2985036

封装：TO-247

600 V、80 A超高速沟槽栅场截止V系列IGBT

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1+
￥31.99
10+
￥27.37
30+
￥24.56

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型号：MSG75T120FQC1 编号：C41417598

封装：TO-247Plus

IGBT 1200V 75A TO-247plus

1+
￥32.08
10+
￥27.43
30+
￥24.66

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型号：STGWA40IH65DF 编号：C2971204

封装：TO-247-3

650 V、40 A软开关沟槽栅场截止IH系列IGBT，TO-247长引线封装

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1+
￥32.14
10+
￥31.41
30+
￥30.92

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型号：IKW30N65EL5XKSA1 编号：C84439

封装：TO-247-3

特性：低VCE(sat) L5技术。极低的集电极-发射极饱和电压VCEsat。导通和开关损耗之间的同类最佳权衡。 650V击穿电压。低栅极电荷QG。最高结温175℃。应用：不间断电源。太阳能光伏逆变器

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1+
￥33.11
10+
￥28.69
30+
￥25.72

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型号：MSG100T65HLC1 编号：C41417597

封装：TO-247Plus

IGBT 650V 100A TO-247Plus

1+
￥33.99
10+
￥29.06
30+
￥26.13

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型号：STGW30V60F 编号：C2970703

封装：TO-247

600 V、30 A超高速沟槽栅场截止V系列IGBT

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1+
￥35.68
10+
￥30.35
30+
￥27.17

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型号：DPM15C60DG1 编号：C5367237

封装：DIP-24

品牌：CRMICRO(华润微)

1+
￥35.84
10+
￥30.8
30+
￥27.81
96+
￥24.78

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型号：RGTVX6TS65DGC11 编号：C17694859

封装：TO-247N

品牌：ROHM(罗姆)

1+
￥41.4
10+
￥40.43
30+
￥39.78

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型号：IKWH50N65EH7XKSA1 编号：C20191523

封装：TO-247-3

特性：VCE = 650 V。 IC = 50 A。低开关损耗。极低的集电极-发射极饱和电压VCEsat。非常软、快速恢复的反并联二极管。平滑的开关特性。应用：工业不间断电源。电动汽车充电

1+
￥42.22
10+
￥36.6
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￥33.17

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型号：MSG120T65HLB3 编号：C42445165

封装：TO-264